專利名稱：記錄媒體、記錄/再現(xiàn)裝置和記錄/再現(xiàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在盤盒中容納的盤的形式的記錄媒體、記錄和再現(xiàn)設(shè)備和盤確定方法。
背景技術(shù)：
近年來，已經(jīng)研制了各種記錄媒體，并且高密度記錄等已經(jīng)增加了記錄容量。在研究新的記錄媒體的過程中，重要的保持與過去的記錄媒體的兼容性。
這種情況的結(jié)果是，各種不同類型的記錄媒體作為一種類別(組)的記錄媒體共存。
以現(xiàn)在廣泛地使用的小型盤(MDMINI DISC)為例。小型盤最初是用于聲音的記錄的目的研制的。在那時，提供了在其上通過壓印凹坑記錄所有的數(shù)據(jù)的只再現(xiàn)盤和記錄和再現(xiàn)類型的盤。記錄和再現(xiàn)類型的盤使得使用磁光盤用戶側(cè)通過磁場調(diào)制系統(tǒng)可以記錄音樂等。
此后，稱為MD-Data的格式研制出來以便不僅能夠記錄和再現(xiàn)聲音數(shù)據(jù)，而是還能夠記錄和再現(xiàn)計算機使用的數(shù)據(jù)等。此外，最近已經(jīng)研制出了處理更多種數(shù)據(jù)并且密度已經(jīng)極大地增加的盤(該盤稱為Hi-MD)。此外，稱為Hi-MD的新盤的新盤已經(jīng)研制出來。
雖然這些盤在類別上不同于所有的小型盤，但是這些盤容納在基本相同的形狀和尺寸的相應(yīng)的盤盒中。這些盤能夠裝入到支持小型盤的記錄和再現(xiàn)設(shè)備(盤驅(qū)動設(shè)備)中。
然而，作為支持小型盤的盤驅(qū)動設(shè)備當(dāng)然具有常規(guī)的模型，即僅支持常規(guī)的盤類型的模型。雖然不能將新類型的盤裝入到常規(guī)的模型中，但是常規(guī)模型在新的格式下不能寫或者造成操作錯誤或數(shù)據(jù)毀壞。
因此，至少需要防止這些問題，比如在不同代中研制的各種類型的盤和盤驅(qū)動設(shè)備的不同的組合中操作錯誤和數(shù)據(jù)毀壞。
為此，盤驅(qū)動設(shè)備側(cè)要求有效地確定相同種類的不同的盤的型號。常規(guī)的盤確定技術(shù)例如公開在日本專利公開Hei 5-144165和日本專利公開Hei 8-321129中。
此外，需要消除在常規(guī)的模型中最新研制的盤上引起的問題。
考慮到常規(guī)模型的支持，管理盤寫可能性(防止錯誤擦除)的問題特別重要。
在小型盤系統(tǒng)的種類中，指示寫是否提供的檢測孔提供給盤盒。通過操作提供在盤盒中的滑塊用戶可以打開和關(guān)閉檢測孔以選擇禁止數(shù)據(jù)寫的狀態(tài)(錯誤擦除防止?fàn)顟B(tài))和能夠?qū)懙臓顟B(tài)。
順便指出，基于這些檢測孔的寫可能性檢測描述在日本專利公開Hei.8-96552、日本專利公開Hei.5-36234、日本專利公開Hei 5-144165等中。
為了防止這些問題，設(shè)計了從常規(guī)的模型看將由盤驅(qū)動設(shè)備的常規(guī)的模型不支持的新盤設(shè)定為不可寫。
然而，在使用檢測孔來制造常規(guī)的模型，人們會認識到新的盤在所有的時候都是“不可寫的”，作為新的模型的盤驅(qū)動設(shè)備使用寫可能性確定的檢測孔。因此需要提供寫可能性確定的另一檢測孔。這又使新的盤驅(qū)動設(shè)備在基于常規(guī)的盤的檢測孔確定寫可能性方面存在困難。
此外，作為新的盤增加檢測孔導(dǎo)致了在設(shè)備側(cè)上的檢測裝置的增加，從成本角度看這是不理想的。它也阻礙了尺寸和厚度的減小。
因此，隨著盤類型的增加，例如數(shù)據(jù)寫可能性的管理變得困難。此外，盤驅(qū)動設(shè)備當(dāng)然需要正確地確定各種類型的盤并執(zhí)行正確的處理。
因此，本發(fā)明的一個目的是能夠進行正確的盤類型確定和正確的寫可能性確定。不管盤驅(qū)動設(shè)備是否是新的模型或常規(guī)的模型，根據(jù)各種類型的記錄媒體的檢測孔等，在不增加或改變檢測裝置比如開關(guān)等的情況下執(zhí)行這種確定。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供一種記錄媒體作為在盤盒中容納的記錄盤。該記錄媒體包括形成在盤盒的參考平面的預(yù)定位置上的檢測孔；和打開和關(guān)閉檢測孔的打開和關(guān)閉裝置，以及在檢測孔處于關(guān)閉狀態(tài)時，在檢測孔的位置上形成與盤盒的參考平面基本水平的平面。
記錄媒體具有至少第一檢測孔和第二檢測孔；以及第二檢測孔通過打開和關(guān)閉裝置打開和關(guān)閉，第一檢測孔在所有的時間上都處于打開狀態(tài)。
記錄媒體的外部形式基本類似于在容納盤的盤盒的參考平面的預(yù)定位置上具有至少第一檢測孔和第二檢測孔的另一記錄媒體的外部盤盒形式，該記錄媒體和另一記錄媒體屬于能夠裝入到相同的設(shè)備的記錄媒體的類別；在記錄媒體的第二檢測孔處于打開狀態(tài)時記錄媒體的第二檢測孔指示禁止寫；以及在另一記錄媒體的第一檢測孔處于打開狀態(tài)時另一記錄媒體的第一檢測孔指示禁止寫，以及另一記錄媒體的第二檢測孔指示盤的反射率。
記錄媒體的第二檢測孔根據(jù)設(shè)置在盤盒的預(yù)定位置上的操作投影的操作打開和關(guān)閉，以及基于記錄媒體的操作投影的操作方向記錄媒體的第二檢測孔的打開和關(guān)閉的操作方向與基于另一記錄媒體的操作投影的操作另一記錄媒體的第一檢測孔的打開和關(guān)閉的操作方向相同。
根據(jù)操作投影的操作移動的打開和關(guān)閉裝置的材料厚度大于在第一檢測孔的底部表面下的部分的材料厚度。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種記錄和再現(xiàn)作為多種類型的盤中的一種類型的盤的記錄媒體的記錄和再現(xiàn)設(shè)備，該盤容納在預(yù)定形式的盤盒中。記錄和再現(xiàn)設(shè)備包括檢測設(shè)置在盤盒的預(yù)定位置上的多個檢測孔的打開狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài)的至少一個孔檢測裝置；以光信號輻射裝入在記錄和再現(xiàn)設(shè)備中的記錄媒體并基于來盤的反射光確定裝入在記錄和再現(xiàn)設(shè)備的盤盒中容納的盤的類型的類型確定裝置；和基于通過類型確定裝置的確定結(jié)果確定設(shè)置在盤盒的預(yù)定位置上的檢測孔的孔類型的孔類型確定裝置。
至少一個所確定的孔類型指示禁止寫到盤。
第一檢測孔界定在盤盒的第一預(yù)定位置上，以及第二檢測孔界定在盤盒的第二預(yù)定位置上；容納第一類型的盤的記錄媒體的第二檢測孔的打開狀態(tài)表示禁止寫到盤的狀態(tài)；容納第二類型的盤的記錄媒體的第一檢測孔的打開狀態(tài)表示禁止寫到盤的狀態(tài)，以及容納第二類型的盤的記錄媒體的第二檢測孔表示盤的反射率；以及基于通過類型確定裝置的確定結(jié)果確定指示禁止盤的寫的檢測孔的哪種打開狀態(tài)。
基于從盤反射的光檢測的信號，類型確定裝置通過盤的反射率的檢測、信號的相位差的檢測、記錄媒體的管理信息的檢測、記錄媒體的地址結(jié)構(gòu)的檢測和記錄媒體的特定區(qū)域的檢測中的至少一種檢測確定盤的類型。
類型確定裝置基于反射率的檢測、相位差的檢測、管理信息的檢測和結(jié)構(gòu)的檢測的檢測結(jié)果確定盤的類型。
類型確定裝置基于反射率的檢測、管理信息的檢測和結(jié)構(gòu)的檢測的檢測結(jié)果確定盤的類型。
類型確定裝置基于管理信息的檢測和特定區(qū)域的檢測的檢測結(jié)果和孔檢測裝置的檢測結(jié)果確定盤的類型。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種記錄和再現(xiàn)作為多個類型的盤中的一種類型的盤的記錄媒體的記錄和再現(xiàn)方法，該盤容納在預(yù)定形式的盤盒中。記錄和再現(xiàn)方法包括檢測設(shè)置在盤盒的預(yù)定位置上的多個檢測孔的打開狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài)的孔檢測步驟；以光信號輻射裝入在記錄和再現(xiàn)設(shè)備中的記錄媒體并基于來盤的反射光確定裝入在記錄和再現(xiàn)設(shè)備的盤盒中容納的盤的類型的類型確定步驟；和基于盤類型的確定結(jié)果確定設(shè)置在盤盒的預(yù)定位置上的檢測孔的孔類型的孔類型確定步驟。
所確定的孔類型指示是否可以寫到盤。
界定在盤盒的第一預(yù)定位置上的第一檢測孔的設(shè)置，以及界定在盤盒的第二預(yù)定位置上的第二檢測孔的設(shè)置；第一類型的盤的第一檢測孔的打開狀態(tài)表示禁止寫到盤；第二類型的盤的第二檢測孔的打開狀態(tài)表示禁止寫到盤，以及第二類型的盤的第一檢測孔表示盤的反射率。


附圖1所示為根據(jù)本發(fā)明的一種實施例的記錄和再現(xiàn)設(shè)備的結(jié)構(gòu)的實例的方塊圖。
附圖2A和2B所示為用于解釋根據(jù)該實施例的盤的格式的附圖。
附圖3所示為根據(jù)該實施例的記錄和再現(xiàn)設(shè)備的存儲單元的方塊圖。
附圖4所示為用于解釋只再現(xiàn)MD的檢測孔的附圖。
附圖5所示為用于解釋只再現(xiàn)高密度MD的檢測孔的附圖。
附圖6A和6B所示為用于解釋記錄和再現(xiàn)MD和高密度MD類型A的檢測孔的附圖。
附圖7所示為用于解釋根據(jù)該實施例高密度MD類型B/類型C的檢測孔的附圖。
附圖8A、8B、8C、8D和8E所示為用于解釋根據(jù)該實施例的高密度MD類型B/類型C的盤盒的附圖。
附圖9A、9B、9C和8D所示為用于解釋根據(jù)該實施例關(guān)閉和打開高密度MD類型B/類型C的檢測孔的機構(gòu)的附圖。
附圖10A、10B、10C、10D和10E所示為用于解釋根據(jù)該實施例關(guān)閉和打開高密度MD類型B/類型C的檢測孔的機構(gòu)的附圖。
附圖11A、11B、11C和11D所示為用于解釋根據(jù)該實施例的高密度MD類型B/類型C的檢測孔的關(guān)閉狀態(tài)和盤盒平面之間的關(guān)系的附圖。
附圖12A和12B所示為用于解釋打開和關(guān)閉根據(jù)該實施例的高密度MD類型B/類型C的檢測孔的機構(gòu)的改進的附圖。
附圖13A和13B所示為用于解釋打開和關(guān)閉根據(jù)該實施例的高密度MD類型B/類型C的檢測孔的機構(gòu)的改進的附圖。
附圖14所示為用于解釋根據(jù)該實施例的盤類型確定的要素和確定方法的組合的附圖。
附圖15A、15B和15C所示為用于解釋根據(jù)該實施例基于反射率確定的附圖。
附圖16所示為用于解釋根據(jù)該實施例基于相位差確定的結(jié)構(gòu)的附圖。
附圖17所示為用于解釋在盤凹槽深度和相位差之間的關(guān)系的附圖。
附圖18A、18B、18C、18D和18E所示為用于解釋基于相位差確定的信號的附圖。
附圖19A、19B、19C、19D和19E所示為用于解釋基于相位差確定的信號的附圖。
附圖20所示為在盤凹槽深度和PI和推挽信號之間的關(guān)系的附圖。
附圖21A、21B和21C所示為用于解釋只再現(xiàn)MD、記錄和再現(xiàn)MD和高密度MD類型A的結(jié)構(gòu)的附圖。
附圖22A、22B和22C所示為用于解釋高密度MD類型B、只再現(xiàn)高密度MD和高密度MD類型C的結(jié)構(gòu)的附圖。
附圖23所示為用于解釋MD的P-TOC的附圖。
附圖24所示為用于解釋MD的U-TOC的附圖。
附圖25A和25B用于解釋MD盤的區(qū)域結(jié)構(gòu)的附圖。
附圖26A和26B用于解釋MD的不同類型的地址結(jié)構(gòu)的附圖。
附圖27所示為根據(jù)該實施例的盤類型確定方法(1)的流程圖。
附圖28所示為根據(jù)該實施例的盤類型確定方法(2)的流程圖。
附圖29所示為根據(jù)該實施例的盤類型確定方法(3)的流程圖。
附圖30所示為根據(jù)該實施例的盤類型確定方法(4)的流程圖。
附圖31所示為根據(jù)該實施例的盤類型確定方法(5)的流程圖。
附圖32所示為根據(jù)該實施例的盤類型確定方法(6)的流程圖。
附圖33所示為用于解釋根據(jù)該實施例的檢測孔的附圖。
附圖34所示為根據(jù)該實施例的寫可能性確定處理的流程圖。
附圖35所示為根據(jù)該實施例的寫可能性確定處理的流程圖。
具體實施例方式
下文以小型盤系統(tǒng)種類的記錄媒體和盤驅(qū)動設(shè)備為例描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。將以如下的順序進行描述。
記錄和再現(xiàn)設(shè)備(盤驅(qū)動設(shè)備)的結(jié)構(gòu)盤類型存儲單元的結(jié)構(gòu)盤盒檢測孔確定盤類型寫可能性確定處理記錄和再現(xiàn)設(shè)備(盤驅(qū)動設(shè)備)的結(jié)構(gòu)作為一種實施例的盤驅(qū)動設(shè)備是用于小型盤(MD)系統(tǒng)盤或者通過磁場調(diào)制系統(tǒng)在其上記錄數(shù)據(jù)的磁光盤的記錄和再現(xiàn)設(shè)備。然而，記錄和再現(xiàn)設(shè)備不僅與已經(jīng)普及的音樂小型盤兼容，而且還與具有更高密度記錄并可用于視頻數(shù)據(jù)和計算機使用的各種其它數(shù)據(jù)的存儲的高密度盤兼容。
現(xiàn)在參考附圖1描述根據(jù)本實施例的記錄和再現(xiàn)設(shè)備的結(jié)構(gòu)。
在附圖1中，所示的根據(jù)本實施例的記錄和再現(xiàn)設(shè)備1是能夠與外部設(shè)備比如個人計算機(或網(wǎng)絡(luò))100進行數(shù)據(jù)通信的設(shè)備。
例如，通過傳輸線101比如USB電纜等連接到個人計算機100，記錄和再現(xiàn)設(shè)備1起個人計算機100的外部存儲裝置的作用。此外，通過個人計算機100連接到網(wǎng)絡(luò)或者例如通過直接連接到網(wǎng)絡(luò)的作用，記錄和再現(xiàn)設(shè)備1能夠下載音樂和各種數(shù)據(jù)。記錄和再現(xiàn)設(shè)備1在裝入到存儲單元2中的盤(MD)中存儲音樂和各種數(shù)據(jù)。
在另一方面，即使在記錄和再現(xiàn)設(shè)備1不連接到個人計算機100等時，記錄和再現(xiàn)設(shè)備1例如起AV(聲頻)設(shè)備的作用。記錄和再現(xiàn)設(shè)備1能夠?qū)牧硪籄V設(shè)備等輸入的聲頻數(shù)據(jù)和視頻數(shù)據(jù)(AV數(shù)據(jù))記錄到盤上。此外，設(shè)備1能夠再現(xiàn)并輸出記錄在盤上的音樂數(shù)據(jù)等。
因此，通過連接到個人計算機100等，根據(jù)本實施例的記錄和再現(xiàn)設(shè)備1可用作通用的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。設(shè)備1也可單獨用作已有的AV記錄和再現(xiàn)設(shè)備。
記錄和再現(xiàn)設(shè)備1包括存儲單元2、高速緩沖存儲器3、USB接口4、輸入-輸出處理單元5、顯示單元6、操作單元7、系統(tǒng)控制器8、ROM 9、RAM 10、緩存管理存儲器11和NV-RAM 12。
存儲單元2執(zhí)行對裝入到其中的盤的記錄/再現(xiàn)。下文描述在本實施例中使用的所謂的小型盤系統(tǒng)和與該盤兼容的存儲單元2的結(jié)構(gòu)。
高速緩沖存儲器3對通過存儲單元2記錄到盤上的數(shù)據(jù)或通過存儲單元2從盤上讀取的數(shù)據(jù)緩存。高速緩沖存儲器3例如由D-RAM形成。
通過系統(tǒng)控制器(CPU)8啟動的任務(wù)控制將數(shù)據(jù)寫到高速緩沖存儲器或從其中讀取。
在USB接口4例如通過作為USB電纜的傳輸線101連接到個人計算機100時執(zhí)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)奶幚怼?br> 例如在記錄和再現(xiàn)設(shè)備1單獨作為聲頻設(shè)備時輸入-輸出處理單元5執(zhí)行要記錄和再現(xiàn)的輸入和輸出數(shù)據(jù)的處理。
系統(tǒng)控制器8控制整個記錄和再現(xiàn)設(shè)備1并控制與連接到記錄和再現(xiàn)設(shè)備1的個人計算機100的通信。
ROM 9存儲用于系統(tǒng)控制器8的操作程序、固定參數(shù)等。
RAM 10用作系統(tǒng)控制器8的工作區(qū)和存儲各種所需的信息的區(qū)域。
RAM 10例如存儲各種管理信息和通過存儲單元2從盤中讀取的特定信息。例如，RAM 10存儲P-TOC數(shù)據(jù)、U-TOC數(shù)據(jù)、播放列表數(shù)據(jù)、FAT數(shù)據(jù)、唯一的ID、散列值等。P-TOC數(shù)據(jù)和U-TOC數(shù)據(jù)是管理記錄在小型盤上的音樂軌道等的信息。除了稱為P-TOC、U-TOC或P-TOP的管理形式之外，符合可由根據(jù)本實施例的記錄和再現(xiàn)設(shè)備1支持的小型盤系統(tǒng)的高密度盤具有在其中構(gòu)造的FAT文件系統(tǒng)。播放列表是通過在高密度盤上的ATRAC系統(tǒng)等獲得的音樂數(shù)據(jù)等的管理地址等的信息。播放列表作為一個文件記錄在FAT系統(tǒng)上。在裝入高密度盤時，F(xiàn)AT和播放列表信息也被讀取。唯一的ID、散列值等是用于在記錄和再現(xiàn)設(shè)備1和個人計算機100等之間的數(shù)據(jù)傳輸中的編碼/解碼和驗證處理的信息。
緩存管理存儲器11例如由S-RAM形成，并存儲用于管理高速緩沖存儲器3的狀態(tài)的信息。系統(tǒng)控制器8在參考緩存管理存儲器11的同時控制數(shù)據(jù)緩存處理。下文將描述緩存管理存儲器11的信息。
NV-RAM(非易失性RAM)12用作存儲即使在斷電時也不丟失的數(shù)據(jù)的區(qū)域。
顯示單元6顯示在系統(tǒng)控制器8的控制下要提供給用戶的各種信息。例如，顯示單元6顯示操作的狀態(tài)、模式狀態(tài)、數(shù)據(jù)比如音樂段等的名稱的信息、樂曲數(shù)、時間信息和其它信息。
操作單元7具有在其上形成的作為用于用戶操作的各種操作元件的操作鍵、慢進盤等。用戶通過操作操作單元7指定記錄、再現(xiàn)或數(shù)據(jù)通信的所需的操作。系統(tǒng)控制器8基于通過操作單元7輸入的操作信息執(zhí)行預(yù)定的控制處理。
在個人計算機100等例如如下連接時通過系統(tǒng)控制器8實施控制。
系統(tǒng)控制器8能夠通過USB接口4與連接的個人計算機100進行通信?？刂破?例如接收指令比如寫、讀等的請求并發(fā)送狀態(tài)信息和其它所需的信息。
例如響應(yīng)盤裝入到存儲單元2，系統(tǒng)控制器8指令存儲單元2從盤中讀取管理信息等，通過高速緩沖存儲器3捕獲信息，然后存儲該信息在RAM 10中。
通過讀P-TOC、U-TOC或P-TOP的管理信息，系統(tǒng)控制器8能夠抓住盤的軌道記錄狀態(tài)。
通過唯一的ID和散列值，系統(tǒng)控制器8能夠執(zhí)行盤驗證和其它的處理或?qū)⑦@些散列值發(fā)送給個人計算機100進行處理。
在請求從個人計算機100中讀取某些數(shù)據(jù)時，系統(tǒng)控制器8使存儲單元2讀取該數(shù)據(jù)。然而，在所請求的數(shù)據(jù)已經(jīng)存儲在高速緩沖存儲器3的情況下，不請求通過存儲單元2讀數(shù)據(jù)。這種情況代表所謂的緩存命中。
系統(tǒng)控制器8實施控制以讀寫在高速緩沖存儲器3中的數(shù)據(jù)和通過USB接口4將該數(shù)據(jù)發(fā)送給個人計算機100。
在請求從個人計算機100寫某些數(shù)據(jù)時，系統(tǒng)控制器8將發(fā)送其中的數(shù)據(jù)存儲在高速緩沖存儲器3中。然后，系統(tǒng)控制器8使存儲單元2將存儲在高速緩沖存儲器3中的數(shù)據(jù)記錄在盤上。
順便指出，數(shù)據(jù)以族作為最小單元記錄在盤上。例如，一個族包括32個FAT扇區(qū)。
如果通過個人計算機100等請求要記錄的數(shù)據(jù)量是幾個扇區(qū)并且小于一個族，則執(zhí)行稱為分塊的處理。具體地說，系統(tǒng)控制器8首先使存儲單元2讀出包括對應(yīng)的FAT扇區(qū)的族。所讀出的族數(shù)據(jù)寫入到高速緩沖存儲器3中。
然后，系統(tǒng)控制器8從個人計算機100將FAT扇區(qū)的數(shù)據(jù)(記錄數(shù)據(jù))通過USB接口4輸送給高速緩沖存儲器3以便重寫在存儲的族數(shù)據(jù)中的相應(yīng)的FAT扇區(qū)的數(shù)據(jù)。
然后，系統(tǒng)控制器8將在被重寫的所需的FAT扇區(qū)的狀態(tài)下存儲在高速緩沖存儲器3中的族數(shù)據(jù)傳遞給存儲單元2作為記錄數(shù)據(jù)。存儲單元2將在該族單元中的數(shù)據(jù)寫到盤上。
前文的描述是用于在例如傳遞給個人計算機100和自個人計算機100中傳遞的過程中所涉及的數(shù)據(jù)的記錄和再現(xiàn)的控制。例如通過輸入-輸出處理單元5執(zhí)行小型盤系統(tǒng)的音頻數(shù)據(jù)的記錄和再現(xiàn)時的數(shù)據(jù)傳遞。
輸入-輸出處理單元5包括作為輸入系統(tǒng)的模擬聲音信號輸入單元比如線輸入電路/麥克風(fēng)輸入電路、A/D轉(zhuǎn)換器和數(shù)字音頻數(shù)據(jù)輸入單元。輸入-輸出處理單元5也包括ATRAC壓縮編碼器/解碼器。ATRAC壓縮編碼器/解碼器是用于通過ATRAC系統(tǒng)執(zhí)行音頻數(shù)據(jù)的壓縮/解壓處理的電路。順便指出，根據(jù)本實施例的記錄和再現(xiàn)設(shè)備自然可以被構(gòu)造成能夠記錄并再現(xiàn)例如MP3的不同格式的壓縮的音頻數(shù)據(jù)。在這種情況中，記錄和再現(xiàn)設(shè)備可以具有支持這些格式的壓縮的音頻數(shù)據(jù)的編碼器/解碼器。
雖然在本實施例沒有特別限制，但是可記錄和可再現(xiàn)的視頻數(shù)據(jù)的格式例如可以包括MPEG4等。然后，輸入-輸出處理單元5具有能夠支持這種格式的編碼器/解碼器就足夠。
輸入-輸出處理單元5進一步包括作為輸出系統(tǒng)的數(shù)字音頻數(shù)據(jù)輸出單元、D/A轉(zhuǎn)換器和模擬音頻信號輸出單元比如線輸出電路/耳機輸出電路等。
此外，在這種情況下的輸入-輸出處理單元5包括加密處理單元5a。加密處理單元5a例如通過預(yù)定的算法對記錄在盤上的AV數(shù)據(jù)執(zhí)行加密。此外，在對從盤中讀出的AV數(shù)據(jù)進行加密時，加密處理部分5a根據(jù)需要對AV數(shù)據(jù)執(zhí)行用于解密的解碼處理。
在例如數(shù)字音頻數(shù)據(jù)(或者模擬聲音信號)作為輸入TIN輸入到輸入-輸出處理單元5中的情況下作為通過輸入-輸出處理單元5執(zhí)行的處理將音頻數(shù)據(jù)記錄在盤上。對通過A/D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換輸入的模擬音頻信號獲得的輸入的線性PCM數(shù)字音頻數(shù)據(jù)或線性PCM音頻數(shù)據(jù)進行ATRAC壓縮編碼，然后存儲在高速緩沖存儲器3中。然后，以預(yù)定的時序從高速緩沖存儲器3(對應(yīng)于ADIP族的數(shù)據(jù)單元)讀出數(shù)據(jù)以傳遞給存儲單元2。存儲單元2通過預(yù)定的調(diào)制系統(tǒng)調(diào)制由此輸入的壓數(shù)據(jù)，然后將這些數(shù)據(jù)記錄在盤上。
在從盤中再現(xiàn)小型盤系統(tǒng)的音頻數(shù)據(jù)時，存儲單元2將再現(xiàn)的數(shù)據(jù)解調(diào)成ATRAC壓縮的數(shù)據(jù)并將經(jīng)ATRAC壓縮的數(shù)據(jù)傳遞給高速緩沖存儲器3。然后，經(jīng)ATRAC壓縮的數(shù)據(jù)從高速緩沖存儲器3中讀出并傳遞給輸入-輸出處理單元5。輸入-輸出處理單元5對輸送到其中的壓縮的音頻數(shù)據(jù)執(zhí)行經(jīng)ATRAC壓縮解碼以形成線性PCM音頻數(shù)據(jù)，然后從數(shù)字音頻數(shù)據(jù)輸出單元輸出線性PCM音頻數(shù)據(jù)。可替換地，輸入-輸出處理單元5通過D/A轉(zhuǎn)換器將壓縮的音頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成模擬音頻信號以便線輸出/耳機輸出。
注意附圖1的記錄和再現(xiàn)設(shè)備1的結(jié)構(gòu)是一種實例，例如，輸入-輸出處理單元5可以包括不僅支持音頻數(shù)據(jù)而且還支持視頻數(shù)據(jù)的輸入/輸出處理系統(tǒng)。
此外，除了USB接口之外，還可以使用另一外部接口比如IEEE1394來與個人計算機100連接。
盤類型在根據(jù)本實施例的記錄和再現(xiàn)設(shè)備1用作記錄媒體的盤例如是小型盤系統(tǒng)的盤。具體地說，記錄和再現(xiàn)設(shè)備1不僅可支持常規(guī)的小型音樂盤，而且還可以支持能夠記錄用于計算機使用的各種類型的數(shù)據(jù)的高密度盤。
下文首先描述屬于小型盤系統(tǒng)的類別的并裝入到在本實例中的記錄和再現(xiàn)設(shè)備1中的各種類型的小型盤。
為了清楚，術(shù)語“只再現(xiàn)MD”、“記錄和再現(xiàn)MD”、“高密度MD類型A”、“高密度MD類型B”、“只再現(xiàn)高密度MD”和“高密度MD類型C”都是用作各種各樣類型的小型盤的名稱。這些名稱在本說明書中僅用于描述。各種類型的盤如下。
只再現(xiàn)MD指一般稱為原版預(yù)制盤的用于音頻數(shù)據(jù)的目的只再現(xiàn)MD。所有的數(shù)據(jù)通過壓印凹坑記錄。
記錄和再現(xiàn)MD指形成為磁光盤的MD，允許通過磁場調(diào)制系統(tǒng)進行數(shù)據(jù)記錄和再現(xiàn)，可用于音頻數(shù)據(jù)。
只再現(xiàn)MD和記錄和再現(xiàn)MD是所謂的第一代的MD，現(xiàn)在廣泛地用作音頻MD。
順便指出，MD-DATA是在第一代MD之后作為音頻擴展使用的一般數(shù)據(jù)記錄使用研制的。在本說明書中，MD-DATA被作為屬于記錄和再現(xiàn)MD或只再現(xiàn)MD看待。
此后，研制了符合MD系統(tǒng)并且密度增加了的下一代MD。它們被稱為高密度MD。如在此所描述高密度MD也是被稱為“Hi-MD”的盤，它們能夠廣泛地用于數(shù)據(jù)存儲目的。高密度MD已經(jīng)實現(xiàn)了超過第一代MD的容量的兩倍的記錄容量。
如今高密度MD已經(jīng)發(fā)展出了幾種類型。這些類型稱為如上文所提及的“高密度MD類型A”、“高密度MD類型B”和“高密度MD類型C”。它們對應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的實施例的記錄媒體。
高密度MD類型A是稱為“Hi-MD1”的盤。
高密度MD類型B是稱為“Hi-MD1.5”的盤。
高密度MD類型C是稱為“Hi-MD3”的盤。
在高密度MD類型B(Hi-MD1.5)中，已經(jīng)設(shè)計了使用壓印凹坑的只再現(xiàn)類型。這種類型被稱為“只再現(xiàn)高密度MD”以便與高密度MD類型B相區(qū)分。
注意，高密度MD類型B/類型C對應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的實施例的記錄媒體。
附圖2A和2B所示為界定只再現(xiàn)MD、記錄和再現(xiàn)MD和MD-DATA的第一代MD的規(guī)格和界定高密度MD類型A、高密度MD類型B、只再現(xiàn)高密度MD和高密度MD類型C的高密度MD的規(guī)格。
如附圖2A所示，作為第一代MD和MD-DATA的格式，軌道間距是1.6微米，位長度是0.59微米/位。激光波長λ＝780納米，物鏡的數(shù)值孔徑＝0.45。
記錄和再現(xiàn)MD運用凹槽記錄系統(tǒng)作為它的記錄系統(tǒng)。即，記錄和再現(xiàn)MD使用形成在盤表面上的凹槽作為記錄和再現(xiàn)的軌道。
作為尋址系統(tǒng)，記錄和再現(xiàn)MD運用如下的系統(tǒng)其中凹槽(軌道)由單螺旋形成，并且使用在凹槽的兩側(cè)上作為地址信息形成的擺動的擺動槽。
順便指出，在本說明書中，通過擺動記錄的絕對地址也稱為ADIP(在預(yù)制槽中的地址)。
在只再現(xiàn)MD中，不形成凹槽，通過壓印凹坑串形成軌道，以及地址與數(shù)據(jù)記錄在一起。
這些第一代MD使用EFM(8-14變換)系統(tǒng)作為記錄數(shù)據(jù)調(diào)制系統(tǒng)。第一代MD使用ACIRC(高級交叉交插里德-索羅蒙碼)作為誤差校正系統(tǒng)并使用旋轉(zhuǎn)型數(shù)據(jù)交插。數(shù)據(jù)冗余度是46.3％。
數(shù)據(jù)檢測系統(tǒng)是逐位檢測系統(tǒng)。作為盤驅(qū)動系統(tǒng)，使用CLV(恒線速度)。CLV線速度是1.2m/s。
記錄和再現(xiàn)時的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)率是133kB/s。記錄容量是164MB(對于MD-DATA是140MB)。
族的數(shù)據(jù)單元是最小數(shù)據(jù)重寫單元。族包括36個扇區(qū)，由32個主扇區(qū)和四個鏈接扇區(qū)形成。
在另一方面，對于高密度MD，當(dāng)前存在兩種規(guī)格高密度MD類型A和類型B(包括只再現(xiàn)高密度MD)的規(guī)格和具有更高的密度的高密度MD類型C的規(guī)格。
首先，在高密度MD類型A/類型B中，軌道間距是1.5至1.6微米，線密度是0.437微米/位，記錄容量增加到300MB。在標(biāo)準(zhǔn)速度下的傳輸速率是4.37Mbps，以及線速度是2.4m/sec。
在高密度MD類型C中，軌道間距是1.25微米，線密度是0.16微米/位，記錄容量增加到1GB。在標(biāo)準(zhǔn)速度下的傳輸速率是9.83Mbps，以及線速度是1.98m/sec。
順便指出，雖然在附圖2B中沒有示出，使用被認為適合于高密度記錄的RLL(1，7)PP(RLL掃描寬度限制，PP奇偶校驗保護/禁止rmtr(重復(fù)最小過渡掃描寬度)作為高密度MD記錄數(shù)據(jù)調(diào)制系統(tǒng)。使用具有更高校正能力的BIS(短脈沖串指示子碼)的RS-LDC(交錯交織里德-所羅門碼)系統(tǒng)作為誤差校正系統(tǒng)。使用塊完成型的數(shù)據(jù)交錯。數(shù)據(jù)冗余度是20.50％。
數(shù)據(jù)檢測系統(tǒng)是使用部分響應(yīng)PR(1，2，1)ML的維特比(Viterbi)解碼系統(tǒng)。
順便指出，RLL(1-7)調(diào)制和RS-LDC誤差校正系統(tǒng)是例如公開在日本專利公開Hei 11-346154、國際專利申請出版物WO 00/07300等中公開的技術(shù)。
盤驅(qū)動系統(tǒng)是CLV(恒定線速度)或ZCAV(區(qū)域恒定角速度)。
存儲單元的結(jié)構(gòu)在附圖1中的存儲單元2是作為上述的通用數(shù)據(jù)記錄媒體的能夠支持第一代MD和高密度MD的盤驅(qū)動單元。
在附圖3中示出了存儲部分2的結(jié)構(gòu)的實例。
在該附圖中的盤90表示上述的各種盤。盤90容納在盤盒91中。
通過主軸馬達30通過CLV系統(tǒng)驅(qū)動裝入在存儲單元2中的盤90以旋轉(zhuǎn)它。
在記錄/再現(xiàn)時光學(xué)頭20以激光輻射盤90。
在記錄時光學(xué)頭20輸出高功率級的激光以加熱記錄軌道到它的居里溫度。在再現(xiàn)時光學(xué)頭20產(chǎn)生相當(dāng)?shù)偷墓β始壍募す廨敵鲆酝ㄟ^克爾磁效應(yīng)檢測來自反射光的數(shù)據(jù)。為此，雖然沒有具體示出，但是光學(xué)頭20包括檢測反射光的光學(xué)系統(tǒng)和光電檢測器。光學(xué)系統(tǒng)包括激光二極管、偏振分束器、物鏡等作為輸出裝置。包括在光學(xué)頭20中的物鏡例如通過兩軸機構(gòu)支撐以便在盤的徑向方向和在朝向盤或偏離盤的方向上移動。
磁頭19設(shè)置在與光學(xué)頭20相對的位置上，并且盤90插入在磁頭19和光學(xué)頭20之間。磁頭19將以記錄數(shù)據(jù)調(diào)制的磁場施加給盤90。
此外，雖然沒有示出，提供線程馬達和線程機構(gòu)以用于在盤的徑向方向上移動整個光學(xué)頭20和磁頭19。
除了包括光學(xué)頭20和磁頭19的記錄和再現(xiàn)頭系統(tǒng)和包括主軸馬達30的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動系統(tǒng)之外，存儲部分2還包括記錄處理系統(tǒng)、再現(xiàn)處理系統(tǒng)、伺服系統(tǒng)等。
記錄處理系統(tǒng)包括在記錄第一代MD時通過第一調(diào)制系統(tǒng)執(zhí)行調(diào)制(EFM調(diào)制和ACIRC編碼)的部件和在記錄高密度盤時通過第二調(diào)制系統(tǒng)執(zhí)行調(diào)制(RLL(1-7)PP調(diào)制和RS-LDC編碼)的部件。
再現(xiàn)處理系統(tǒng)包括在再現(xiàn)第一代MD(和高密度盤的U-TOC)時執(zhí)行第一調(diào)制系統(tǒng)的解碼(EFM解調(diào)和ACIRC解碼)的部件和在再現(xiàn)高密度盤時執(zhí)行第二調(diào)制系統(tǒng)的解碼(基于使用部分響應(yīng)PR(1，2，1)的數(shù)據(jù)檢測、維特比解碼和RS-LDC解碼的RLL(1-7)解調(diào))的部件。
通過光學(xué)頭20從盤90的激光束輻所得到的反射光所檢測的信息(由光電檢測器通過檢測激光反射光獲得的光電流)輸送給RF放大器22。
RF放大器22對輸入到其中的檢測信息執(zhí)行電流電壓轉(zhuǎn)換、放大、矩陣計算等。RF放大器22抽取再現(xiàn)RF信號作為再現(xiàn)信息、跟蹤誤差信號TE、聚焦誤差信號FE、凹槽信息(作為在盤90上的軌道擺動記錄的ADIP信息)等。
在再現(xiàn)第一代MD時，通過RF放大器所獲得的再現(xiàn)RF信號通過EFM解調(diào)單元25和ACIRC解碼器26處理。
具體地說，再現(xiàn)的RF信號二進制化成EFM信號串，然后通過EFM解調(diào)單元25進行EFM解調(diào)。再現(xiàn)的RF信號進一步通過ACIRC解碼器26進行誤差校正和去交錯(deinterleave)處理。因此，在這個時間點上，再現(xiàn)的RF信號轉(zhuǎn)換為ATRAC壓縮數(shù)據(jù)。
此外，在再現(xiàn)第一代MD時，選擇器27選擇B接觸面?zhèn)?，并將解調(diào)的ATRAC壓縮數(shù)據(jù)從盤90中作為再現(xiàn)數(shù)據(jù)輸出。即，壓縮的數(shù)據(jù)通過數(shù)據(jù)緩沖器33從存儲單元2輸出，然后輸送給在附圖1中的高速緩沖存儲器3。
在另一方面，在再現(xiàn)高密度盤時，通過RF放大器22獲得的再現(xiàn)RF信號通過RLL(1-7)PP解調(diào)單元23和RS-LDC解碼器24處理。
具體地說，RLL(1-7)PP解調(diào)單元23通過使用PR(1，2，1)和維特比解碼的數(shù)據(jù)檢測從再現(xiàn)RF信號獲得作為RLL(1-7)代碼串的再現(xiàn)數(shù)據(jù)。然后RLL(1-7)PP解調(diào)單元23對RLL(1-7)代碼串執(zhí)行RLL(1-7)解調(diào)。此外，通過RS-LDC解碼器24對結(jié)果執(zhí)行誤差校正和去交錯處理。
此外，在再現(xiàn)高密度盤時，選擇器27選擇A接觸面?zhèn)?，將解調(diào)的數(shù)據(jù)作為再現(xiàn)數(shù)據(jù)從盤90中輸出。即，通過數(shù)據(jù)緩沖器33將解調(diào)數(shù)據(jù)從存儲單元2輸出，然后輸送給在附圖1中的高速緩沖存儲器3。
從RF放大器22輸出的軌道誤差信號TE和聚焦誤差信號FE輸送給伺服電路28。凹槽信息被輸送給ADIP解調(diào)單元31。
ADIP解調(diào)單元31通過帶通濾波器對凹槽信息進行帶寬限制以抽取擺動分量，由此執(zhí)行FM解調(diào)和雙相解調(diào)以抽取ADIP地址。
作為在盤上的絕對地址的信息的所抽取的ADIP地址輸送給存儲控制器(CPU)31。存儲控制器32基于ADIP地址執(zhí)行所要求的控制處理。
凹槽信息輸送給伺服電路28以進行主軸伺服控制。
伺服電路28基于例如通過在凹槽信息和再現(xiàn)時鐘(在解碼時的PLL系統(tǒng)時鐘)之間的相位誤差進行積分獲得的誤差信號形成CLV伺服控制的主軸誤差信號。
此外，基于如上文所述的從RF放大器22輸送的主軸誤差信號、跟蹤誤差信號和聚焦誤差信號或者來自存儲控制器32的軌道跳躍指令、存取指令等，伺服電路28形成各種伺服控制信號(跟蹤控制信號、聚焦控制信號、線程控制信號、主軸控制信號等)。伺服電路28將所形成的伺服控制信號輸出給馬達驅(qū)動器29。即，伺服電路28響應(yīng)伺服誤差信號和指令執(zhí)行所需的處理比如相位補償處理、增益處理和目標(biāo)值設(shè)定處理等，然后形成各種伺服控制信號。
馬達驅(qū)動器29基于從伺服電路28輸送的伺服控制信號形成所要求的伺服驅(qū)動信號。在這種情況下伺服驅(qū)動信號是用于驅(qū)動兩軸機構(gòu)的兩軸驅(qū)動信號(用于聚焦方向和跟蹤方向的兩個信號)、用于驅(qū)動線程機構(gòu)的線程馬達驅(qū)動信號和用于驅(qū)動主軸馬達30的主軸馬達驅(qū)動信號。
應(yīng)用這種伺服驅(qū)動信號，執(zhí)行用于盤90的聚焦控制和跟蹤控制和用于主軸馬達30的CLV控制。
在盤90上的記錄操作中，從高速緩沖存儲器3給數(shù)據(jù)緩沖器33輸送數(shù)據(jù)。
在記錄到第一代MD時，選擇器17連接到B接觸面，因此ACIRC編碼器15和EFM調(diào)制單元16起作用。
在這種情況下，來自沒有示出的音頻處理單元的壓縮數(shù)據(jù)通過ACIRC編碼器15與錯誤校正代碼交錯并提供，然后通過EFM調(diào)制單元16進行EFM調(diào)制。
然后，EFM調(diào)制數(shù)據(jù)通過選擇器17輸送給磁頭驅(qū)動器18，磁頭19基于EFM調(diào)制數(shù)據(jù)將磁場施加給盤90，由此執(zhí)行數(shù)據(jù)記錄。
在記錄到高密度盤時，選擇器17連接到A接觸面，因此RS-LDC編碼器13和RLL(1-7)PP調(diào)制單元14起作用。
在這種情況下，來自高速緩沖存儲器3的高密度數(shù)據(jù)通過RS-LDC編碼器13與RS-LDC系統(tǒng)的錯誤校正代碼交錯并提供，此后通過RLL(1-7)PP調(diào)制單元14進行RLL(1-7)調(diào)制。
然后，作為RLL(1-7)代碼串的記錄數(shù)據(jù)通過選擇器17輸送給磁頭驅(qū)動器18，磁頭19基于調(diào)制數(shù)據(jù)將磁場施加給盤90，由此執(zhí)行數(shù)據(jù)記錄。
如上文所述在再現(xiàn)時和在記錄時，激光驅(qū)動器/APC 21使激光二極管執(zhí)行激光束發(fā)射操作，并也執(zhí)行所謂的APC(自動激光功率控制)操作。
具體地，雖然沒有示出，監(jiān)測激光功率的檢測器提供在光學(xué)頭20中。監(jiān)測信號反饋回激光驅(qū)動器/APC 21。激光驅(qū)動器/APC 21比較當(dāng)前作為監(jiān)測信號獲得的當(dāng)前的激光功率和設(shè)定的激光功率并使在當(dāng)前的激光功率和設(shè)定的激光功率之間的誤差反映在激光驅(qū)動信號。結(jié)果，激光驅(qū)動器/APC 21實施控制以使從激光二極管中輸出的激光功率穩(wěn)定在設(shè)定值上。
順便指出，對于激光功率，存儲控制器32設(shè)置在激光驅(qū)動器/APC21內(nèi)的寄存器中設(shè)定再現(xiàn)激光功率和記錄激光功率的值。
基于來自系統(tǒng)控制器8的指令在存儲控制器32的控制下執(zhí)行上述的操作(存取操作、各種伺服操作、數(shù)據(jù)寫操作、數(shù)據(jù)讀出操作和數(shù)據(jù)傳遞操作)。
如下文所述，容納作為小型盤的盤90的盤盒91具有形成在其中的檢測孔以指示寫是否可能和盤的反射率。具體地，指示寫是否可能的檢測孔由用戶操作打開和關(guān)閉。
存儲單元2具有用于檢測這種盤盒91的檢測孔的檢測狀態(tài)(打開/關(guān)閉或存在/不存在)的檢測孔確定單元34。
在盤裝入時檢測孔確定單元34具有形成在與磁頭19中的檢測孔相對的位置上的開關(guān)SW0和SW1。在檢測孔關(guān)閉(或不存在)時開關(guān)壓下(接通)。
開關(guān)SW0和SW1的接通/切斷狀態(tài)輸送給存儲控制器32，由此存儲控制器32能夠確定檢測孔的狀態(tài)。
順便指出，雖然在這種結(jié)構(gòu)實例中存儲控制器32提供在存儲單元2中，但是也可以構(gòu)造其中系統(tǒng)控制器8直接控制在存儲單元2內(nèi)的部件的實例。
盤盒檢測孔現(xiàn)在描述提供在上述的各種類型的盤的盤盒91上的檢測孔。附圖4至7B所示為各種類型的盤的盤盒的底部表面和側(cè)部表面。
在附圖4至7B所示的MD的類別的盤的情況下，盤90容納在偏平盤盒91中并可以在盤盒91內(nèi)旋轉(zhuǎn)。盤盒91具有滑動型擋板92。如每個附圖中所示，盤90里面通過打開擋板92暴露。順便指出，擋板92通常關(guān)閉以保護盤90。在盤裝入到盤驅(qū)動設(shè)備中時，擋板92通過在面板內(nèi)的機構(gòu)滑動打開。
附圖4所示為只再現(xiàn)MD。在只再現(xiàn)MD的情況下，檢測孔H0形成在盤盒91的底部表面上在附圖4中所示的預(yù)定位置上。
檢測孔H0的位置是用于確定寫是否可能。檢測孔H0的存在(檢測孔H0的打開狀態(tài))指示寫不可能(寫無效)。
在只再現(xiàn)MD的情況下，由于寫自然無效，因此只形成作為檢測孔H0的單孔，不提供打開和關(guān)閉孔的機構(gòu)。因此，在盤盒91的側(cè)部表面等上不提供打開和關(guān)閉孔的滑板。
附圖6A和6B所示為記錄和再現(xiàn)MD和高密度MD類型A的盤盒91。
在這種情況下，提供檢測孔H0和H1。如在只再現(xiàn)MD中一樣，檢測孔H0提供以設(shè)定寫是否可能。在這種情況下，提供滑板93。檢測孔H0根據(jù)滑板93的位置呈在附圖6A中所示的關(guān)閉狀態(tài)和在附圖6B中所示的打開狀態(tài)。即，用戶通過滑板93能夠如在附圖6A或6B中所示地打開或關(guān)閉檢測孔H0，由此設(shè)定寫有效/無效。
檢測孔H0的打開狀態(tài)意味著寫不可能，以及檢測孔H0的關(guān)閉狀態(tài)意味著寫可能。由于檢測孔H0的打開狀態(tài)指示寫不可能，因此檢測孔H0具有與只再現(xiàn)MD的情況下相同的意義。
在附圖6A和6B中的第二檢測孔H1指示盤90的反射率。記錄和再現(xiàn)MD和高密度MD類型A都是磁光盤，因此不同于只再現(xiàn)MD，只再現(xiàn)MD是具有在其上形成壓印的凹坑的光盤。磁光盤與光盤相比具有較低的反射率。例如，雖然光盤具有大約70％的反射率，但是磁光盤具有大約15至30％的反射率。因此，盤驅(qū)動設(shè)備(存儲單元2)需要根據(jù)該盤是光盤還是磁光盤改變內(nèi)部信號處理設(shè)置(例如RF增益等)。檢測孔H1用于確定這種信息。
檢測孔H1的存在表示較低的反射率。當(dāng)然，在這種情況下，檢測孔H1通過滑板93不能打開或關(guān)閉。即，形成固定的孔作為檢測孔H1。
在只再現(xiàn)MD的情況下，在另一方面，檢測孔H1的不存在表示高反射率。
如附圖4和附圖6A和6B所示，在第一代MD和高密度MD類型A中，檢測孔H0的存在或不存在以及位置被設(shè)定為指示是否可能寫和檢測孔H1的位置和存在或不存在被設(shè)定為指示反射率。
在另一方面，在根據(jù)本實施例的高密度MD類型C和類型B(和只再現(xiàn)高密度MD)中，檢測孔H0在所有的時候都處于打開狀態(tài)，檢測孔H1用于設(shè)定寫是否可能。
附圖7A和7B所示為高密度MD類型B/類型C的盤盒91。如附圖7A和7B所示，提供檢測孔H0和H1。順便指出，在檢測孔H1是長孔時，這僅僅是一個實例，正如下文所描述，該孔可以是圓形，如附圖6A和6B所示。
檢測孔H1通過滑板93可以改變到在附圖7A中的關(guān)閉狀態(tài)和在附圖7B中的打開狀態(tài)。
在高密度MD類型B/類型C的情況下，檢測孔H1在附圖7A中所示的關(guān)閉狀態(tài)指示寫可能，而檢測孔H1在附圖7B中的打開狀態(tài)指示寫不可能。
在另一方面，檢測孔H0維持打開狀態(tài)而與滑板93的位置無關(guān)。
附圖5所示為在高密度MD類型B中作為壓印的凹坑盤的只再現(xiàn)高密度MD的盤盒91。在這種情況下，檢測孔H0和H1兩者總是作為打開狀態(tài)的固定孔形成。在附圖7A和7B中的高密度MD類型B/類型C的情況下，固定的檢測孔H0在所有的時候都處于打開狀態(tài)。
在附圖5中的只再現(xiàn)高密度MD具有作為固定孔的只再現(xiàn)高密度MD，因為只再現(xiàn)高密度MD不是可寫的盤。即，在附圖7A和7B中的檢測孔H1的打開狀態(tài)指示寫不可能。在附圖的只再現(xiàn)高密度MD的情況下，固定的檢測孔H1形成為“打開狀態(tài)”以指示寫不可能(寫無效)。
比較附圖4和附圖5，兩者顯示了在附圖4中的只再現(xiàn)MD中的檢測孔H0的存在(打開狀態(tài))指示“寫不可能(寫無效)”，而在附圖5的只再現(xiàn)高密度MD中檢測孔H1的存在(打開狀態(tài))指示“寫不可能(寫無效)”。
固定的檢測孔H0因此形成在附圖7A和7B的高密度MD類型B/類型C和附圖5的只再現(xiàn)高密度MD中?？譎0提供了使僅支持第一代MD的常規(guī)的盤驅(qū)動設(shè)備(常規(guī)的模型)認識到高密度MD類型B/類型C和只再現(xiàn)高密度MD都是不可寫的。常規(guī)的模型認識到在檢測孔H0的位置上的打開狀態(tài)作為指示“寫不可能”
由于檢測孔H0固定在打開狀態(tài)，因此在高密度MD類型B/類型C中的檢測孔H0不能用于寫可能性設(shè)定。因此，檢測孔H1用于寫可能性設(shè)定。
在檢測孔H0和H1的意義在只再現(xiàn)MD、記錄和再現(xiàn)MD和高密度MD類型A的情況和在高密度MD類型B/類型C和只再現(xiàn)高密度MD的情況之間不同時，根據(jù)能夠?qū)?shù)據(jù)寫到高密度MD類型B/類型C的本實施例的盤驅(qū)動設(shè)備簡單地基于檢測孔的狀態(tài)不能確定是否能夠?qū)?。因此，正如下文將詳細描述，在各種類型的MD裝入到其中的本實例的盤驅(qū)動設(shè)備(存儲單元2)檢測盤類型，然后根據(jù)該類型確定檢測孔H0和H1的意義。
順便指出，在高密度MD類型B/類型C和只再現(xiàn)高密度MD裝入到其中時常規(guī)的模型也會發(fā)生相同的情況。然而，常規(guī)的模型在這些類型的盤上執(zhí)行記錄操作不理想。因此，在這些類型的盤中的檢測孔H0在所有的時候都處于打開狀態(tài)以解決這個問題。因此，常規(guī)的模型識別該“寫不可能”。
因為下述原因不希望常規(guī)的模型在這些類型的盤上執(zhí)行記錄操作。
常規(guī)的模型固有地不能在這些類型的盤執(zhí)行記錄操作，主要是因為數(shù)據(jù)格式、物理特性等原因。因此，在常規(guī)的模型偶爾在這些類型的盤執(zhí)行記錄時，可能發(fā)生操作錯誤、數(shù)據(jù)毀壞等。當(dāng)然某些操作錯誤可能給用戶帶來麻煩。
此外，這些類型的盤已經(jīng)采用加密和驗證方法以保護數(shù)據(jù)的版權(quán)。常規(guī)的模型不能支持這些方法。
由于這些原因，要求常規(guī)的模型確定高密度MD類型B/類型C和只再現(xiàn)高密度MD簡單地是“不可記錄的”。
下文參考附圖8A至11D詳細地描述根據(jù)本實施例在盤中檢測孔H0和H1的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，根據(jù)本實施例的盤對應(yīng)于高密度MD類型B/類型C。
附圖8A、8B、8C、8D和8E是根據(jù)本實例的盤的底視圖、平面視圖、后視圖、左側(cè)視圖和右側(cè)視圖。如上文參考附圖7A和7B所描述，檢測孔H0和H1形成在盤盒的底部表面?zhèn)壬系念A(yù)定位置上，如附圖8A所示。
如附圖8E所示，滑板93形成在盤盒的側(cè)面上。通過操作滑板93，可以僅打開和關(guān)閉檢測孔H1。
附圖9A、9B、9C和9D所示為盤盒的側(cè)面和在附圖8A中的A-A截面。附圖9A和9B所示為檢測孔H1的關(guān)閉狀態(tài)。附圖9C和9D所示為檢測孔H1的打開狀態(tài)。
附圖10A所示為在檢測孔H1處于關(guān)閉狀態(tài)時從盤盒91的底部表面?zhèn)壬峡吹臋z測孔H0和H1的一部分的放大視圖。附圖10B所示為在這時的B-B截面圖。
附圖10C所示為在檢測孔H1處于打開狀態(tài)時從盤盒91的底部表面?zhèn)壬峡吹臋z測孔H0和H1的一部分的放大視圖。附圖10D和10E所示為在這時的D-D和C-C截面圖。
從這些附圖中可以理解，滑板93包括在相對于檢測孔H0的位置上在盤盒的厚度方向上凹進的凹進部93a；在對應(yīng)于檢測孔H1的位置上在盤盒的厚度方向上凸伸的凸伸部93b；維持滑塊位置為打開狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài)的接合部93c；和通過用戶進行滑動操作的操作突起93d。
操作突起93d使用戶能夠滑動滑板93，如附圖9A和9C所示。
在附圖9A中的位置上的滑板93通過使接合部93c與形成在盤盒中波形肋95的第一彎曲部95a接合維持它的位置狀態(tài)，如附圖10A所示。
在附圖9C的位置上的滑板93通過使接合部93c與波形肋95的第二彎曲部95b接合維持它的位置狀態(tài)，如附圖10C所示。
從附圖10A、10B、10C和10E中可以理解到，在對應(yīng)于在滑板93中的檢測孔H0的位置上的凹進部93a凹進到比檢測孔H0的孔尺寸更寬的區(qū)域的厚度的方向的程度。
因此，從附圖10A和10C中可以理解，不管滑板93的位置如何檢測孔H0不關(guān)閉。檢測孔H0因此在所有的時候都處于打開狀態(tài)。
從附圖10A、10B、10C和10E中可以理解到，在對應(yīng)于在滑板93中的檢測孔H1的位置上的凸伸部93b具有適合于長的檢測孔H1的尺寸和形狀。如附圖10A和10C所示，凸伸部93b位于長孔內(nèi)，而與滑動位置無關(guān)。
順便指出，在本實例中檢測孔H1是長孔以便允許在滑動時凸伸部93b在檢測孔H1內(nèi)。作為檢測孔H1，在MD類別中界定的位置上的至少圓形孔足夠。例如，在附圖10A中的長檢測孔H1的右半的位置上形成孔就足夠。即，檢測孔H1不需要是長孔。這些情況下文將作為改進進行描述。
如在附圖10A中通過凸伸部93b關(guān)閉的長孔的右半的狀態(tài)是檢測孔H1的關(guān)閉狀態(tài)，如附圖10C沒有位于長孔的右半上的凸伸部93b的狀態(tài)是檢測孔H1的打開狀態(tài)。
如附圖9B和9D所示，滑板93的凸伸部93b的上表面形成了與盤盒91的底部表面基本水平的表面。
因此，滑板93形成為在所有的時候都維持檢測孔H0在打開狀態(tài)并打開和關(guān)閉檢測孔H1的打開和關(guān)閉機構(gòu)。此外，在檢測孔H1處于關(guān)閉狀態(tài)時，通過凸伸部93b滑板93的平面(它的要與盤驅(qū)動設(shè)備的檢測開關(guān)(在附圖3中的開關(guān)SW1)接觸的表面)與盤盒91的平面基本水平(在厚度方向上與盤盒91的平面基本具有相同的高度)。
檢測孔H0在所有的時候都處于打開狀態(tài)的原因上文已經(jīng)描述。在第一代MD等中的檢測孔H0用來確定寫是否可能，因此檢測孔H0用于使常規(guī)的模型認識根據(jù)本實例的盤是不可寫的。
用戶可以打開和關(guān)閉檢測孔H1以進行寫可能性設(shè)定。
通過利用寫可能性設(shè)定，最初用于檢測在記錄和再現(xiàn)MD等中的反射率的檢測孔H1消除了給根據(jù)本實例的盤提供專用于寫可能性設(shè)定的新的第三檢測孔的需要。
這意味著對應(yīng)于檢測孔的開關(guān)不需要增加到兼容的盤驅(qū)動設(shè)備中。該設(shè)備具有減小尺寸、厚度或成本的優(yōu)點。
在檢測孔H1處于關(guān)閉狀態(tài)時，由于下述的原因凸伸部93b形成了與盤盒的平面基本水平的平面。
如上文所述，檢測孔H0和H1的位置分別界定為與在各種類型的盤中的位置相同。在盤驅(qū)動設(shè)備側(cè)，對應(yīng)于檢測孔H0的開關(guān)SW0和對應(yīng)于檢測孔H1的開關(guān)SW1形成在附圖3中的檢測孔確定單元34中。開關(guān)SW0和SW1與常規(guī)的模型的盤驅(qū)動設(shè)備中的開關(guān)相同。
附圖11C所示為在記錄和再現(xiàn)MD(和高密度MD類型A)中的檢測孔H0和H1的狀態(tài)和相應(yīng)的開關(guān)SW0和SW1的狀態(tài)，附圖11D所示為在只再現(xiàn)MD中的檢測孔H0和H1的狀態(tài)和相應(yīng)的開關(guān)SW1和SW2的狀態(tài)。
在附圖11C中的記錄和再現(xiàn)MD具有檢測孔H0和H1。檢測孔H0在盤盒的厚度方向上大約為3毫米深。檢測孔H0通過滑板93打開和關(guān)閉。在檢測孔H0處于關(guān)閉狀態(tài)時，滑板的一部分距由虛線①所指示的盤盒91的底部表面(參考平面)大約1毫米深。1毫米對應(yīng)于盤盒91的厚度。在記錄和再現(xiàn)MD的情況下，根據(jù)本實例滑板93沒有如上文所述的凸伸部93b。因此，檢測孔H0在1毫米深的位置上通過滑板“關(guān)閉”。
從參考平面看在1毫米深的位置上與滑板的一部分接觸的開關(guān)SW0被認為接通，因此指示檢測孔H0處于關(guān)閉狀態(tài)。在另一方面，如該附圖所示，從參考平面看與1毫米深的位置上與滑板的一部分不接觸的開關(guān)SW0被認為切斷，因此指示檢測孔H0處于打開狀態(tài)。
開關(guān)SW0設(shè)計成用于從距參考平面大約1毫米深的位置延伸到小于3毫米深(2毫米深多點)的位置的接通/切斷行程(檢測打開和關(guān)閉的行程)范圍。
記錄和再現(xiàn)MD的其它的檢測孔H1例如距離在該附圖中所示的參考平面大約2毫米。這是因為考慮到對于在附圖11D中只再現(xiàn)MD檢測孔H1在所有的時候都處于打開狀態(tài)。
如附圖11D所示，只再現(xiàn)MD沒有在其中形成的檢測孔H1。如上文所述，在記錄和再現(xiàn)MD中提供檢測孔H1以從沒有這種檢測孔H1的只再現(xiàn)MD中指示不同的反射率。因此，開關(guān)SW1需要判斷檢測孔H1的存在狀態(tài)是否是關(guān)閉狀態(tài)。因此，與盤盒91的底部表面(參考平面)接觸的開關(guān)SW1(附圖11D的狀態(tài))被判斷為接通，由此指示該檢測孔H1處于關(guān)閉狀態(tài)。在另一方面，如在附圖11中所示與參考平面沒有接觸的開關(guān)SW1被判斷為切斷，因此指示檢測孔H1處于打開狀態(tài)。
因此，開關(guān)SW1被設(shè)計成用于從參考平面延伸到小于2毫米深(1毫米深多點)的位置的接通/切斷行程(檢測打開和關(guān)閉的行程)范圍。
即，與小型盤兼容的常規(guī)的盤驅(qū)動設(shè)備被設(shè)計成使開關(guān)SW0和SW1具有相同的行程，但在開關(guān)SW0和SW1都處于切斷狀態(tài)時開關(guān)SW0在盤盒的厚度方向上凸伸更長些。
現(xiàn)在考慮如下的情況其中使用檢測孔H1用于寫可能性設(shè)定，并且如根據(jù)本實例的盤中一樣通過滑板93打開和關(guān)閉。
假設(shè)滑板93如記錄和再現(xiàn)MD一樣具有凸伸部93b，例如在檢測孔H1處于關(guān)閉狀態(tài)時，開關(guān)SW1與距參考平面1毫米深的位置上的滑板接觸。
然而，這種狀態(tài)表示在常規(guī)模型的開關(guān)SW1的行程范圍中的基本中間位置。考慮各種制造誤差，在根據(jù)本實例的盤裝入在常規(guī)的模型中時在清楚地確定接通/切斷確定過程中是不利的。
在對應(yīng)于在與根據(jù)本實例的盤(高密度MD類型B/類型C)兼容的在本實例中的盤驅(qū)動設(shè)備(例如在附圖3中的存儲單元2)中的檢測孔的開關(guān)SW1被設(shè)計成具有從距參考平面1毫米深的位置延伸到小于3毫米深的位置的行程范圍時，如開關(guān)SW0，在接通/切斷確定過程中不是不利的。然而，在只再現(xiàn)MD裝入到在本實例中的盤驅(qū)動設(shè)備中時，開關(guān)SW1相對于盤盒91的底部表面(參考平面)按壓，因為只再現(xiàn)MD沒有檢測孔H1。在這種情況下，開關(guān)SW1在超過設(shè)計的行程范圍的方向上按壓，這可能損壞開關(guān)SW1。
為了防止這些，行程需要延伸以覆蓋參考平面和距離參考平面小于3毫米深的位置的范圍。即，與常規(guī)模型中相同的結(jié)構(gòu)的開關(guān)SW1能夠應(yīng)用。
因此，在本實例中，滑板93具有凸伸部93b，以及在檢測孔H1處于關(guān)閉狀態(tài)時，凸伸部93b的平面與參考平面處于基本水平，如上文所述。具體地說，附圖11A和11B所示為在根據(jù)本實例的盤中的檢測孔H1的打開狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài)。在開關(guān)SW1與同參考平面(即凸伸部93b)基本水平的位置接觸并因此處于接通狀態(tài)時，如附圖11B所示，檢測孔H1被判斷為處于關(guān)閉狀態(tài)。在開關(guān)SW1與同參考平面不接觸并因此處于切斷狀態(tài)時，如附圖11A所示，檢測孔H1被判斷為處于打開狀態(tài)。
即，通過以與參考平面基本水平的凸伸部93b將檢測孔H1設(shè)定為關(guān)閉狀態(tài)提供了如下的優(yōu)點。
首先，在滑板93關(guān)閉檢測孔H1時，用于在記錄和再現(xiàn)MD等中檢測反射率的檢測孔H1形成了與參考平面基本相同的平面。在檢測孔H1通過滑板93打開時檢測孔H1打開到這樣的位置使開關(guān)SW1能夠檢測完全打開狀態(tài)，由此可以實現(xiàn)與根據(jù)本實例的盤兼容的開關(guān)SW1而不改變開關(guān)SW1的行程。即，支持根據(jù)本實例的盤的盤驅(qū)動設(shè)備能夠使用與常規(guī)的模型相同結(jié)構(gòu)的開關(guān)SW0和SW1。就制造成本和設(shè)計容易性方面看這是有利的。
此外，在根據(jù)與常規(guī)模型相同的開關(guān)SW0和SW1的這個實例的盤驅(qū)動設(shè)備中的使用能夠防止在將只再現(xiàn)MD裝入到根據(jù)這個實例的盤驅(qū)動設(shè)備中時上述的可能損壞等問題。這是因為假設(shè)檢測孔H1不存在則開關(guān)SW1具有最初設(shè)定的行程。
此外，不需要改變(加長)開關(guān)SW1的行程在減小設(shè)備的尺寸和厚度方面是有利的。
在上述的實例中，檢測孔H1被制成較長以使滑板93的凸伸部93b不阻擋滑板運動。然而，檢測孔H1可以制成圓形。在附圖12A和12B和附圖13A和13B中示出了這種情況的打開和關(guān)閉機構(gòu)的改進。在附圖12A和12B和附圖13A和13B每個中所示的檢測孔H1為在盤盒91中提供圓形孔。
附圖12A和12B所示為通過滑板295和旋轉(zhuǎn)蓋296所形成的打開和關(guān)閉機構(gòu)的實例?；?95通過用戶的操作滑動在附圖12A和12B中所示的狀態(tài)。
旋轉(zhuǎn)蓋296的軸部分296b通過軸承部分297在盤盒91內(nèi)可旋轉(zhuǎn)地樞軸支撐。旋轉(zhuǎn)蓋的另一軸部分296c通過提供給滑板295的軸承部分298樞軸支撐。
在附圖12A的狀態(tài)中，形成在旋轉(zhuǎn)蓋296上的凸伸部分296a插入到檢測孔H1中，由此通過與盤盒91的底部表面基本水平的表面關(guān)閉檢測孔H1。
然后，在滑板295在如附圖12B所示的箭頭a方向滑動時，推軸部分296c，由此旋轉(zhuǎn)蓋296在箭頭b的方向上在軸部分296b上旋轉(zhuǎn)，由此使凸伸部分296a與檢測孔H1分離以形成打開狀態(tài)。
附圖13A和13B所示為通過滑板399和升降蓋398形成的打開和關(guān)閉機構(gòu)的實例?；?99通過用戶的操作滑動到在附圖13B和13B中所示的狀態(tài)。
升降蓋398的凸輪軸398a裝配在提供給滑板399的凸輪槽399a中。
在附圖13A的狀態(tài)中，形成在升降蓋398上的圓形凸伸部分398b插入到檢測孔H1中，由此通過與盤盒91的底部表面基本水平的表面關(guān)閉檢測孔H1。
然后，在滑板299在如附圖13B所示的箭頭c方向滑動時，升降蓋398的凸輪軸398a在槽399a內(nèi)滑動，由此升降蓋398在箭頭d的方向上移動。由此使凸伸部分398b與檢測孔H1分離以形成打開狀態(tài)。
應(yīng)用這種打開和關(guān)閉機構(gòu)，例如，檢測孔H1并不需要為長孔，而是可以為與檢測孔H0一樣的圓形。圓形檢測孔H1的優(yōu)點在于與長孔相比灰塵等進入盤盒91的面積減小了。
確定盤類型如上文所述，盤盒91的檢測孔H0和H1的意義根據(jù)盤的類型不同而不同。因此，在盤90裝入時在本實例中的盤驅(qū)動設(shè)備需要確定盤的類型以解釋檢測孔H0和H1的狀態(tài)。此外，對于記錄和再現(xiàn)處理確定盤的類型當(dāng)然是必要的。
下文描述確定盤類型確定的方法(確定要素)，此后描述使用各種確定要素的組合的類型確定處理的具體實例。
附圖14所示為各種確定要素和盤類型之間的關(guān)系。
在這種情況下，列為使用通過光學(xué)頭20獲得的反射光信息的確定要素是盤反射率、由凹槽深度引起的相位差、U-TOC內(nèi)容、P-TOC能夠、ADIP地址結(jié)構(gòu)和BCA(串切割區(qū))。
順便指出，附圖14也示出了作為確定寫是否可能的要素而不是盤類型確定的要素的檢測孔H0和H1的狀態(tài)，以及示出了基于檢測孔H0和H1的狀態(tài)確定寫有效/無效。這是因為，在某些情況下這些用于盤類型確定。
如下文更加詳細地描述，在本實例中的盤驅(qū)動設(shè)備(存儲單元2)從盤反射率、由凹槽深度引起的相位差、U-TOC內(nèi)容、P-TOC內(nèi)容、ADIP地址結(jié)構(gòu)和BCA中的一部分或者除此之外的檢測孔H0和H1的狀態(tài)檢測盤類型。盤驅(qū)動設(shè)備也使用檢測孔H0和H1的打開/關(guān)閉狀態(tài)和所確定的盤類型兩者確定寫是否可能。
附圖14的下部分中示出了盤類型確定方法(1)至(6)，在單個的確定方法中使用的確定要素的組合以◎表示。下文描述單個的盤類型確定方法(1)至(6)的處理。
首先描述盤反射率、由凹槽深度引起的相位差、U-TOC內(nèi)容、P-TOC內(nèi)容、ADIP地址結(jié)構(gòu)和BCA的確定要素。
(盤反射率)如上文所述，具有形成在其上的壓印凹坑的光盤的反射率大約達到70％，而執(zhí)行磁場記錄的磁光盤的反射率大約低至15至30％。因此，如附圖14所示，只再現(xiàn)MD和只再現(xiàn)高密度MD具有較高的反射率(H)，而記錄和再現(xiàn)MD和高密度MD類型A/類型B/類型C具有較低的反射率(L)。即，通過確定反射率，可以確定該盤是只再現(xiàn)MD還是只再現(xiàn)高密度MD或者其他類型，即記錄和再現(xiàn)MD和高密度MD類型A/類型B/類型C中的一種。
反射率可以通過如在附圖15A中所示的電路檢測。附圖15A所示為具有四個分隔的光接收表面A、B、C和D的光電檢測器PD。這個光電檢測器PD是設(shè)置在光學(xué)頭20內(nèi)的多個光電檢測器PD中的一個。
在附圖15A中加法器211、212和213和比較器214例如形成在RF放大器22內(nèi)。
加法器211將從光電檢測器PD光接收表面A和B中光電地轉(zhuǎn)換的信號加在一起。
加法器212將從光電檢測器PD光接收表面C和D中光電地轉(zhuǎn)換的信號加在一起。
加法器213將加法器211和212的輸出加在一起。因此，來自光接收表面A、B、C和D的總和信號(即反射光量信號)從加法器213中獲得。
比較器214將總和信號與參考值th比較，然后輸出比較結(jié)果作為FOK信號。這個FOK信號指示在焦點搜索時的焦點拉入范圍。
現(xiàn)在考慮焦點搜索，在這種焦點搜索中在光學(xué)頭20內(nèi)的物鏡強制在朝向盤90和離開盤90的方向上移動以執(zhí)行焦點伺服拉入。
正如大家已經(jīng)知道，象散系統(tǒng)的聚焦誤差信號FE例如是來自四個分隔部分的檢測器的信號(A+C)-(B+D)，例如如附圖15A所示。這種聚焦誤差信號FE在焦點周圍形成了S-形曲線。在S-形曲線的線性段中的零交叉點是焦點。作為控制執(zhí)行焦點伺服控制以拉入到S-形曲線的零-交叉點。
與物鏡的移動行程范圍相比，其中出現(xiàn)S-形曲線的物鏡的位置范圍(朝向和離開盤的位置范圍)非常窄。因此，對于第一次拉入以接通焦點伺服，強制物鏡移動以找到獲得S-形曲線的范圍。這是焦點搜索。
在這種情況下，上述的和信號具有在焦點拉入范圍中如附圖15B所示的幅值。通過將該幅值與預(yù)定的參考值th比較獲得的在附圖15C中的FOK信號指示出現(xiàn)S-形曲線的范圍為在該附圖中沒有示出的焦點誤差信號FE。
由于通過光電檢測器PD獲得的反射光量在具有高反射率的盤的情況和具有較低的反射率的盤的情況之間當(dāng)然不同，因此改變在焦點搜索、數(shù)據(jù)再現(xiàn)等時的不同設(shè)置。例如，如果來自具有較低的反射率的盤的反射光信號的增益沒有增加，則不能獲得滿意的信號。
利用這種事實，在不知道該盤是高反射率盤還是低反射率盤時，即在盤類型確定的反射率檢測要執(zhí)行時，以對應(yīng)于高反射率盤的設(shè)置(例如低增益設(shè)置)執(zhí)行焦點搜索操作就足夠。
在盤是高反射率盤時，以對應(yīng)于高反射率盤的設(shè)置的焦點搜索提供了曲線比如在附圖15B中的實線作為在某一點上的和信號。即，F(xiàn)OK信號在某一點上變?yōu)椤癏”。
在另一方面，在盤是低反射率盤時，只獲得比如在附圖15中的虛線的低水平曲線作為和信號。即，在焦點搜索的周期中不檢測FOK信號。
因此，通過以對應(yīng)于高反射率盤的設(shè)置執(zhí)行焦點搜索操作并確定在焦點搜索操作的過程中是否獲得FOK信號可以檢測所裝入的盤是高反射率盤還是低反射率盤。
(由凹槽深度引起的相位差)根據(jù)形成在盤上的凹槽(凹坑)的深度產(chǎn)生了在推挽信號和作為反射光信息獲得的拉入信號(和信號)之間的相位差。
考慮到拉入信號相對于如附圖14所示的推挽信號的相位差，只再現(xiàn)MD、只再現(xiàn)高密度MD和高密度MD類型C引起了λ/4至λ/2(λ波長)的相位超前，而記錄和再現(xiàn)MD和高密度MD類型A/類型B引起了0至λ/4的相位超前。
因此，通過確定相位差，可以確定該盤是高密度MD、只再現(xiàn)高密度MD和高密度MD類型C中的一種盤還是記錄和再現(xiàn)MD和高密度MD類型A/類型B中的一種盤。
例如附圖16的結(jié)構(gòu)足夠用于相位差確定。在該附圖中所示的單個部分可以分布在光學(xué)頭20、RF放大器22和存儲控制器32等中。
在以這種結(jié)構(gòu)確定相位差時，通過使在光學(xué)頭20內(nèi)的物鏡的焦點伺服接通和跟蹤伺服切斷，物鏡從盤的內(nèi)周邊到盤的外周邊移動。
關(guān)于通過如在附圖16中所示的光學(xué)頭20內(nèi)的光電檢測器PD的檢測表面A、B、C和D所檢測的光電轉(zhuǎn)換信號，通過加法器228首先將來自檢測表面A和D的信號加在一起和通過加法器229首先將來自檢測表面B和C的信號加在一起。然后，加法器228和229的輸出每個都輸送給跟蹤誤差信號操作單元221和拉入信號操作單元225。
跟蹤誤差信號操作單元221計算通過從光接收表面A+D的信號中減去光接收表面B+C的信號獲得的推挽信號P/P＝(A+D)-(B+C)作為跟蹤誤差信號TE。操作單元221將跟蹤誤差信號TE輸送給作為二進制化裝置的比較器222。
拉入信號操作單元225將通過來自光接收表面A、B、C和D的信號加在一起獲得的總光量信號(和信號)作為拉入信號PI輸送給作為二進制化裝置的比較器226。
比較器222通過比較跟蹤誤差信號TE與限制電平TE限幅對跟蹤誤差信號TE二進制化，然后將經(jīng)二進制化的數(shù)據(jù)TE comp輸送給變換器223。變換器223變換經(jīng)二進制化的數(shù)據(jù)TE comp并將經(jīng)變換的二進制數(shù)據(jù)輸送給D翻轉(zhuǎn)確定電路224的數(shù)據(jù)輸入端D。
比較器226通過比較拉入信號PI與限制電平PI限幅對拉入信號PI二進制化，然后將經(jīng)二進制化的數(shù)據(jù)PI comp輸送給變換器227。變換器227變換經(jīng)二進制化的數(shù)據(jù)PI comp并將經(jīng)變換的二進制數(shù)據(jù)輸送給D翻轉(zhuǎn)確定電路224的時鐘輸入端D。
D翻轉(zhuǎn)確定電路224與來自比較器226的經(jīng)變換的二進制化的數(shù)據(jù)PI comp’的上升邊沿同步地鎖存來自比較器222的經(jīng)變換的二進制化的數(shù)據(jù)TE comp’。即D翻轉(zhuǎn)確定電路224通過檢測在PI信號和TE信號之間的相位差產(chǎn)生盤類型確定的結(jié)果并輸出該結(jié)果。D翻轉(zhuǎn)確定電路224例如設(shè)置存儲控制器32內(nèi)。存儲控制器32基于D翻轉(zhuǎn)確定電路224的確定結(jié)果確定相位差。
附圖17所示為束點SP在MD部分上的運動和對應(yīng)于束點SP的運動的TE信號和PI信號的再現(xiàn)波形。附圖17所示為在TE信號相對于PI信號延遲90度即相位差是90度的情況。
附圖18A、18B、18C、18D和18E所示為在盤90是記錄和再現(xiàn)MD或高密度MD類型A/類型B時通過附圖16的部件所檢測的波形。D翻轉(zhuǎn)確定電路224與經(jīng)變換的二進制化的數(shù)據(jù)PI comp’的上升邊沿同步地鎖存經(jīng)變換的二進制化的數(shù)據(jù)TE comp’，并由此輸出H。
附圖19A、19B、19C、19D和19E所示為在盤90是只再現(xiàn)MD、只再現(xiàn)高密度MD或高密度MD類型C時通過附圖16的部件所檢測的波形。
在這種情況下，D翻轉(zhuǎn)確定電路224與經(jīng)變換的二進制化的數(shù)據(jù)PI comp’的上升邊沿同步地鎖存經(jīng)變換的二進制化的數(shù)據(jù)TE comp’，并由此輸出L。
相對于在作為具有凹槽的盤的高密度MD類型C中的跟蹤誤差信號TE(推挽信號P/P)的拉入信號PI(附圖19B)的相位與其他的凹槽盤(即記錄和再現(xiàn)MD或高密度MD類型A/類型B)的情況(附圖18B)相比在極性上倒置了，因為高密度MD類型C具有160至180納米的更深的凹槽深度。
如附圖20所示，跟蹤誤差信號(推挽信號P/P)的幅值在125納米的凹槽深度從+改變到-。從780納米的激光波長和1.57的盤折射率中，確定發(fā)生這種極性轉(zhuǎn)換的深度d為(780/4)/1.57。
從上文的描述中可以理解，作為D翻轉(zhuǎn)確定電路224的鎖存輸出的“H”或“L”是相位差的檢測的結(jié)果。
具體地說，在附圖16的結(jié)構(gòu)的情況下，在D翻轉(zhuǎn)確定電路224的鎖存輸出是如附圖18A至18E中的“H”時，所裝入的盤90相對于推挽信號P/P產(chǎn)生0至λ/4的相位延遲作為拉入信號PI的相位差，因此可以確定盤90是記錄和再現(xiàn)MD或高密度MD類型A/類型B。在另一方面，在D翻轉(zhuǎn)確定電路224的鎖存輸出是“L”時，所裝入的盤90相對于推挽信號P/P產(chǎn)生λ/4至λ/2的相位延遲作為拉入信號PI的相位差，因此可以確定盤90是只再現(xiàn)MD、只再現(xiàn)高密度MD和高密度MD類型C中的一種。
順便指出，在這種相位差檢測中，由于在實際中具有偏心率，因此在跟蹤伺服沒有接通的狀態(tài)下束點SP重復(fù)地移動到盤的內(nèi)周邊側(cè)和盤的外周邊側(cè)。因此，由于行進方向需要固定，因此物鏡或整個光學(xué)塊(光學(xué)頭)需要從以超過由偏心率引起的運動量例如以恒定的速度從內(nèi)周邊運動到外周邊。
此外，在這種相位差檢測中，確保光學(xué)頭20事先位于盤的凹槽區(qū)(將在下文中描述)中。由于只再現(xiàn)MD和只再現(xiàn)高密度MD沒有凹槽區(qū)，因此在識別凹槽之后的相位差檢測使得難以確定盤是記錄和再現(xiàn)MD、高密度MD類型A/類型B還是高密度MD類型C。
(P-TOC/U-TOC)公知的是小型盤系統(tǒng)具有記錄在盤的內(nèi)周邊側(cè)上的位置上的稱為P-TOC和U-TOC的管理信息。
管理信息的內(nèi)容包括盤類型信息，因此稱為P-TOC和U-TOC的管理信息的內(nèi)容可用于盤類型確定。
在描述基于管理信息的盤確定方法之前，首先描述各種盤的區(qū)域結(jié)構(gòu)。
附圖21A所示為作為只再現(xiàn)MD的區(qū)域結(jié)構(gòu)從盤的內(nèi)周邊側(cè)到外周邊側(cè)的盤的半徑方向上帶狀形式的區(qū)域。
如附圖21A所示，盤的最內(nèi)周邊側(cè)是引入?yún)^(qū)，其中記錄了P-TOC。數(shù)據(jù)區(qū)形成在P-TOC之后。數(shù)據(jù)區(qū)具有其中事先以軌跡(音樂段)為單元記錄的音頻數(shù)據(jù)。所記錄的軌跡的地址、區(qū)域的位置等通過P-TOC管理。盤的最外周邊側(cè)是引出區(qū)。
在記錄和再現(xiàn)MD的情況下，所有的區(qū)域都是凹坑區(qū)，通過壓印凹坑記錄數(shù)據(jù)。
附圖21B所示為記錄和再現(xiàn)MD的區(qū)域結(jié)構(gòu)。
在這種情況下，P-TOC和U-TOC記錄在內(nèi)周邊側(cè)上的引入?yún)^(qū)中。在數(shù)據(jù)區(qū)中，通過用戶側(cè)記錄和再現(xiàn)音頻軌跡。
在記錄和再現(xiàn)MD的情況下，只有引入?yún)^(qū)的內(nèi)周邊側(cè)上的P-TOC是具有壓印凹坑的凹坑區(qū)，U-TOC、數(shù)據(jù)區(qū)和引出區(qū)都是凹槽區(qū)，通過磁光記錄實現(xiàn)記錄和再現(xiàn)。
記錄在數(shù)據(jù)區(qū)中的軌跡通過U-TOC管理，U-TOC的內(nèi)容響應(yīng)在數(shù)據(jù)區(qū)中的記錄、擦除和編輯重寫。P-TOC管理基本區(qū)域的位置等。
附圖21C所示為高密度MD類型A的區(qū)域結(jié)構(gòu)。從這個圖中可以理解，高密度MD類型A的區(qū)域結(jié)構(gòu)與記錄和再現(xiàn)MD的區(qū)域結(jié)構(gòu)相同。
除了由P-TOC和U-TOC管理的區(qū)域之外，記錄在數(shù)據(jù)區(qū)中的音頻、視頻或其它類型的數(shù)據(jù)的文件通過FAT系統(tǒng)管理。
附圖22A所示為高密度MD類型B的區(qū)域結(jié)構(gòu)。
在這種情況下，盤的最內(nèi)周邊側(cè)是鏡像區(qū)(BAC串切割區(qū))。在這種情況下，以條形碼形式的構(gòu)圖以輻射方式形成以記錄預(yù)定的ID等。
BCA在引入?yún)^(qū)之后，其中記錄了P-TOC和U-TOC。P-TOC區(qū)是具有壓印的凹坑的凹坑區(qū)。U-TOC區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和引出區(qū)都是凹槽區(qū)，其中可以進行記錄和再現(xiàn)。也在這種情況下，除了通過P-TOC和U-TOC管理的區(qū)域之外，記錄在數(shù)據(jù)區(qū)中的數(shù)據(jù)文件由FAT系統(tǒng)管理。
附圖22B所示為只再現(xiàn)高密度MD。這是高密度MD類型B的只再現(xiàn)類型。因此，引入?yún)^(qū)只包括P-TOC。包括鏡像區(qū)的所有的區(qū)域都是凹坑區(qū)。
附圖22C所示為高密度MD類型C的區(qū)域結(jié)構(gòu)。
也是在這種情況下，鏡像區(qū)(BCA)形成在最內(nèi)的周邊側(cè)上。引入?yún)^(qū)具有在其中記錄的稱為P-TOP的管理信息而不是P-TOC和U-TOC。
引入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)和引出區(qū)都是凹槽區(qū)。
上文已經(jīng)描述了單個盤的區(qū)域結(jié)構(gòu)?；谠撁枋觯枋龌赑-TOC和U-TOC的盤類型確定。
首先描述基于P-TOC的確定。
附圖23所示為P-TOC族的第一扇區(qū)(扇區(qū)0)的結(jié)構(gòu)。
P-TOC扇區(qū)0在它的頭部具有12-字節(jié)同步模式，這之后具有扇區(qū)本身的地址(族地址和扇區(qū)地址)。順便指出，同步模式和地址都是在小型盤格式的所有扇區(qū)中公共的。
四字節(jié)的系統(tǒng)ID記錄在預(yù)定字節(jié)的位置上。
此外，記錄盤類型、記錄功率、第一軌跡號、最后軌跡號、引出區(qū)開始地址、功率校正區(qū)開始地址、U-TOC開始地址和可記錄區(qū)開始地址。即，記錄了管理區(qū)結(jié)構(gòu)和盤特性的信息。
然后，提供指針部分和表部分。表部分由部分表形成，在部分表中管理形成軌跡的部分的開始地址/結(jié)束地址和軌跡模式信息。部分表由在指針部分中的指針(P-TN01至P-TN0255)指定，由此管理每個軌跡。
指針P-TN01至P-TN0255分別對應(yīng)于第一軌跡至第255軌跡。
注意，在只再現(xiàn)MD的情況下軌跡由P-TOC管理。在記錄和再現(xiàn)MD的情況下，每個軌跡由下文將要描述的U-TOC的指針部分和表部分管理。
如上文所述，系統(tǒng)ID記錄在P-TOC中。作為系統(tǒng)ID，在第一代MD(只再現(xiàn)MD和記錄和再現(xiàn)MD)的情況下通過ASCII碼記錄信息“MINI”。
在另一方面，在高密度MD類型B的情況下，記錄指示高密度MD(例如“Hi-MD”)的代碼作系統(tǒng)ID。
因此，基于指示高密度MD的代碼“Hi-MD”是否作為P-TOC的系統(tǒng)ID存在可以確定在附圖14中所示的盤類型。
具體地說，在不存在指示高密度MD的代碼“Hi-MD”時，盤是只再現(xiàn)MD、記錄和再現(xiàn)MD或高密度MD類型A。
在在存在指示高密度MD的代碼“Hi-MD”時，盤是高密度MD類型B或者只再現(xiàn)高密度MD。
如附圖22C所示，高密度MD類型C沒有P-TOC。因此，在P-TOC本身不存在時，該盤是高密度MD類型C。
接著描述基于U-TOC的確定。
附圖24所述的U-TOC族的第一扇區(qū)(扇區(qū)0)的結(jié)構(gòu)。
U-TOC扇區(qū)0在它的頭部具有12-字節(jié)同步模式，這之后具有扇區(qū)本身的地址(族地址和扇區(qū)地址)。
此外，標(biāo)記代碼、模型代碼、第一軌跡號、最后軌跡號、在U-TOC內(nèi)使用的扇區(qū)、盤序號和系統(tǒng)ID都記錄在預(yù)定的字節(jié)位置上。
然后，提供指針部分和表部分。表部分由部分表形成，在部分表中管理形成軌跡的部分的開始地址/結(jié)束地址和軌跡模式信息。部分表由在指針部分中的指針(P-DFA、P-EMPTY、P-FRA和P-TN01至P-TN0255)指定，由此管理每個軌跡。
指針P-TN01至P-TN0255分別對應(yīng)于第一軌跡至第255軌跡。
指針P-DFA管理在盤上的缺陷區(qū)。
指針P-EMPTY管理未使用的部分表。
指針P-FRA管理在數(shù)據(jù)區(qū)上的未記錄區(qū)(自由區(qū))。
記錄和再現(xiàn)MD允許記錄、擦除和編輯軌跡。為此，U-TOC執(zhí)行軌跡管理。指針部分的內(nèi)容和部分表響應(yīng)記錄/擦除/編輯進行重寫。
作為標(biāo)記代碼，記錄分配給標(biāo)記的代碼。具體地說，在高密度MD類型A/類型B中，指示高密度格式的盤的標(biāo)識(Hi-MD格式在附圖2B中的類型A/類型B的格式)記錄在標(biāo)記代碼的區(qū)域中。
因此，基于這個標(biāo)記代碼信息可以進行如附圖14中所示的類型確定。
具體地，在U-TOC中不存在指示記錄和再現(xiàn)MD格式的代碼時，盤是記錄和再現(xiàn)MD。
在U-TOC中不存在指示高密度MD格式的代碼時，該盤是高密度MD類型A或高密度MD類型B。
如附圖22C所示，高密度MD類型C在其中沒有記錄U-TOC。如附圖21A和22B所示，U-TOC本身不存在與只再現(xiàn)MD和只再現(xiàn)高密度MD中。因此，在不存在U-TOC時，盤是高密度MD類型C、只再現(xiàn)MD或者只再現(xiàn)高密度MD。
順便指出，在高密度MD類型A或高密度MD類型B的情況下，指示高密度格式的信息記錄在記錄于數(shù)據(jù)區(qū)的每個文件(數(shù)據(jù)軌道)的一部分中。因此，該信息可用于類似的確定。
(BCA)從附圖21A至22C中可以理解，根據(jù)盤的類型提供或不提供BCA。此外，盤類型作為記錄在BCA中的信息存在。因此，基于BCA的存在或不存在和在其中記錄的信息，可以如附圖14所示地確定盤類型。
附圖25A所示為沒有BCA的盤，附圖25B所示為有BCA的盤。
通過附圖25A和25B的比較中可以理解，在附圖25B中的BCA是在對應(yīng)于作為在附圖25A中的引入?yún)^(qū)的徑向位置的內(nèi)周邊側(cè)的區(qū)域中的徑向條形碼模式。
BCA是在徑向方向上輻射的條形碼模式，因此可以讀出條形碼信息而不需要特定的跟蹤控制。
條形碼用于記錄在高密度MD類型B的情況下指示“Hi-MD 1.5”的代碼和在高密度MD類型C的情況下指示“Hi-MD 3”的代碼。
基于BCA的存在或不存在和BCA的信息內(nèi)容可以進行如下的確定。
在BCA不存在時，盤是記錄和再現(xiàn)MD、只再現(xiàn)MD或高密度MD類型A。
在BCA存在并且其中記錄了指示“Hi-MD 1.5”的信息，則該盤是高密度MD類型B或只再現(xiàn)高密度MD。
在BCA存在并且其中記錄了指示“Hi-MD 3”的信息，則該盤是高密度MD類型C。
(ADIP地址結(jié)構(gòu))基于地址結(jié)構(gòu)也可以進行盤類型確定。
ADIP地址由凹槽擺動標(biāo)識。因此，在其上沒有形成凹槽的只再現(xiàn)MD和只再現(xiàn)高密度MD沒有ADIP地址。只再現(xiàn)MD和只再現(xiàn)高密度MD僅具有記錄在該數(shù)據(jù)內(nèi)的子代碼格式上的地址。
在另一方面，帶有凹槽區(qū)域的盤在其上記錄有ADIP地址。對于具有凹槽區(qū)的盤，高密度MD類型C具有與其它的盤不同的ADIP地址。
附圖26A所示為記錄和再現(xiàn)MD和高密度MD類型B的地址格式。附圖26B所示為高密度MD類型C的ADIP地址格式。
首先，在附圖26A的ADIP地址格式中，一個單元地址由42位形成，該地址包括4位同步、16位族號、8位扇區(qū)號和14位CRC。
在另一方面，在附圖26B的ADIP地址格式中，一個單元地址由42位類似地形成，并且該地址包括4位同步、16位族號、4位扇區(qū)號和18位ECC。
即，誤差校正解碼系統(tǒng)是不同的。因此，例如通過執(zhí)行ADIP解碼并確定該地址是否可以通過ECC處理所抽取，則可以進行如在附圖14中所示的類型確定。
因此，在盤再現(xiàn)操作和ADIP解碼之后通過ECC解碼可以獲得地址，即該盤是高密度MD類型C。
在盤再現(xiàn)操作和ADIP解碼之后通過ECC解碼不能獲得地址，則該盤是高密度MD或高密度MD類型A/類型B。
在盤再現(xiàn)操作之后不能獲得ADIP信息時，該盤是只再現(xiàn)MD或只再現(xiàn)高密度MD。
上文已經(jīng)描述了基于通過光學(xué)頭20獲得的反射光信息從信號中進行盤確定的確定要素。應(yīng)用這些確定要素的組合，可以確定在小型盤種類中的六種盤類型(只再現(xiàn)MD、記錄和再現(xiàn)MD、高密度MD類型A、高密度MD類型B、只再現(xiàn)高密度MD和高密度MD類型C)。
在附圖14的下部通過◎表示確定要素的組合，這些組合使如盤類型確定方法(1)至(6)進行類型確定可能。
通過盤類型確定方法(1)至(6)中的一種方法可以進行盤類型確定。
順便指出，在附圖14的盤類型確定方法(1)至(4)中的反射率中輸入的Δ表示反射率在類型確定的組合中不需要。即，理論上，通過使用其它的特定要素的組合不進行反射率檢測可以進行盤類型確定。然而，在考慮到確定處理速度時反射率檢測比較有利，因此下文描述包括反射檢測的某些流程圖。
對于反射率確定，上述的從反射光信息中進行的反射率確定不是必須的。例如，如上文所述，在只再現(xiàn)MD、記錄和再現(xiàn)MD和高密度MD類型A中的檢測孔H1表示反射率。因此，根據(jù)確定要素的組合通過檢測孔H1可以進行反射率確定。
下文描述如在附圖14中的盤類型確定方法(1)至(6)所示的盤類型確定處理。
順便指出，每個流程圖的處理是通過存儲控制器32執(zhí)行的控制和確定處理。
(盤類型確定方法(1))盤類型確定方法(1)是反射率檢測、相位差檢測和管理信息檢測(P-TOC檢測和U-TOC檢測)的組合。
附圖27代表盤類型確定方法(1)的處理。
在附圖27的盤類型確定處理中，在步驟F101中通過上述的方法首先確定反射率。在確定所裝入的盤是高反射率盤時，處理進行到步驟F104以再現(xiàn)P-TOC數(shù)據(jù)。然后確定指示高密度MD的代碼“Hi-MD”是否作為P-TOC的系統(tǒng)ID記錄。
在指示高密度MD的代碼存在時，處理進行到步驟F108以確定該盤是只再現(xiàn)高密度MD。
在另一方面，在指示高密度MD的代碼沒有被記錄時處理進行到步驟F109以確定該盤是只再現(xiàn)MD。
在步驟F101中確定所裝入的盤是低反射率盤時，處理進行到步驟F102以確定通過光學(xué)頭20正跟蹤的在盤上的位置是否是凹槽區(qū)。
在盤上的物理區(qū)結(jié)構(gòu)具有凹坑區(qū)、凹槽區(qū)和鏡像區(qū)，如附圖21A至21C和附圖22A至22C所示。這些區(qū)中光學(xué)頭20正處于的哪個區(qū)域可以從和信號(A+B+C+D)或RF信號的幅值電平中確定。例如，通過檢測RF信號的幅值的峰值電平/底部電平可以進行確定，由此確定幅值電平并比較該幅值電平和預(yù)定的閾值電平。
在步驟F102中確定光學(xué)頭20正跟蹤的在盤上的位置不是凹槽區(qū)時，處理進行到步驟F103中，在該步驟中控制滑軌機構(gòu)以移動光學(xué)頭20到凹槽區(qū)。然后，處理返回到步驟F102以確定光學(xué)頭20正跟蹤的在盤上的位置是凹槽區(qū)。
由于步驟F102和步驟F103的處理的結(jié)果，在光學(xué)頭20處于凹槽區(qū)中時，通過在步驟F105中的上述的方法執(zhí)行相位檢測。
在檢測到拉入信號PI相對于推挽信號P/P的相位超前時，處理進行到步驟F110以確定該盤是高密度MD類型C。
在步驟F105中檢測到相位延遲時，在步驟F106中執(zhí)行P-TOC檢測。具體地說，再現(xiàn)P-TOC區(qū)域以確定指示高密度MD的代碼“Hi-MD”是否作為系統(tǒng)ID記錄。
在存在指示高密度MD的代碼時，處理進行到步驟F111以確定所裝入的盤是高密度MD類型B。
在另一方面，在指示高密度MD的代碼沒有被記錄時，處理進行到步驟F107以接著確定U-TOC內(nèi)容。然后，確定在上述的U-TOC的標(biāo)記代碼中指示高密度格式(Hi-MD)的識別代碼的存在或不存在。在存在指示高密度格式的識別代碼時，處理進行到步驟F112以確定所裝入的盤是高密度MD類型A。
在U-TOC中不存在指示高密度格式的識別代碼時，處理進行到步驟F113以確定所裝入的盤是記錄和再現(xiàn)MD。
通過使用反射率、相位差檢測和管理信息檢測(P-TOC檢測和U-TOC檢測)的組合進行上述的處理，可以確定只再現(xiàn)MD、記錄和再現(xiàn)MD、高密度MD類型A、高密度MD類型B、只再現(xiàn)高密度MD或高密度MD類型C的類型。
(盤類型確定方法(2))盤類型確定方法(2)是反射率檢測、管理信息檢測(P-TOC檢測和U-TOC檢測)和地址結(jié)構(gòu)檢測的組合的實例。
附圖28代表盤類型確定方法(2)的處理。
在附圖28的盤類型確定處理中，在步驟F201中通過上述的方法首先確定反射率。在確定所裝入的盤是高反射率盤時，處理進行到步驟F204以再現(xiàn)P-TOC數(shù)據(jù)。然后確定指示高密度MD的代碼“Hi-MD”是否作為P-TOC的系統(tǒng)ID記錄。
在指示高密度MD的代碼存在時，處理進行到步驟F208以確定該盤是只再現(xiàn)高密度MD。
在另一方面，在指示高密度MD的代碼沒有被記錄時處理進行到步驟F209以確定該盤是只再現(xiàn)MD。
在步驟F201中確定所裝入的盤是低反射率盤時，處理進行到步驟F202以確定通過光學(xué)頭20正跟蹤的在盤上的位置是否是凹槽區(qū)。
在步驟F202中確定光學(xué)頭20正跟蹤的在盤上的位置不是凹槽區(qū)時，處理進行到步驟F203中，在該步驟中控制滑軌機構(gòu)以移動光學(xué)頭20到凹槽區(qū)。然后，處理返回到步驟F202以確定光學(xué)頭20正跟蹤的在盤上的位置是凹槽區(qū)。
由于步驟F202和步驟F203的處理的結(jié)果，在光學(xué)頭20處于凹槽區(qū)中時，通過在步驟F205中的上述的方法執(zhí)行ADIP地址格式確定。
具體地說，在ADIP地址解碼處理中，確定是否通過ECC解碼獲得了ADIP地址。在ADIP地址通過ECC解碼獲得時，處理進行到步驟F210以確定盤是高密度MD類型C。
在步驟F205中在通過ECC解碼沒有獲得ADIP地址時，在步驟F206中執(zhí)行P-TOC檢測。具體地說，再現(xiàn)P-TOC數(shù)據(jù)以確定指示高密度MD的代碼“Hi-MD”是否作為系統(tǒng)ID記錄。
在存在指示高密度MD的代碼時，處理進行到步驟F211以確定所裝入的盤是高密度MD類型B。
在另一方面，在指示高密度MD的代碼沒有被記錄時，處理進行到步驟F207以接著確定U-TOC內(nèi)容。然后，確定在上述的U-TOC的標(biāo)記代碼中指示高密度格式(Hi-MD)的識別代碼的存在或不存在。在存在指示高密度格式的識別代碼時，處理進行到步驟F212以確定所裝入的盤是高密度MD類型A。
在U-TOC中不存在指示高密度格式的識別代碼時，處理進行到步驟F213以確定所裝入的盤是記錄和再現(xiàn)MD。
通過使用反射率檢測、地址結(jié)構(gòu)檢測和管理信息檢測(P-TOC檢測和U-TOC檢測)的組合進行上述的處理，可以確定只再現(xiàn)MD、記錄和再現(xiàn)MD、高密度MD類型A、高密度MD類型B、只再現(xiàn)高密度MD或高密度MD類型C的類型。
(盤類型確定方法(3))盤類型確定方法(3)通過管理信息檢測(P-TOC檢測和U-TOC檢測)、檢測作為特定的區(qū)域的BCA并使用盤盒91的檢測孔H1是打開還是關(guān)閉的確定結(jié)果來確定盤類型。
附圖29代表盤類型確定方法(3)的處理。
在附圖29的盤類型確定處理中，在首先的步驟F301中，滑動機構(gòu)被控制為移動光學(xué)頭20到盤的最內(nèi)周邊側(cè)上。
然后，在步驟F302中確定BCA的存在或不存在。在基于通過在附圖27中的步驟F102的描述中所描述的區(qū)域確定方法判斷最內(nèi)周邊側(cè)是否是鏡像區(qū)可以確定BCA的存在或不存在。即，在盤的最內(nèi)周邊側(cè)是鏡像區(qū)時，可以確定BCA存在。
在BCA存在時，處理進行到步驟F305以再現(xiàn)BCA的條形碼模式。在指示“Hi-MD 3”的代碼被檢測到時，處理進行到步驟F307以確定所裝入的盤是高密度MD類型C。
在沒有檢測到作為BCA的條形碼模式的指示“Hi-MD 3”的代碼(在代碼指示“Hi-MD 1.5”時)時，處理進行到步驟F306以確定是否存在U-TOC。具體地說，再現(xiàn)U-TOC以確定U-TOC是否存在。
在U-TOC存在時，處理進行到步驟F308以確定所裝入的盤是高密度MD類型B。
在不存在U-TOC時，處理進行到步驟F309以確定所裝入的盤是只再現(xiàn)高密度MD。
在步驟F302中確定不存在BCA時，在步驟F303中確定檢測孔H1的打開/關(guān)閉狀態(tài)。具體地說，確定在附圖3中所示的檢測孔確定單元34的開關(guān)SW1的接通/切斷狀態(tài)。
在檢測孔H1處于關(guān)閉狀態(tài)(開關(guān)SW1接通)時，處理進行到步驟F310以確定所裝入的盤是只再現(xiàn)MD。
在檢測孔H1處于打開狀態(tài)(開關(guān)SW1切斷)時，處理進行到步驟F304以確定U-TOC的內(nèi)容。即，再現(xiàn)U-TOC以確定在U-TOC的標(biāo)記碼中指示高密度格式的識別碼(Hi-MD)的存在或不存在。在存在指示高密度格式的識別碼時，處理進行到步驟F311以確定所裝入的盤是高密度MD類型A。
在U-TOC中不存在指示高密度格式的識別碼時，處理進行到步驟F312中以確定所裝入的盤是記錄和再現(xiàn)MD。
通過使用管理信息檢測(U-TOC檢測)、BCA檢測和檢測孔H1的打開/關(guān)閉狀態(tài)的檢測的組合進行上述的處理，可以確定只再現(xiàn)MD、記錄和再現(xiàn)MD、高密度MD類型A、高密度MD類型B、只再現(xiàn)高密度MD或高密度MD類型C的類型。
(盤類型確定方法(4))盤類型確定方法(4)通過反射率檢測、管理信息檢測(P-TOC檢測和U-TOC檢測)并使用盤盒91的檢測孔H1的確定結(jié)果來確定盤類型。
附圖30代表盤類型確定方法(4)的處理。
在附圖30的盤類型確定處理中，在首先的步驟F401中，確定盤盒91的檢測孔H0的打開/關(guān)閉狀態(tài)。具體地說，確定檢測孔確定單元34的開關(guān)SW0的打開關(guān)閉狀態(tài)。
在檢測孔H0處于關(guān)閉狀態(tài)(開關(guān)SW0接通)時，處理進行到步驟F405以確定光學(xué)頭20正跟蹤的在盤受到位置是否是凹槽區(qū)。在步驟F405中確定位置不是凹槽區(qū)時，處理進行到步驟F406中，在該步驟中控制滑軌機構(gòu)以移動光學(xué)頭20到凹槽區(qū)。然后，處理進行到步驟F405以確定該位置是否是凹槽區(qū)。
在由于步驟F406和步驟F406的結(jié)果光學(xué)頭20處于凹槽區(qū)中時，在步驟F410中再現(xiàn)U-TOC以確定在以U-TOC的標(biāo)記碼中指示高密度格式的識別碼的存在或不存在。在存在指示高密度格式的識別碼時，處理進行到步驟F411以確定所裝入的盤是高密度MD類型A。
在U-TOC中不存在指示高密度格式的識別碼時，處理進行到步驟F412中以確定所裝入的盤是記錄和再現(xiàn)MD。
在步驟F401中確定檢測孔H0處于打開狀態(tài)(開關(guān)SW0切斷)時，在步驟F402中確定檢測孔H1的打開/關(guān)閉狀態(tài)。具體地說，確定檢測孔確定單元34的開關(guān)SW1的打開/關(guān)閉狀態(tài)。
在檢測孔H1處于關(guān)閉狀態(tài)(開關(guān)SW1接通)時，處理進行到步驟F407以執(zhí)行反射率檢測。在確定所裝入的盤是高反射率盤時，處理進行到步驟F414以確定該盤是只再現(xiàn)MD。
在步驟F407中確定所裝入的盤是低反射率盤時，處理進行到步驟F409，在該步驟中再現(xiàn)P-TOC區(qū)以確定指示高密度MD的代碼“Hi-MD”是否作為系統(tǒng)ID記錄。
在存在指示高密度MD的代碼時，處理進行到步驟F415以確定該盤是高密度MD類型B。
在另一方面，在P-TOC本身不存在時，處理進行到步驟F416以確定所裝入的盤是高密度MD類型C。
在步驟F402中確定檢測孔H1處于打開狀態(tài)(開關(guān)SW1切斷)時，處理進行到步驟F403以執(zhí)行反射率檢測。在確定所裝入的盤是高反射率盤時，處理進行到步驟F413以確定該盤是只再現(xiàn)高密度MD。
在該盤是低反射率盤時，處理進行到步驟F404以再現(xiàn)P-TOC區(qū)。然后，確定P-TOC是否存在，或者在P-TOC存在時，確定指示高密度MD的代碼“Hi-MD”是否作為系統(tǒng)ID記錄。
在不存在P-TOC時，處理進行到步驟F421以確定所裝入的盤是高密度MD類型C。
在P-TOC存在并且指示高密度MD的代碼作為系統(tǒng)ID存在時，處理進行到步驟F420以確定該盤是高密度MD類型B。
另一方面，在P-TOC存在并且沒有記錄指示高密度MD的代碼時，處理進行到步驟F422以確定光學(xué)頭20正跟蹤的在盤上的位置是否在凹槽區(qū)中。在確定該位置不在凹槽區(qū)中時，處理進行到步驟F423，在該步驟中控制滑軌機構(gòu)以移動光學(xué)頭20到凹槽區(qū)。然后，處理返回到步驟F422以確定該位置是否是凹槽區(qū)。
在由于步驟F422和步驟F423的結(jié)果光學(xué)頭20處于凹槽區(qū)中時，在步驟F417中再現(xiàn)U-TOC以確定指示高密度的格式的識別碼的存在或不存在。在存在指示高密度格式的識別碼時，處理進行到步驟F419以確定所裝入的盤是高密度MD類型A。
在U-TOC中不存在指示高密度格式的識別碼時，處理進行到步驟F418中以確定所裝入的盤是記錄和再現(xiàn)MD。
通過使用反射率檢測、管理信息檢測(P-TOC檢測和U-TOC檢測)和檢測孔H0和H1的打開/關(guān)閉狀態(tài)的檢測的組合進行上述的處理，可以確定只再現(xiàn)MD、記錄和再現(xiàn)MD、高密度MD類型A、高密度MD類型B、只再現(xiàn)高密度MD或高密度MD類型C的類型。
(盤類型確定方法(5))盤類型確定方法(5)是反射率檢測、管理信息檢測(U-TOC檢測)、作為特定的區(qū)域的BCA的檢測的組合實例。
附圖31代表盤類型確定方法(5)的處理。
在附圖31的盤類型確定處理中，在步驟F501中首先確定反射率。在確定所裝入的盤是高反射率盤時，處理進行到步驟F505，在該步驟中控制滑軌機構(gòu)移動光學(xué)頭20到盤的最內(nèi)周邊側(cè)上。然后，在步驟F506中確定BCA的存在或不存在。
在存在BCA時，處理進行到步驟F508以確定所裝入的盤是只再現(xiàn)高密度MD。
在不存在BCA時，處理進行到步驟F509以確定所裝入的盤是只再現(xiàn)MD。
在步驟F501中確定所裝入的盤是低反射率盤時，處理進行到步驟F502中，在該步驟中控制滑軌機構(gòu)移動光學(xué)頭20到盤的最內(nèi)周邊側(cè)上。然后，在步驟F503中確定BCA的存在或不存在。
在BCA存在時，處理進行到步驟F507以再現(xiàn)BCA的條形碼模式的信息。在檢測到指示“Hi-MD”的代碼時，處理進行到步驟F510以確定所裝入的盤是高密度MD類型C。
在沒有檢測到作為BCA的條形碼模式的指示“Hi-MD”的代碼時(在代碼指示“Hi-MD1.5”時)，處理進行到步驟F511以確定所裝入的盤是高密度MD類型B。
在步驟F503中確定BCA不存在時，在步驟F504中檢查U-TOC。即，再現(xiàn)U-TOC區(qū)以確定存在或不存在指示高密度格式的識別碼。在存在指示高密度格式的識別碼時，處理進行到步驟F512以確定所裝入的盤是高密度MD類型A。
在U-TOC中不存在指示高密度格式的識別碼時，處理進行到步驟F513以確定所裝入的盤是記錄和再現(xiàn)MD。
通過使用反射率檢測、管理信息檢測(U-TOC檢測)和BCA檢測的組合進行上述的處理，可以確定只再現(xiàn)MD、記錄和再現(xiàn)MD、高密度MD類型A、高密度MD類型B、只再現(xiàn)高密度MD或高密度MD類型C的類型。
(盤類型確定方法(6))盤類型確定方法(6)是執(zhí)行管理信息檢測(P-TOC檢測和U-TOC檢測)的實例。
附圖32代表盤類型確定方法(6)的處理。
在第一步驟F601中，確定U-TOC的存在。
在U-TOC存在時，處理進行到步驟F602以確定在U-TOC的標(biāo)記碼中指示高密度格式的識別碼的存在或不存在。
在U-TOC中不存在指示高密度格式的識別碼時，處理進行到步驟F606中以確定所裝入的盤是記錄和再現(xiàn)MD。
在U-TOC中存在指示高密度格式的識別碼時，處理進行到步驟F605，在該步驟再現(xiàn)P-TOC區(qū)以確定指示高密度MD的代碼“Hi-MD”是否作為系統(tǒng)ID記錄。
在存在指示高密度MD的代碼時，處理進行到步驟F611以確定該盤是高密度MD類型B。
在另一方面，在P-TOC中不存在指示高密度MD的代碼時，處理進行到步驟F610以確定該盤是高密度MD類型A。
在步驟F601中確定不存在U-TOC時，在步驟F603中確定P-TOC的存在或不存在。
在P-TOC不存在時，處理進行到步驟F607以確定該是高密度MD類型C。
在P-TOC存在時，處理進行到步驟F604以確定指示高密度MD的代碼“Hi-MD”作為P-TOC的系統(tǒng)ID記錄。
在存在指示高密度MD的代碼時，處理進行到步驟F609以確定該盤是只再現(xiàn)高密度MD。
在另一方面，在P-TOC中不存在指示高密度MD的代碼時，處理進行到步驟F608以確定所裝入的盤是只再現(xiàn)MD。
通過使用作為管理信息檢測的P-TOC檢測和U-TOC檢測的組合進行上述的處理，可以確定只再現(xiàn)MD、記錄和再現(xiàn)MD、高密度MD類型A、高密度MD類型B、只再現(xiàn)高密度MD或高密度MD類型C的類型。
寫可能性確定處理接著描述通過形成在盤90的盤盒91中的檢測孔H0和H1表示的信息，尤其是用于確定寫可能性設(shè)定的狀態(tài)的處理的信息。
如上文所述，只再現(xiàn)MD、記錄和再現(xiàn)MD和高密度MD類型A使用檢測孔H0用于寫可能性設(shè)定，而高密度MD類型B、只再現(xiàn)高密度MD和高密度MD類型C使用檢測孔H1進行寫可能性設(shè)定。
因此，在盤90裝入到存儲單元2中時，盤類型確定的結(jié)果和檢測孔H0和H1的打開/關(guān)閉狀態(tài)的確定結(jié)果組合以確定盤90是否可寫還是不可寫。
附圖33A和33B所示為作為模式的檢測孔H0和H1的打開關(guān)閉狀態(tài)。
附圖33A所示為在只再現(xiàn)MD、記錄和再現(xiàn)MD和高密度MD類型A中作為模式的孔的狀態(tài)。
在這種情況下，檢測孔H0(開關(guān)SW0的接通/切斷狀態(tài))用于檢測寫可能性設(shè)定(寫保護)，以及檢測孔H1(開關(guān)SW1的接通/切斷狀態(tài))用于檢測反射率。
在附圖33A所示的模式0至3可設(shè)計為兩個開關(guān)SW0和SW1的模式。
在模式0中，檢測孔H0和H1都處于打開狀態(tài)，即開關(guān)SW0和SW1都切斷。
這指示在記錄和再現(xiàn)MD和高密度MD類型A中寫不可能。
在模式1中，檢測孔H0處于打開狀態(tài)并且檢測孔H1處于關(guān)閉狀態(tài)，即，開關(guān)SW0切斷而開關(guān)SW1接通。
這指示只再現(xiàn)MD(寫不可能)。
在模式2中，檢測孔H0處于關(guān)閉狀態(tài)而檢測孔H1處于打開狀態(tài)，即開關(guān)SW0接通而開關(guān)SW1切斷。
這指示在記錄和再現(xiàn)MD和高密度MD類型A中寫是可能的。
在模式3中，檢測孔H0和H1都處于關(guān)閉狀態(tài)，即開關(guān)SW0和SW1都接通。從上文參考附圖4和附圖6A和6B的描述中可以理解，這個模式3是不可能的。
附圖33B所示為根據(jù)本實施例在高密度MD類型B、只再現(xiàn)高密度MD和高密度MD類型C的情況下作為模式的孔的狀態(tài)。
在這種情況下，檢測孔H0在所有的時候都處于打開狀態(tài)(開關(guān)SW0在所有的時候都切斷)。檢測孔H1(開關(guān)SW1的接通/切斷狀態(tài))用于檢測寫可能性設(shè)定(寫保護)。
也是在這種情況中，在與附圖33A中的狀態(tài)相同的兩個開關(guān)SW0和SW1的模式設(shè)定為如下文所描述的模式0至3。
其中在檢測孔H0和H1都處于打開狀態(tài)(即開關(guān)SW0和SW1都切斷)的模式0中指示在高密度MD類型B和高密度MD類型C中寫不可能。順便指出，只再現(xiàn)高密度MD總是處于模式0，表示寫不可能。
其中檢測孔H0處于打開狀態(tài)而檢測孔H1處于關(guān)閉狀態(tài)(即開關(guān)SW0切斷而開關(guān)SW1接通)的模式1指示在高密度MD類型B和高密度MD類型C中寫是可能的。
其中檢測孔H0處于關(guān)閉狀態(tài)而檢測孔H1處于打開狀態(tài)(即開關(guān)SW0接通而開關(guān)SW1切斷)的模式2和其中檢測孔H0和檢測孔H1都處于關(guān)閉狀態(tài)(即開關(guān)SW0和SW1都接通)的模式3都是不可能的。
從附圖33A和33B中可以理解，對應(yīng)于檢測孔H0和H1的打開/關(guān)閉狀態(tài)的模式根據(jù)盤的類型具有不同的意義。
因此，在本實例中在盤驅(qū)動設(shè)備(存儲單元2)中的存儲控制器32執(zhí)行附圖34至附圖35的處理以確定所裝入的盤90是否可以寫。
首先描述附圖34的處理。
在附圖34的處理中，在第一步驟F701中存儲控制器32檢測檢測孔確定單元34的開關(guān)SW0和SW1的接通/切斷狀態(tài)。存儲控制器32由此得知在附圖33A和附圖33B中所示的模式0至3中的哪種模式是當(dāng)前的狀態(tài)。
在當(dāng)前的狀態(tài)是模式0時，處理從步驟F702進行到步驟F705以執(zhí)行盤確定處理。作為這種盤確定處理執(zhí)行上述的盤類型確定方法(1)至(6)中一種的處理。
在模式0的情況下，盤90是記錄和再現(xiàn)MD、高密度MD類型A/類型B/類型C或只再現(xiàn)高密度MD。
在作為步驟F705中的盤類型確定的結(jié)果確定盤90是高密度MD類型C時，處理從步驟F706進行到步驟F719以確定盤90是高密度MD類型C并設(shè)定在不可寫狀態(tài)。
在作為驟F705中的盤類型確定的結(jié)果確定盤90是高密度MD類型A時，處理從步驟F707進行到步驟F720以確定盤90是高密度MD類型A并設(shè)定在不可寫狀態(tài)。
在作為驟F705中的盤類型確定的結(jié)果確定盤90是高密度MD類型B(不包括只再現(xiàn)高密度MD的情況)時，處理從步驟F708進行到步驟F721以確定盤90是高密度MD類型B并設(shè)定在不可寫狀態(tài)。
在作為驟F705中的盤類型確定的結(jié)果確定盤90是只再現(xiàn)高密度MD時，處理從步驟F709進行到步驟F722以確定盤90是只再現(xiàn)高密度MD并因此確定是不可寫的。
在作為驟F705中的盤類型確定的結(jié)果確定盤90是記錄和再現(xiàn)MD時，處理從步驟F710進行到步驟F723以確定盤90是記錄和再現(xiàn)MD并設(shè)定在不可寫狀態(tài)。
在作為驟F705中的盤類型確定的結(jié)果確定盤90是除了上述類型之外的盤類型時，即在確定盤90是不可能處于模式0的只再現(xiàn)MD時，確定在步驟F729中發(fā)生了盤錯誤。
在開關(guān)SW0和SW1的狀態(tài)是模式1時，處理從步驟F703進行到步驟F711以執(zhí)行盤確定處理(盤類型確定方法(1)至(6)中的一種)。
在模式1的情況下，盤90是只再現(xiàn)MD或者高密度MD類型B/類型C。
在作為步驟F711的盤確定處理的結(jié)果確定盤90是只再現(xiàn)MD時，處理從步驟F712進行到步驟F724以確定盤90是只再現(xiàn)MD并因此確定是不可寫的。
在作為步驟F711的盤確定處理的結(jié)果確定盤90是高密度MD類型C時，處理從步驟F714進行到步驟F725以確定盤90是高密度MD類型C并設(shè)定在可寫狀態(tài)。
在作為步驟F711的盤確定處理的結(jié)果確定盤90是高密度MD類型B(不包括只再現(xiàn)高密度MD的情況)時，處理從步驟F715進行到步驟F728以確定盤90是高密度MD類型B并設(shè)定在可寫狀態(tài)。
在作為步驟F711的盤確定處理的結(jié)果確定盤90是除了上述的類型之外的盤類型時，即在確定盤90是不可能處于模式1的記錄和再現(xiàn)MD或高密度MD類型A或只再現(xiàn)高密度MD時，在步驟F729中確定發(fā)生了盤錯誤。
在開關(guān)SW0和SW1的狀態(tài)是模式2時，處理從步驟F704進行到步驟F716以確定盤確定處理(盤類型確定方法(1)至(6)中的一種)。
在模式2的情況下，盤90是高密度MD類型A或記錄和再現(xiàn)MD。
在作為在步驟F716的結(jié)果確定盤90是高密度MD類型A時，處理從步驟F717進行到步驟F727以確定盤90是高密度MD類型A并設(shè)定在可寫狀態(tài)。
在作為在步驟F716的結(jié)果確定盤90是記錄和再現(xiàn)MD時，處理從步驟F718進行到步驟F726以確定盤90是記錄和再現(xiàn)MD并設(shè)定在可寫狀態(tài)。
在作為步驟F716的盤確定處理的結(jié)果確定盤90是除了上述的類型之外的盤類型時，即在確定盤90是不可能處于模式2的只再現(xiàn)MD、高密度MD類型B/類型C和只再現(xiàn)高密度MD時，在步驟F729中確定發(fā)生了盤錯誤。
在開關(guān)SW0和SW1的狀態(tài)是不可能的模式的模式2時，處理從步驟F704進行到步驟F729以確定發(fā)生了盤錯誤。
通過附圖34的這種處理，存儲控制器32可以正確地確定所裝入的盤90是否是可寫的。
附圖35表示類似的寫可能性確定處理的另一實例。
在這種情況下，在第一步驟F801中的存儲控制器32執(zhí)行盤確定處理，即執(zhí)行上述的盤類型確定方法(1)至(6)中的一種以確定盤的類型。
在盤90是只再現(xiàn)MD時，處理從步驟F802進行到步驟F807以確定盤90是只再現(xiàn)壓印凹坑的盤，并因此確定是不可寫的。
在步驟F801中確定盤90是只再現(xiàn)高密度MD時，處理從步驟F803進行到步驟F807以確定也是在這種情況下盤90是只再現(xiàn)壓印的凹坑盤并因此確定是不可寫的。
在步驟F801中確定盤90是高密度MD類型C時，處理從步驟F804進行到步驟F808，在步驟F808中存儲控制器32檢測檢測孔確定單元34的開關(guān)SW0和SW1的接通/切斷狀態(tài)。即存儲控制器32確定當(dāng)前的狀態(tài)是在附圖33A和33B中所示的模式0至模式3中哪種模式。
在步驟F808中確定當(dāng)前的狀態(tài)是模式0時，處理進行到步驟F812以確定盤90是高密度MD類型C并設(shè)定為不可寫狀態(tài)。
在步驟F808中確定當(dāng)前的狀態(tài)是模式1時，處理進行到步驟F813以確定盤90是高密度MD類型C并設(shè)定為可寫狀態(tài)。
在步驟F808中確定當(dāng)前的狀態(tài)是模式2或模式3時，這時不可能的狀態(tài)，因此處理進行到步驟F814以確定發(fā)生了盤錯誤。
在步驟F801中確定盤90是高密度MD類型B(不包括只再現(xiàn)高密度MD的情況)時，存儲控制器32的處理從步驟F805進行到步驟F809，在步驟F809中存儲控制器32確定檢測孔確定單元34的開關(guān)SW0和SW1的接通/切斷狀態(tài)，即當(dāng)前的狀態(tài)是模式0至3中的哪種模式。
在步驟F809中確定當(dāng)前的狀態(tài)是模式0時，處理進行到步驟F815以確定盤90是高密度MD類型B并設(shè)定為不可寫狀態(tài)。
在步驟F809中確定當(dāng)前的狀態(tài)是模式1時，處理進行到步驟F816以確定盤90是高密度MD類型B并設(shè)定為可寫狀態(tài)。
在步驟F809中確定當(dāng)前的狀態(tài)是模式2或模式3時，這時不可能的狀態(tài)，因此處理進行到步驟F817以確定發(fā)生了盤錯誤。
在步驟F801中確定盤90是高密度MD類型A時，存儲控制器32的處理從步驟F806進行到步驟F810，在步驟F810中存儲控制器32確定檢測孔確定單元34的開關(guān)SW0和SW1的接通/切斷狀態(tài)，即當(dāng)前的狀態(tài)是模式0至3中的哪種模式。
在步驟F810中確定當(dāng)前的狀態(tài)是模式0時，處理進行到步驟F818以確定盤90是高密度MD類型A并設(shè)定為不可寫狀態(tài)。
在步驟F810中確定當(dāng)前的狀態(tài)是模式2時，處理進行到步驟F819以確定盤90是高密度MD類型A并設(shè)定為可寫狀態(tài)。
在步驟F810中確定當(dāng)前的狀態(tài)是模式1或模式3時，這時不可能的狀態(tài)，因此處理進行到步驟F820以確定發(fā)生了盤錯誤。
在步驟F801中確定盤90是記錄和再現(xiàn)MD時，存儲控制器32的處理進行到步驟F811，在步驟F811中存儲控制器32確定檢測孔確定單元34的開關(guān)SW0和SW1的接通/切斷狀態(tài)，即當(dāng)前的狀態(tài)是模式0至3中的哪種模式。
在步驟F811中確定當(dāng)前的狀態(tài)是模式0時，處理進行到步驟F821以確定盤90是記錄和再現(xiàn)MD并設(shè)定為不可寫狀態(tài)。
在步驟F811中確定當(dāng)前的狀態(tài)是模式2時，處理進行到步驟F822以確定盤90是記錄和再現(xiàn)MD并設(shè)定為可寫狀態(tài)。
在步驟F811中確定當(dāng)前的狀態(tài)是模式1或模式3時，這時不可能的狀態(tài)，因此處理進行到步驟F823以確定發(fā)生了盤錯誤。
也是通過附圖35的這種處理，存儲控制器32可以正確地確定對盤90的寫是否可能。
順便指出，在上述的實例中，確定檢測孔H0和H1的模式0至模式3(開關(guān)SW0和SW1)。
然而，通過上述的反射率檢測可以確定該盤是只再現(xiàn)凹坑盤(只再現(xiàn)MD或只再現(xiàn)高密度MD)還是除了只再現(xiàn)凹坑盤之外的能夠記錄和再現(xiàn)的磁光記錄和再現(xiàn)盤。此外，只再現(xiàn)凹坑盤總是不可寫的。
此外，在盤的任何類型的情況下模式3都是不可能的。
然后，在確定模式是模式0或模式1或模式2時，可以確定寫是否可能。
具體地說，在其中開關(guān)SW0和SW1兩者都切斷的模式0中，在記錄和再現(xiàn)MD和高密度MD類型A/類型B/類型C的任何情況下可以確定“寫是不可能的”。在其中開關(guān)SW0和SW1中的一個開關(guān)接通的模式1或模式2中，在記錄和再現(xiàn)MD和高密度MD類型A/類型B/類型C的任何情況下都可以確定“寫是可能的”。
這意味著在通過如上文所述的來自反射光信息的反射率檢測確定該盤是凹坑盤時，可以使用OR型結(jié)構(gòu)來檢測開關(guān)SW0和SW1。
用于開關(guān)SW0和SW1的檢測的OR型的使用可以簡化開關(guān)SW0和SW1的結(jié)構(gòu)。
雖然上文已經(jīng)描述了實施例，但是本發(fā)明并不限于前述的實施例，它的各種改進也是可以設(shè)計的。
通過控制單元(對應(yīng)于記錄和再現(xiàn)設(shè)備(盤驅(qū)動設(shè)備)的存儲控制器32或系統(tǒng)控制器8)執(zhí)行的程序?qū)崿F(xiàn)上述的各種處理(盤類型確定處里和寫可能性確定處理)。因此程序可以事先存儲在附圖1的記錄和再現(xiàn)設(shè)備1的ROM 9中或非易失RAM 12中或者沒有示出的ROM中，它們可以例如通過存儲控制器32處理。
可替換的是，程序可以臨時或永久地存儲(記錄)在可移動記錄媒體比如軟盤、CD-ROM(只讀光盤)、MO(磁光)盤、DVD(數(shù)字通用盤)、磁盤、半導(dǎo)體存儲器等中。這種可動記錄媒體可以作為所謂的軟件包提供并可用于盤驅(qū)動設(shè)備的設(shè)計/制造等。
此外，在本實施例中，例如可以將程序記錄到盤90上并提供程序作為軟件包。因此記錄和再現(xiàn)設(shè)備1可以通過再現(xiàn)盤90以讀取程序并將該程序存儲在非易失性RAM 12等中來安裝程序。
順便指出，該程序不僅可以從如上文所述的可移動的記錄媒體中安裝，而且還可以通過網(wǎng)絡(luò)比如LAN(局域網(wǎng))、因特網(wǎng)等從存儲了該程序的服務(wù)器等下載。
此外，雖然在此假設(shè)記錄和再現(xiàn)設(shè)備與小型盤(MD)系統(tǒng)的盤兼容，但是本發(fā)明并不限于這些，也可應(yīng)用于另一種類的盤盒中的記錄媒體和與該記錄媒體兼容的盤驅(qū)動設(shè)備。
從上文的描述中可以理解的是，根據(jù)本發(fā)明的記錄媒體中的打開和關(guān)閉裝置在檢測孔處于關(guān)閉狀態(tài)時形成了與在檢測孔的位置上的盤盒的參考平面基本水平的平面。因此，在檢測孔處于關(guān)閉狀態(tài)時，檢測孔處于與在相同的位置上沒有檢測孔的類型的常規(guī)的記錄媒體的盤盒平面相同的狀態(tài)中。因此，對應(yīng)的檢測開關(guān)具有對應(yīng)于在該位置上沒有檢測孔的類型的記錄媒體相同的行程范圍。因此，不需要改變結(jié)構(gòu)，例如對應(yīng)于檢測孔的開關(guān)的行程范圍以支持各種類型的記錄媒體。因此，本發(fā)明的記錄媒體防止了因盤驅(qū)動設(shè)備的成本的增加而有礙它的尺寸和厚度的減小等。
在裝入各種類型的記錄媒體時本發(fā)明進一步可以減小由于在開關(guān)上的負載的改變引起的對開關(guān)等的損壞的可能性。
此外，在盤盒中至少形成第一檢測孔和第二檢測孔，通過打開和關(guān)閉裝置打開和關(guān)閉第二檢測孔H1并且第一檢測孔在所有的時候都處于打開狀態(tài)。這意味著第二檢測孔用于例如記錄可能性設(shè)定，以及在處于與盤盒的參考平面基本水平的平面中時處于關(guān)閉狀態(tài)。此外，第一檢測孔在所有的時候處于打開狀態(tài)表示例如在使用第一檢測孔專用于寫可能性設(shè)定的常規(guī)類型的記錄媒體中禁止寫的狀態(tài)。即，作為常規(guī)的模型的盤驅(qū)動設(shè)備可以確定寫禁止。
根據(jù)本發(fā)明的盤驅(qū)動設(shè)備或盤確定方法與盤類型一起確定，確定信息內(nèi)容(例如寫可能性)?；谛纬稍诒P盒中的一個或多個檢測孔、基于檢測孔的接通/切斷狀態(tài)狀態(tài)和使用基于來自所裝入的記錄媒體的反射光的信號盤類型的結(jié)果進行確定。
因此，可以正確地確定對應(yīng)于該盤類型的第一檢測孔和第二檢測孔的設(shè)定狀態(tài)。因此，不需為增加用于各種類型盤的新盤的寫可能性設(shè)定的檢測孔和相應(yīng)的開關(guān)。
此外，通過執(zhí)行盤反射率的檢測、信號的相位差的檢測、在記錄媒體上的管理信息的檢測、在記錄媒體上的地址結(jié)構(gòu)的檢測和從基于來自該盤的反射光的信號中對在記錄媒體上的特定區(qū)域的檢測中的某些檢測的組合來進行盤類型確定，可以對各種類型的盤實現(xiàn)正確的確定處理。
因此，考慮到在包括從常規(guī)的模型到對應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的盤驅(qū)動設(shè)備的模型的范圍的各種盤驅(qū)動設(shè)備和包括根據(jù)本發(fā)明的記錄媒體的種類中的各種記錄媒體，本發(fā)明例如提供如下的效果·根據(jù)盤的類型通過改變第一檢測孔和第二檢測孔的意義在記錄媒體和盤驅(qū)動設(shè)備的各種組合中能夠?qū)崿F(xiàn)適當(dāng)?shù)膶懣赡苄栽O(shè)定，
·基于檢測孔能夠正確地進行盤類型確定，由此能夠正確地確定寫是否可能，·通過用于常規(guī)的模型的第一檢測孔(H0)能夠使根據(jù)本發(fā)明的記錄媒體設(shè)定在不可寫狀態(tài)并通過用于根據(jù)本發(fā)明的盤驅(qū)動設(shè)備的第二檢測孔(H1)能夠使根據(jù)本發(fā)明的記錄媒體設(shè)定在可寫/不可寫的狀態(tài)，·防止操作錯誤、數(shù)據(jù)毀壞和其它的問題，因為對于常規(guī)的模型作為根據(jù)本發(fā)明的記錄媒體的盤被設(shè)定為不可寫，·在成本和設(shè)備尺寸方面提供了設(shè)計的便利性并且沒有缺點，因為在盤驅(qū)動設(shè)備側(cè)上不需要增加或改變盤盒檢測孔和檢測開關(guān)，并且根據(jù)本發(fā)明的盤和常規(guī)的盤的開關(guān)行程條件可以相同，以及·根據(jù)本發(fā)明的盤驅(qū)動設(shè)備能夠根據(jù)檢測孔的狀態(tài)正確地確定對常規(guī)類型的盤的寫是否可能。
權(quán)利要求
1.一種作為在盤盒中容納的記錄盤的記錄媒體，所說的記錄媒體包括形成在所說的盤盒的參考平面的預(yù)定位置上的檢測孔；和打開和關(guān)閉所說的檢測孔的打開和關(guān)閉裝置，以及在所說的檢測孔處于關(guān)閉狀態(tài)時，在所說的檢測孔的位置上形成與所說的盤盒的參考平面基本水平的平面。
2.如權(quán)利要求1所述的記錄媒體，其中所說的記錄媒體具有至少第一檢測孔和第二檢測孔；以及所說的第二檢測孔通過所說的打開和關(guān)閉裝置打開和關(guān)閉，所說的第一檢測孔在所有的時間上都處于打開狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求2所述的記錄媒體，其中所說的記錄媒體的外部形式基本類似于在容納盤的盤盒的參考平面的預(yù)定位置上具有至少第一檢測孔和第二檢測孔的另一記錄媒體的外部盤盒形式，所說的記錄媒體和所說的另一記錄媒體屬于能夠裝入到相同的設(shè)備的記錄媒體的類別；在所說的記錄媒體的第二檢測孔處于打開狀態(tài)時所說的記錄媒體的第二檢測孔指示禁止寫；以及在所說的另一記錄媒體的第一檢測孔處于打開狀態(tài)時所說的另一記錄媒體的第一檢測孔指示禁止寫，以及所說的另一記錄媒體的第二檢測孔指示盤的反射率。
4.如權(quán)利要求3所述的記錄媒體，其中所說的記錄媒體的第二檢測孔根據(jù)設(shè)置在所說的盤盒的預(yù)定位置上的操作投影的操作打開和關(guān)閉，以及基于所說的記錄媒體的操作投影的操作方向所說的記錄媒體的第二檢測孔的打開和關(guān)閉的操作方向與基于所說的另一記錄媒體的操作投影的操作所說的另一記錄媒體的第一檢測孔的打開和關(guān)閉的操作方向相同。
5.如權(quán)利要求4所述的記錄媒體，根據(jù)所說的操作投影的操作而移動的所說的打開和關(guān)閉裝置的材料厚度大于在所說的第一檢測孔的底部表面下的部分的材料厚度。
6.一種記錄和再現(xiàn)作為多種類型的盤中的一種類型的盤的記錄媒體的記錄和再現(xiàn)設(shè)備，所說的盤容納在預(yù)定形式的盤盒中，所說的記錄和再現(xiàn)設(shè)備包括檢測設(shè)置在所說的盤盒的預(yù)定位置上的多個檢測孔的打開狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài)的至少一個孔檢測裝置；以光信號輻射裝入在所說的記錄和再現(xiàn)設(shè)備中的所說的記錄媒體并基于來所說的盤的反射光確定裝入在所說的記錄和再現(xiàn)設(shè)備的盤盒中容納的盤的類型的類型確定裝置；和基于通過所說的類型確定裝置的確定結(jié)果，確定設(shè)置在所說的盤盒的預(yù)定位置上的檢測孔的孔類型的孔類型確定裝置。
7.如權(quán)利要求6所述的記錄和再現(xiàn)設(shè)備，其中至少一個所說的所確定的孔類型指示禁止寫到所說的盤。
8.如權(quán)利要求6所述的記錄和再現(xiàn)設(shè)備，其中第一檢測孔界定在所說的盤盒的第一預(yù)定位置上，以及第二檢測孔界定在所說的盤盒的第二預(yù)定位置上；容納第一類型的盤的記錄媒體的所說的第二檢測孔的打開狀態(tài)表示禁止寫到盤的狀態(tài)；容納第二類型的盤的記錄媒體的所說的第一檢測孔的打開狀態(tài)表示禁止寫到盤的狀態(tài)，以及容納第二類型的盤的記錄媒體的所說的第二檢測孔表示盤的反射率；以及基于通過所說的類型確定裝置的確定結(jié)果，確定指示禁止盤的寫的所說的檢測孔的哪種打開狀態(tài)。
9.如權(quán)利要求6所述的記錄和再現(xiàn)設(shè)備，其中基于從所說的盤反射的光檢測的信號，所說的類型確定裝置通過盤的反射率的檢測、所說的信號的相位差的檢測、記錄媒體的管理信息的檢測、記錄媒體的地址結(jié)構(gòu)的檢測和記錄媒體的特定區(qū)域的檢測中的至少一種檢測確定盤的類型。
10.如權(quán)利要求9所述的記錄和再現(xiàn)設(shè)備，其中所說的類型確定裝置基于所說的反射率的檢測、所說的相位差的檢測、所說的管理信息的檢測和所說的結(jié)構(gòu)的檢測的檢測結(jié)果確定盤的類型。
11.如權(quán)利要求9所述的記錄和再現(xiàn)設(shè)備，其中所說的類型確定裝置基于所說的反射率的檢測、所說的管理信息的檢測和所說的結(jié)構(gòu)的檢測的檢測結(jié)果確定盤的類型。
12.如權(quán)利要求9所述的記錄和再現(xiàn)設(shè)備，其中所說的類型確定裝置基于所說的管理信息的檢測和所說的特定區(qū)域的檢測的檢測結(jié)果和所說的孔檢測裝置的檢測結(jié)果確定盤的類型。
13.一種記錄和再現(xiàn)作為多個類型的盤中的一種類型的盤的記錄媒體的記錄和再現(xiàn)方法，所說的盤容納在預(yù)定形式的盤盒中，所說的記錄和再現(xiàn)方法包括檢測設(shè)置在所說的盤盒的預(yù)定位置上的多個檢測孔的打開狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài)的孔檢測步驟；以光信號輻射裝入在所說的記錄和再現(xiàn)設(shè)備中的所說的記錄媒體并基于來所說的盤的反射光確定裝入在所說的記錄和再現(xiàn)設(shè)備的所說的盤盒中容納的盤的類型的類型確定步驟；和基于所說的盤類型的確定結(jié)果，確定設(shè)置在所說的盤盒的預(yù)定位置上的檢測孔的孔類型的孔類型確定步驟。
14.如權(quán)利要求13所述的記錄和再現(xiàn)方法，其中所說的所確定的孔類型指示是否可以寫到所說的盤。
15.如權(quán)利要求14所述的記錄和再現(xiàn)方法，其中界定在所說的盤盒的第一預(yù)定位置上的第一檢測孔的設(shè)置，以及界定在所說的盤盒的第二預(yù)定位置上的第二檢測孔的設(shè)置；第一類型的盤的所說的第一檢測孔的打開狀態(tài)表示禁止寫到盤；第二類型的盤的所說的第二檢測孔的打開狀態(tài)表示禁止寫到盤，以及第二類型的盤的所說的第一檢測孔表示所說的盤的反射率。
全文摘要
本發(fā)明涉及記錄媒體、記錄/再現(xiàn)裝置和記錄/再現(xiàn)方法，其中的記錄媒體能夠判斷各種盤的類型和寫有效/無效狀態(tài)。盤盒的檢測孔具有打開/關(guān)閉裝置，在檢測孔處于關(guān)閉狀態(tài)時該打開/關(guān)閉裝置形成了相對于在檢測孔的位置上的盤盒的參考平面基本水平的平面。此外，盤盒具有至少第一和第二檢測孔。第二檢測孔(H1)通過前述的打開/關(guān)閉裝置打開/關(guān)閉，同時第一檢測孔(H0)總是保持打開狀態(tài)。在盤驅(qū)動設(shè)備或盤判斷方法中，根據(jù)形成在盤盒上的一個或多個檢測孔的打開/關(guān)閉狀態(tài)和基于從所安裝的記錄媒體的反射光通過使用該信號獲得的盤類型檢測結(jié)果，判斷通過檢測孔的盤類型和判斷信息內(nèi)容(比如寫有效/無效狀態(tài))。
文檔編號G11B23/28GK1698128SQ20048000008
公開日2005年11月16日 申請日期2004年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月31日
發(fā)明者松田干憲, 葉田冬希郎, 栗田和仁, 飛田實, 野田明宏, 有川由朗, 中尾進一 申請人:索尼株式會社