專利名稱：記錄介質(zhì)、記錄介質(zhì)管理方法和記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)的制作方法
相關(guān)申請的交叉引用本申請基于2002年6月28日提出的在先的日本專利申請No.2002-192064，并要求以其做為優(yōu)先權(quán)基礎(chǔ)，該申請的全部內(nèi)容在這里加以引用。
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及一種記錄介質(zhì)、記錄介質(zhì)管理方法和記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，具體來說，它涉及一種用于管理存儲在記錄介質(zhì)中的內(nèi)容的解碼、訪問的權(quán)限的記錄介質(zhì)，涉及進(jìn)行有關(guān)此記錄介質(zhì)的驗(yàn)證的記錄介質(zhì)管理方法，并涉及進(jìn)行有關(guān)記錄介質(zhì)的驗(yàn)證的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)。
用于保護(hù)音樂軟件、視頻軟件和應(yīng)用軟件的版權(quán)的復(fù)制保護(hù)技術(shù)隨著數(shù)字化數(shù)據(jù)的傳播變得越來越重要。
具體來說，采用數(shù)字記錄系統(tǒng)的DVD(數(shù)字通用光盤)視頻光盤或DVD-ROM光盤等等可以作為需要復(fù)制保護(hù)的軟件的代表性示例。傳統(tǒng)上使用加密技術(shù)來對這些數(shù)字記錄內(nèi)容的視頻軟件進(jìn)行復(fù)制保護(hù)。
使用加密技術(shù)的復(fù)制保護(hù)方法對于記錄了已經(jīng)加密的數(shù)據(jù)的DVD視頻光盤或DVD-ROM光盤具有良好的效果。然而，在用戶可以用來記錄新數(shù)據(jù)的DVD-RAM的情況下，將會出現(xiàn)下列問題。
(1)管理加密時需要的“加密密鑰”是困難的。
(2)由于對于數(shù)據(jù)記錄再現(xiàn)設(shè)備(例如，可以在非常流行的類似于數(shù)字的模擬盒式錄像機(jī)中執(zhí)行記錄和播放的DVD-RAM記錄器)強(qiáng)加密是困難的，代碼容易損壞。
(3)對于可以在設(shè)備內(nèi)執(zhí)行加密和其解碼的數(shù)據(jù)記錄再現(xiàn)設(shè)備，如果在將用戶曾經(jīng)用另一個數(shù)據(jù)記錄播放設(shè)備創(chuàng)建和加密的數(shù)據(jù)解密之后數(shù)據(jù)再次用原始數(shù)據(jù)記錄播放設(shè)備加密，則可以輕易地復(fù)制要防止被復(fù)制的數(shù)據(jù)的內(nèi)容。
由于這些問題，難以使用傳統(tǒng)的加密技術(shù)對數(shù)字視頻數(shù)據(jù)的記錄播放設(shè)備有效地進(jìn)行復(fù)制保護(hù)。此外，如果是由DVD-RAM驅(qū)動器系統(tǒng)對于DVD-RAM的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)執(zhí)行的原始復(fù)制保護(hù)處理，則當(dāng)用DVD-ROM驅(qū)動器再現(xiàn)介質(zhì)或者用DVD-RAM驅(qū)動器再現(xiàn)DVD-ROM光盤時將會有一個問題復(fù)制保護(hù)處理電路變得更加復(fù)雜。這也會成為增大DVD-RAM驅(qū)動器的產(chǎn)品成本的因素。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，提供了一種記錄介質(zhì)，包括具有RAM位和ROM位的驗(yàn)證區(qū)域，RAM位可以被第一寫入條件至少改寫一次數(shù)據(jù)，ROM位不能被第一條件改寫數(shù)據(jù)；以及數(shù)據(jù)存儲區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例，提供了一種記錄介質(zhì)管理方法，包括從記錄介質(zhì)的驗(yàn)證區(qū)域獲取第一數(shù)據(jù)線，驗(yàn)證區(qū)域包括RAM位和ROM位的第一數(shù)據(jù)模式，第一數(shù)據(jù)線對應(yīng)于第一數(shù)據(jù)模式，RAM位可以被第一寫入條件至少改寫一次數(shù)據(jù)，ROM位不能被第一條件改寫數(shù)據(jù)；將預(yù)先確定的數(shù)據(jù)改寫到RAM位；從記錄介質(zhì)獲取第二數(shù)據(jù)線，第二數(shù)據(jù)線對應(yīng)于被改寫的RAM位和ROM位的第二數(shù)據(jù)模式，根據(jù)第一和第二數(shù)據(jù)線將記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)域中存儲的加密數(shù)據(jù)解密。
根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例，提供了一種記錄介質(zhì)管理方法，包括從記錄介質(zhì)的驗(yàn)證區(qū)域獲取第一數(shù)據(jù)線，驗(yàn)證區(qū)域包括RAM位和ROM位的第一數(shù)據(jù)模式，第一數(shù)據(jù)線對應(yīng)于第一數(shù)據(jù)模式，RAM位可以被第一寫入條件至少改寫一次數(shù)據(jù)，ROM位不能被第一條件改寫數(shù)據(jù)；將預(yù)先確定的數(shù)據(jù)改寫到RAM位；從記錄介質(zhì)獲取第二數(shù)據(jù)線，第二數(shù)據(jù)線對應(yīng)于被改寫的RAM位和ROM位的第二數(shù)據(jù)模式，根據(jù)第一和第二數(shù)據(jù)線判斷對記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)域的訪問權(quán)限。
根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例，提供了一種記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，包括再現(xiàn)部分；記錄部分；以及控制部分，執(zhí)行第一控制以通過讓再現(xiàn)部分讀取驗(yàn)證區(qū)域來從記錄介質(zhì)的驗(yàn)證區(qū)域獲取第一數(shù)據(jù)線，驗(yàn)證區(qū)域包括RAM位和ROM位的第一數(shù)據(jù)模式，第一數(shù)據(jù)線對應(yīng)于第一數(shù)據(jù)模式，RAM位可以被第一寫入條件至少改寫一次數(shù)據(jù)，ROM位不能被第一條件改寫數(shù)據(jù)；執(zhí)行第二控制以讓記錄部分將預(yù)先確定的數(shù)據(jù)改寫到RAM位；執(zhí)行第三控制以從記錄介質(zhì)獲取第二數(shù)據(jù)線，第二數(shù)據(jù)線對應(yīng)于被改寫的RAM位和ROM位的第二數(shù)據(jù)模式，執(zhí)行第四控制以根據(jù)第一和第二數(shù)據(jù)線對記錄介質(zhì)執(zhí)行驗(yàn)證。


通過下面給出的詳細(xì)說明以及本發(fā)明的實(shí)施例的附圖，將會更全面地了解本發(fā)明。然而，附圖不意味著將本發(fā)明局限于特定的實(shí)施例，而只為了便于說明和理解而已。
在圖中圖1A和1B是顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的記錄介質(zhì)的一個示例的示意圖；圖2是顯示涉及本發(fā)明的實(shí)施例的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)的示意圖；圖3A到3C是說明一個記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)執(zhí)行的驗(yàn)證方法的示意圖；圖4A到4C是顯示如上所述的原始介質(zhì)和復(fù)制的介質(zhì)之間的差異的示意圖；圖5A到5C是說明在諸如HDD之類的系統(tǒng)中的驗(yàn)證過程的示意圖；
圖6是說明具有兩個或更多驗(yàn)證區(qū)域的記錄介質(zhì)的示意圖；圖7是顯示應(yīng)用了恢復(fù)過程的示例的示意圖；圖8A到8F是顯示此示例中的記錄介質(zhì)的制造方法的過程剖面圖；圖9A是顯示漸漸消失的光學(xué)顯微鏡觀察到的樣品的表面的結(jié)果的示意圖；圖9B是顯示漸漸消失的光學(xué)顯微鏡觀察到的樣品的表面的結(jié)果的示意圖；圖10是顯示一種記錄介質(zhì)和光學(xué)記錄播放設(shè)備的磁頭滑動器的剖面圖；圖11是顯示磁頭滑動器中提供的微小開口的平面結(jié)構(gòu)的圖表；圖12A到12D是顯示此示例中的記錄介質(zhì)的制造方法的主要部分的過程剖面圖；圖13是顯示使用MFM(磁力顯微鏡)觀察到的樣品的表面的結(jié)果的示意圖；圖14是顯示此示例的記錄介質(zhì)和磁記錄播放設(shè)備的磁頭滑動器的剖面圖；圖15是顯示磁頭滑動器70的平面結(jié)構(gòu)的輪廓圖；圖16是顯示此示例的記錄介質(zhì)的示意圖；圖17是說明類似于卡片的記錄介質(zhì)的示意圖；圖18是顯示管理這樣的卡片形狀的記錄介質(zhì)的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)的示意圖；圖19是顯示使用半導(dǎo)體存儲器和磁性材料存儲器的記錄介質(zhì)的示意圖；以及圖20是顯示管理圖19中顯示的記錄介質(zhì)的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考

本發(fā)明的某些實(shí)施例。
(第一個示例)首先，將說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的記錄介質(zhì)和使用該記錄介質(zhì)的驗(yàn)證方法的示例。
圖1A和1B是顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的記錄介質(zhì)的一個示例的示意圖。
即，圖1A中顯示了一種類似于光盤的記錄介質(zhì)。此光盤可以是使用各種記錄模式中的任何一個的記錄介質(zhì)，如硬盤、其他磁盤、諸如DVD和CD之類的光盤，以及包括MO(磁光盤)光盤的磁光盤。
然而，本發(fā)明的記錄介質(zhì)的形狀不僅限于光盤的形狀，而可以使用各種形狀，如卡片形狀，磁帶形狀，以及膠片形狀，關(guān)于這一點(diǎn)后面將詳細(xì)說明。此外，也可以將本發(fā)明應(yīng)用到隨所謂的半導(dǎo)體存儲器提供的記錄介質(zhì)。
現(xiàn)在，如圖1A所示，在本實(shí)施例的記錄介質(zhì)10A中提供了驗(yàn)證區(qū)域20。雖然圖1A顯示了在類似于光盤的介質(zhì)的中心附近提供一個驗(yàn)證區(qū)域20的示例，但是驗(yàn)證區(qū)域20的位置或其編號可以根據(jù)其用途相應(yīng)地確定，關(guān)于這一點(diǎn)后面將詳細(xì)說明。
在記錄介質(zhì)10A，驗(yàn)證區(qū)域20之外的區(qū)域是數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30，該區(qū)域可以是所謂的ROM(只讀存儲器)區(qū)域，其中的數(shù)據(jù)只能讀取。然而，此數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30也可以是所謂的RAM(隨機(jī)存取存儲器)區(qū)域，可以在其中寫入和讀取數(shù)據(jù)，所謂的一次寫入?yún)^(qū)域(一次寫入存儲器)，只能在其中寫入數(shù)據(jù)一次，或者合并了ROM區(qū)域、RAM區(qū)域和一次寫入?yún)^(qū)域中的任何區(qū)域的區(qū)域。
在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，此數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30中存儲的數(shù)據(jù)是經(jīng)過加密的，關(guān)于這一點(diǎn)后面將詳細(xì)說明。用于對此加密的數(shù)據(jù)進(jìn)行解密的“加密密鑰”也存儲在驗(yàn)證區(qū)域20中。
此外，在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中，有關(guān)各種過程的權(quán)限判斷，如對數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30中存儲的數(shù)據(jù)的訪問，有關(guān)此數(shù)據(jù)的操作、計算和安裝是基于驗(yàn)證區(qū)域20中存儲的數(shù)據(jù)進(jìn)行的。即，當(dāng)在驗(yàn)證區(qū)域20獲得的數(shù)據(jù)不是預(yù)先確定的內(nèi)容時，禁止應(yīng)用軟件的操作、安裝、復(fù)制等等。
圖1B是驗(yàn)證區(qū)域20的部分地放大的視圖。本發(fā)明的驗(yàn)證區(qū)域20具有RAM位24、ROM位26和包圍這些位的圓周的非記錄區(qū)域22。非記錄區(qū)域22是一個記錄播放磁頭200不執(zhí)行信息記錄的區(qū)域。雖然此非記錄區(qū)域由不能存儲信息的材料制成是理想的，但是也可以由能夠存儲信息的材料制成。
在此圖中，RAM位24是能夠由記錄播放磁頭存儲信息的最小單位。即，RAM位24是可以由記錄播放磁頭記錄或改寫信息的位。
可以由某種技術(shù)存儲信息的任何材料都可以用作RAM位24的材料。例如，可以采用能夠以磁性方式存儲信息的磁體，光的反射率隨著結(jié)晶無定形相過渡而變化的相變介質(zhì)，顏色隨著電場、光照射、加熱和氧化還原反應(yīng)而變化的各種鉻材料，其形狀變化的材料和其導(dǎo)電介電常數(shù)或者光透射系數(shù)變化的材料。
此外，也可以使用能夠通過積聚電荷存儲信息的材料，例如，半導(dǎo)體RAM存儲器?？梢允褂媚軌蚴褂弥T如磁性記錄之類的可逆記錄模式重復(fù)地寫入信息的方法作為對RAM位的記錄方法。也可以使用能夠使用加熱的不可逆的記錄模式只寫一次信息的方法(如一次寫入系統(tǒng))作為對RAM位的記錄方法。
另一方面，ROM位26是無法改寫信息的區(qū)域，或者除非使用了與RAM位24不同的方法，否則無法改寫信息的區(qū)域。然而，這些ROM位26以及RAM位24也是其信息可以由記錄播放磁頭等等讀取的位。即，ROM位26是給出“0”或“1”或者與有關(guān)最后的RAM位或ROM位的信息的相同信息的區(qū)域。
RAM位24和ROM位26根據(jù)記錄播放設(shè)備的讀取時鐘頻率以某一固定間隔分布在驗(yàn)證區(qū)域20。然而，間隔可以根據(jù)特定的記錄再現(xiàn)系統(tǒng)相應(yīng)地確定，不一定是一個固定間隔。
在實(shí)施例中，在一個驗(yàn)證區(qū)域20分別提供了至少一個RAM位24和一個ROM位26。這些RAM位24和ROM位26的編號和排列順序可以根據(jù)用途相應(yīng)地確定。此外，布局可以不一定是如圖1B所說明的一維布局，而可以是沿著預(yù)先確定的平面的二維布局，此外在多層記錄介質(zhì)的情況下，也可以是三維布局。
然而，就驗(yàn)證區(qū)域20中的RAM位24和ROM位26的布局模式而論，不能預(yù)測是理想的。
即，就驗(yàn)證區(qū)域20中的RAM位和ROM位的布局而論，無論位是RAM位還是ROM位，不更改布局是理想的，而對兩個位應(yīng)根據(jù)固定的規(guī)則分布。難以只通過用播放磁頭或記錄磁頭訪問驗(yàn)證區(qū)域20中的每一個位區(qū)別ROM位和RAM位是所希望的。此外，對于每個光盤使通過使用兩個或更多布局模式隨機(jī)地預(yù)測難以進(jìn)行是理想的。
例如，對于每個記錄介質(zhì)，布局模式可能會不同。這是因?yàn)轭A(yù)測“密鑰B”將變得困難，復(fù)制保護(hù)的可靠性將變得更高，關(guān)于這一點(diǎn)稍后將詳細(xì)地進(jìn)行描述。
下面將講述可以使用這樣的記錄介質(zhì)進(jìn)行的驗(yàn)證過程。
圖2是顯示涉及本發(fā)明的實(shí)施例的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)的示意圖。
即，此管理系統(tǒng)具有記錄播放磁頭200，它對記錄介質(zhì)10執(zhí)行記錄和再現(xiàn)，控制部分300，它通過此磁頭200執(zhí)行數(shù)據(jù)的讀出、寫入和數(shù)據(jù)處理。此管理系統(tǒng)可以是用于再現(xiàn)記錄介質(zhì)10的數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30中存儲的數(shù)據(jù)的播放設(shè)備，也可以是在數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30寫入數(shù)據(jù)的記錄設(shè)備。
圖3A到3C是說明一個記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)執(zhí)行的驗(yàn)證方法的示意圖。
即，本發(fā)明的驗(yàn)證方法的過程包括“獲取密鑰A”、“改寫擦除”和“獲取密鑰B”步驟。在圖2所示的系統(tǒng)中，當(dāng)控制部分300相應(yīng)地操作磁頭200時執(zhí)行這些過程。這三個步驟的過程可以分別在控制部分300的第一到第三控制部分300A、300B和300C中執(zhí)行，如圖2所示?；蛘哌@三個步驟的過程也可以使用控制部分300中的相同區(qū)域執(zhí)行。
在此示例中，作為示例列舉了所有ROM位26可以由記錄播放磁頭200作為諸如“0”和“1”之類的特定的位信息讀取的情況。
圖3A到圖3C顯示了每一個步驟中的驗(yàn)證區(qū)域20的狀態(tài)。這里，包圍RAM位24和ROM位26的圓周的非記錄區(qū)域22是一個信息無法由記錄播放磁頭200記錄的區(qū)域。
在圖3A到3C中，白色的圓圈表示寫入了“0”的RAM位24A，黑色的點(diǎn)表示寫入了“1”的RAM位24B。
當(dāng)記錄播放磁頭200再次在這些位記錄信息時，有關(guān)這些RAM位24A和20B的信息可以被改寫。
在本實(shí)施例的驗(yàn)證方法中，用于獲取“密鑰A”的信息預(yù)先在驗(yàn)證區(qū)域20寫入。
圖3A顯示了本實(shí)施例中的獲取“密鑰A”的過程。即，在驗(yàn)證區(qū)域20，分布了在其中寫入了“0”或“1”的RAM位24(24A、24B)。記錄播放磁頭200讀取此區(qū)域。在此示例中，假設(shè)ROM位26被讀作“0”。然而，本發(fā)明不僅限于此示例。
當(dāng)記錄播放磁頭200讀取圖3A中的驗(yàn)證區(qū)域20時，以白色的點(diǎn)表示的RAM位24A和ROM位26將被讀作“0”，以黑色的點(diǎn)表示的RAM位24B將被讀作“1”。即，此驗(yàn)證區(qū)域20被讀作“00101001”。這就被識別為“密鑰A”。
接下來，執(zhí)行如圖3B所示的“改寫擦除”。即，在獲取“密鑰A”之后，由記錄磁頭200將信息“11111111”改寫到此驗(yàn)證區(qū)域20。
作為記錄磁頭嘗試通過此“改寫擦除”過程將顯示“1”的信號寫入到驗(yàn)證區(qū)域20中的所有位的結(jié)果，驗(yàn)證區(qū)域20中的顯示“0”的所有RAM位24A(白色的圓圈)和表示“1”的RAM位24B(黑色的點(diǎn))被顯示“1”的位24B(黑色的點(diǎn))替代。然而，在圖3B的示例中，有關(guān)此驗(yàn)證區(qū)域20上的ROM位26的信息沒有改變，“0”的記錄仍保留。
接下來，如圖3C所示，獲取“密鑰B”。即，當(dāng)播放磁頭200在“改寫擦除”步驟之后再次讀取驗(yàn)證區(qū)域20時，獲取對應(yīng)于“密鑰B”的位數(shù)據(jù)。
這里，此驗(yàn)證區(qū)域20中的所有RAM位24是在上述“改寫擦除”過程之后表示“1”的位24B(黑色的點(diǎn))，另一方面，顯示“0”的ROM位26沒有變化。因此，位數(shù)據(jù)“10111011”由播放磁頭200讀取，這就被識別為“密鑰B”。
圖2所示的控制部分300可以使用由上文的過程讀取的“密鑰A”和“密鑰B”生成用于加密、解密或驗(yàn)證的“密鑰”?？梢允褂么嗣荑€執(zhí)行記錄在數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30上的加密數(shù)據(jù)的代碼的解密(即，譯碼)過程。
使用“密鑰A”和“密鑰B”生成密鑰的方法可以是按順序?qū)⒚荑€A和密鑰B連接并用作一個密鑰的方法，也可以使用任何其他方法。
例如，可以從“密鑰A”和“密鑰B”只生成一個加密密鑰?？梢酝ㄟ^執(zhí)行“密鑰A”和“密鑰B”的位加法獲取一個加密密鑰作為“密鑰C”，通過執(zhí)行“密鑰A”和“密鑰B”的位減法獲取“密鑰D”，從而生成兩個或更多密鑰。
使用從本發(fā)明的“密鑰A”和“密鑰B”獲得的密鑰進(jìn)行加密、解密和驗(yàn)證的過程不僅限于任何特定的一個。D.W.Davies和W.L.Price所著的“Security for Computer Networks secondedition”(計算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的安全，第二版)以及JOHN WILEY&SONS，William Stallings所著的“Cryptography and NetworkSecurity Principles and Practice Second Edition”(Prentice Hall)(加密和網(wǎng)絡(luò)安全原理和實(shí)踐，第二版)說明了一般加密或一般驗(yàn)證手段。
例如，從實(shí)施例的密鑰A和密鑰B中獲得的密鑰可以用于使用機(jī)密密鑰的DES(數(shù)據(jù)加密標(biāo)準(zhǔn))方法和使用公鑰的RSA(Rivest、Shamir和Adleman)方法。此外，在執(zhí)行驗(yàn)證工作時，實(shí)施例的密鑰可以用作MAC(消息驗(yàn)證代碼)。
通過使用上面講述的實(shí)施例的記錄介質(zhì)和驗(yàn)證方法，可以實(shí)現(xiàn)一個強(qiáng)大的復(fù)制保護(hù)。
即，在本實(shí)施例中，如上所述，由于驗(yàn)證區(qū)域20是RAM位24和ROM位26混合而成，當(dāng)通常的播放磁頭200訪問此區(qū)域時，難以區(qū)別在驗(yàn)證區(qū)域20中哪個位是ROM位或RAM位。
因此，例如，當(dāng)在本發(fā)明中執(zhí)行驗(yàn)證過程將原始記錄介質(zhì)10A(例如，DVD-ROM)復(fù)制到另一個復(fù)制記錄介質(zhì)(例如，DVD-RAM)時，驗(yàn)證區(qū)域20也一起復(fù)制。
然而，只有存儲在這些RAM位24和ROM位26中的位信息在此時復(fù)制，而RAM位24和ROM位26的位布局信息則不復(fù)制。
因此，在具有本實(shí)施例的驗(yàn)證區(qū)域的記錄介質(zhì)(原始介質(zhì))和具有其中RAM位和ROM位的布局彼此不同的驗(yàn)證區(qū)域或者沒有實(shí)施例的驗(yàn)證區(qū)域的記錄介質(zhì)(復(fù)制的介質(zhì))中，驗(yàn)證過程的結(jié)果，即，“密鑰A”和“密鑰B”的獲得結(jié)果不同。在原始介質(zhì)的所有數(shù)據(jù)都已經(jīng)復(fù)制的復(fù)制記錄介質(zhì)中，驗(yàn)證區(qū)域被復(fù)制的所有區(qū)域都由可以改寫的RAM位構(gòu)成。
如果對此復(fù)制的驗(yàn)證區(qū)域執(zhí)行獲取“密鑰A”的過程，則可獲得與原始記錄介質(zhì)相同的密鑰A。
然而，此后，如果對此復(fù)制的介質(zhì)的驗(yàn)證區(qū)域執(zhí)行“改寫擦除”過程，由于復(fù)制介質(zhì)中的驗(yàn)證區(qū)域中的所有位都是RAM位，則按照原樣記錄用于改寫擦除的模式。
因此，當(dāng)接下來獲取“密鑰B”時，由于按照原樣寫入“改寫擦除”的模式，至于當(dāng)前記錄在復(fù)制的記錄介質(zhì)上的驗(yàn)證區(qū)域上的信息，讀取改寫擦除模式。
另一方面，如上所述，由于RAM位和ROM位在原始記錄介質(zhì)的驗(yàn)證區(qū)域混合，因此，在執(zhí)行改寫擦除時，它無法記錄在ROM位上。因此，改寫擦除模式和密鑰B的模式不同。
即，由于獲取的“密鑰B”在原始記錄介質(zhì)和復(fù)制的記錄介質(zhì)之間不一致，因此，在復(fù)制的記錄介質(zhì)上無法獲取在原始記錄介質(zhì)中可解密的“密鑰B”。因此，在復(fù)制的記錄介質(zhì)中，無法執(zhí)行數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30中存儲的數(shù)據(jù)的解密，內(nèi)容也無法再現(xiàn)。
圖4A到4C是顯示如上所述的原始介質(zhì)和復(fù)制的介質(zhì)之間的差異的示意圖。
在圖中，獲取原始介質(zhì)上的驗(yàn)證區(qū)域20中的“密鑰”的過程與圖3A到3C中顯示的示例相同。即，“00101001”作為“密鑰A”獲取，“11111111”在“改寫擦除”中寫入在驗(yàn)證區(qū)域，“10111011”作為“密鑰B”在原始介質(zhì)中獲取。
另一方面，由于“密鑰A”是按照原樣在復(fù)制的介質(zhì)上的驗(yàn)證區(qū)域復(fù)制的，獲取與原始介質(zhì)相同的“00101001”作為圖4A顯示的“密鑰A”。
接下來，當(dāng)在如圖4B所示的復(fù)制介質(zhì)上執(zhí)行“11111111”模式的“改寫擦除”時，由于所有位都由RAM位構(gòu)成，驗(yàn)證區(qū)域的所有位都將按此模式改寫。因此，在此后的“密鑰B”的獲取過程中，在復(fù)制的介質(zhì)上按照原樣獲取改寫擦除的位模式作為“密鑰B”，并獲取“11111111”。
即，在原始介質(zhì)中，由于提供了ROM位26，“密鑰B”被設(shè)置為不同于改寫擦除的模式的“10111011”。然而，在復(fù)制的介質(zhì)中，它是“11111111”，與改寫擦除模式相同，沒有獲取正確的“密鑰B”。因此，在復(fù)制的介質(zhì)中不可能對記錄在數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30上的加密數(shù)據(jù)進(jìn)行解密。
在上述的說明中，給出了使用“密鑰A”和“密鑰B”執(zhí)行數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30中存儲的加密數(shù)據(jù)的解密過程的示例。但本發(fā)明不僅限于此示例。
例如，通過使用“密鑰A”和“密鑰B”，可以確定對數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30中存儲的內(nèi)容的再現(xiàn)操作的權(quán)限，還可以確定數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30中存儲的應(yīng)用軟件和安裝和執(zhí)行操作的權(quán)限。
在這些情況下，對應(yīng)于“密鑰A”和“密鑰B”的數(shù)據(jù)還存儲在數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30中。只有在驗(yàn)證區(qū)域20中獲取的“密鑰A”和“密鑰B”，數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30中存儲的這些對應(yīng)的數(shù)據(jù)一致的情況下，才允許再現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30中存儲的內(nèi)容，執(zhí)行應(yīng)用軟件或安裝。
(第二個示例)接下來，講述ROM位26被作為與驗(yàn)證區(qū)域20中的數(shù)據(jù)的緊前面的位的數(shù)據(jù)相同的位數(shù)據(jù)讀取的示例。
實(shí)施例中的“改寫擦除”的模式不一定是第一個示例中顯示的諸如“0000…”和“1111…”之類的相同位數(shù)據(jù)的繼續(xù)，而可以由從使用本發(fā)明的記錄再現(xiàn)系統(tǒng)中的ROM位26獲取的信號特征設(shè)置。
例如，在使用諸如CD、DVD之類的光記錄介質(zhì)時，在很多情況下，從每一個位反射的光的強(qiáng)度分別被識別為位信號。即，如果它大于強(qiáng)度閾值，則將它作為信號“1”來讀取，如果小于閾值，則將它作為信號“0”來讀取。如此，在按一個固定閾值從每一個位識別信息時，讓改寫擦除信號是以前描述的諸如“0000…”和“1111…”之類的相同位信號的繼續(xù)非常有效。
另一方面，在HDD(硬盤驅(qū)動器)等等的情況下，磁性信息記錄介質(zhì)上的ROM位可以是沒有磁性信息的區(qū)域。在這種情況下，來自這樣的ROM位的信號被識別為與來自在諸如GMR(巨型磁電阻效應(yīng))磁頭之類的讀取磁頭的特征緊前面的位的信號相同的信號。
例如，在驗(yàn)證區(qū)域中，如果ROM位的緊前面的位是“0”，則ROM位也被識別為“0”。
在這種情況下，作為用于“改寫擦除”的模式，使用前面的示例的“1111…”所示的相同信號的模式是不必要的。由于在驗(yàn)證區(qū)域(在該實(shí)施例中在此RAM位和ROM位混合)的改寫擦除是由諸如“111…”之類的相同信號的連續(xù)模式執(zhí)行的，由于“1”是為所有RAM位記錄的，與最后一個位相同的信號被識別為ROM位，在任何地方ROM位可以在等于改寫擦除模式的驗(yàn)證區(qū)域“111…”將作為“密鑰B”獲取。
如此，至于用于改寫擦除的模式，在將ROM位識別為與緊前面讀取的位相同的數(shù)據(jù)的系統(tǒng)的情況下，使其成為不同的位數(shù)據(jù)交替出現(xiàn)(如“010101…”)的位數(shù)據(jù)序列是理想的。
圖5A到5C是說明在諸如HDD之類的系統(tǒng)中的驗(yàn)證過程的示意圖。
在圖5A中，在獲取“密鑰A”時，驗(yàn)證區(qū)域20的ROM位26，即，從圖的左側(cè)開始的第三和第六記錄位被作為等于該數(shù)據(jù)位前面的位讀取。即，“0111000”被作為“密鑰A”獲取。
接下來，如圖5B所示，使用按“1010101”方式排列的位模式執(zhí)行改寫擦除，“1”和“0”交替出現(xiàn)。
然后，在讀出“密鑰B”的情況下，如圖5C所示，由于假設(shè)ROM位26等于緊前面的位，因此，獲取“1000111”作為“密鑰B”。
如此，由于“密鑰B”充當(dāng)與改寫擦除模式“1010101”的不同的位數(shù)據(jù)，如果使用此改寫模式，則可以區(qū)別它與復(fù)制的介質(zhì)上復(fù)制的識別區(qū)域生成的“密鑰B”，因此作為復(fù)制保護(hù)措施而發(fā)揮作用。
如此，至于在進(jìn)行“改寫擦除”時使用的改寫模式，根據(jù)系統(tǒng)的如何讀取RAM位24和ROM位26的特征相應(yīng)地確定是理想的。即，相應(yīng)地選擇是讓改寫模式成為相同位數(shù)據(jù)的繼續(xù)，還是讓它成為位數(shù)據(jù)的不同組合。此外，在此示例中，使用“11111111”和“1010101”作為改寫模式。然而，本發(fā)明不僅限于此，如果它成為改寫模式不同于“密鑰B”的位數(shù)據(jù)，則可以使用任何改寫模式。
(第三個示例)接下來，將講述使用具有兩個或更多驗(yàn)證區(qū)域的記錄介質(zhì)的示例本發(fā)明的第三個示例。
即，根據(jù)本發(fā)明的驗(yàn)證方法，在執(zhí)行驗(yàn)證方法的過程中包含的改寫擦除之后，則不可能調(diào)查在改寫擦除之前密鑰A的什么樣的信息被寫入到記錄介質(zhì)上的RAM位。因此，在本實(shí)施例中，在使用相同的驗(yàn)證區(qū)域時，沒有稍后將要講述的“恢復(fù)過程”，則不可能重復(fù)地進(jìn)行驗(yàn)證。
即，本實(shí)施例具有一個特點(diǎn)在不執(zhí)行“恢復(fù)過程”的情況下，使用一個驗(yàn)證區(qū)域的驗(yàn)證過程只能進(jìn)行一次。
如果使用了此特點(diǎn)，則可以限制對記錄在記錄介質(zhì)上的內(nèi)容的引用次數(shù)。
例如，假設(shè)記錄介質(zhì)10A的數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30上記錄了一個電影內(nèi)容，并且這些電影內(nèi)容經(jīng)過加密。并且，假設(shè)加密密鑰是使用“密鑰A”和“密鑰B”生成的，“密鑰A”和“密鑰B”也記錄在驗(yàn)證區(qū)域20上。
在再現(xiàn)此記錄介質(zhì)10A的電影內(nèi)容時，根據(jù)如上所述的過程對驗(yàn)證區(qū)域20執(zhí)行獲取“密鑰A”、“改寫擦除”和“密鑰B”的一系列過程。并且，獲取“密鑰A”和“密鑰B”，從這些密鑰中獲取加密密鑰，將內(nèi)容解密，并實(shí)現(xiàn)對內(nèi)容的訪問和再現(xiàn)。
然而，如果再次預(yù)先形成驗(yàn)證過程，由于已經(jīng)執(zhí)行了“改寫擦除”，因此獲取“密鑰A”不可能完成。
因此，不可能再一次執(zhí)行驗(yàn)證工作和訪問其內(nèi)容已經(jīng)被訪問了一次的介質(zhì)的內(nèi)容。即，可實(shí)現(xiàn)內(nèi)容只能被訪問一次的特點(diǎn)。
使用驗(yàn)證過程在直到一個驗(yàn)證區(qū)域執(zhí)行稍后將要講述的再現(xiàn)過程之前只能執(zhí)行一次的特點(diǎn)，如果制作了兩個或更多驗(yàn)證區(qū)域以對應(yīng)于一個內(nèi)容，可以提供訪問限制功能，在該功能中，只能對內(nèi)容訪問該驗(yàn)證區(qū)域的數(shù)量的次數(shù)。
圖6是說明具有兩個或更多驗(yàn)證區(qū)域的記錄介質(zhì)的示意圖。即，此示例的記錄介質(zhì)10B具有四個驗(yàn)證區(qū)域20A-20D。
例如，如果加密的電影內(nèi)容存儲在此記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30，“密鑰A”和“密鑰B”分別存儲在驗(yàn)證區(qū)域20A-20D，則可以執(zhí)行驗(yàn)證工作四次，即，再現(xiàn)電影內(nèi)容四次。
在這種情況下，存儲在驗(yàn)證區(qū)域中的四個“密鑰A”和“密鑰B”在四個驗(yàn)證區(qū)域20A-20D當(dāng)中完全相同或彼此不同。換句話說，每一個驗(yàn)證區(qū)域中的RAM位和ROM位的布局模式，對于每一個驗(yàn)證區(qū)域，RAM位上預(yù)記錄的信號可以完全相同或者可以不同。即，對于每個驗(yàn)證區(qū)域，“密鑰A”和“密鑰B”可以不同，或者對于每個驗(yàn)證區(qū)域相同。
此外，例如，如果一個內(nèi)容被分成兩個或更多章，驗(yàn)證區(qū)域20A-20D中的任何一個被分配給每一章，則在一段時間之后可以訪問每一章，而立即不訪問整個內(nèi)容。
此外，在本實(shí)施例中，至于在一個記錄介質(zhì)中設(shè)置的驗(yàn)證區(qū)域的數(shù)量或者布局，不僅限于圖6所示的示例，而可以根據(jù)用途相應(yīng)地確定。
(第四個示例)接下來，將講述將驗(yàn)證區(qū)域返回到改寫擦除之前的狀態(tài)的“恢復(fù)過程”作為本發(fā)明的第四示例。
在本實(shí)施例的記錄介質(zhì)中，在執(zhí)行驗(yàn)證過程之后的驗(yàn)證區(qū)域被認(rèn)為是執(zhí)行改寫擦除的狀態(tài)，如上文參考圖3A到5C所述的。因此，對于此狀態(tài)，驗(yàn)證過程不可再重復(fù)一次。
然后，如果“密鑰A”的數(shù)據(jù)在驗(yàn)證區(qū)域再寫入一次，則可以再次執(zhí)行驗(yàn)證過程。這樣的寫入“密鑰A”的過程叫做“恢復(fù)過程”。此恢復(fù)過程可以使用如圖2所示的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)執(zhí)行。
當(dāng)記錄介質(zhì)上的驗(yàn)證區(qū)域的位置已知時(例如，確定了在上面排列了驗(yàn)證區(qū)域的磁道、扇區(qū)時)，可以通過簡單的寫入過程執(zhí)行恢復(fù)過程。
另一方面，當(dāng)記錄介質(zhì)上的驗(yàn)證區(qū)域的位置未知時，則必須通過讓RAM位24和ROM位26的布局成為線索來查找介質(zhì)上的驗(yàn)證區(qū)域。因此，在這種情況下，需要這樣的一個記錄系統(tǒng)，對于該記錄系統(tǒng)，可以區(qū)別和標(biāo)識記錄介質(zhì)上的RAM位和ROM位的記錄系統(tǒng)，可以在相應(yīng)的時間之后判斷識別區(qū)域，可以寫入預(yù)先確定的“密鑰A”。
圖7是顯示應(yīng)用了恢復(fù)過程的示例的示意圖。即，此圖顯示了一個視頻出租商店500的恢復(fù)過程。
視頻出租商店500具有帶有本發(fā)明的驗(yàn)證區(qū)域的記錄介質(zhì)10，以及可以恢復(fù)此驗(yàn)證區(qū)域的恢復(fù)設(shè)備51。
另一方面，用戶600具有可以執(zhí)行本發(fā)明的驗(yàn)證工作的播放設(shè)備S2。
在視頻出租商店500，具有恢復(fù)設(shè)備S1恢復(fù)的驗(yàn)證區(qū)域的記錄介質(zhì)10被出租給用戶600。
在用用戶擁有的播放設(shè)備52讀取出租的記錄介質(zhì)10時，用戶600需要執(zhí)行驗(yàn)證工作以便訪問加密內(nèi)容。用戶600執(zhí)行驗(yàn)證工作，從“密鑰A”和“密鑰B”獲取加密密鑰，并訪問內(nèi)容。
由于一旦執(zhí)行了驗(yàn)證工作即執(zhí)行用于執(zhí)行驗(yàn)證工作的驗(yàn)證區(qū)域的改寫擦除，則不可能再次按照原樣執(zhí)行驗(yàn)證工作。
由于用戶600擁有的播放設(shè)備S2在驗(yàn)證可以對對應(yīng)于驗(yàn)證區(qū)域的數(shù)據(jù)進(jìn)行解密的時候讀取播放設(shè)備S2存儲密鑰的任意次數(shù)，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明中的禁止兩次或更多次驗(yàn)證的任務(wù)是不利的。因此，具有能夠消除在本發(fā)明中的用戶的播放設(shè)備S2中的驗(yàn)證區(qū)域保存讀取的“密鑰A”和“密鑰B”的存儲器是理想的。
至于刪除此“密鑰A”和“密鑰B”的存儲，在某種固定現(xiàn)象發(fā)生時執(zhí)行是理想的。播放設(shè)備S2刪除“密鑰A”和“密鑰B”的時間可以是，例如，完成從配備有驗(yàn)證區(qū)域的記錄介質(zhì)10讀取所有數(shù)據(jù)的時間，從播放設(shè)備S2選出其記錄介質(zhì)的時間，使用完播放設(shè)備S2的時間，或者按下停止開關(guān)和電源關(guān)閉開關(guān)時。然而，播放設(shè)備S2刪除“密鑰A”和“密鑰B”的時間不僅限于上述的時間。
用戶600在引用內(nèi)容之后將記錄介質(zhì)10返還到視頻出租商店500。在視頻出租商店500，可以再次為用戶提供記錄介質(zhì)10，此記錄介質(zhì)10的狀態(tài)為，通過將返還的記錄介質(zhì)10的驗(yàn)證區(qū)域返回到可以再次用恢復(fù)設(shè)備S1獲取“密鑰A”的狀態(tài)，可以再次執(zhí)行驗(yàn)證工作。
(第五個示例)接下來，將給出并講述本發(fā)明的記錄介質(zhì)的制造方法作為本發(fā)明的第五個示例。
本發(fā)明中的驗(yàn)證區(qū)域是一個RAM位24和ROM位26混合的區(qū)域。作為一個創(chuàng)建此區(qū)域的方法，舉例如下首先，在記錄介質(zhì)上以預(yù)先確定的間隔創(chuàng)建RAM位布局的方法，其次，將特定的RAM位改變?yōu)闊o法通過執(zhí)行破壞或所有權(quán)修改的ROM位。通過此技術(shù)，由于介質(zhì)的驗(yàn)證區(qū)域是直接形成的，可以為每個介質(zhì)創(chuàng)建不同的驗(yàn)證區(qū)域，與稍后將講述的第六個示例不同。
下面將參考附圖講述此示例的記錄介質(zhì)的制造方法。
圖8A到8F是顯示此示例中的記錄介質(zhì)的制造方法的過程剖面圖。
首先，如圖8A所示，將鎳鍍到原始記錄介質(zhì)102中，并形成壓模104。即，在大小比介質(zhì)大小較大的的硅襯底上涂敷一個電子束保護(hù)層，通過電子束拖拉在介質(zhì)的位的位置形成保護(hù)層的開口。
然后，執(zhí)行RIE(活性離子蝕刻)過程，并創(chuàng)建具有凹形點(diǎn)模式102D的原始記錄介質(zhì)102。對此原始記錄介質(zhì)102執(zhí)行鎳的電鑄過程，形成由鎳制成的壓模104。鎳壓模104具有對應(yīng)于介質(zhì)的位的位置的凸?fàn)畈糠?04P。
接下來，如圖8B所示，在玻璃襯底106上形成厚度大約為30nm的Pt反射膜108，厚度大約為50nm的Al203薄膜110，并使它們成為一個矩陣，以及厚度大約為50nm的保護(hù)膜112。使用納光刻技術(shù)并用壓模104壓保護(hù)膜212的表面來處理保護(hù)層112表面，形成對應(yīng)于介質(zhì)的位的位置的凹口112D。接下來，如圖8C所示，保護(hù)膜112由RIE蝕刻，在矩陣薄膜110上轉(zhuǎn)移保護(hù)層112的表面形狀。即，由矩陣薄膜110的表面轉(zhuǎn)移對應(yīng)于介質(zhì)的位的位置的凹口110D。
接下來，如圖8D所示，形成RAM位24，并對表面進(jìn)行平滑處理。即，通過作為薄膜構(gòu)成厚度大約為30nm的相變材料In-Sb-Te并在孔中嵌入來形成RAM位24。
然后，通過CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)來對表面進(jìn)行拋光，并進(jìn)行平滑處理。
圖9A是顯示漸漸消失的光學(xué)顯微鏡觀察到的以這種方法構(gòu)成的樣品的表面的結(jié)果的示意圖。如圖9A所示，RAM位24位于A1203矩陣110中的等間隔的線上。
然后，通過在RAM位24的上面的集合的形成之后讓RAM位的部分成為ROM位來形成ROM位。即，如圖8E所示，ROM位26通過除去特定的RAM位來形成。在獲得的記錄介質(zhì)上，在磁道上排列的預(yù)先確定的區(qū)域的八個RAM位24的部分被認(rèn)為是驗(yàn)證區(qū)域20，通過電子束加熱法將此部分的預(yù)先確定的RAM位24的In-Sb-Te加熱，并除去。在它上面形成保護(hù)膜114。
或者，如圖8F所示，可以在除去RAM位的部分嵌入不同的材料以便使其成為ROM位26。例如，可以在除去RAM位24的部分嵌入保護(hù)膜114或任何其他材料。
圖9B是顯示漸漸消失的光學(xué)顯微鏡觀察到的以這種方法構(gòu)成的樣品的表面的結(jié)果的示意圖。在矩陣110中觀察到了其中RAM位24和ROM位26的記錄區(qū)域30和驗(yàn)證區(qū)域20。
驗(yàn)證區(qū)域20的第一位、第二位、第四位、第五位、第七位和第八位與記錄區(qū)域的RAM位24相同的RAM位24。驗(yàn)證區(qū)域20的第三位和第六位是通過除去相變材料形成的ROM位26。
圖10和11是顯示記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)的主要部分作為可以再現(xiàn)此示例的記錄介質(zhì)的相變光記錄播放設(shè)備的示意圖。
即，圖10是顯示一種記錄介質(zhì)和光學(xué)記錄播放設(shè)備的磁頭滑動器的剖面圖。此示例的記錄介質(zhì)141具有記錄層，該記錄層具有記錄磁道帶，其中RAM位24在玻璃襯底106和保護(hù)層114上執(zhí)行規(guī)則布局。
此記錄介質(zhì)141配備有主軸電機(jī)142，并隨來自控制部分(未顯示)的控制信號而旋轉(zhuǎn)。在磁頭滑動器143的頂部提供了激光器共振類型的檢測讀出磁頭144和場振動類型的激光寫入磁頭145。
磁頭滑動器143的位置由未顯示的兩步傳動器確定。
圖11是顯示磁頭滑動器中提供的微小開口的平面結(jié)構(gòu)的圖表。這里，讀出磁頭144的微小開口的長度大約為35nm，寬度大約為20nm。這里，寫入磁頭145的微小開口的長度大約為20nm，寬度大約為20nm。
此記錄播放設(shè)備可以執(zhí)行尋道操作、獲取“密鑰A”、改寫擦除、獲取“密鑰B”、記錄有關(guān)其他記錄位的讀出、跟蹤讀出磁頭，避免寫入到有缺陷的區(qū)域，模式化記錄介質(zhì)141的RAM位24和ROM位26，以及其他記錄位。
作為對使用此記錄播放設(shè)備的此示例的記錄介質(zhì)采用如上所述的第一個示例的技術(shù)并使用改寫擦除模式“11111111”執(zhí)行驗(yàn)證過程的結(jié)果，會獲得“密鑰A”和“密鑰B”。
此外，通過將此記錄介質(zhì)復(fù)制到RAM介質(zhì)形成的復(fù)制介質(zhì)，已經(jīng)檢查它不能再現(xiàn)。
(第六個示例)接下來，將給出并講述本發(fā)明的記錄介質(zhì)的另一個制造方法作為本發(fā)明的第六個示例。
即，在此示例中，在未形成記錄介質(zhì)上的位的區(qū)域，以特定的布局將RAM位24創(chuàng)建為特定的部分，將未形成RAM位24的部分制成ROM位26。
具體來說，以納印記技術(shù)在原始記錄創(chuàng)建的情況下繪制驗(yàn)證區(qū)域。按照此技術(shù)，所有從原始記錄介質(zhì)獲取的壓模和從這些壓模獲取的記錄介質(zhì)都具有相同模式的驗(yàn)證區(qū)域。
圖12A到12D是顯示此示例中的記錄介質(zhì)的制造方法的主要部分的過程剖面圖。
首先，在硅襯底上涂一層保護(hù)層，并通過電子束拖拉將位模式拉成介質(zhì)的RAM位部分。此時，位模式?jīng)]有被拉成相當(dāng)于驗(yàn)證區(qū)域的ROM位的部分。
對此硅襯底執(zhí)行RIE處理，并形成原始記錄介質(zhì)102。在原始記錄介質(zhì)102的表面，在對應(yīng)于RAM位的部分提供了凸出部分102P，在對應(yīng)于ROM位的部分提供了平坦部分102F。如圖12A所示，對此原始記錄介質(zhì)102執(zhí)行鎳的電鑄過程，形成壓模104。
壓模104具有凹口對應(yīng)于RAM位的104D。此外，在對應(yīng)于ROM位的部分形成平坦部分104F。
接下來，如圖12B所示，轉(zhuǎn)移壓模104的模式。即，作為薄膜在玻璃襯底106上形成磁層116，該磁層由其厚度大約為30nm的Pd基極層108和其厚度大約為50nm的垂直磁記錄材料CoCrPt構(gòu)成。
此外，作為薄膜在磁層116上形成其厚度大約為50nm的保護(hù)膜112。將壓模104壓入此表面，用納光刻技術(shù)處理保護(hù)膜112，轉(zhuǎn)移其對應(yīng)于RAM位的部分作為凸出部分112P的點(diǎn)模式。
接下來，如圖12C所示，通過Ar離子蝕刻技術(shù)蝕刻抗蝕圖112和磁層116，并形成由CoCrPt構(gòu)成的磁體點(diǎn)24。接下來，如圖12D所示，在磁性點(diǎn)24之間形成矩陣110，并對表面進(jìn)行平滑處理。即，通過在整個表面上形成其厚度大約為50nm的SiO2薄膜作為薄膜并在磁體點(diǎn)磁體24之間嵌入來形成矩陣110。然后，通過CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)來對SiO2薄膜的表面進(jìn)行拋光，并進(jìn)行平滑處理。在整個表面上作為薄膜形成類金剛石的碳(DLC)作為保護(hù)膜114。
如圖13所示，當(dāng)使用MFM(磁力顯微鏡)觀察此襯底表面時，可以觀察到記錄區(qū)域30和驗(yàn)證區(qū)域20。在記錄區(qū)域30中，RAM位24有規(guī)則地位于矩陣110中的一條線上。在驗(yàn)證區(qū)域20，可以觀察到可以以磁性方式寫入的矩陣區(qū)域110和RAM位24。
此外，在驗(yàn)證區(qū)域20中，在對應(yīng)于無法寫入的ROM位的部分不存在RAM位24的點(diǎn)，但可以觀察到，被矩陣110覆蓋。
接下來，將參考圖14和15講述記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)作為再現(xiàn)此示例的記錄介質(zhì)的磁記錄播放設(shè)備。
圖14是顯示此示例的記錄介質(zhì)和磁記錄播放設(shè)備的磁頭滑動器的剖面圖。
一種記錄介質(zhì)具有記錄層和保護(hù)層114，在玻璃襯底106上形成了記錄磁道帶，在該帶中，磁體點(diǎn)24執(zhí)行規(guī)則布局。對應(yīng)于每一個記錄磁道帶和地址號碼和扇區(qū)號碼和信息預(yù)先寫入構(gòu)成了中間帶的磁層中。
讀出磁頭71和寫入磁頭72在磁頭滑動器70的頂部。磁頭滑動器70由兩步傳動器(未顯示)定位。
圖15是顯示磁頭滑動器70的平面結(jié)構(gòu)的輪廓圖。至于GMR讀出磁頭71和單磁極寫入磁頭72的大小，長度大約為30nm，寬度大約為20nm。
如上所述，通過對此示例的記錄介質(zhì)使用已經(jīng)講述的磁記錄播放設(shè)備并使用與如上所述的第二示例相同的技術(shù)，當(dāng)使用改寫擦除模式“01010101”獲取“密鑰A”和“密鑰B”。此外，通過按照原樣復(fù)制此記錄介質(zhì)形成的RAM磁體媒質(zhì)，已經(jīng)檢查它不能再現(xiàn)。
(第七個示例)接下來，作為本發(fā)明的第七個示例，將講述一種記錄介質(zhì)，由光刻方法在通常的CD-R(可記錄光盤)的記錄磁道的內(nèi)圓周內(nèi)部提供了相變RAM位(其中可以進(jìn)行光學(xué)記錄)作為驗(yàn)證區(qū)域20。
圖16是顯示此示例的記錄介質(zhì)的示意圖。
首先，向距離一次寫入光盤的數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30只有1mm的內(nèi)圓周的區(qū)域涂一層保護(hù)層，該光盤結(jié)構(gòu)與市面上能買到的CD-R的結(jié)構(gòu)相同。
然后，形成具有位模式的點(diǎn)的孔，通過對此保護(hù)膜應(yīng)用光刻技術(shù)，產(chǎn)生用于獲得本發(fā)明的密鑰的信號。
接下來，通過濺射方法向此區(qū)域?qū)盈B相變材料In-Sb-Te，用相變材料嵌入上述的孔。
最后，作為通過除去方法除去整個保護(hù)膜的結(jié)果，除去了除RAM位24之外的包括在孔上層疊的相變材料In-Sb-Te的所有材料，由CD-R光盤的內(nèi)圓周獲取驗(yàn)證區(qū)域20。
與如上所述的第一示例或第五示例相同的“密鑰A”的位數(shù)據(jù)由光學(xué)頭用這樣方法記錄獲取的驗(yàn)證區(qū)域20上。
此外，使用以前形成的“密鑰A”和單獨(dú)建立的“密鑰B”并通過加密過程加密的活動圖像文件數(shù)據(jù)記錄在此CD-R上的記錄區(qū)域。
直到此時，本文參考示例講述了本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明不僅限于這些特定的示例。
例如，本發(fā)明的記錄介質(zhì)的形狀不僅限于圖1A或圖6顯示的光盤的形狀，而且還包括各種形狀，如卡片形狀，磁帶形狀，以及膠片形狀。
圖17是說明類似于卡片的記錄介質(zhì)的示意圖。即，在圖17所示的記錄介質(zhì)10D中，在由有機(jī)材料等等制成的卡片的表面上提供了驗(yàn)證區(qū)域20和數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30。
在驗(yàn)證區(qū)域20中，RAM位和ROM位相應(yīng)地組合在一起。此外，在數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30，由RAM或ROM系統(tǒng)記錄數(shù)據(jù)。至于記錄再現(xiàn)系統(tǒng)，也可以使用包括磁性、光學(xué)和光磁性系統(tǒng)在內(nèi)的各種系統(tǒng)。
圖18是顯示管理這樣的卡片形狀的記錄介質(zhì)的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)的示意圖。即，在這種情況下還提供了可以相應(yīng)地在記錄介質(zhì)10的數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30和驗(yàn)證區(qū)域20執(zhí)行數(shù)據(jù)的讀取和寫入的磁頭200。
此磁頭200由控制部分300控制，并可以執(zhí)行包括上文針對圖2所描述的一系列步驟的驗(yàn)證過程。
圖19是顯示使用半導(dǎo)體存儲器和磁性材料存儲器的記錄介質(zhì)的示意圖。
即，記錄介質(zhì)10E是使用諸如硅(Si)和砷化鎵(GaAs)之類的半導(dǎo)體制成的半導(dǎo)體存儲器設(shè)備，或者使用諸如GMR(巨型磁電阻效應(yīng))和TMR(隧道磁電阻效應(yīng))之類的磁效應(yīng)的磁存儲器設(shè)備，并提供驗(yàn)證區(qū)域20和數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30。
在驗(yàn)證區(qū)域20，由RAM類型的存儲器元件構(gòu)成的RAM位，以及由ROM類型的存儲器元件構(gòu)成的ROM位被相應(yīng)地組合在一起。
此外，在數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30中，RAM類型的存儲器元件或ROM類型的存儲器元件積聚在一起，由RAM系統(tǒng)或ROM系統(tǒng)記錄數(shù)據(jù)?？梢允褂肈RAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)、FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲器)、MRAM(磁性隨機(jī)存取存儲器)、E2PROM(電可擦可編程序只讀存儲器)作為RAM類型的半導(dǎo)體存儲器元件或磁存儲器元件。
可以使用SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)和掩模ROM作為ROM類型半導(dǎo)體存儲器元件。可以在半導(dǎo)體襯底上積聚和構(gòu)成這些半導(dǎo)體存儲器元件，以像上述的實(shí)施例那樣連續(xù)地讀出由每一個存儲器元件存儲的信息，執(zhí)行驗(yàn)證等等。
圖20是顯示管理圖19中顯示的記錄介質(zhì)的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)的示意圖。即，此管理系統(tǒng)具有由連接器等等可移動地連接到記錄介質(zhì)10的讀出和寫入部分200，以及控制此操作的控制部分300。
讀出和寫入部分200可以具有選擇裝置，用于選擇以矩陣形式排列的存儲器元件、讀出放大器和偏差源中的任何一個，以便進(jìn)行讀取(再現(xiàn))，以及電壓(電流)印痕裝置，用于寫入(記錄)。
在記錄介質(zhì)10E的記錄再現(xiàn)中，驗(yàn)證區(qū)域20中提供的RAM位和ROM位的數(shù)據(jù)被像上述的實(shí)施例那樣連續(xù)地讀出，獲取“密鑰A”，在相應(yīng)的時間之后對預(yù)先確定的數(shù)據(jù)執(zhí)行驗(yàn)證區(qū)域20的改寫擦除。
然后，通過掃描驗(yàn)證區(qū)域20獲取“密鑰B”。
控制部分300可以基于這些“密鑰A”和“密鑰B”管理對數(shù)據(jù)存儲區(qū)域30的訪問權(quán)限或解密。
雖然為了更好地理解本發(fā)明是通過實(shí)施例來對本發(fā)明進(jìn)行描述的，但是應(yīng)該理解，在不偏離本發(fā)明的原理的情況下，本發(fā)明可以以各種方式實(shí)施。因此，本發(fā)明應(yīng)該包括在不偏離所附的權(quán)利要求所闡述的本發(fā)明的原理的情況下所有可能的實(shí)施例和對所顯示的實(shí)施例的修改。
權(quán)利要求
1.一種記錄介質(zhì)，包括具有RAM位和ROM位的驗(yàn)證區(qū)域，RAM位可以被第一寫入條件至少改寫一次數(shù)據(jù)，ROM位不能被第一條件改寫數(shù)據(jù)；以及數(shù)據(jù)存儲區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，進(jìn)一步包括包圍RAM位和ROM位的非記錄區(qū)域，并且非記錄區(qū)域不能被第一寫入條件改寫數(shù)據(jù)。
3.一種記錄介質(zhì)管理方法，包括從記錄介質(zhì)的驗(yàn)證區(qū)域獲取第一數(shù)據(jù)線，驗(yàn)證區(qū)域包括RAM位和ROM位的第一數(shù)據(jù)模式，第一數(shù)據(jù)線對應(yīng)于第一數(shù)據(jù)模式，RAM位可以被第一寫入條件至少改寫一次數(shù)據(jù)，ROM位不能被第一寫入條件改寫數(shù)據(jù)。將預(yù)先確定的數(shù)據(jù)改寫到RAM位；從記錄介質(zhì)獲取第二數(shù)據(jù)線，第二數(shù)據(jù)線對應(yīng)于被改寫的RAM位和ROM位的第二數(shù)據(jù)模式，以及根據(jù)第一和第二數(shù)據(jù)線將記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)域中存儲的加密數(shù)據(jù)解密。
4.一種記錄介質(zhì)管理方法，包括從記錄介質(zhì)的驗(yàn)證區(qū)域獲取第一數(shù)據(jù)線，驗(yàn)證區(qū)域包括RAM位和ROM位的第一數(shù)據(jù)模式，第一數(shù)據(jù)線對應(yīng)于第一數(shù)據(jù)模式，RAM位可以被第一寫入條件至少改寫一次數(shù)據(jù)，ROM位不能被第一寫入條件改寫數(shù)據(jù)，將預(yù)先確定的數(shù)據(jù)改寫到RAM位；從記錄介質(zhì)獲取第二數(shù)據(jù)線，第二數(shù)據(jù)線對應(yīng)于被改寫的RAM位和ROM位的第二數(shù)據(jù)模式，以及根據(jù)第一和第二數(shù)據(jù)線判斷對記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)域的訪問權(quán)限。
5.一種記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，包括再現(xiàn)部分；記錄部分；以及控制部分，用于執(zhí)行第一控制以通過讓再現(xiàn)部分讀取具有驗(yàn)證區(qū)域的記錄介質(zhì)的RAM位和ROM位的數(shù)據(jù)來基于RAM位和ROM位的布置獲取第一數(shù)據(jù)，該驗(yàn)證區(qū)域具有RAM位和ROM位，RAM位可以被第一寫入條件至少改寫一次數(shù)據(jù)，ROM位不能被第一條件改寫數(shù)據(jù)；第二控制以讓記錄部分將預(yù)先確定的數(shù)據(jù)改寫到RAM位；第三控制以通過讓再現(xiàn)部分讀取RAM位和ROM位的數(shù)據(jù)基于RAM位和ROM位的布置獲取第二數(shù)據(jù)；以及第四控制以基于第一和第二數(shù)據(jù)對記錄介質(zhì)執(zhí)行驗(yàn)證。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，其特征在于，驗(yàn)證是對記錄介質(zhì)中存儲的加密數(shù)據(jù)的解密過程。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，其特征在于，驗(yàn)證是對記錄介質(zhì)中存儲的訪問權(quán)限的判斷。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，其特征在于，預(yù)先確定的數(shù)據(jù)只包括二進(jìn)制值中的任何一個。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，其特征在于，預(yù)先確定的數(shù)據(jù)具有一個序列，在該序列中，其中一個二進(jìn)制值和另一個二進(jìn)制值交替出現(xiàn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，其特征在于記錄介質(zhì)具有許多驗(yàn)證區(qū)域，以及控制部分根據(jù)每一個驗(yàn)證區(qū)域執(zhí)行第一到第四控制。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，進(jìn)一步包括一個存儲器用于存儲獲取的第一和第二數(shù)據(jù)中的至少一個，控制部分執(zhí)行第五控制以擦除存儲器中存儲的第一和第二數(shù)據(jù)中的至少一個。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，其特征在于，控制部分在讀取對應(yīng)于要被擦除的數(shù)據(jù)的記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)域預(yù)先確定的次數(shù)之后執(zhí)行第五控制。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，其特征在于，控制部分在記錄介質(zhì)從記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)中取出時執(zhí)行第五控制。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，其特征在于，控制部分在獲取第一或第二數(shù)據(jù)之后預(yù)先確定的時間逝去之后執(zhí)行第五控制。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，其特征在于，控制部分在使用完記錄介質(zhì)時執(zhí)行第五控制。
16.根據(jù)權(quán)利要求5所述的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，進(jìn)一步包括一個存儲器用于存儲獲取的第一和第二數(shù)據(jù)中的至少一個，控制部分執(zhí)行第五控制以擦除存儲器中存儲的第一和第二數(shù)據(jù)中的至少一個。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，其特征在于，控制部分在讀取對應(yīng)于要被擦除的數(shù)據(jù)的記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)域預(yù)先確定的次數(shù)之后執(zhí)行第五控制。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，其特征在于，控制部分在記錄介質(zhì)從記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)中取出時執(zhí)行第五控制。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，其特征在于，控制部分在獲取第一或第二數(shù)據(jù)之后，經(jīng)過一段預(yù)先確定的時間之后執(zhí)行第五控制。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，其特征在于，控制部分在使用完記錄介質(zhì)時執(zhí)行第五控制。
21.根據(jù)權(quán)利要求5所述的記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，其特征在于，控制部分執(zhí)行第六控制以讓記錄部分將數(shù)據(jù)改寫到RAM位以便在對記錄介質(zhì)執(zhí)行第一控制時獲取第一數(shù)據(jù)。
全文摘要
一種記錄介質(zhì)管理系統(tǒng)，包括再現(xiàn)部分；記錄部分；以及控制部分?？刂撇糠謭?zhí)行第一到第四控制。第一控制是通過讓再現(xiàn)部分讀取驗(yàn)證區(qū)域來從記錄介質(zhì)的驗(yàn)證區(qū)域獲取第一數(shù)據(jù)線，驗(yàn)證區(qū)域包括RAM位和ROM位的第一數(shù)據(jù)模式，第一數(shù)據(jù)線對應(yīng)于第一數(shù)據(jù)模式，RAM位可以被第一寫入條件至少改寫一次數(shù)據(jù)，ROM位不能被第一寫入條件改寫數(shù)據(jù)。第二控制是讓記錄部分將預(yù)先確定的數(shù)據(jù)改寫到RAM位。第三控制是從記錄介質(zhì)獲取第二數(shù)據(jù)線，第二數(shù)據(jù)線對應(yīng)于被改寫的RAM位和ROM位的第二數(shù)據(jù)模式。第四控制是根據(jù)第一和第二數(shù)據(jù)線對記錄介質(zhì)執(zhí)行驗(yàn)證。
文檔編號G11B7/004GK1471100SQ0314847
公開日2004年1月28日 申請日期2003年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月28日
發(fā)明者櫻井正敏, 鎌田芳幸, 內(nèi)藤勝之, 之, 幸 申請人:株式會社東芝