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光記錄重放方法和光記錄媒體的制作方法

文檔序號(hào):6751423閱讀:206來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:光記錄重放方法和光記錄媒體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光記錄媒體和使用它的光記錄重放方法。
眾所周知,在ROM型光記錄媒體中,一般是通過(guò)制造階段基板上形成的預(yù)置坑來(lái)記錄數(shù)據(jù),在重寫型光記錄媒體中,例如使用相變化材料作為記錄層的材料,一般利用基于其相狀態(tài)變化的光學(xué)特性變化來(lái)記錄數(shù)據(jù)。
相反,在追加型光記錄媒體中,作為記錄層的材料,一般使用花青系色素、酞花青系色素、偶氮色素等有機(jī)色素,利用基于其化學(xué)變化(根據(jù)情況施加化學(xué)變化并伴隨物理性變形)的光學(xué)特性變化來(lái)記錄數(shù)據(jù)。
但是,有機(jī)色素因日光等照射而惡化,所以在使用有機(jī)色素作為記錄層的材料時(shí),難以提高長(zhǎng)期保存的可靠性。在追加型光記錄媒體中,為了提高長(zhǎng)期保存的可靠性,最好由有機(jī)色素以外的材料來(lái)構(gòu)成記錄層。作為由有機(jī)色素以外的材料來(lái)構(gòu)成記錄層的例子,如(日本)特開昭62-204442號(hào)公報(bào)記載的那樣,已知疊層兩層反應(yīng)層并將其用作記錄層的技術(shù)。
另一方面,近年來(lái),提出了使數(shù)據(jù)的記錄密度提高,并且可實(shí)現(xiàn)非常高的數(shù)據(jù)傳輸速率的下一代光記錄媒體。在這種下一代光記錄媒體中,為了實(shí)現(xiàn)大容量-高數(shù)據(jù)傳輸速率,必然將用于數(shù)據(jù)記錄-重放的激光束的束點(diǎn)直徑壓縮得非常小。這里,為了縮小束點(diǎn)直徑,需要使用于將激光束進(jìn)行聚焦的物鏡的數(shù)值孔徑(NA)在0.7以上,例如增大到0.85左右,同時(shí)使激光束的波長(zhǎng)λ在450nm以下,例如縮短到400nm左右。
但是,如果將用于聚焦激光束的物鏡高NA化,則產(chǎn)生光記錄媒體的彎曲和傾斜的容許度、即傾斜余量非常小的問(wèn)題。設(shè)用于記錄-重放的激光束的波長(zhǎng)為λ,作為激光束光路的透光層(透明基體)的厚度為a,則傾斜余量T可用以下的式(1)表示。
T=λ/d·NA3(1)從式(1)可知,物鏡的NA越大,傾斜余量會(huì)越小。此外,設(shè)產(chǎn)生波面像差(慧形像差)的透光層(透明基體)的折射率為n,傾角為θ,則波面像差系數(shù)W可用以下的式(2)表示。
W={d·(n2-1)·n2·sinθ·cosθ·(NA)2}/{2λ(n2-sin2θ)3/2}(2)從式(1)和式(2)可知,為了增大傾斜余量,并且抑制慧形像差的產(chǎn)生,減小被記錄-重放中使用的激光束入射的透光層(透明基體)的厚度d是非常有效的。
根據(jù)這樣的理由,在下一代的光記錄媒體中,為了確保充分的傾斜余量,并且抑制產(chǎn)生慧形像差,需要使透光層(透明基體)的厚度薄至100μm左右。因此,在下一代的光記錄媒體中,難以在如CD和DVD等現(xiàn)行的光記錄媒體那樣的透光層(透明基體)上形成記錄層等,正在研究在基體上形成的記錄層等上根據(jù)旋轉(zhuǎn)涂敷法等形成薄的樹脂層來(lái)作為透光層(透明基體)的方法。因此,在下一代的光記錄媒體的制作中,與從光入射側(cè)依次進(jìn)行成膜的現(xiàn)行的光記錄媒體不同,從光入射面的相反側(cè)依次進(jìn)行成膜。
但是,將由兩層反應(yīng)層來(lái)構(gòu)成如下一代光記錄媒體那樣形成在基體上的記錄層的情況,與通過(guò)兩層反應(yīng)層來(lái)構(gòu)成如CD和DVD等現(xiàn)行的光記錄媒體那樣形成在透光層(透明基體)上的記錄層的情況相比,信號(hào)重放時(shí)產(chǎn)生的噪聲電平容易增大(C/N比容易變小)的問(wèn)題明顯。
另一方面,因近年來(lái)對(duì)地球環(huán)境關(guān)注的提高,所以作為光記錄媒體的記錄層的材料,也期望選擇環(huán)境負(fù)擔(dān)更小的材料。而且,為了提高長(zhǎng)期保存的可靠性,作為光記錄媒體的記錄層材料,期望選擇對(duì)腐蝕-變質(zhì)等具有充分抗性的材料。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供在下一代光記錄媒體的記錄重放系統(tǒng)中特別有用的新的光記錄重放方法和光記錄媒體。
本發(fā)明人深入研究的結(jié)果,發(fā)現(xiàn)使用Sn和ZnS等環(huán)保型材料,可用簡(jiǎn)單的膜結(jié)構(gòu)進(jìn)行良好的光記錄-重放。
即,根據(jù)以下的本發(fā)明,可實(shí)現(xiàn)上述目的。
(1)一種光記錄重放方法,其特征在于,對(duì)在基板上至少混合記錄輔助材料和電介質(zhì)材料形成的記錄層,從外部照射按照要被記錄的信息進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的激光束,通過(guò)使所述電介質(zhì)材料的至少一部分產(chǎn)生狀態(tài)變化,使光學(xué)特性變化而進(jìn)行信息記錄,并且,讀取隨著該光學(xué)特性變化的反射率的變化,重放所述信息。
(2)一種光記錄重放方法,其特征在于,對(duì)在基板上至少混合記錄輔助材料和電介質(zhì)材料形成的記錄層,從外部照射按照要被記錄的信息進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的激光束,通過(guò)使所述記錄輔助材料的至少一部分產(chǎn)生狀態(tài)變化,使光學(xué)特性變化而進(jìn)行信息記錄,并且,讀取隨著該光學(xué)特性變化的反射率的變化,重放所述信息。
(3)一種光記錄重放方法,其特征在于,對(duì)在基板上至少混合記錄輔助材料和電介質(zhì)材料形成的記錄層,從外部照射按照要被記錄的信息進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的激光束,通過(guò)使所述電介質(zhì)材料的至少一部分和所述記錄輔助材料的至少一部分產(chǎn)生狀態(tài)變化,使光學(xué)特性變化而進(jìn)行信息記錄,并且,讀取伴隨該光學(xué)特性變化的反射率的變化,重放所述信息。
(4)如(1)、(2)或(3)的光記錄重放方法,其特征在于,所述電介質(zhì)材料和記錄輔助材料的至少一方的狀態(tài)變化是結(jié)晶生長(zhǎng)。
(5)一種光記錄媒體,其特征在于,包括基板;至少將記錄輔助材料和電介質(zhì)材料混合并設(shè)置在所述基板上的記錄層;從外部向該記錄層照射按照要被記錄的信息進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的激光束,通過(guò)所述記錄輔助材料的至少一部分產(chǎn)生狀態(tài)變化,使光學(xué)特性變化而記錄信息,并且通過(guò)讀取伴隨該光學(xué)特性變化的反射率的變化,可進(jìn)行所述信息的重放。
(6)一種光記錄媒體,其特征在于,包括基板;至少將含有狀態(tài)變化促進(jìn)材料的記錄輔助材料和含有引起狀態(tài)變化的母材的電介質(zhì)材料混合并設(shè)置在所述基板上的記錄層;從外部向該記錄層照射按照要被記錄的信息進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的激光束,通過(guò)所述母材的至少一部分產(chǎn)生狀態(tài)變化,使光學(xué)特性變化而記錄信息,并且,通過(guò)讀取伴隨該光學(xué)特性變化的反射率的變化,可進(jìn)行所述信息的重放。
(7)一種光記錄媒體,其特征在于,包括基板;至少將含有狀態(tài)變化促進(jìn)材料的記錄輔助材料和含有引起狀態(tài)變化的母材的電介質(zhì)材料混合并設(shè)置在所述基板上的記錄層;從外部向該記錄層照射按照要被記錄的信息進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的激光束,通過(guò)所述記錄輔助材料的至少一部分和所述電介質(zhì)材料的至少一部分產(chǎn)生狀態(tài)變化,使光學(xué)特性變化而記錄信息,并且,通過(guò)讀取伴隨該光學(xué)特性變化的反射率的變化,可進(jìn)行所述信息的重放。
(8)一種光記錄媒體,其特征在于,包括基板;至少將記錄輔助材料和電介質(zhì)材料混合并設(shè)置在所述基板上的記錄層;所述記錄輔助材料至少包含從Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag、Al、Nb、Au、Cu、Ta中選擇的一種元素,并將其作為主要成分。
(9)如權(quán)利要求8的光記錄媒體,其特征在于,所述電介質(zhì)材料至少包含從Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、Ta2O5、SiC、MgO、MgF、LaSiON、Si3N4、TiO2、InSnO構(gòu)成的組中選擇的一種材料,并將其作為主要成分。
圖2表示本發(fā)明實(shí)施方式第2例的光記錄媒體的模式圖。
圖3A表示例1的光記錄媒體中的未記錄部分的X射線衍射結(jié)果的曲線圖。
圖3B表示記錄部分的X射線衍射結(jié)果的曲線圖。
實(shí)施例的光記錄媒體10為追記型,如

圖1所示,由基板12、在基板12上混合記錄輔助材料和電介質(zhì)材料形成的記錄層18、以及在該記錄層18上設(shè)置的透光層20構(gòu)成。對(duì)于具有這樣結(jié)構(gòu)的光記錄媒體10,通過(guò)從透光層20側(cè)照射激光束LB來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄/重放。
基板12具有作為確保光記錄媒體10所需要的機(jī)械強(qiáng)度的基體的作用,在其表面上設(shè)置溝22和/或島24。這些溝22和島24具有進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄和重放情況下的激光束的導(dǎo)向軌跡作用。
基板12的厚度被設(shè)定為約1.1mm,作為其材料,可使用各種材料,例如,可使用玻璃、陶瓷、或樹脂。其中,從成形容易性的觀點(diǎn)來(lái)看,樹脂最好。作為這樣的樹脂,可列舉出聚碳酸酯樹脂、丙烯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅酮樹脂、氟系樹脂、ABD樹脂、聚氨酯樹脂等。其中,從加工性等方面來(lái)看,最好是聚碳酸酯樹脂。
電介質(zhì)材料作為母材,由包含狀態(tài)變化材料構(gòu)成,這種材料通過(guò)激光束照射等的能量,可使光反射率等光學(xué)特性變化。
作為所述母材的電介質(zhì)材料,不限定于引起狀態(tài)變化的材料,例如可將氧化物、硫化物、氮化物或它們的組合用作主要成分。更具體地說(shuō),最好是將從Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、Ta2O5、SiC、MgO、MgF、LaSiON、Si3N4、 TiO2、InSnO構(gòu)成的組中選擇的至少一種電介質(zhì)材料作為主要成分,以ZnS-SiO2構(gòu)成的電介質(zhì)作為主要成分更好。
再有,‘以…材料作為主要成分’是指所述材料的含有率最大。而‘ZnS-SiO2’指ZnS和SiO2的混合物。
此外,記錄層18的層厚度沒有特別限定,但最好為3~200nm。如果其層厚度低于3nm,則即使是電介質(zhì)材料中的母材的充分的狀態(tài)變化,除了不能獲得作為層整體的光反射率等光學(xué)特性的充分變化以外,作為信號(hào)的C/N也不充分。另一方面,如果層厚度超過(guò)200nm,則成膜時(shí)間變長(zhǎng),有生產(chǎn)率下降的危險(xiǎn),并且,因使?fàn)顟B(tài)變化而需要很多熱量,而且因電介質(zhì)材料具有的應(yīng)力而有發(fā)生破裂的危險(xiǎn)。
所述記錄輔助材料是促進(jìn)母材反應(yīng)的材料,如上所述,與電介質(zhì)材料混合,但如果照射具有規(guī)定以上功率的激光束,則通過(guò)其熱量,構(gòu)成記錄輔助材料的元素對(duì)電介質(zhì)材料產(chǎn)生影響,通過(guò)電介質(zhì)材料局部或整體地產(chǎn)生狀態(tài)變化(例如,非晶體向晶體轉(zhuǎn)移)而成為記錄標(biāo)記。所述記錄輔助材料還伴隨有自身的狀態(tài)變化(例如結(jié)晶生長(zhǎng))。這種情況下,通過(guò)該變化,可以期待提高C/N。
此時(shí),在記錄層18中,記錄標(biāo)記的形成部分和其以外的部分對(duì)于重放光的光學(xué)特性極大地不同,所以可利用這種不同來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄-重放。該狀態(tài)可用X射線衍射或透過(guò)型電子顯微鏡來(lái)確認(rèn)。
所述記錄輔助材料將從Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag、Al、Nb、Au、Cu、Ta中選擇的至少一個(gè)元素作為主要成分。
這里所說(shuō)的主要成分最好占有構(gòu)成記錄輔助材料的元素的50%以上,更好是80原子%。
如果在50原子%以下,則使電介質(zhì)材料變化的效果不充分,C/N會(huì)減小。而且,因記錄容易引起膜自身的損壞等,保存可靠性惡化。
而且,為了將用于良好地進(jìn)行電介質(zhì)層的狀態(tài)變化所需的激光束的功率抑制到某一程度以下,最好是在80原子%以上。
透光層20是構(gòu)成激光束的入射面,并且成為激光束的光路的層,作為其厚度,最好設(shè)定為10~300μm,設(shè)定為50~150μm更好。作為透光層20的材料,沒有特別限定,但最好使用丙烯系或環(huán)氧系等紫外線固化型樹脂。此外,也可以使用透光性樹脂構(gòu)成的透光性片和各種粘接劑或粘結(jié)劑來(lái)形成透光層20,取代使紫外線型固化樹脂的膜。
下面,說(shuō)明上述光記錄媒體10的制造方法的一例。
首先,在形成了溝22和島24的基板12上形成記錄層18。例如可以采用包含電介質(zhì)材料和記錄輔助材料的構(gòu)成元素的化學(xué)種子的汽相生長(zhǎng)法。作為這樣的汽相生長(zhǎng)法,例如可列舉出真空鍍敷法、濺射法等。這種情況下,可以同時(shí)使用混合了電介質(zhì)材料和記錄輔助材料的化學(xué)種子,或也可以依次使用它們。
最后,在所述記錄層18上形成透光層20。透光層20例如通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂敷法等來(lái)覆蓋粘度調(diào)整后的丙烯系或環(huán)氧系的紫外線固化型樹脂,可以通過(guò)照射紫外線進(jìn)行固化等方法來(lái)形成。由此,完成光記錄媒體的制造。
再有,上述光記錄媒體的制造方法不限定于上述制造方法,也可以使用在公知的光記錄媒體的制造中采用的制造技術(shù)。
下面,說(shuō)明使用上述光記錄媒體10的光記錄重放方法。
對(duì)于光記錄媒體10,從透光層20側(cè)入射具有規(guī)定輸出的激光束LB并照射到記錄層18。此時(shí),最好是用于聚焦激光束LB的物鏡26的數(shù)值孔徑(NA)在0.7以上,在0.85左右更好,激光束LB的波長(zhǎng)λ最好在450nm以下,在405nm左右更好。這樣,可以使λ/NA<640nm。
通過(guò)照射這樣的激光束LB,構(gòu)成記錄層18的記錄輔助材料被激光束LB加熱,對(duì)與其相鄰的電介質(zhì)材料產(chǎn)生影響,促進(jìn)狀態(tài)變化(例如從非結(jié)晶向結(jié)晶的變化),形成記錄標(biāo)記。
此時(shí),記錄輔助材料本身也增大結(jié)晶。而且,該結(jié)晶化比電介質(zhì)材料的結(jié)晶化大。
形成了記錄標(biāo)記的部分的光學(xué)特性與其以外的部分(未記錄區(qū)域)的光學(xué)特性十分不同。因此,通過(guò)照射用于讀取的激光束時(shí)的記錄標(biāo)記部分和其以外部分的反射率不同,可以進(jìn)行數(shù)據(jù)的重放。即,利用光學(xué)特性的調(diào)制,可以進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄-重放。
本發(fā)明不限定于以上的實(shí)施方式,可在被記述在權(quán)利要求范圍中的發(fā)明范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更,不用說(shuō),這些變更也被包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
此外,在上述實(shí)施方式的光記錄媒體10中,記錄層18由單層構(gòu)成,但本發(fā)明的光記錄媒體不限定于此,只要是具有相同的效果,也可以由兩層以上的層來(lái)構(gòu)成。
而且,在上述實(shí)施方式中使用的光記錄媒體10中,在基板12上未配有反射層,但也可以如圖2所示的光記錄媒體30那樣,設(shè)置反射層32,以便充分增大形成了記錄標(biāo)記的區(qū)域中的反射光電平和未記錄區(qū)域中的反射光電平。
反射層32具有反射從透光層20側(cè)入射的激光束,并再次從透光層20射出的作用,作為其厚度,最好設(shè)定為5~300nm,設(shè)定為10~200nm更好。反射層32的材料只要是可反射激光束,就沒有特別限制,例如,可以使用Mg、Al、Ti、Cr、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Ag、Pt、Au等。在它們當(dāng)中,從具有高反射率來(lái)看,最好使用Al、Au、Ag、Cu或它們的合金(Ag和Cu的合金等)等金屬材料。通過(guò)設(shè)置反射層32,在光記錄后,通過(guò)多重干涉效應(yīng),可容易獲得大的重放信號(hào)(C/N比)。
例和比較例以下,使用例子更具體地說(shuō)明本發(fā)明,但本發(fā)明不限于這些例子。
(例1)根據(jù)以下所示的步驟,制作光記錄媒體。
首先,將厚度1.1mm、直徑120mm的聚碳酸酯基板放置在濺射裝置中,在該聚碳酸酯基板的光反射層上,同時(shí)濺射ZnS和SiO2的混合物構(gòu)成的電介質(zhì)材料、Sn構(gòu)成的記錄輔助材料,形成層厚度為10nm的記錄層。記錄輔助材料和ZnS-SiO2(80∶20)分別按摩爾比50∶50來(lái)設(shè)計(jì)。
接著,在記錄層上,通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂敷法來(lái)涂敷丙烯系紫外線固化型樹脂,照射紫外線并形成透光層(層厚度100μm)。
再有,在第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層中ZnS和SiO2的摩爾比為ZnS∶SiO2=80∶20。
(例2、3)例2、3是將例1中的Sn分別改變?yōu)锳g、Ti。
(比較例)比較例是制作記錄層僅由Sn構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)的光記錄媒體。
(例4~12)不設(shè)置電介質(zhì)層來(lái)制作記錄層為單層結(jié)構(gòu)的光記錄媒體。記錄層通過(guò)ZnS∶SiO2=80∶20和Mg、Nb、Bi、Mg、Au、Al、Au、Cu、Ta、Si各種金屬或半金屬的混合來(lái)制作。
(例13~34)對(duì)于例4~12,在各種材料中改變?yōu)閆nS∶SiO2=80∶20,混合Mg(例13~17)、Ti(例18~25)、Sn(例26、27)、Nb(例28~30)、或Al(例31~34)來(lái)制作光記錄媒體。
(例35~37)不設(shè)置電介質(zhì)層來(lái)制作記錄層為單層結(jié)構(gòu)的光記錄媒體。記錄層通過(guò)各種材料和Zn的混合來(lái)制作。各種材料為ZnS、ZnO、ZnS∶SiO2(80∶20)。
分別制作上述光記錄媒體,并將其分別放置在光盤評(píng)價(jià)裝置(商品名DDU1000,パルステック社制)。然后,對(duì)于各光記錄媒體,在用于記錄的激光束的波長(zhǎng)為藍(lán)色波長(zhǎng)區(qū)域(405nm),物鏡的NA(數(shù)值孔徑)為0.85時(shí),將該激光束用記錄頭內(nèi)的聚焦透鏡從透光層側(cè)聚焦在光記錄媒體上,進(jìn)行光記錄。
此時(shí)的記錄信號(hào)條件設(shè)為調(diào)制方式(1,7)RLL;信道位長(zhǎng)度0.12μm;記錄線速度5.3m/s;信道時(shí)鐘66MHz;記錄信號(hào)8T。
接著,對(duì)于各例和各比較例中制作的構(gòu)成記錄層的輔助材料和電介質(zhì)層材料的、作為記錄層整體的層厚度不同的光記錄媒體,使用上述光盤評(píng)價(jià)裝置來(lái)重放記錄的信息,測(cè)定此時(shí)的重放信號(hào)的C/N比的值。這里,在重放裝置中,用于重放的激光束的波長(zhǎng)為405nm,物鏡的NA(數(shù)值孔徑)為0.85,激光束輸出為0.3mW。
表1~表6表示其結(jié)果。
表1


表2


表3


表4


表5



表6


從這些表1~6所示的結(jié)果可知,在例1~37中,通過(guò)混合電介質(zhì)材料和記錄輔助材料來(lái)進(jìn)行記錄,可獲良好的C/N。
通過(guò)對(duì)ZnS-SiO2(80∶20)+Sn(10nm)進(jìn)行X射線衍射并分析記錄部分和未記錄部分的結(jié)果,在記錄前可看到Sn的結(jié)晶,但在記錄后,可看到ZnS、Sn兩者的結(jié)晶。此外,用透過(guò)型電子顯微鏡,也可確認(rèn)在記錄標(biāo)記部分中ZnS和Sn的結(jié)晶生長(zhǎng)。
在該X射線衍射中,X射線使用Cu-Kα,陰極管電壓=50kV,陰極管電流=300mA。衍射峰值的鑒定是與JCPD卡進(jìn)行核對(duì)。例如,β-Sn是04-0673號(hào)的材料,通過(guò)與其核對(duì),可知β-Sn的衍射位置。
通過(guò)X射線衍射來(lái)對(duì)例1(ZnS-SiO2(80∶20)/Sn/混合型)的結(jié)構(gòu)中記錄部分和未記錄部分進(jìn)行解析(參照?qǐng)D3A、圖3B)。
在未記錄時(shí)(圖3A),可看到β-Sn的衍射峰值,對(duì)于ZnS,幾乎看不到衍射峰值。由此可知Sn為晶體。記錄后(圖3B),可明顯看到ZnS的尖銳的衍射峰值,可知產(chǎn)生了結(jié)晶。此外,ZnS的衍射峰值多次出現(xiàn),通過(guò)記錄,可知在進(jìn)行ZnS的結(jié)晶。
如以上說(shuō)明,根據(jù)本發(fā)明的光記錄重放方法和光記錄媒體,以減小對(duì)環(huán)境產(chǎn)生的負(fù)荷并且簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu),可以通過(guò)至今還沒有的新的方法來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄-重放。
權(quán)利要求
1.一種光記錄重放方法,其特征在于,對(duì)在基板上至少混合記錄輔助材料和電介質(zhì)材料形成的記錄層,從外部照射按照要被記錄的信息進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的激光束,通過(guò)使所述電介質(zhì)材料的至少一部分產(chǎn)生狀態(tài)變化,使光學(xué)特性變化而進(jìn)行信息記錄,并且,讀取隨著該光學(xué)特性變化的反射率的變化,重放所述信息。
2.一種光記錄重放方法,其特征在于,對(duì)在基板上至少混合記錄輔助材料和電介質(zhì)材料形成的記錄層,從外部照射按照要被記錄的信息進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的激光束,通過(guò)使所述記錄輔助材料的至少一部分產(chǎn)生狀態(tài)變化,使光學(xué)特性變化而進(jìn)行信息記錄,并且,讀取隨著該光學(xué)特性變化的反射率的變化,重放所述信息。
3.一種光記錄重放方法,其特征在于,對(duì)在基板上至少混合記錄輔助材料和電介質(zhì)材料形成的記錄層,從外部照射按照要被記錄的信息進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的激光束,通過(guò)使所述電介質(zhì)材料的至少一部分和所述記錄輔助材料的至少一部分產(chǎn)生狀態(tài)變化,使光學(xué)特性變化而進(jìn)行信息記錄,并且,讀取伴隨該光學(xué)特性變化的反射率的變化,重放所述信息。
4.如權(quán)利要求1、2或3的光記錄重放方法,其特征在于,所述電介質(zhì)材料和記錄輔助材料的至少一方的狀態(tài)變化是結(jié)晶生長(zhǎng)。
5.一種光記錄媒體,其特征在于,包括基板;至少將記錄輔助材料和電介質(zhì)材料混合并設(shè)置在所述基板上的記錄層;從外部向該記錄層照射按照要被記錄的信息進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的激光束,通過(guò)所述記錄輔助材料的至少一部分產(chǎn)生狀態(tài)變化,使光學(xué)特性變化而記錄信息,并且通過(guò)讀取伴隨該光學(xué)特性變化的反射率的變化,可進(jìn)行所述信息的重放。
6.一種光記錄媒體,其特征在于,包括基板;至少將含有狀態(tài)變化促進(jìn)材料的記錄輔助材料和含有引起狀態(tài)變化的母材的電介質(zhì)材料混合并設(shè)置在所述基板上的記錄層;從外部向該記錄層照射按照要被記錄的信息進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的激光束,通過(guò)所述母材的至少一部分產(chǎn)生狀態(tài)變化,使光學(xué)特性變化而記錄信息,并且,通過(guò)讀取伴隨該光學(xué)特性變化的反射率的變化,可進(jìn)行所述信息的重放。
7.一種光記錄媒體,其特征在于,包括基板;至少將含有狀態(tài)變化促進(jìn)材料的記錄輔助材料和含有引起狀態(tài)變化的母材的電介質(zhì)材料混合并設(shè)置在所述基板上的記錄層;從外部向該記錄層照射按照要被記錄的信息進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的激光束,通過(guò)所述記錄輔助材料的至少一部分和所述電介質(zhì)材料的至少一部分產(chǎn)生狀態(tài)變化,使光學(xué)特性變化而記錄信息,并且,通過(guò)讀取伴隨該光學(xué)特性變化的反射率的變化,可進(jìn)行所述信息的重放。
8.一種光記錄媒體,其特征在于,包括基板;至少將記錄輔助材料和電介質(zhì)材料混合并設(shè)置在所述基板上的記錄層;所述記錄輔助材料至少包含從Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag、Al、Nb、Au、Cu、Ta中選擇的一種元素,并將其作為主要成分。
9.如權(quán)利要求8的光記錄媒體,其特征在于,所述電介質(zhì)材料至少包含從Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、Ta2O5、SiC、MgO、MgF、LaSiON、Si3N4、TiO2、InSnO構(gòu)成的組中選擇的一種材料,并將其作為主要成分。
全文摘要
一種光記錄重放方法和光記錄媒體,在環(huán)保型材料構(gòu)成的記錄層中,可以用簡(jiǎn)單的膜結(jié)構(gòu)進(jìn)行良好的光記錄。光記錄媒體(10)在基板(12)上有混合電介質(zhì)材料和記錄輔助材料形成的記錄層(18),照射按照要被記錄的信息進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的激光束,使記錄輔助材料和/或電介質(zhì)材料產(chǎn)生狀態(tài)變化,并使反射率等光學(xué)特性變化,可進(jìn)行信息記錄。記錄輔助材料(16)以Sn、Ti、Bi、Ge、C等中的任一元素作為主要成分,而作為電介質(zhì)層(14A、14B)中母材的電介質(zhì)材料由包含ZnS、SiO
文檔編號(hào)G11B7/243GK1469362SQ0313799
公開日2004年1月21日 申請(qǐng)日期2003年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月3日
發(fā)明者井上弘康, 三島康兒, 兒, 貴, 青島正貴, 平田秀樹, 樹, 宇都宮肇, 肇, 新井均, 知, 田中美知 申請(qǐng)人:Tdk股份有限公司
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