專利名稱：信息存儲介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可記錄信息存儲介質(zhì)，更具體地講，涉及一種具有多個信息存儲層的信息存儲介質(zhì)，通過其信息存儲層的區(qū)能有效地使用，同時使在被包括在每個信息存儲層中的最佳功率控制(OPC)區(qū)中執(zhí)行的OPC處理對其他信息存儲層的影響最小化。
背景技術(shù)：
一般的信息存儲介質(zhì)被廣泛用作用于以非接觸的方式記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)的光學(xué)頭設(shè)備的信息記錄介質(zhì)。光盤被用作信息存儲介質(zhì)并根據(jù)它們的信息存儲容量被分類為致密盤(CD)或數(shù)字多功能盤(DVD)。可記錄、可擦除和可再現(xiàn)光盤的實(shí)例是650MB的CD-R、CD-RW，4.7GB的DVD+RW等。而且，具有25GB或者更大記錄容量的高清晰度DVD(HD-DVD)正在開發(fā)中。
如上所述，信息存儲介質(zhì)已被開發(fā)為具有較大的記錄容量。信息存儲介質(zhì)的記錄容量能以下面兩種有代表性的方式被增加1)減小從光源發(fā)射的記錄光束的波長；和2)增加物鏡的數(shù)值孔徑。另外，有一種形成多個信息存儲層的方式。
圖1A和1B示意性地表示具有第一信息存儲層L0和第二信息存儲層L1的雙層信息存儲介質(zhì)。第一信息存儲層L0和第二信息存儲層L1分別包括用于獲得最佳寫入功率的第一最佳功率控制(OPC)區(qū)111和第二最佳功率控制區(qū)121以及分別包括第一缺陷管理區(qū)(DMA)115和第二缺陷管理區(qū)125。第一OPC區(qū)111和第二OPC區(qū)121彼此相對(即，OPC區(qū)在相對于信息存儲介質(zhì)的內(nèi)邊界和外邊界的公共半徑上)。
數(shù)據(jù)使用寫入功率的各種電平被記錄在第一OPC區(qū)111和第二OPC區(qū)121中，以找到最佳寫入功率。因此，數(shù)據(jù)可以以比最佳寫入功率高的功率的電平被記錄。表1顯示當(dāng)數(shù)據(jù)以不同的寫入功率的電平被記錄在OPC區(qū)111和121時，在第一信息存儲層L0和第二信息存儲層L1中的每一個的抖動特性的變化。
表1

根據(jù)表1，如果數(shù)據(jù)以正常寫入功率被記錄，則第一信息存儲層L0或第二信息存儲層L1的抖動特性保持不變。另一方面，如果數(shù)據(jù)以高于正常寫入功率20％的寫入功率被記錄，則信息已被記錄在其中的第一信息存儲層L0或第二信息存儲層L1的OPC區(qū)的抖動特性降低。如果數(shù)據(jù)以比高于正常寫入功率20％還高的寫入功率被記錄在第一信息存儲層L0和第二信息存儲層L1其中之一上，則可預(yù)料另一信息存儲層的抖動特性還會降低。
因此，如果第一信息存儲層L0的第一OPC區(qū)111和第二信息存儲層L1的第二OPC區(qū)121如圖1A和1B所示存在于相等半徑內(nèi)，則它們中的其中之一可能是不可用的。
第一OPC區(qū)111和第二OPC區(qū)121其中之一的記錄狀態(tài)可影響另一OPC區(qū)的記錄特性。例如，如圖1B所示，如果數(shù)據(jù)已經(jīng)被記錄在第一OPC區(qū)111的111a部分，并且在其剩余的區(qū)域111b上沒有記錄數(shù)據(jù)，則與第一OPC區(qū)111的占用部分111a相應(yīng)的第二OPC區(qū)121的一部分的記錄性質(zhì)不同于與第一OPC區(qū)111的未被占用部分111b相應(yīng)的第二OPC區(qū)121的一部分的記錄性質(zhì)。換句話說，由于對于第一OPC區(qū)111的占用部分111a的激光的透射比不同于對于其未占用部分111b的激光的透射比，所以在整個區(qū)第二OPC區(qū)121的記錄性質(zhì)可能是不規(guī)則的。
如上所述，如果第一OPC區(qū)和第二OPC區(qū)被布置在相等的半徑內(nèi)，則它們可能不會正確地起作用。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明提供了一種具有多個信息存儲層的信息存儲介質(zhì)，通過其信息存儲層的區(qū)能被有效地使用，同時使在被包括于每個信息存儲層的最佳功率控制(OPC)區(qū)中執(zhí)行的OPC對其他信息存儲層的影響最小化；一種使信息存儲介質(zhì)的OPC區(qū)之間的干擾最小化的方法；和一種用于使信息存儲介質(zhì)的OPC區(qū)之間的干擾最小化的記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備。
技術(shù)解決方案根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種具有多個信息存儲層的信息存儲介質(zhì)，每個信息存儲層包括用于獲得最佳記錄條件的最佳功率控制區(qū)，其中，奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層中的最佳功率控制區(qū)被布置在該信息存儲介質(zhì)的不同的半徑之內(nèi)，并且每個信息存儲層中的最佳功率控制區(qū)的實(shí)際可用區(qū)的大小取決于每個信息存儲層的使用環(huán)境而變化。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種具有多個信息存儲層的信息存儲介質(zhì)，每個信息存儲層包括用于獲得最佳記錄條件的最佳功率控制區(qū)，其中奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層中的最佳功率控制區(qū)被布置在信息存儲介質(zhì)的不同的半徑之內(nèi)，并且奇數(shù)和偶數(shù)的信息存儲層中的一個包括其正對另一個信息存儲層的最佳功率控制區(qū)的用于預(yù)定目的的可用區(qū)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種使信息存儲介質(zhì)的第一信息存儲層的第一最佳功率控制區(qū)和第二信息存儲層的第二最佳功率控制區(qū)之間的干擾最小化的方法，包括布置第一和第二最佳功率控制區(qū)，使得其每一個與另一個信息存儲層的以相反的方向被記錄的特定區(qū)對準(zhǔn)，以使干擾最小化。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，包括光學(xué)頭，其以光功率在信息存儲介質(zhì)的表面上記錄數(shù)據(jù)和/或從該表面上讀數(shù)據(jù)；和控制器，其控制光學(xué)頭以在信息存儲介質(zhì)的表面記錄和/或再現(xiàn)數(shù)據(jù)并確定以其設(shè)置記錄期間的光功率的最佳記錄功率，其中，信息存儲介質(zhì)包括第一信息存儲層和第二信息存儲層，其中第一信息存儲層包括第一最佳功率控制區(qū)和第一限制使用區(qū)，第二信息存儲層包括第二最佳功率控制區(qū)和第二限制使用區(qū)，所述區(qū)被布置從而使第一最佳功率控制區(qū)與第二限制使用區(qū)對準(zhǔn)，以及第二最佳功率控制區(qū)與第一限制使用區(qū)對準(zhǔn)，控制器根據(jù)在第一和第二最佳功率控制區(qū)之一中被光學(xué)頭記錄和/或再現(xiàn)的數(shù)據(jù)確定最佳記錄功率。
在該設(shè)備中，第一和第二限制使用區(qū)是由控制器以與第一和第二最佳功率控制區(qū)相反的方向可記錄的保留區(qū)。
在該設(shè)備中，第一限制區(qū)是由控制器以與第一和第二最佳功率控制區(qū)相反的方向可記錄的保留區(qū)，第二限制區(qū)是以相對于第一和第二最佳功率控制區(qū)的任何方向可記錄的可用區(qū)。
本發(fā)明的其他方面和/或優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分地被闡明，并且從描述中部分會明顯，或可通過本發(fā)明的實(shí)施可理解。


通過下面結(jié)合附圖詳細(xì)地描述實(shí)施例，本發(fā)明的以上和/或其他方面和優(yōu)點(diǎn)將會變得清楚，其中圖1A和1B是表示傳統(tǒng)的雙層信息存儲介質(zhì)中的最佳功率控制(OPC)區(qū)對除該OPC區(qū)之外的區(qū)的影響的示圖；圖2表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層信息存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)的布局；圖3A和3B表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的雙層信息存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)的布局；圖4A和4B表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的雙層信息存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)的布局；圖5A到5D表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的雙層信息存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)的布局；圖6表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙層信息存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)的布局；圖7表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的雙層信息存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)的布局；圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于將信息記錄到信息存儲介質(zhì)/從信息存儲介質(zhì)再現(xiàn)信息的設(shè)備的方框圖；和圖9是圖8的記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備更詳細(xì)的方框圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)地參考本發(fā)明實(shí)施例，其中的實(shí)例結(jié)合附圖被說明，其中，相同的標(biāo)號始終指同樣的元件。通過參照附圖，下面將描述這些實(shí)施例以解釋本發(fā)明。
參照圖2，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的信息存儲介質(zhì)包括至少兩個信息存儲層L0和L1。每個信息存儲層L0、L1包括用于獲得最佳的功率的最佳功率控制(OPC)區(qū)211、223和保留區(qū)213、221。信息存儲層L0、L1的OPC區(qū)211、223被布置在不同的半徑內(nèi)以使它們彼此不正對。盡管沒有示出，但是每個信息存儲層可包括與OPC區(qū)211、223相鄰的映射區(qū)。
圖2中顯示的信息存儲介質(zhì)包括第一信息存儲層L0和第二信息存儲層L1。第一信息存儲層L0包括第一OPC區(qū)211、第一保留區(qū)213和第一盤信息(DI)區(qū)215。第二信息存儲層L1包括第二保留區(qū)221、第二OPC區(qū)223和第二DI區(qū)225。第一DI區(qū)215和第二DI區(qū)225存儲當(dāng)每一數(shù)據(jù)記錄時被更新的數(shù)據(jù)，例如，OPC區(qū)的使用部分的地址、關(guān)于信息存儲層的狀態(tài)的信息等。關(guān)于信息存儲層的狀態(tài)的信息的實(shí)例包括記錄模式、和根據(jù)記錄模式最后被記錄的地址。
信息存儲層L0中的第一OPC區(qū)211和信息存儲層L1中的第二OPC區(qū)223被布置于該信息存儲介質(zhì)不同的半徑之內(nèi)，以使第一OPC區(qū)211和第二OPC區(qū)223彼此不正對。更具體地講，第二保留區(qū)221被布置在與第一信息存儲層L0的第一OPC區(qū)211相對的第二信息存儲層L1的區(qū)中，第一保留區(qū)213被布置在與第二信息存儲層L1的第二OPC區(qū)223相對的第一信息存儲層L0的區(qū)中。
第一信息存儲層L0的第一DI區(qū)215和第二信息存儲層L1的第二DI區(qū)225分別被布置在信息存儲介質(zhì)的同一半徑內(nèi)，可使用缺陷管理區(qū)(DMA)而不使用DI區(qū)215和225，或者除了DI區(qū)215和225之外還使用DMA。
圖3A和3B表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的信息存儲介質(zhì)，其中第一信息存儲層L0包括第一OPC區(qū)311、第一保留區(qū)313、第一缺陷管理區(qū)(DMA)315，第二信息存儲層L1包括第二保留區(qū)321、第二OPC區(qū)323及第二DMA325。
參照圖3A和圖3B，在每個信息存儲層L0、L1的每個OPC區(qū)311、323和保留區(qū)313、321中的數(shù)據(jù)記錄的方向(即，OPC區(qū)311、323和保留區(qū)313、321的使用的方向)是相同的。換句話說，在數(shù)據(jù)以相同的方向被記錄在每個信息存儲層L0、L1的OPC區(qū)311、323和保留區(qū)313、321中時，數(shù)據(jù)以相反的方向被記錄在不同信息存儲層L0、L1的正對的區(qū)中。也就是說，不同信息存儲層L0、L1的正對的區(qū)以相反的方向被使用以使它們在數(shù)據(jù)記錄時不被一起使用。
在圖3A中，不管信息存儲介質(zhì)的跟蹤螺旋方向如何，數(shù)據(jù)從信息存儲介質(zhì)的內(nèi)邊界到外邊界以相同的方向被記錄在第一信息存儲層L0的第一OPC區(qū)311和第一保留區(qū)313中。換句話說，第一OPC區(qū)311和第一保留區(qū)313從信息存儲介質(zhì)的內(nèi)邊界到外邊界以相同的方向被使用。數(shù)據(jù)從信息存儲介質(zhì)的外邊界到內(nèi)邊界以相同的方向被記錄在第二信息存儲層L1的第二保留區(qū)321和第二OPC區(qū)323中。換句話說，第二保留區(qū)321和第二OPC區(qū)323從信息存儲介質(zhì)的外邊界到內(nèi)邊界以相同的方向被使用。因而，第一存儲層L0和第二存儲層L1的正對的OPC區(qū)和保留區(qū)以相反的方向被使用。
在圖3B中，不管信息存儲介質(zhì)的跟蹤螺旋方向如何，數(shù)據(jù)從信息存儲介質(zhì)的外邊界到內(nèi)邊界以相同的方向被記錄在第一信息存儲層L0的第一OPC區(qū)311和第一保留區(qū)313中。換句話說，第一OPC區(qū)311和第一保留區(qū)313從信息存儲介質(zhì)的外邊界到內(nèi)邊界以相同的方向被使用。數(shù)據(jù)從信息存儲介質(zhì)的內(nèi)邊界到外邊界以相同的方向被記錄在第二信息存儲層L1的第二保留區(qū)321和第二OPC區(qū)323中。換句話說，第二保留區(qū)321和第二OPC區(qū)323從信息存儲介質(zhì)的內(nèi)邊界到外邊界以相同的方向被使用，但與第一OPC區(qū)311和第一保留區(qū)313的使用的方向相反。
圖4A和4B表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的信息存儲介質(zhì)，其中第一信息存儲層L0包括第一OPC區(qū)411、第一保留區(qū)413、第一DMA 415，第二信息存儲層L1包括第二保留區(qū)421、第二OPC區(qū)423及第二DMA 425。
參照圖4A和圖4B，在每個信息存儲層L0、L1的OPC區(qū)411、423和保留區(qū)413、421中的數(shù)據(jù)記錄的方向(即，OPC區(qū)411、423和保留區(qū)413、421的使用的方向)是相反的。換句話說，在數(shù)據(jù)以相反的方向被記錄在每個信息存儲層L0、L1的OPC區(qū)411、423和保留區(qū)413、421中時，數(shù)據(jù)以相反的方向被記錄在不同信息存儲層L0、L1的正對的區(qū)中。也就是說，不同信息存儲層L0、L1的正對的區(qū)以相反的方向被使用以使它們在數(shù)據(jù)記錄時不被一起使用。
在圖4A中，不管圖2的信息存儲介質(zhì)的跟蹤螺旋方向如何，在第一信息存儲層L0的第一OPC區(qū)411和第一保留區(qū)413中的數(shù)據(jù)記錄的方向是相反的。也就是說，第一OPC區(qū)411和第一保留區(qū)413的使用的方向分別是從信息存儲層的內(nèi)邊界到外邊界和從外邊界到內(nèi)邊界。在第二信息存儲層L1的第二保留區(qū)421和第二OPC區(qū)423中的數(shù)據(jù)記錄的方向，也就是第二保留區(qū)421和第二OPC區(qū)423的使用的方向，分別是從信息存儲層的外邊界到內(nèi)邊界和從內(nèi)邊界到外邊界。
在圖4B中，不管信息存儲介質(zhì)的跟蹤螺旋方向如何，在第一信息存儲層L0的第一OPC區(qū)411和第一保留區(qū)413中的數(shù)據(jù)記錄的方向(即，第一OPC區(qū)411和第一保留區(qū)413的使用的方向)分別是從信息存儲層的外邊界到內(nèi)邊界和從內(nèi)邊界到外邊界。在第二信息存儲層L1的第二保留區(qū)421和第二OPC區(qū)423中的數(shù)據(jù)記錄的方向(即第二保留區(qū)421和第二OPC區(qū)423的使用的方向)分別是從信息存儲層的內(nèi)邊界到外邊界和從外邊界到內(nèi)邊界。
在圖3A和圖3B中或圖4A和圖4B中，應(yīng)該理解，被安排在第一信息存儲層L0和第二信息存儲層L1的每一個中的OPC區(qū)和保留區(qū)的順序可根據(jù)不同方面被顛倒。
在圖3A和3B及圖4A和4B的信息存儲介質(zhì)中，第一OPC區(qū)311和411以及第二OPC區(qū)323和423的使用部分的地址被分別記錄在第一保留區(qū)313和413以及第二保留區(qū)321和421中。因此，信息存儲層的OPC區(qū)的實(shí)際可用區(qū)的大小隨著相鄰信息存儲層的保留區(qū)的使用區(qū)而改變，其中該使用區(qū)取決于每個信息存儲層的使用的環(huán)境，例如，取決于被記錄在每個信息存儲層中的數(shù)據(jù)類型或每個信息存儲層的使用的頻率。
圖5A到圖5D表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的信息存儲介質(zhì)，其包括映射區(qū)512、522，用于存儲信息存儲層L0和L1中的OPC區(qū)511和523的使用部分的地址，并且被布置在與OPC區(qū)511、523相鄰。對照圖3A和3B以及圖4A和43，在每個信息存儲層L0和L1中分配的保留區(qū)被用作與OPC區(qū)511、523的使用部分的地址的存儲不同的某一目的。當(dāng)這樣的映射區(qū)被布置于與如上所述的每個信息存儲層中的OPC區(qū)511、523相鄰時，能夠在OPC在每個信息存儲層L0、L1中被執(zhí)行之前快速地識別OPC區(qū)511、523的可用部分。因而執(zhí)行OPC需要的時間能被縮短。
OPC區(qū)511、523的地址可以各種形式，例如以位圖的形式被記錄在映射區(qū)中。映射區(qū)511、522可被不僅能存儲OPC信息還能存儲當(dāng)每一數(shù)據(jù)記錄時被更新的信息的盤信息(DI)區(qū)代替，例如，被更新的數(shù)據(jù)可以是最后被記錄在用戶區(qū)中的地址等等。
在圖5A到圖5D中，第一信息存儲層L0包括第一OPC區(qū)511、第一映射區(qū)512、第一保留區(qū)513和第一DMA 515，第二信息存儲層L1包括第二保留區(qū)521、第二映射區(qū)522、第二OPC區(qū)523和第二DMA 525。第一映射區(qū)512和第二映射區(qū)522被布置在信息存儲介質(zhì)的同一半徑之內(nèi)，第一DMA 515和第二DMA 525類似地位于信息存儲介質(zhì)的一個不同的半徑上。
通常，在圖5A和圖5B中表示的信息存儲介質(zhì)通過在圖3A和3B的信息存儲介質(zhì)中還分配第一映射區(qū)512和第二映射區(qū)522被形成。在圖5C和圖5D中表示的信息存儲介質(zhì)通過在圖4A和4B的信息存儲介質(zhì)中還分配第一映射區(qū)512和第二映射區(qū)522被形成。如上所述，在圖5A到5D中示出的保留區(qū)513、521不被用于存儲當(dāng)每一數(shù)據(jù)記錄時被更新的數(shù)據(jù)，例如，OPC區(qū)511、523的使用部分的地址。
圖6表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的信息存儲介質(zhì)。考慮到在信息存儲介質(zhì)的內(nèi)外邊界中的數(shù)據(jù)記錄的特性可不同的事實(shí)，OPC區(qū)611、631、617、637被布置在分別位于數(shù)據(jù)區(qū)620相對側(cè)的引入?yún)^(qū)610和引出區(qū)630中的至少一個中。在第一信息存儲層L0和第二信息存儲層L1中，引入?yún)^(qū)610的第一OPC區(qū)611和第二OPC區(qū)617以及引出區(qū)630的第一OPC區(qū)631和第二OPC區(qū)637可使用在圖2到圖5中表示的安排之一被布置在數(shù)據(jù)區(qū)620的第三數(shù)據(jù)區(qū)621和第四數(shù)據(jù)區(qū)623的兩側(cè)。
圖7表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的信息存儲介質(zhì)。考慮到在第一信息存儲層L0和第二信息存儲層L1中被執(zhí)行的OPC分別對第一信息存儲層L0和第二信息存儲層L1的抖動特性的影響的程度不同的事實(shí)，保留區(qū)713被分配在第一信息存儲層L0和第二信息存儲層L1之一中，并且可用區(qū)721被分配在另一信息存儲層中。
參照表1，第二信息存儲層L1中的OPC比第一信息存儲層L0中的OPC更影響抖動特性。當(dāng)然，如果在第一信息存儲層L0和第二信息存儲層L1之間插入的間隔層厚度被改變或每個信息存儲層的結(jié)構(gòu)被改變，則與以上影響現(xiàn)象相反的現(xiàn)象可發(fā)生。也就是說，第一信息存儲層L0中的OPC比第二信息存儲層L1中的OPC更影響抖動特性。在圖7的信息存儲介質(zhì)中，第二信息存儲層L1中的OPC比第一信息存儲層L0中的OPC更影響抖動特性。
在圖7的信息存儲介質(zhì)中，第一信息存儲層L0包括第一OPC區(qū)711、第一保留區(qū)713和第一DI區(qū)715，第二信息存儲層L1包括可用區(qū)721、第二OPC區(qū)723和第二DI區(qū)725。第二信息存儲層L1的可用區(qū)721正對著第一信息存儲層L0的第一OPC區(qū)711，該可用區(qū)對抖動特性的影響小于第二信息存儲層L1中的第二OPC區(qū)723，并能被用以存儲用于特定目的的數(shù)據(jù)，例如特定目的可以是被用戶或廠商設(shè)置的目的。第一DI區(qū)715和第二DI區(qū)725被布置在信息存儲介質(zhì)的相同半徑內(nèi)并存儲OPC信息或當(dāng)每一數(shù)據(jù)記錄時被更新的信息，例如，最后被記錄在用戶區(qū)的地址等等。DI區(qū)715和725可被布置在信息存儲介質(zhì)的相同半徑內(nèi)并存儲關(guān)于第一OPC區(qū)711和第二OPC區(qū)723的信息的映射區(qū)代替。
如圖7所示被安排的區(qū)可布置于引入?yún)^(qū)和引出區(qū)或者引入?yún)^(qū)和引出區(qū)其中之一中。
圖8是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的在其中執(zhí)行圖2-圖7的信息存儲介質(zhì)的光學(xué)記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備的方框圖。參照圖8，該記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備包括寫/讀單元1000和控制單元1002。根據(jù)來自控制單元1002的命令，寫/讀單元1000從信息存儲介質(zhì)130進(jìn)行讀寫。這里，信息存儲介質(zhì)130包括圖2到圖7顯示的幾個實(shí)施例，控制單元1002控制寫/讀單元1000的數(shù)據(jù)寫/讀操作，以使信息存儲介質(zhì)130的第一信息存儲層中的第一最佳功率控制區(qū)和第二信息存儲層中的第二最佳功率控制區(qū)之間的干擾最小化。
參照圖8，根據(jù)控制單元1002的控制，寫/讀單元1000在作為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的信息存儲介質(zhì)的光盤130上記錄數(shù)據(jù)，并且讀出數(shù)據(jù)以再現(xiàn)記錄的數(shù)據(jù)?？刂茊卧?002控制寫/讀單元1000，以便寫/讀單元1000以預(yù)定的記錄單位塊記錄數(shù)據(jù)或者處理被寫/讀單元1000讀出的數(shù)據(jù)并獲得有效數(shù)據(jù)。再現(xiàn)指的是通過對讀出的數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯來獲得有效數(shù)據(jù)，并且以預(yù)定的單位被執(zhí)行。用于執(zhí)行再現(xiàn)的單位被稱為再現(xiàn)單位塊。再現(xiàn)單位塊與至少一個記錄單位塊相對應(yīng)。
圖9是圖8的光學(xué)記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備更詳細(xì)的方框圖。參照圖9，信息存儲介質(zhì)130被加載到寫/讀單元1000中。記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備還包括從信息存儲介質(zhì)130讀和寫的光學(xué)頭1100?？刂茊卧?002包括PC I/F 1101、DSP 1102、RF AMP 1103、伺服系統(tǒng)1104和系統(tǒng)控制器1105，所有這些構(gòu)成了圖8的控制單元1002。
在數(shù)據(jù)記錄操作中，PC I/F 1101從主機(jī)接收使數(shù)據(jù)將被記錄的記錄命令。DSP 1102添加附加數(shù)據(jù)，例如用于從PC I/F 1101接收的數(shù)據(jù)進(jìn)行糾錯的奇偶校驗(yàn)，并且執(zhí)行糾錯和檢驗(yàn)(ECC)編碼以產(chǎn)生作為糾錯塊的ECC塊，并根據(jù)預(yù)定的方法調(diào)制該ECC塊。RF AMP 1103將從DSP 1102輸出的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為RF信號。光學(xué)頭1100在光盤130上記錄從RF AMP 1103輸出的RF信號。伺服系統(tǒng)1104從系統(tǒng)控制器1105接收伺服控制所需的命令并對光學(xué)頭1000進(jìn)行伺服控制。
在數(shù)據(jù)再現(xiàn)操作中，PC I/F 1101從主機(jī)(沒有示出)接收再現(xiàn)命令。系統(tǒng)控制器1105執(zhí)行再現(xiàn)所需的初始化。光學(xué)頭1000將激光束發(fā)射到光盤130上，通過從光盤130接收反射的光束獲得光信號，并將光信號輸出。RF AMP 1103將從光學(xué)頭1000輸出的光信號轉(zhuǎn)換為RF信號，并在將從RF信號獲得的用于光學(xué)頭的控制的伺服信號提供給伺服系統(tǒng)1104的同時將從RF信號獲得的調(diào)制的數(shù)據(jù)提供給DSP 1102。DSP 1102解調(diào)調(diào)制的數(shù)據(jù)，執(zhí)行糾錯并輸出所得的數(shù)據(jù)。
同時，伺服系統(tǒng)1104通過使用從RF AMP 1103獲得的伺服信號和從系統(tǒng)控制器1105接收的伺服控制所需的命令來執(zhí)行光學(xué)頭1000的伺服控制。PC I/F21將從DSP 1102接收到的數(shù)據(jù)傳送到主機(jī)。
上述的OPC區(qū)布置實(shí)施例可應(yīng)用于所有信息存儲介質(zhì)，不考慮每個信息存儲介質(zhì)層的跟蹤是從內(nèi)邊界到外邊界還是從外邊界到內(nèi)邊界螺旋。上述OPC區(qū)布置也可應(yīng)用于具有多個信息存儲層的信息存儲介質(zhì)，而不考慮首先將被再現(xiàn)的信息存儲層離光學(xué)頭最遠(yuǎn)還是最近。例如，上述的本發(fā)明的一方面可應(yīng)用于CD-R、CD-RW、DVD+RW、HD-DVD、藍(lán)光、高級光盤(AOD)類型的信息存儲介質(zhì)。盡管關(guān)于具有兩個信息存儲層的雙層信息存儲介質(zhì)來描述OPC區(qū)布置，但是這些布置可被應(yīng)用于具有相互堆疊的至少三個信息存儲層的信息存儲介質(zhì)。
如上所述，在具有多個信息存儲層的信息存儲介質(zhì)的一方面中，一個信息存儲層的OPC區(qū)可被布置為并不直接正對于另一信息存儲層的OPC區(qū)。關(guān)于一個信息存儲層中的OPC區(qū)的信息(也就是OPC信息)被記錄在相鄰信息存儲層的正對著該OPC區(qū)的保留區(qū)中，并且一個信息存儲層的OPC區(qū)和另一信息存儲層的正對該OPC區(qū)的保留區(qū)中的數(shù)據(jù)記錄的方向被設(shè)置為相反。即，該OPC區(qū)和該保留區(qū)的使用方向被設(shè)置為相反。因此，在一個信息存儲層的OPC區(qū)中執(zhí)行的OPC對另一信息存儲層的影響被最小化，并且每個信息存儲層的OPC區(qū)的實(shí)際可用區(qū)的大小取決于該OPC區(qū)的使用環(huán)境而改變。
或者，根據(jù)本發(fā)明的一方面，一個信息存儲層的OPC區(qū)可被布置為并不直接正對于另一信息存儲層的OPC區(qū)，并且用于存儲OPC信息的映射區(qū)被包括在每個信息存儲層的OPC區(qū)和保留區(qū)之間。因此，當(dāng)一個信息存儲層的OPC區(qū)執(zhí)行OPC時，該OPC不會影響另一信息存儲層。另外，每個信息存儲層的區(qū)能被有效地使用，并且執(zhí)行OPC所需的時間能被縮短。
或者，根據(jù)本發(fā)明的一方面，一個信息存儲層的OPC區(qū)相對于另一信息存儲層被布置，以使OPC區(qū)不相互正對，并且考慮到兩個相鄰信息存儲層的OPC區(qū)對抖動特性影響的程度不同的事實(shí)，在兩個信息存儲層的僅一個中分配保留區(qū)，并且在另一個信息存儲層中分配可用區(qū)。因此，當(dāng)信息存儲區(qū)的OPC執(zhí)行OPC時，該OPC不會影響另一信息存儲層，并且每個信息存儲層的區(qū)能被有效地使用。
盡管本發(fā)明的幾個實(shí)施例已經(jīng)被顯示和描述，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由權(quán)利要求及其限定其范圍的本發(fā)明的原理和精神的情況下，可對這些實(shí)施例做出改變。
權(quán)利要求
1.一種信息存儲介質(zhì)，包括多個信息存儲層，每個信息存儲層包括用于獲得最佳記錄條件的最佳功率控制區(qū)，其中，奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層中的最佳功率控制區(qū)被布置在該信息存儲介質(zhì)的不同的半徑之內(nèi)，并且每個信息存儲層中的最佳功率控制區(qū)的實(shí)際可用區(qū)的大小取決于每個信息存儲層的使用環(huán)境而變化。
2.如權(quán)利要求1所述的信息存儲介質(zhì)，還包括每個信息存儲層中的保留區(qū)，其中，每個保留區(qū)正對著相鄰信息存儲層的最佳功率控制區(qū)。
3.如權(quán)利要求2所述的信息存儲介質(zhì)，還包括存儲更新的關(guān)于每個信息存儲層的信息的映射區(qū)；并且映射區(qū)被布置在該信息存儲介質(zhì)的相同半徑之內(nèi)。
4.如權(quán)利要求2所述的信息存儲介質(zhì)，其中，更新的關(guān)于每個信息存儲層的信息被記錄在保留區(qū)中。
5.如權(quán)利要求2所述的信息存儲介質(zhì)，其中，更新的關(guān)于每個信息存儲層的信息被記錄在存儲盤相關(guān)信息的引入?yún)^(qū)的一部分中。
6.如權(quán)利要求2所述的信息存儲介質(zhì)，其中，數(shù)據(jù)在奇數(shù)信息存儲層的最佳功率控制區(qū)和保留區(qū)中被記錄的方向與數(shù)據(jù)在偶數(shù)信息存儲層的最佳功率控制區(qū)和保留區(qū)中被記錄的方向相反。
7.如權(quán)利要求6所述的信息存儲介質(zhì)，其中，數(shù)據(jù)在一個信息存儲層的最佳功率控制區(qū)和保留區(qū)中被記錄的方向相同。
8.如權(quán)利要求6所述的信息存儲介質(zhì)，其中，數(shù)據(jù)在一個信息存儲層的最佳功率控制區(qū)和保留區(qū)中被記錄的方向相反。
9.如權(quán)利要求6所述的信息存儲介質(zhì)，其中，最佳功率控制區(qū)在引入?yún)^(qū)和引出區(qū)中的至少一個中被形成。
10.如權(quán)利要求3所述的信息存儲介質(zhì)，其中，數(shù)據(jù)在奇數(shù)信息存儲層的最佳功率控制區(qū)、映射區(qū)和保留區(qū)中被記錄的第一方向與數(shù)據(jù)在偶數(shù)信息存儲層的最佳功率控制區(qū)、映射區(qū)和保留區(qū)中被記錄的第二方向相反。
11.如權(quán)利要求10所述的信息存儲介質(zhì)，其中，數(shù)據(jù)在一個信息存儲層的最佳功率控制區(qū)和保留區(qū)中被記錄的方向相反。
12.一種信息存儲介質(zhì)，包括多個信息存儲層，每個信息存儲層包括用于獲得最佳記錄條件的最佳功率控制區(qū)，其中，奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層中的最佳功率控制區(qū)被布置在信息存儲介質(zhì)的不同的半徑之內(nèi)，并且奇數(shù)和偶數(shù)的信息存儲層中的一個包括正對另一個信息存儲層的最佳功率控制區(qū)的用于預(yù)定目的的可用區(qū)。
13.如權(quán)利要求12所述的信息存儲介質(zhì)，其中，所述另一個信息存儲層還包括正對所述一個信息存儲層的最佳功率控制區(qū)的保留區(qū)。
14.如權(quán)利要求13所述的信息存儲介質(zhì)，其中每個信息存儲層還包括存儲更新的關(guān)于每個信息存儲層的信息的映射區(qū)；并且該映射區(qū)被布置在信息存儲介質(zhì)的相同半徑之內(nèi)。
15.如權(quán)利要求13所述的信息存儲介質(zhì)，還包括被記錄在存儲盤相關(guān)信息的引入?yún)^(qū)的一部分中的更新的關(guān)于每個信息存儲層的信息。
16.如權(quán)利要求13所述的信息存儲介質(zhì)，其中，數(shù)據(jù)在所述一個信息存儲層的最佳功率控制區(qū)中被記錄的方向與數(shù)據(jù)在所述另一個信息存儲層的保留區(qū)中被記錄的方向相反。
17.如權(quán)利要求16所述的信息存儲介質(zhì)，其中，最佳功率控制區(qū)在引入?yún)^(qū)和引出區(qū)中的至少一個中被形成。
18.一種多層信息存儲介質(zhì)，包括第一信息存儲層，其包括第一最佳功率控制區(qū)和與第一最佳功率控制區(qū)相鄰的第一保留區(qū)；和第二信息存儲層，其與該第一信息存儲層相鄰，該第二信息存儲層包括第二最佳功率控制區(qū)和與第二最佳功率控制區(qū)相鄰的第二保留區(qū)，其中，第一最佳功率控制區(qū)與第二保留區(qū)對準(zhǔn)，并且第二最佳功率控制區(qū)與第一保留區(qū)對準(zhǔn)。
19.如權(quán)利要求18所述的信息存儲介質(zhì)，其中，第一最佳功率控制區(qū)和第二最佳功率控制區(qū)以第一方向被記錄，第一保留區(qū)和第二保留區(qū)以與所述第一方向相反的第二方向被記錄。
20.如權(quán)利要求18所述的信息存儲介質(zhì)，其中，第一最佳功率控制區(qū)和第二最佳功率控制區(qū)以彼此相反的方向被記錄，第一保留區(qū)和第二保留區(qū)以彼此相反的方向被記錄。
21.如權(quán)利要求18所述的信息存儲介質(zhì)，還包括第一映射區(qū)，其存儲其中記錄數(shù)據(jù)的第一最佳功率控制區(qū)的扇區(qū)的地址，該第一映射區(qū)被布置于第一信息存儲層的第一最佳功率控制區(qū)與第一保留區(qū)之間；和第二映射區(qū)，其存儲其中記錄數(shù)據(jù)的第二最佳功率控制區(qū)的扇區(qū)的地址，該第二映射區(qū)被布置于第二信息存儲層的第二最佳功率控制區(qū)與第二保留區(qū)之間。
22.如權(quán)利要求21所述的信息存儲介質(zhì)，其中，第一和第二最佳功率控制區(qū)的地址以位圖的形式分別被記錄在第一和第二映射區(qū)中。
23.如權(quán)利要求21所述的信息存儲介質(zhì)，其中，在第一和第二最佳功率控制區(qū)讀和寫所需的時間被第一和第二映射區(qū)中的存儲的地址縮短。
24.如權(quán)利要求21所述的信息存儲介質(zhì)，其中，第一最佳功率控制區(qū)、第二最佳功率控制區(qū)和第一映射區(qū)以第一方向被寫，第一保留區(qū)、第二保留區(qū)和第二映射區(qū)以與第一方向相反的第二方向被寫。
25.如權(quán)利要求21所述的信息存儲介質(zhì)，其中，所述地址以彼此相反的反向被記錄在第一映射區(qū)和第二映射區(qū)中。
26.如權(quán)利要求21所述的信息存儲介質(zhì)，其中，第一最佳功率控制區(qū)、第一映射區(qū)和第一保留區(qū)以第一方向被寫，第二最佳功率控制區(qū)、第二映射區(qū)和第二保留區(qū)以與第一方向相反的第二方向被寫。
27.如權(quán)利要求21所述的信息存儲介質(zhì)，還包括第一信息存儲層中的第三最佳功率控制區(qū)、與第三最佳功率控制區(qū)相鄰的第三保留區(qū)以及在第三最佳功率控制區(qū)和第三保留區(qū)之間的第三映射區(qū)；和第四最佳功率控制區(qū)、與第四最佳功率控制區(qū)相鄰的第四保留區(qū)以及在第四最佳功率控制區(qū)和第四保留區(qū)之間的第四映射區(qū)，其中，第三最佳功率控制區(qū)與第四保留區(qū)對準(zhǔn)，第四最佳功率控制區(qū)與第三保留區(qū)對準(zhǔn)，和第三映射區(qū)與第四映射區(qū)對準(zhǔn)。
28.如權(quán)利要求27所述的信息存儲介質(zhì)，其中，第一最佳功率控制區(qū)、映射區(qū)、和保留區(qū)被布置在信息存儲介質(zhì)的內(nèi)邊界附近，第三最佳功率控制區(qū)、映射區(qū)、和保留區(qū)被布置在信息存儲介質(zhì)的外邊界附近。
29.如權(quán)利要求27所述的信息存儲介質(zhì)，其中，第一最佳功率控制區(qū)、映射區(qū)、和保留區(qū)被布置在信息存儲介質(zhì)的引入?yún)^(qū)中，第三最佳功率控制區(qū)、映射區(qū)、和保留區(qū)被布置在信息存儲介質(zhì)的引出區(qū)中。
30.一種多層信息存儲介質(zhì)，包括第一信息存儲層，其包括第一最佳功率控制區(qū)和與第一最佳功率控制區(qū)相鄰的第一保留區(qū)；和第二信息存儲層，其與第一信息存儲層相鄰，該第二信息存儲層包括第二最佳功率控制區(qū)和與第二最佳功率控制區(qū)相鄰的特定使用區(qū)，該特定使用區(qū)存儲用于由制造商設(shè)置的特定目的的數(shù)據(jù)，其中，第一最佳功率控制區(qū)與該特定使用區(qū)對準(zhǔn)，并且第二最佳功率控制區(qū)與第一保留區(qū)對準(zhǔn)。
31.一種使信息存儲介質(zhì)的第一信息存儲層的第一最佳功率控制區(qū)和第二信息存儲層的第二最佳功率控制區(qū)之間的干擾最小化的方法，包括布置第一和第二最佳功率控制區(qū)，使得其每一個與另一個信息存儲層的以相反的方向被記錄的特定區(qū)對準(zhǔn)，以使干擾最小化。
32.一種記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，包括光學(xué)頭，其以光功率在信息存儲介質(zhì)的表面上記錄數(shù)據(jù)和/或從該表面讀數(shù)據(jù)；和控制器，其控制光學(xué)頭以在信息存儲介質(zhì)的表面記錄和/或再現(xiàn)數(shù)據(jù)并確定以其設(shè)置記錄期間的光功率的最佳記錄功率，其中，信息存儲介質(zhì)包括第一信息存儲層和第二信息存儲層，其中第一信息存儲層包括第一最佳功率控制區(qū)和第一限制使用區(qū)，第二信息存儲層包括第二最佳功率控制區(qū)和第二限制使用區(qū)，所述區(qū)被布置，從而使第一最佳功率控制區(qū)與第二限制使用區(qū)對準(zhǔn)，第二最佳功率控制區(qū)與第一限制使用區(qū)對準(zhǔn)，控制器根據(jù)在第一和第二最佳功率控制區(qū)之一中被光學(xué)頭記錄和/或再現(xiàn)的數(shù)據(jù)確定最佳記錄功率。
33.如權(quán)利要求32所述的設(shè)備，其中，第一和第二限制使用區(qū)是由控制器以與第一和第二最佳功率控制區(qū)相反的方向可記錄的保留區(qū)。
34.如權(quán)利要求32所述的設(shè)備，其中，第一限制區(qū)是由控制器以與第一和第二最佳功率控制區(qū)相反的方向可記錄的保留區(qū)，第二限制區(qū)是以相對于第一和第二最佳功率控制區(qū)的任何方向可記錄的可用區(qū)。
全文摘要
一種具有多個信息存儲層的信息存儲介質(zhì)，每個信息存儲層包括用于獲得最佳記錄條件的最佳功率控制(OPC)區(qū)。從光入射在該信息存儲介質(zhì)上的方向看，奇數(shù)和偶數(shù)信息存儲層中的最佳功率控制區(qū)一個被布置在另一個之上以使它們彼此不直接正對。在每個信息存儲層中的最佳功率控制區(qū)的實(shí)際可用區(qū)取決于每個信息存儲層的使用環(huán)境而變化。因此，當(dāng)一個信息存儲層的OPC區(qū)執(zhí)行OPC時，OPC不會影響另一信息存儲層。另外，每個信息存儲層的區(qū)能被有效地被使用。
文檔編號G11B7/125GK1742327SQ200480002923
公開日2006年3月1日 申請日期2004年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月30日
發(fā)明者李坰根 申請人:三星電子株式會社