專(zhuān)利名稱(chēng)：光記錄重放方法和光記錄媒體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光記錄媒體和使用它的光記錄重放方法。
眾所周知，在ROM型光記錄媒體中，一般是通過(guò)制造階段基板上形成的預(yù)置坑來(lái)記錄數(shù)據(jù)，在重寫(xiě)型光記錄媒體中，例如使用相變化材料作為記錄層的材料，一般利用基于其相狀態(tài)變化的光學(xué)特性變化來(lái)記錄數(shù)據(jù)。
相反，在追記型光記錄媒體中，作為記錄層的材料，一般使用花青系色素、酞花青系色素、偶氮色素等有機(jī)色素，利用基于其化學(xué)變化(根據(jù)情況施加化學(xué)變化并伴隨物理性變形)的光學(xué)特性變化來(lái)記錄數(shù)據(jù)。
但是，有機(jī)色素因日光等照射而惡化，所以在使用有機(jī)色素作為記錄層的材料時(shí)，難以提高長(zhǎng)期保存的可靠性。在追記型光記錄媒體中，為了提高長(zhǎng)期保存的可靠性，最好由有機(jī)色素以外的材料來(lái)構(gòu)成記錄層。作為由有機(jī)色素以外的材料來(lái)構(gòu)成記錄層的例子，如(日本)特開(kāi)昭62-204442號(hào)公報(bào)記載的那樣，已知疊層兩層反應(yīng)層并將其用作記錄層的技術(shù)。
另一方面，近年來(lái)，提出了使數(shù)據(jù)的記錄密度提高，并且可實(shí)現(xiàn)非常高的數(shù)據(jù)傳輸速率的下一代光記錄媒體。在這種下一代光記錄媒體中，為了實(shí)現(xiàn)大容量-高數(shù)據(jù)傳輸速率，必然將用于數(shù)據(jù)記錄-重放的激光束的束點(diǎn)直徑壓縮得非常小。這里，為了縮小束點(diǎn)直徑，需要使用于將激光束進(jìn)行聚焦的物鏡的數(shù)值孔徑(NA)在0.7以上，例如增大到0.85左右，同時(shí)使激光束的波長(zhǎng)λ在450nm以下，例如縮短到400nm左右。
但是，如果將用于聚焦激光束的物鏡高NA化，則產(chǎn)生光記錄媒體的彎曲和傾斜的容許度、即傾斜余量非常小的問(wèn)題。設(shè)用于記錄-重放的激光束的波長(zhǎng)為λ，作為激光束光路的透光層(透明基體)的厚度為a，則傾斜余量T可用以下的式(1)表示。
T＝λ/d·NA3(1)從式(1)可知，物鏡的NA越大，傾斜余量會(huì)越小。此外，設(shè)產(chǎn)生波面像差(慧形像差)的透光層(透明基體)的折射率為n，傾角為θ，則波面像差系數(shù)W可用以下的式(2)表示。
W＝{d·(n2-1)·n2·sinθ·cosθ·(NA)2}/{2λ(n2-sin2θ)3/2} (2)從式(1)和式(2)可知，為了增大傾斜余量，并且抑制慧形像差的產(chǎn)生，減小記錄-重放中使用的激光束入射的透光層(透明基體)的厚度d是非常有效的。
根據(jù)這樣的理由，在下一代的光記錄媒體中，為了確保充分的傾斜余量，并且抑制慧形像差的產(chǎn)生，需要使透光層(透明基體)的厚度薄到100μm左右。因此，在下一代的光記錄媒體中，難以在如現(xiàn)行的光記錄媒體那樣的透光層(透明基體)上形成記錄層，正在研究在基體上形成的記錄層等上根據(jù)旋轉(zhuǎn)涂敷法等形成薄的樹(shù)脂層來(lái)作為透光層(透明基體)的方法。因此，在下一代的光記錄媒體的制作中，與從光入射側(cè)依次進(jìn)行成膜的現(xiàn)行的光記錄媒體不同，從光入射面的相反側(cè)依次進(jìn)行成膜。
但是，將由兩層反應(yīng)層來(lái)構(gòu)成如下一代光記錄媒體那樣形成在基體上的記錄層的情況，與通過(guò)兩層反應(yīng)層來(lái)構(gòu)成如CD和DVD等現(xiàn)行的光記錄媒體那樣形成在透光層(透明基體)上的記錄層的情況相比，信號(hào)重放時(shí)產(chǎn)生的噪聲電平容易增大(C/N比容易變小)的問(wèn)題明顯。
另一方面，因近年來(lái)對(duì)地球環(huán)境關(guān)注的提高，所以作為光記錄媒體的記錄層的材料，也期望選擇環(huán)境負(fù)擔(dān)更小的材料。而且，為了提高長(zhǎng)期保存的可靠性，作為光記錄媒體的記錄層材料，期望選擇對(duì)腐蝕-變質(zhì)等具有充分抗性的材料。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供在下一代光記錄媒體的記錄重放系統(tǒng)中特別有用的新的光記錄重放方法和光記錄媒體。
本發(fā)明人深入研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)使用Sn和ZnS等環(huán)保型材料，可用簡(jiǎn)單的膜結(jié)構(gòu)進(jìn)行良好的光記錄-重放。
即，根據(jù)以下的本發(fā)明，可實(shí)現(xiàn)上述目的。
(1)一種光記錄重放方法，其特征在于，在基板上，對(duì)于至少使記錄輔助層和電介質(zhì)層相鄰存在所形成的記錄層，從外部照射按照要被記錄的信息進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的激光束，通過(guò)使所述電介質(zhì)層的至少一部分產(chǎn)生狀態(tài)變化來(lái)改變光學(xué)特性而記錄信息，并且讀取伴隨該光學(xué)特性變化的反射率的變化，重放所述信息。
(2)如(1)的光記錄重放方法，其特征在于，所述電介質(zhì)層的狀態(tài)變化是結(jié)晶生長(zhǎng)。
(3)一種光記錄重放方法，包括基板、以及至少包含在基板上相鄰設(shè)置的記錄輔助層和電介質(zhì)層的記錄層，其特征在于，所述電介質(zhì)層包含引起狀態(tài)變化的母材，所述記錄輔助層包含狀態(tài)變化促進(jìn)材料，通過(guò)從外部向其照射按照要被記錄的信息進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的激光束，使該母材產(chǎn)生狀態(tài)變化，由激光束使反射率產(chǎn)生可讀取的變化，可進(jìn)行所述信息的重放。
(4)一種光記錄媒體，包括基板；以及至少包含在所述基板上相鄰設(shè)置的記錄輔助層和電介質(zhì)層的記錄層；其特征在于，所述記錄輔助層包含從Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag中選擇的至少一種元素，且將其作為主要成分。
(5)如(3)或(4)的光記錄媒體，其特征在于，所述電介質(zhì)層將從Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、Si3N4、Ta2O5及SiC構(gòu)成的組中選擇的至少一種電介質(zhì)材料作為主要成分。
(6)一種光記錄媒體，包括基板；以及記錄層，至少相鄰設(shè)置在所述基板上，包含記錄輔助材料和電介質(zhì)材料；其特征在于，所述記錄輔助層包含將從Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Ag中選擇的至少一種元素作為主要成分。
(7)如(6)的光記錄媒體，其特征在于，所述電介質(zhì)層將包含從Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、Ta2O5及SiC構(gòu)成的組中選擇的至少一種電介質(zhì)材料作為主要成分。
圖2表示本發(fā)明實(shí)施方式第2例的光記錄媒體的模式圖。
圖3表示本發(fā)明實(shí)施方式第3例的光記錄媒體的模式圖。
圖4A表示例1的光記錄媒體中的未記錄部分的X射線(xiàn)衍射結(jié)果的曲線(xiàn)圖。
圖4B表示記錄部分的X射線(xiàn)衍射結(jié)果的曲線(xiàn)圖。
圖5A表示例4的光記錄媒體中的未記錄部分的X射線(xiàn)衍射結(jié)果的曲線(xiàn)圖。
圖5B表示例4的光存儲(chǔ)媒體中的記錄部分的X射線(xiàn)衍射結(jié)果的曲線(xiàn)圖。
實(shí)施例的光記錄重放方法中使用的光記錄媒體10為追記型，如

圖1所示，由基板12、在基板12上設(shè)置的記錄層18、以及在記錄層18上設(shè)置的透光層20構(gòu)成，其中，記錄層18具有記錄輔助層14和相鄰于其兩側(cè)的電介質(zhì)層16A、16B。此外，在光存儲(chǔ)媒體10的中央部分設(shè)置孔。對(duì)于具有這樣結(jié)構(gòu)的光記錄媒體10，通過(guò)從透光層20側(cè)照射激光束LB來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄/重放。再有，也可以?xún)H在記錄輔助層14一方上設(shè)置電介質(zhì)層16A或16B。
基板12具有作為確保光記錄媒體10所需要的機(jī)械強(qiáng)度的基體的作用，在其表面上設(shè)置溝22和/或島24。這些溝22和島24具有進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄和重放情況下的激光束的導(dǎo)向軌跡作用。
基板12的厚度被設(shè)定為約1.1mm，作為其材料，可使用各種材料，例如，可使用玻璃、陶瓷、或樹(shù)脂。其中，從成形容易性的觀點(diǎn)來(lái)看，樹(shù)脂最好。作為這樣的樹(shù)脂，可列舉出聚碳酸酯樹(shù)脂、丙烯樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、聚苯乙烯樹(shù)脂、聚乙烯樹(shù)脂、聚丙烯樹(shù)脂、硅酮樹(shù)脂、氟系樹(shù)脂、ABD樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂等。其中，從加工性等方面來(lái)看，最好是聚碳酸酯樹(shù)脂。
所述電介質(zhì)層16A、16B作為母材，由包含狀態(tài)變化材料構(gòu)成，這種材料通過(guò)激光束照射等的能量，使光反射率等光學(xué)特性變化。
作為所述母材的電介質(zhì)材料，只要是產(chǎn)生狀態(tài)變化的材料即可，并無(wú)特別限定，例如可將氧化物、硫化物、氮化物或它們的組合用作主要成分。更具體地說(shuō)，最好是將從Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、Si3N4、Ta2O5、SiC構(gòu)成的組中選擇的至少一種電介質(zhì)材料作為主要成分，以ZnS-SiO2構(gòu)成的電介質(zhì)作為主要成分更好。
再有，‘以電介質(zhì)材料作為主要成分’是指所述電介質(zhì)材料的含有率最大。而‘ZnS-SiO2’指ZnS和SiO2的混合物。
此外，電介質(zhì)材料的層厚度沒(méi)有特別限定，但最好為5～200nm。如果其層厚度低于5nm，則即使是母材的充分的狀態(tài)變化，除了不能獲得作為層整體的光反射率等光學(xué)特性的充分變化以外，作為信號(hào)的C/N也不充分。另一方面，如果層厚度超過(guò)200nm，則成膜時(shí)間變長(zhǎng)，有生產(chǎn)率下降的危險(xiǎn)，而且，因電介質(zhì)層16A、16B具有的應(yīng)力，有發(fā)生破裂的危險(xiǎn)。此外，也有可能剩下不受所述記錄輔助層14影響的部分。
所述記錄輔助層14是促進(jìn)母材反應(yīng)的層，如上所述，至少在其一方中相鄰于電介質(zhì)層16A、16B，但如果照射具有規(guī)定以上功率的激光束，則通過(guò)其熱量，構(gòu)成記錄輔助層14的元素對(duì)電介質(zhì)層16A、16B產(chǎn)生影響，通過(guò)構(gòu)成電介質(zhì)層16A、16B的層局部或整體地產(chǎn)生狀態(tài)變化(例如，非晶體向晶體轉(zhuǎn)移)而成為記錄標(biāo)記。此時(shí)，在記錄層18中形成了記錄標(biāo)記的部分和其以外的部分對(duì)于重放光的光學(xué)特性極大不同，可以利用它進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄-重放。
此外，還可以伴有記錄輔助層中含有的記錄輔助材料自身的狀態(tài)變化(例如結(jié)晶生長(zhǎng))。這種情況下，通過(guò)該變化，可以期待C/N的提高。
所述記錄輔助層14將從Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag中選擇的至少一個(gè)元素作為主要成分。
這里所說(shuō)的主要成分最好占有構(gòu)成記錄輔助層14的元素的50％以上，更好是80原子％。
如果在50原子％以下，則使電介質(zhì)材料變化的效果不充分，C/N會(huì)減小。而且，記錄靈敏度變差，需要用大的激光功率進(jìn)行記錄，所以容易引起膜自身的損壞等，保存可靠性惡化。
而且，為了將用于良好地進(jìn)行電介質(zhì)層的狀態(tài)變化所需的激光束的功率抑制到某一程度以下，最好是在80原子％以上。
所述記錄輔助層14的層厚度有充分的層厚度，以便通過(guò)被照射激光束的束點(diǎn)而使電介質(zhì)層16A、16B變化，并且如果層積在必要層厚度以上，則最好為1～50nm，以便需要更多的熱量，而2～30nm更好。
透光層20是構(gòu)成激光束的入射面并且成為激光束的光路的層，作為其厚度，最好設(shè)定為10～300μm，設(shè)定為50～150μm更好。作為透光層20的材料，沒(méi)有特別限定，但最好使用丙烯系或環(huán)氧系等紫外線(xiàn)固化型樹(shù)脂。此外，也可以使用透光性樹(shù)脂構(gòu)成的透光性片和各種粘接劑或粘結(jié)劑來(lái)形成透光層20，取代使紫外線(xiàn)型固化樹(shù)脂的膜。
下面，說(shuō)明上述光記錄媒體10的制造方法的一例。
首先，在形成了溝22和島24的基板12上形成第2(從光入射側(cè)起為第2號(hào))電介質(zhì)層16B。在形成第2電介質(zhì)層16B時(shí)，例如可以采用包含第2電介質(zhì)層16B的構(gòu)成元素的化學(xué)種子的汽相生長(zhǎng)法。作為這樣的汽相生長(zhǎng)法，例如可列舉出真空鍍敷法、濺射法等。
接著，在第2電介質(zhì)層16B上形成記錄輔助層14。該記錄輔助層14也與第2電介質(zhì)層16B同樣，可以采用包含記錄輔助層14的構(gòu)成元素的化學(xué)種子的汽相生成法來(lái)形成。而且，在記錄輔助層14上形成第1(從光入射側(cè)起為第1號(hào))電介質(zhì)層16A。該第1電介質(zhì)層16A也可采用包含第1電介質(zhì)層16A的構(gòu)成元素的化學(xué)種子的汽相生長(zhǎng)法來(lái)形成。
最后，在第1電介質(zhì)層16A上形成透光層20。透光層20例如通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂敷法等來(lái)覆蓋粘度調(diào)整后的丙烯系或環(huán)氧系的紫外線(xiàn)固化型樹(shù)脂，可以通過(guò)照射紫外線(xiàn)進(jìn)行固化等方法來(lái)形成。由此，完成光記錄媒體的制造。
再有，上述光記錄媒體的制造方法不限定于上述制造方法，也可以使用在公知的光記錄媒體的制造中采用的制造技術(shù)。
下面，說(shuō)明使用上述光記錄媒體10的光記錄重放方法。
對(duì)于光記錄媒體10，從透光層20側(cè)入射具有規(guī)定輸出的激光束LB并照射到記錄輔助層14。此時(shí)，最好是用于聚焦激光束LB的物鏡26的數(shù)值孔徑(NA)在0.7以上，在0.85左右更好，激光束LB的波長(zhǎng)λ最好在450nm以下，在405nm左右更好。這樣，可以使λ/NA＜640nm。
通過(guò)照射這樣的激光束LB，構(gòu)成記錄輔助層14的元素被激光束LB加熱，對(duì)相鄰這些元素的電介質(zhì)層16A、16B產(chǎn)生影響，局部或整體地產(chǎn)生狀態(tài)變化(例如從非結(jié)晶向結(jié)晶的轉(zhuǎn)移)，形成記錄標(biāo)記。形成了記錄標(biāo)記的部分的光學(xué)特性與其以外的部分(未記錄區(qū)域)的光學(xué)特性十分不同。因此，通過(guò)照射用于讀取的激光束時(shí)的記錄標(biāo)記部分和其以外部分的反射率不同，可以進(jìn)行數(shù)據(jù)的重放。即，利用光學(xué)特性的調(diào)制，可以進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄-重放。
本發(fā)明不限定于以上的實(shí)施方式，可在記述在權(quán)利要求范圍中的發(fā)明范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更，不用說(shuō)，這些變更也被包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
例如，在上述實(shí)施方式的光記錄媒體10中，記錄輔助層14被夾置在第1和第2電介質(zhì)層16A、16B間，但如圖2所示的實(shí)施方式的第2例的光記錄媒體30那樣，也可以省略電介質(zhì)層16A或16B的一方來(lái)構(gòu)成記錄層32。
此外，在上述實(shí)施方式的光記錄媒體10、30中，記錄輔助層14由單層構(gòu)成，但本發(fā)明的光記錄媒體不限定于此，只要是具有相同的效果，也可以由兩層以上的層來(lái)構(gòu)成。
而且，在上述實(shí)施方式中使用的光記錄媒體10、30、40中，在基板12上未配有反射層，但也可以如圖4所示的光記錄媒體50那樣，設(shè)置反射層52，以便充分增大形成了記錄標(biāo)記的區(qū)域中的反射光電平和未記錄區(qū)域中的反射光電平。
反射層52具有反射從透光層20側(cè)入射的激光束，并再次從透光層20射出的作用，作為其厚度，最好設(shè)定為5～300nm，設(shè)定為10～200nm更好。反射層52的材料只要是可反射激光束就沒(méi)有特別限制，例如，可以使用Mg、Al、Ti、Cr、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Ag、Pt、Au等。在它們當(dāng)中，從具有高反射率來(lái)看，最好使用Al、Au、Ag、Cu或它們的合金(Ag和Cu的合金等)等金屬材料。通過(guò)設(shè)置反射層52，在光記錄后，通過(guò)多重干涉效應(yīng)，可容易獲得大的重放信號(hào)(C/N比)。
例和比較例以下，使用例子更具體地說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明不限于這些例子。
(例1～3)
根據(jù)以下所示的步驟，制作光記錄媒體。
首先，將厚度1.1mm、直徑120mm的聚碳酸酯基板放置在濺射裝置中，在該聚碳酸酯基板的光反射層(僅例2)上，按照濺射法依次形成ZnS和SiO2的混合物構(gòu)成的第2電介質(zhì)層、Sn構(gòu)成的狀態(tài)變化促進(jìn)層、ZnS和SiO2的混合物構(gòu)成的第1電介質(zhì)層(僅例1、2)。
接著，在第1電介質(zhì)層上，通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂敷法來(lái)涂敷丙烯系紫外線(xiàn)固化型樹(shù)脂，照射紫外線(xiàn)并形成透光層(層厚度100μm)。
再有，在第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層中ZnS和SiO2的摩爾比為ZnS∶SiO2＝80∶20。
(例4～14)電介質(zhì)層、基板、透光層與實(shí)施例1相同，將記錄輔助層作為Sn以外的各種金屬或半金屬制作光記錄媒體。
(比較例1～3)對(duì)于例4～14，僅改變記錄輔助層的材料，其他為同一條件制作光記錄媒體。
(例15～18)狀態(tài)變化促進(jìn)材料為Sn，改變電介質(zhì)層材料來(lái)制作光記錄媒體。
分別制作上述光記錄媒體，并將其分別放置在光盤(pán)評(píng)價(jià)裝置(商品名DDU1000，パ ルステツク社制)。然后，對(duì)于各光記錄媒體，在用于記錄的激光束的波長(zhǎng)為藍(lán)色波長(zhǎng)區(qū)域(405nm)，物鏡的NA(數(shù)值孔徑)為0.85時(shí)，將該激光束用記錄頭內(nèi)的聚焦透鏡從透光層側(cè)聚焦在光記錄媒體上，進(jìn)行光記錄。
此時(shí)的記錄信號(hào)條件設(shè)為調(diào)制方式(1，7)RLL；信道位長(zhǎng)度0.12μm；記錄線(xiàn)速度5.3m/s；信道時(shí)鐘66MHz；記錄信號(hào)8T。
接著，對(duì)于各例和各比較例中制作的狀態(tài)變化促進(jìn)材料的材料和層厚度及電介質(zhì)層的材料和層厚度不同的光記錄媒體，使用上述光盤(pán)評(píng)價(jià)裝置來(lái)重放記錄的信息，測(cè)定此時(shí)的重放信號(hào)的C/N比的值。這里，在重放裝置中，用于重放的激光束的波長(zhǎng)為405nm，物鏡的NA(數(shù)值孔徑)為0.85，激光束輸出為0.3mW。
表1～表4表示其結(jié)果。
表1


表2


表3


表4


從這些表所示的結(jié)果可知，在例1～18中，可獲得C/N比為35dB以上的良好結(jié)構(gòu)，使用這些光記錄媒體，可獲得可充分進(jìn)行光記錄-重放的結(jié)果。
在用透過(guò)型電子顯微鏡觀察例1的光存儲(chǔ)媒體的記錄-未記錄部分時(shí)，在記錄部分中可看到ZnS和Sn的結(jié)晶化。此外，即使在X射線(xiàn)衍射中，也可以確認(rèn)在記錄后ZnS和Sn的結(jié)晶化。
在該X射線(xiàn)衍射中，X射線(xiàn)使用Cu-Kα，陰極管電壓＝50kV，陰極管電流＝300mA。衍射峰值的鑒定是與JCPD卡進(jìn)行核對(duì)。例如，β-Sn是04-0673號(hào)的材料，通過(guò)于其核對(duì)，可知β-Sn的衍射位置。
通過(guò)X射線(xiàn)衍射來(lái)對(duì)例1(ZnS-SiO2(80∶20)/Sn/ZnS-SiO2(80∶20)疊層型)的結(jié)構(gòu)中記錄部分和未記錄部分進(jìn)行解析(參照?qǐng)D4A、圖4B)。
在未記錄時(shí)(圖4A)，可看到β-Sn的衍射峰值和ZnS的寬大的衍射峰值，由此可知Sn為晶體，ZnS是非晶體。記錄后(圖4B)，可明顯看到ZnS的尖銳的衍射峰值，可知產(chǎn)生了結(jié)晶。此外，對(duì)于Sn，也觀察β-Sn的衍射峰值，未觀察到SnO2、SnS的衍射峰值。
通過(guò)X射線(xiàn)衍射來(lái)對(duì)例4(80∶20/Ti/80∶20疊層型)結(jié)構(gòu)中記錄部分和未記錄部分進(jìn)行解析(參照?qǐng)D5A、5B)。
在未記錄時(shí)(圖5A)，可稍稍看到ZnS的寬大的衍射峰值，而對(duì)于Ti，則看不到衍射峰值。由此可知，ZnS為非結(jié)晶。記錄后(圖5B)可看到多個(gè)ZnS的衍射峰值，可知引起結(jié)晶化。此外，出現(xiàn)了Zn的衍射峰值，通過(guò)記錄可知，在進(jìn)行ZnS和Zn的結(jié)晶化。
如以上說(shuō)明，根據(jù)本發(fā)明的光記錄重放方法和光記錄媒體，以減小對(duì)環(huán)境產(chǎn)生的負(fù)荷并且簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，可以通過(guò)至今還沒(méi)有的新的方法來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄-重放。
權(quán)利要求
1.一種光記錄重放方法，其特征在于，在基板上，對(duì)于至少使記錄輔助層和電介質(zhì)層相鄰存在所形成的記錄層，從外部照射按照要被記錄的信息進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的激光束，通過(guò)使所述電介質(zhì)層的至少一部分產(chǎn)生狀態(tài)變化來(lái)改變光學(xué)特性而記錄信息，并且讀取伴隨該光學(xué)特性變化的反射率的變化，重放所述信息。
2.如權(quán)利要求1的光記錄重放方法，其特征在于，所述電介質(zhì)層的狀態(tài)變化是結(jié)晶生長(zhǎng)。
3.一種光記錄媒體，包括基板、以及至少包含在所述基板上相鄰設(shè)置的記錄輔助層和電介質(zhì)層的記錄層，其特征在于，所述電介質(zhì)層包含引起狀態(tài)變化的母材，所述記錄輔助層包含狀態(tài)變化促進(jìn)材料，通過(guò)從外部向其照射按照要被記錄的信息進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的激光束，使該母材產(chǎn)生狀態(tài)變化，由激光束使反射率產(chǎn)生可讀取的變化，可進(jìn)行所述信息的重放。
4.一種光記錄媒體，包括基板；以及至少包含在所述基板上相鄰設(shè)置的記錄輔助層和電介質(zhì)層的記錄層；其特征在于，所述記錄輔助層包含從Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag中選擇的至少一種元素，且將其作為主要成分。
5.如權(quán)利要求4的光記錄媒體，其特征在于，所述電介質(zhì)層將從Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、Si3N4、Ta2O5及SiC構(gòu)成的組中選擇的至少一種電介質(zhì)材料作為主要成分。
全文摘要
一種光記錄重放方法和光記錄媒體，在環(huán)保型材料構(gòu)成的記錄層中，可以用簡(jiǎn)單的膜結(jié)構(gòu)進(jìn)行良好的光記錄。光記錄媒體10在基板12上有由按照要被記錄的信息進(jìn)行了強(qiáng)度調(diào)制的作為能量的激光束而進(jìn)行狀態(tài)變化的一對(duì)電介質(zhì)層(14A、14B)，以及被它們夾置的記錄輔助層16構(gòu)成的記錄層18。記錄輔助層16以Sn、Ti、Bi、Ge、C等中的某一元素作為主要成分，而作為電介質(zhì)層(14A、14B)中母材的電介質(zhì)材料由包含ZnS、SiO
文檔編號(hào)G11B7/005GK1479295SQ0313704
公開(kāi)日2004年3月3日 申請(qǐng)日期2003年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月3日
發(fā)明者井上弘康, 三島康兒, 兒, 貴, 青島正貴, 平田秀樹(shù), 樹(shù), 宇都宮肇, 肇, 新井均, 知, 田中美知 申請(qǐng)人:Tdk股份有限公司