專利名稱：光學(xué)信息存儲介質(zhì)和在光學(xué)信息存儲介質(zhì)上記錄信息和/或從光學(xué)信息存儲介質(zhì)上再現(xiàn) ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學(xué)信息存儲介質(zhì)和在光學(xué)信息存儲介質(zhì)上記錄信息和/或從光學(xué)信息存儲介質(zhì)上再現(xiàn)信息的方法。更具體地講，本發(fā)明涉及這樣一種光學(xué)信息存儲介質(zhì)，在其中數(shù)據(jù)在導(dǎo)入?yún)^(qū)的全部或部分中被記錄為凹坑擺動(pit Wobble)并且在光學(xué)信息存儲介質(zhì)的剩余區(qū)被記錄為凹坑，及一種在光學(xué)信息存儲介質(zhì)上記錄信息和/或從光學(xué)信息存儲介質(zhì)再現(xiàn)信息的方法。
背景技術(shù)：
光盤通常被用作無需接觸光盤在光盤上記錄信息和/或從光盤再現(xiàn)信息的光學(xué)拾取設(shè)備的信息存儲介質(zhì)。光盤根據(jù)其信息記錄容量被劃分為壓縮盤(CD)或數(shù)字通用光盤(DVD)。CD和DVD還包括650MB的CD-R、CD-RW，4.7GB的DVD+RW、DVD隨機(jī)存取存儲器(DVD-RAM)、DVD-R/可重寫(DVD-RW)等等。只讀盤包括650MB的CD、4.7GB的DVD-ROM等。另外，具有20GB或更大記錄容量的高密度數(shù)字通用盤(HD-DVD)已經(jīng)被開發(fā)。
然而，根據(jù)被兼容地用于再現(xiàn)設(shè)備的光學(xué)信息介質(zhì)類型，上述提及的光學(xué)信息介質(zhì)被標(biāo)準(zhǔn)化。因此，用戶可方便地使用光學(xué)信息介質(zhì)，并且購買光學(xué)信息介質(zhì)的費用可被節(jié)省。將沒有被標(biāo)準(zhǔn)化的存儲介質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)化的嘗試已經(jīng)進(jìn)行。具體地講，新存儲介質(zhì)的格式必須被開發(fā)從而新存儲介質(zhì)與現(xiàn)存的存儲介質(zhì)兼容或一致。同時，現(xiàn)存存儲介質(zhì)使用將數(shù)據(jù)記錄為凹坑(pit)或溝槽擺動(groove wobble)的方法。這里，凹坑是當(dāng)制造盤時物理地形成在基片上的微小的劃痕，和溝槽擺動是以波形形成的溝槽。另外，當(dāng)溝槽擺動信號被檢測為推挽式信號時，凹坑信號被檢測為抖動值(jitter value)。
圖1是推挽式信號和抖動關(guān)于溝槽擺動或凹坑的深度的示圖。在推挽式信號最高處溝槽擺動的深度大約是1/8(λ/n)。在測量的抖動最小處凹坑的深度是1/4(λ/n)。在具有溝槽擺動和凹坑的光學(xué)信息存儲介質(zhì)中，優(yōu)選地是鑒于推挽式信號和抖動的特性，溝槽擺動的深度與凹坑的深度不同。然而，在溝槽擺動的深度與凹坑的深度不同的情況下，需要用于形成溝槽擺動和凹坑的單獨的過程。因此，制造光學(xué)信息存儲介質(zhì)的過程被復(fù)雜化。結(jié)果，難于大量生產(chǎn)光學(xué)信息存儲介質(zhì)。另外，如果溝槽擺動的深度與凹坑的深度一樣以簡化制造光學(xué)信息存儲介質(zhì)的過程，則推挽式信號和抖動之一或二者的特性惡化并且數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)的效率變低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其可通過簡單的過程被制造，產(chǎn)生有效信號特性，并與不同類型的光學(xué)存儲介質(zhì)一致。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其包括導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)。數(shù)據(jù)在導(dǎo)入?yún)^(qū)的全部或部分中被記錄為凹坑擺動，并且數(shù)據(jù)在光學(xué)信息存儲介質(zhì)的剩余區(qū)被記錄為凹坑。
數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑擺動的區(qū)域可以是關(guān)于符合相同物理格式的存儲介質(zhì)的未被更改的信息被記錄在其中的區(qū)域。
數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑擺動的區(qū)域可以是與光學(xué)信息存儲介質(zhì)相關(guān)的信息被記錄在其中的區(qū)域。
用于數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑擺動的區(qū)域的數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法與用于數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑的剩余區(qū)的數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法不同。
用于數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑擺動的區(qū)域的數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法可是雙相調(diào)制方法，和用于數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑的剩余區(qū)的數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法可是RLL調(diào)制方法。
凹坑擺動的模式可與用于用戶數(shù)據(jù)區(qū)的模式匹配。
凹坑擺動的模式可是單一模式、隨機(jī)模式、或者至少兩種或更多模式的組合。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種在光學(xué)信息存儲介質(zhì)上記錄信息和/或從光學(xué)信息存儲介質(zhì)上再現(xiàn)信息的方法，該介質(zhì)具有導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)。數(shù)據(jù)在導(dǎo)入?yún)^(qū)的全部或部分中被記錄為凹坑擺動。數(shù)據(jù)在光學(xué)信息存儲介質(zhì)的剩余區(qū)被記錄為凹坑。
將在接下來的描述中部分闡述本發(fā)明另外的方面和/或優(yōu)點，還有一部分通過描述將是清楚的，或者可以經(jīng)過本發(fā)明的實施而得知。


圖1是示出基于根據(jù)相關(guān)的技術(shù)的溝槽擺動的深度或凹坑的深度推挽式信號和抖動的變化的示圖；圖2是示出可記錄高密度光學(xué)信息存儲介質(zhì)的物理結(jié)構(gòu)的示意圖；圖3是示出溝槽擺動的記錄調(diào)制方法的示圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施例的光學(xué)信息存儲介質(zhì)的整體結(jié)構(gòu)的示意圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例在光學(xué)信息存儲介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法的示圖；圖6A至6C是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的凹坑擺動的模式的示圖；圖7A是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的連續(xù)的凹坑擺動的示圖；圖7B是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的非連續(xù)的凹坑擺動的示圖。
具體實施例方式
圖2是示出在由本發(fā)明申請人提交的公開號為2001-23747的韓國專利中公開的可記錄高密度光學(xué)信息存儲介質(zhì)的物理結(jié)構(gòu)的示意圖。該可記錄高密度光學(xué)信息存儲介質(zhì)包括導(dǎo)入?yún)^(qū)110、用戶數(shù)據(jù)區(qū)120和導(dǎo)出區(qū)130，并且具有溝槽軌道123和槽脊(land)軌道125。這里，用戶數(shù)據(jù)可被只記錄在溝槽軌道123中或在溝槽軌道123和槽脊軌道125中。
當(dāng)只讀數(shù)據(jù)被記錄在導(dǎo)入?yún)^(qū)110時，具有特定頻率和波形的擺動信號105和106被順序地記錄在溝槽軌道的側(cè)壁和/或槽脊軌道，而不是凹坑。這里，激光束L被輻射到溝槽軌道123和/或槽脊軌道125上以在溝槽軌道123和/或槽脊軌道125上記錄數(shù)據(jù)或從溝槽軌道和/或槽脊軌道125再現(xiàn)數(shù)據(jù)。具體地講，導(dǎo)入?yún)^(qū)110和導(dǎo)出區(qū)130的每個包括與盤相關(guān)的信息被記錄在其中的只讀區(qū)和可記錄區(qū)。與盤相關(guān)的信息被以高頻擺動105的形式記錄在導(dǎo)入?yún)^(qū)110的可記錄區(qū)中。導(dǎo)出區(qū)130和用戶數(shù)據(jù)區(qū)120包括相對低于高頻擺動105的頻率擺動106。標(biāo)號127表示在用戶數(shù)據(jù)區(qū)120中形成的記錄標(biāo)記。
在具有上述結(jié)構(gòu)的光學(xué)信息存儲介質(zhì)中，通過使用推挽式信道只讀數(shù)據(jù)可被從導(dǎo)入?yún)^(qū)110再現(xiàn)，并且通過使用和信道(sum channel)用戶數(shù)據(jù)可被從用戶數(shù)據(jù)區(qū)120再現(xiàn)。另外，在導(dǎo)入?yún)^(qū)110中記錄的數(shù)據(jù)通過使用雙相調(diào)制方法被調(diào)制，并且用戶數(shù)據(jù)通過使用將在后面描述的游程長度受限(RLL)調(diào)制方法被調(diào)制。雙相調(diào)制方法指的是一種取決于信號是否在預(yù)定的周期P內(nèi)改變的調(diào)制數(shù)據(jù)的方法。例如，如圖3所示，當(dāng)溝槽擺動的相位在預(yù)定的周期P內(nèi)沒有改變時，則0位的數(shù)據(jù)被顯示。當(dāng)溝槽擺動的相位在預(yù)定的周期P內(nèi)改變時，則1位的數(shù)據(jù)被顯示。換言之，雙相調(diào)制方法是取決于預(yù)定的信號是否在預(yù)定的周期改變，例如，取決于信號的相位是否在預(yù)定的周期改變而記錄數(shù)據(jù)的方法。這里，溝槽擺動的相位的調(diào)制已經(jīng)描述過，但是不同模式可被調(diào)制。
鑒于上述的可記錄高密度光學(xué)信息存儲介質(zhì)的記錄調(diào)制方法與根據(jù)本發(fā)明的實施例的只讀光學(xué)信息存儲介質(zhì)的記錄調(diào)制方法一致，只讀光學(xué)信息存儲介質(zhì)的物理數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)可被構(gòu)建為如下。
參照圖4，根據(jù)本發(fā)明的實施例的光學(xué)信息存儲介質(zhì)包括數(shù)據(jù)區(qū)13，用戶數(shù)據(jù)被記錄在其中；導(dǎo)入?yún)^(qū)10，其形成在數(shù)據(jù)區(qū)13內(nèi)部；和導(dǎo)出區(qū)15，其形成在數(shù)據(jù)區(qū)13的外部。在導(dǎo)入?yún)^(qū)10、數(shù)據(jù)區(qū)13和導(dǎo)出區(qū)15中，數(shù)據(jù)被記錄為凹坑。具體地講，如圖5所示，在導(dǎo)入?yún)^(qū)10的全部或部分中，數(shù)據(jù)被記錄為凹坑擺動8。在光學(xué)信息存儲介質(zhì)的剩余區(qū)中，數(shù)據(jù)被記錄為普通凹坑9。凹坑擺動8是以波形排列的凹坑。普通凹坑9是指以直線排列的凹坑。以下，普通凹坑9被簡稱作“凹坑9”。
凹坑擺動8形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)10的區(qū)域中，關(guān)于符合相同的物理格式的存儲介質(zhì)的不被修改的信息(例如，調(diào)制方法、最小凹坑長度、軌道間距等)被記錄在其中。這里，關(guān)于符合相同的物理格式的存儲介質(zhì)的不被修改的數(shù)據(jù)的例子是與存儲介質(zhì)相關(guān)的信息或復(fù)制保護(hù)信息。例如，與存儲介質(zhì)相關(guān)的信息包括關(guān)于存儲介質(zhì)的類型的信息，如可記錄盤、一次性可記錄盤、只讀盤，關(guān)于記錄層數(shù)的信息，關(guān)于記錄速度的信息，關(guān)于盤的尺寸的信息等等。取決于存儲介質(zhì)的內(nèi)容而改變的信息，例如，在其中數(shù)據(jù)被記錄的部分用戶數(shù)據(jù)區(qū)的最終地址的信息，被記錄為凹坑9。
關(guān)于符合相同物理格式的存儲介質(zhì)的不被修改的數(shù)據(jù)被記錄在其中的區(qū)域可是導(dǎo)入?yún)^(qū)10的全部或部分。例如，優(yōu)選地是在關(guān)于符合相同物理格式的存儲介質(zhì)的不被修改的數(shù)據(jù)被記錄的導(dǎo)入?yún)^(qū)10的與存儲介質(zhì)相關(guān)的信息區(qū)域中，數(shù)據(jù)被記錄為凹坑擺動8，并且在光學(xué)信息存儲介質(zhì)的剩余區(qū)，數(shù)據(jù)被記錄為凹坑9。
凹坑擺動8可具有與先前描述的可記錄高密度信息存儲介質(zhì)的溝槽擺動相同的周期。然后，通過使用與可記錄高密度信息存儲介質(zhì)的再現(xiàn)信道相同的再現(xiàn)信道，數(shù)據(jù)可被再現(xiàn)。
凹坑擺動8的模式可使用不同的方法被實現(xiàn)。例如，如圖6A所示，凹坑擺動8的模式可是由具有相同長度的標(biāo)記8a和空白區(qū)(space)8b形成的單一標(biāo)記模式。在這種單一標(biāo)記模式中，凹坑不具有信息，但是信息可被記錄在擺動中。這里，推挽式信道可被用作凹坑擺動的再現(xiàn)信道。在通過使用推挽式信道再現(xiàn)記錄在導(dǎo)入?yún)^(qū)10中的信息并且通過使用和信道再現(xiàn)記錄在用戶數(shù)據(jù)區(qū)13中的信息的情況下，與先前描述的可記錄高密度信息存儲介質(zhì)的再現(xiàn)信道相同的再現(xiàn)信道可被使用，這在一致性上是有利的。
單一標(biāo)記模式在簡化制造記錄介質(zhì)的過程中是有用的。然而，根據(jù)在軌道伺服中使用的微分相位檢測(DPD)方法，使用單一標(biāo)記模式或執(zhí)行軌道操作是困難的。DPD方法已經(jīng)眾所周知，并因此將不在此描述。
鑒于這點，如圖6B所示，凹坑擺動8的模式可是隨機(jī)模式。隨機(jī)模式指的是在其中具有不同長度的標(biāo)記8a和具有不同長度的空白區(qū)8b被隨機(jī)排列并且在其中信息可被記錄在凹坑和/或抖動中的模式。如果信息被記錄在凹坑和擺動中，則通過使用和信道或推挽式信道信息可被從凹坑和擺動中再現(xiàn)。另外，為了增加記錄容量，與存儲介質(zhì)相關(guān)的信息可被記錄在凹坑中，并且其它信息可被記錄在擺動中，或與存儲介質(zhì)相關(guān)的信息可被記錄在擺動中，并且其它信息可被記錄在凹坑中。
如圖6C所示，凹坑擺動8可以通過在其中具有至少兩個不同長度的標(biāo)記和具有兩個不同長度的空白區(qū)的序列被重復(fù)的模式被形成。例如，凹坑擺動8可以通過在其中長度為2T的標(biāo)記和空白區(qū)，和長度為5T的標(biāo)記和空白區(qū)被重復(fù)地排列的模式而被形成。這里，T表示最小標(biāo)記長度。
信息通常被記錄在凹坑擺動8的凹坑中。然而，預(yù)定的信息可被記錄在凹坑擺動8的擺動中。凹坑擺動8可被重復(fù)地記錄以提高這種信息的可靠性。如圖7A所示，凹坑擺動20至少連續(xù)兩次被形成以記錄數(shù)據(jù)。這里，凹坑擺動20可具有周期P和被連續(xù)地形成的相同種類的信息。當(dāng)具有不同種類的信息的第一和第二凹坑擺動被形成時，第一凹坑擺動可被記錄至少連續(xù)兩次，隨后第二凹坑擺動可被記錄至少連續(xù)兩次。另外，包括不同種類信息的多個凹坑擺動可被順序地記錄至少連續(xù)兩次。
如圖7B所示，凹坑擺動21可被記錄至少非連續(xù)的兩次。這里，普通凹坑23可被重復(fù)地形成在非連續(xù)凹坑擺動21之間。換言之，當(dāng)包括不同種類的信息的第一和第二凹坑擺動被形成時，第一凹坑擺動和普通凹坑可被形成，并隨后第二凹坑擺動和普通凹坑可被形成。因此，當(dāng)包括不同種類的信息的多個凹坑擺動被形成時，普通凹坑可被形成在多個凹坑擺動之間。這里，鏡像區(qū)域(mirror area)可替代普通凹坑。
如上所述，凹坑擺動可被重復(fù)地記錄以即使信息中任何一片為缺陷時也能平滑地再現(xiàn)所有的信息。結(jié)果，信息的可靠性可被提高。
當(dāng)制造光學(xué)信息存儲介質(zhì)時，凹坑擺動8和凹坑9預(yù)先形成在基片上。如果數(shù)據(jù)在光學(xué)信息存儲介質(zhì)上的任何地方被記錄為凹坑，則凹坑可形成在導(dǎo)入?yún)^(qū)10和用戶數(shù)據(jù)區(qū)18中而無需停止形成凹坑的過程。因此，制造光學(xué)信息存儲介質(zhì)的過程可被簡化，并且執(zhí)行該過程所需的時間可被減少。另外，由于根據(jù)本發(fā)明實施例的光學(xué)信息存儲介質(zhì)不具有溝槽擺動，所以凹坑可以最佳深度被形成。換言之，如參照圖1所描述的，凹坑可以在抖動最低的深度，例如1/4(n/λ)處被形成。
在整個導(dǎo)入?yún)^(qū)10或部分導(dǎo)入?yún)^(qū)10即與存儲介質(zhì)相關(guān)的信息區(qū)域10a中使用的數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法可與在信息存儲介質(zhì)的剩余區(qū)域中使用的數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法不同。例如，雙相調(diào)制方法可被用于整個導(dǎo)入?yún)^(qū)10，或僅于導(dǎo)入?yún)^(qū)10的與存儲介質(zhì)相關(guān)的信息區(qū)域10a，而RLL調(diào)制方法被用于信息存儲介質(zhì)的剩余區(qū)域。
RLL調(diào)制方法表示有多少個值為“0”的位存在于兩個值為“1”的位之間。這里，RLL(d，k)表示在兩個值為“1”的位之間的值為“0”的位的最小數(shù)目和最大數(shù)目分別是d和k。
例如，數(shù)據(jù)可根據(jù)雙相調(diào)制方法被記錄在與存儲介質(zhì)相關(guān)的信息區(qū)域10a和根據(jù)RLL(1，7)調(diào)制方法被記錄在導(dǎo)入?yún)^(qū)10的剩余區(qū)。
如圖6A至6C所示，在雙相調(diào)制方法中，如果凹坑擺動的相位在預(yù)定的時間周期內(nèi)沒有改變，則值為“0”(或“1”)的位的數(shù)據(jù)被記錄，并且如果凹坑擺動的相位在預(yù)定的時間周期內(nèi)改變，則值為“1”(或“0”)的位的數(shù)據(jù)被記錄。
在RLL(1，7)調(diào)制方法中，值為“1”的位之間的值為“0”的位的最小數(shù)目和最大數(shù)目分別是1和7。根據(jù)RLL(1，7)調(diào)制方法，當(dāng)d＝1時，數(shù)據(jù)1010101被記錄，并且因此兩個值為“1”的位之間的標(biāo)記或空白區(qū)的長度是2T。另外，當(dāng)d＝7時，數(shù)據(jù)10000000100000001被記錄，并因此兩個值為“1”的位之間的標(biāo)記或空白區(qū)的長度是8T。因此，在RLL(1，7)調(diào)制方法中，數(shù)據(jù)被記錄為長度為2T的標(biāo)記和空白區(qū)，和長度為8T的標(biāo)記和空白區(qū)。這里，根據(jù)雙相調(diào)制方法被記錄的數(shù)據(jù)包括長度為nT的凹坑和空白區(qū)，和長度為2nT的標(biāo)記和空白區(qū)。n的值可在2≤n≤4的范圍內(nèi)。例如，如果n＝2，則根據(jù)雙相調(diào)制方法記錄的數(shù)據(jù)包括長度為2T的凹坑和空白區(qū)，和長度為4T的標(biāo)記和空白區(qū)。如果n＝4，則根據(jù)雙相調(diào)制方法記錄的數(shù)據(jù)包括長度為4T的凹坑和空白區(qū)，和長度為8T的標(biāo)記和空白區(qū)。因此，當(dāng)n在2≤n≤4的范圍內(nèi)時，包括長度為nT的凹坑和空白區(qū)，和長度為2nT的凹坑和空白區(qū)的所有數(shù)據(jù)被包括在根據(jù)RLL(1，7)調(diào)制方法形成的標(biāo)記和空白區(qū)的長度范圍之內(nèi)。
當(dāng)根據(jù)雙相調(diào)制方法形成的標(biāo)記和空白區(qū)的周期被包括在形成在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的標(biāo)記和空白區(qū)的周期的范圍內(nèi)時，通過使用鎖相回路(PLL)電路，在全部或部分導(dǎo)入?yún)^(qū)中的只讀數(shù)據(jù)凹坑和在用戶數(shù)據(jù)區(qū)13中的數(shù)據(jù)凹坑可被再現(xiàn)。
作為另一例子，通過使用雙相調(diào)制方法，數(shù)據(jù)可被記錄在全部或部分導(dǎo)入?yún)^(qū)10中，例如，在與存儲介質(zhì)相關(guān)的信息區(qū)域10a中，和通過使用RLL(2，10)調(diào)制方法，數(shù)據(jù)可被記錄在信息存儲介質(zhì)的剩余區(qū)域中。
根據(jù)RLL(2，10)調(diào)制方法，數(shù)據(jù)被記錄為長度在3T-11T范圍內(nèi)的標(biāo)記8a和空白區(qū)8b。這里，根據(jù)雙相調(diào)制方法記錄的數(shù)據(jù)可包括長度為nT的標(biāo)記9a和空白區(qū)9b，和長度為2nT的標(biāo)記9a和空白區(qū)9b，并且n可在3≤n≤5的范圍內(nèi)。換句話說，當(dāng)n＝3時，根據(jù)雙相調(diào)制方法記錄的數(shù)據(jù)可包括長度為3T的標(biāo)記和空白區(qū)，和長度為6T的標(biāo)記和空白區(qū)。當(dāng)n＝5時，根據(jù)雙相調(diào)制方法記錄的數(shù)據(jù)可包括長度為5T的凹坑和空白區(qū)，和長度為10T的凹坑和空白區(qū)。根據(jù)雙相調(diào)制方法記錄的凹坑和空白區(qū)的長度在3T-11T的范圍內(nèi)，例如，根據(jù)RLL(2，10)記錄的用戶數(shù)據(jù)的長度的范圍內(nèi)。因此，如先前所述，通過使用相同的PLL電路，在用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)凹坑和在導(dǎo)入?yún)^(qū)的數(shù)據(jù)可被再現(xiàn)。
上述在光學(xué)信息存儲介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)和/或從光學(xué)信息存儲介質(zhì)上再現(xiàn)信息的方法可被應(yīng)用到具有一個或多個信息層的存儲介質(zhì)。
盡管顯示和描述本發(fā)明某些實施例，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的原理、精神和由所附權(quán)利要求及其等同物所限定的范圍的情況下，可以在實施例中做出改變。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性如上所述，根據(jù)光學(xué)信息存儲介質(zhì)和在光學(xué)信息存儲介質(zhì)上記錄信息和/或從光學(xué)信息存儲介質(zhì)上再現(xiàn)信息的方法，凹坑被形成在整個光學(xué)信息存儲介質(zhì)上。因此，制造光學(xué)信息存儲介質(zhì)的過程可被簡化。另外，凹坑可以其最佳信號被輸出的深度被形成。因此，記錄/再現(xiàn)特性可被改進(jìn)。
另外，用于導(dǎo)入?yún)^(qū)的全部或部分的數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法和用于光學(xué)信息存儲介質(zhì)的剩余區(qū)中的數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法可與用于可記錄光學(xué)信息存儲介質(zhì)上的記錄調(diào)制方法一致。因此，只讀光學(xué)信息存儲介質(zhì)可與其它存儲介質(zhì)一致。而且，大量數(shù)據(jù)可與數(shù)據(jù)被記錄為溝槽擺動時比較的被記錄，并且使用相同PLL電路在導(dǎo)入?yún)^(qū)中記錄的只讀數(shù)據(jù)并且用戶數(shù)據(jù)被再現(xiàn)。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)信息存儲介質(zhì)包括導(dǎo)入?yún)^(qū)；用戶數(shù)據(jù)區(qū)；和導(dǎo)出區(qū)，其中，數(shù)據(jù)在至少部分導(dǎo)入?yún)^(qū)被記錄為凹坑擺動并且數(shù)據(jù)在光學(xué)信息存儲介質(zhì)的剩余區(qū)被記錄為凹坑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑擺動的區(qū)域是在其中關(guān)于符合相同物理格式的存儲介質(zhì)的未更改的信息被記錄的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑擺動的區(qū)域是與光學(xué)信息存儲介質(zhì)相關(guān)的信息被記錄在其中的區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，用于數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑擺動的區(qū)域的第一數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法與用于數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑的剩余區(qū)域的第二數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，用于數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑擺動的區(qū)域的第一數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法是雙相調(diào)制方法，并且用于數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑的剩余區(qū)域的第二數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法是RLL調(diào)制方法。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，RLL調(diào)制方法是RLL(1，7)調(diào)制方法。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，根據(jù)雙相調(diào)制方法記錄的信息包括長度為nT的標(biāo)記和空白區(qū)，和長度為2nT的標(biāo)記和空白區(qū)，其中，n在2≤n≤4范圍內(nèi)并且T是最小標(biāo)記長度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，RLL調(diào)制方法是RLL(2，10)調(diào)制方法。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，根據(jù)雙相調(diào)制方法記錄的信息包括長度為nT的標(biāo)記和空白區(qū)，和長度為2nT的標(biāo)記和空白區(qū)，其中，n在3≤n≤5范圍內(nèi)并且T是最小標(biāo)記長度。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，凹坑擺動的模式基本上與用于用戶數(shù)據(jù)區(qū)的模式匹配。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，凹坑擺動的模式是單一模式、隨機(jī)模式和至少兩種模式的組合中的一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，凹坑擺動的模式是單一模式、隨機(jī)模式和至少兩種模式的組合中的一種。
13.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，通過使用推挽式信道與和信道中的一個，記錄為凹坑擺動的數(shù)據(jù)被再現(xiàn)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，用于數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑擺動的區(qū)域的第一數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法與用于數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑的剩余區(qū)的第二數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法不同。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，用于數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑擺動的區(qū)域的第一數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法是雙相調(diào)制方法，和用于數(shù)據(jù)在其被記錄為凹坑的剩余區(qū)域的第二數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法是RLL調(diào)制方法。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，RLL調(diào)制方法是RLL(1，7)調(diào)制方法。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，根據(jù)雙相調(diào)制方法記錄的信息包括長度為nT的標(biāo)記和空白區(qū)，和長度為2nT的標(biāo)記和空白區(qū)，其中，n在2≤n≤4范圍內(nèi)并且T是最小標(biāo)記長度。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，RLL調(diào)制方法是RLL(2，10)調(diào)制方法。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，根據(jù)雙相調(diào)制方法記錄的信息包括長度為nT的標(biāo)記和空白區(qū)，和長度為2nT的標(biāo)記和空白區(qū)，其中，n在3≤n≤5范圍內(nèi)并且T是最小標(biāo)記長度。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，凹坑擺動的模式基本上與用于用戶數(shù)據(jù)區(qū)的模式匹配。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，凹坑擺動的模式是單一模式、隨機(jī)模式和至少兩種模式的組合中的一種。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，凹坑擺動的模式是單一模式、隨機(jī)模式和至少兩種模式的組合中的一種。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，通過使用推挽式信道與和信道中的一個，記錄為凹坑擺動的數(shù)據(jù)被再現(xiàn)。
24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，光學(xué)信息存儲介質(zhì)具有至少一個信息表面。
25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，記錄為凹坑擺動的數(shù)據(jù)被記錄至少連續(xù)兩次。
26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，記錄為凹坑擺動的數(shù)據(jù)由于凹坑行(pit row)被非連續(xù)地記錄。
27.一種在光學(xué)信息存儲介質(zhì)上記錄信息和/或從光學(xué)信息存儲介質(zhì)上再現(xiàn)信息的方法，該光學(xué)信息存儲介質(zhì)具有導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)，該方法包括以凹坑擺動將數(shù)據(jù)記錄在至少部分導(dǎo)入?yún)^(qū)中；和以凹坑將數(shù)據(jù)記錄在光學(xué)信息存儲介質(zhì)的剩余區(qū)中。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑擺動的區(qū)域是關(guān)于符合基本上匹配的物理格式的存儲介質(zhì)的未更改信息被記錄在其中的區(qū)域。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑擺動的區(qū)域是與光學(xué)信息存儲介質(zhì)相關(guān)的信被記錄在其中的區(qū)域。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，用于數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑擺動的區(qū)域的第一數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法與用于數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑的剩余區(qū)域的第二數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法不同。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中，用于數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑擺動的區(qū)域的第一數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法是雙相調(diào)制方法，和用于數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑的剩余區(qū)域的第二數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法是RLL調(diào)制方法。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中，RLL調(diào)制方法是RLL(1，7)調(diào)制方法。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中，根據(jù)雙相調(diào)制方法記錄的信息包括長度為nT的標(biāo)記和空白區(qū)，和長度為2nT的標(biāo)記和空白區(qū)，其中，n在2≤n≤4范圍內(nèi)并T是最小標(biāo)記長度。
34.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中，RLL調(diào)制方法是RLL(2，10)調(diào)制方法。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中，根據(jù)雙相調(diào)制方法被記錄的信息包括長度為nT的標(biāo)記和空白區(qū)，和長度為2nT的標(biāo)記和空白區(qū)，其中，n在3≤n≤5范圍內(nèi)并且T是最小標(biāo)記長度。
36.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，凹坑擺動的模式基本上與用于用戶數(shù)據(jù)區(qū)的模式匹配。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其中，凹坑擺動的模式是單一模式、隨機(jī)模式和至少兩種模式的組合中的一種。
38.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，凹坑擺動的模式是單一模式、隨機(jī)模式和至少兩種模式的組合中的一種。
39.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，通過使用推挽式信道與和信道中的一個，記錄為凹坑擺動的數(shù)據(jù)被再現(xiàn)。
40.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，用于數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑擺動的區(qū)域的第一數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法與用于數(shù)據(jù)在其中被記錄為凹坑的剩余區(qū)的第二數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法不同。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的方法，其中，用于數(shù)據(jù)在其被記錄為凹坑擺動的區(qū)域的第一數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法是雙相調(diào)制方法，和用于數(shù)據(jù)在其被記錄為凹坑的剩余區(qū)域的第二數(shù)據(jù)記錄調(diào)制方法是RLL調(diào)制方法。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中，RLL調(diào)制方法是RLL(1，7)調(diào)制方法。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其中，根據(jù)雙相調(diào)制方法記錄的信息包括長度為nT的標(biāo)記和空白區(qū)，和長度為2nT的標(biāo)記和空白區(qū)，其中，n在2≤n≤4范圍內(nèi)并且T是最小標(biāo)記長度。
44.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，RLL調(diào)制方法是RLL(2，10)調(diào)制方法。
45.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，記錄為凹坑擺動的數(shù)據(jù)被記錄至少連續(xù)兩次。
46.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，記錄為凹坑擺動的數(shù)據(jù)由于凹坑行被非連續(xù)地記錄。
47.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，光學(xué)信息存儲介質(zhì)是CD、CD-R、CD-RW、DVD、DVD+RW、DVD-RAM、DVD-RW和HD-DVD之一。
48.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息存儲介質(zhì)，其中，光學(xué)信息存儲介質(zhì)是只讀光學(xué)信息存儲介質(zhì)。
全文摘要
一種光學(xué)信息存儲介質(zhì)包括導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)。數(shù)據(jù)在全部或部分導(dǎo)入?yún)^(qū)中被記錄為凹坑擺動，并且數(shù)據(jù)在光學(xué)信息存儲介質(zhì)的剩余區(qū)被記錄為凹坑。一種在光學(xué)信息存儲介質(zhì)上記錄信息和/或從光學(xué)信息存儲介質(zhì)上再現(xiàn)信息的方法。
文檔編號G11B7/007GK1679090SQ03821020
公開日2005年10月5日 申請日期2003年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月6日
發(fā)明者李坰根, 樸仁植, 盧明道, 鄭鐘三, 沈載晟, 樸昶敏, 樸賢洙, 尹斗燮 申請人:三星電子株式會社