專(zhuān)利名稱(chēng)：可重寫(xiě)光記錄系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可重寫(xiě)光數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)，更特別地，本發(fā)明涉及磁光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，并且更加特別地涉及磁疇(domain)擴(kuò)展磁光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。
已經(jīng)提出了多種用于提高以磁光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)形式的可重寫(xiě)光記錄系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的方法。一種被稱(chēng)作激光脈沖磁場(chǎng)調(diào)制(LP-MFM)的技術(shù)可以在磁光存儲(chǔ)介質(zhì)上實(shí)現(xiàn)比被用來(lái)進(jìn)行記錄的光點(diǎn)的尺寸還要小很多的標(biāo)記。該標(biāo)記被記錄為一系列半月?tīng)畹拇糯女?。已?jīng)表明了例如使用0.6μm點(diǎn)實(shí)現(xiàn)的20nm磁疇的記錄的結(jié)果。但是，僅在可以實(shí)現(xiàn)如此小的尺寸的數(shù)據(jù)讀出的情況下，才可以獲得如此小的磁疇所帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。傳統(tǒng)的讀出技術(shù)使得介質(zhì)上可探測(cè)標(biāo)記的尺寸被限制為點(diǎn)尺寸的一半。
為了達(dá)到較高的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度而提出的用于從磁光存儲(chǔ)介質(zhì)讀出的其它技術(shù)包含磁光(MO)磁疇擴(kuò)展技術(shù)，例如首先由H.Awano、S.Ohnuki、H.Shirai和N.Ohta提出的MAMMOS(磁放大磁光系統(tǒng))(Applied Physics Letters 69，(1996)4257)。


圖1示意性地說(shuō)明了MAMMOS過(guò)程。在MAMMOS讀出期間，由聚焦激光束B(niǎo)對(duì)盤(pán)上的一個(gè)區(qū)磁疇進(jìn)行加熱。該盤(pán)包含多個(gè)不同的功能層，包含存儲(chǔ)層S和讀出或擴(kuò)展層E。該擴(kuò)展層的初始磁化方向?yàn)榇鎯?chǔ)層中的數(shù)據(jù)空間的方向，而該存儲(chǔ)層還包含按照與該方向相反的方向排列的磁標(biāo)記?？梢允褂靡粋€(gè)或多個(gè)中間層來(lái)提供存儲(chǔ)層與擴(kuò)展層之間的靜磁耦合。按照這樣一種方式來(lái)選擇存儲(chǔ)層和讀出層中的材料的成分，使得隨著溫度相對(duì)于室溫的提高，存儲(chǔ)層的磁化強(qiáng)度增大(并且因此所產(chǎn)生的雜散場(chǎng)Hstray，storage也增大)并且擴(kuò)展層的矯頑磁力Hc，read降低。在讀出期間，同步于數(shù)據(jù)信號(hào)將外部場(chǎng)Hext(在標(biāo)記方向上)加入到Hstray，storage，從而幫助磁疇復(fù)制和擴(kuò)展，并且為了使該被擴(kuò)展的磁疇破壞從而在下一個(gè)比特是空的情況下給出一個(gè)不同的讀出信號(hào)，翻轉(zhuǎn)該外部場(chǎng)Hext的方向，在這種情況下并不發(fā)生磁疇復(fù)制和擴(kuò)展。將被記錄的標(biāo)記復(fù)制到擴(kuò)展層要求一個(gè)最低盤(pán)溫度Tcopy。當(dāng)溫度高于該溫度的時(shí)候，擴(kuò)展層中的標(biāo)記的雜散場(chǎng)和外部場(chǎng)的和大于讀出層的矯頑磁力Hstray，storage+Hext＞Hc，read(1)如果外部場(chǎng)足夠大，那么將會(huì)發(fā)生被復(fù)制的磁疇的擴(kuò)展。通過(guò)測(cè)量來(lái)自擴(kuò)展層中的被擴(kuò)展磁疇的反射上由克爾效應(yīng)(Kerr effect)引起的偏振角度的旋轉(zhuǎn)，可以探測(cè)被擴(kuò)展層反射的光束中的被擴(kuò)展磁疇的磁狀態(tài)，如在已知的磁光系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)上述測(cè)量。
對(duì)于跟蹤方向上的一段特定的長(zhǎng)度，在外部磁場(chǎng)的幫助下，由激光束創(chuàng)造出將標(biāo)記從存儲(chǔ)層復(fù)制到擴(kuò)展層所必需的溫度。在這個(gè)區(qū)磁疇中有可能實(shí)現(xiàn)復(fù)制。因此將這個(gè)區(qū)磁疇稱(chēng)作復(fù)制窗口。
如果激光功率降低，盤(pán)上的溫度將會(huì)下降，這將引起矯頑磁力提高(曲線向上移動(dòng))以及雜散場(chǎng)降低。復(fù)制窗口的尺寸也將因此變得更小。當(dāng)溫度曲線中的最高溫度低于Tcopy的時(shí)候，復(fù)制窗口為零沒(méi)有信號(hào)。另一方面，如果激光功率提高，那么矯頑磁力曲線向下移動(dòng)并且雜散場(chǎng)增大。因此，復(fù)制窗口的尺寸也將增大。
該復(fù)制窗口的尺寸決定了可分辨的最小特征的尺寸如果復(fù)制窗口大于最小磁疇尺寸的一半，那么相鄰磁疇之間將會(huì)發(fā)生重疊，這將導(dǎo)致附加峰值和不正確的讀出。為了實(shí)現(xiàn)正確的讀出，解決方案是最小的磁疇?wèi)?yīng)該大于復(fù)制窗口的兩倍。
因?yàn)閺?fù)制窗口的尺寸隨激光功率的提高而增大，所以用于最大復(fù)制窗口和Tcopy(下限)的值對(duì)應(yīng)于一定范圍的激光功率。因此，較高的分辨率就會(huì)要求較小的復(fù)制窗口，而這將降低可能的激光功率的范圍，即功率余量，反之亦然。換句話說(shuō)，最終的分辨率將由記錄系統(tǒng)的功率余量決定。
當(dāng)在讀出過(guò)程中要求高的分辨率的時(shí)候，為了實(shí)現(xiàn)成功的讀出所要解決的問(wèn)題涉及功率余量。非常小的功率余量通常用于實(shí)現(xiàn)高的分辨率，這是頻譜的紅或藍(lán)部分中衍射受限點(diǎn)的熱曲線的頂部與磁疇長(zhǎng)度相比要寬很多這一事實(shí)所導(dǎo)致的直接結(jié)果。高數(shù)值孔徑(NA)藍(lán)光激光系統(tǒng)可以被用來(lái)實(shí)現(xiàn)和較低NA紅光激光系統(tǒng)相比更高的分辨率。但是，當(dāng)波長(zhǎng)減小和/或數(shù)值孔徑增加的時(shí)候，會(huì)出現(xiàn)其它的問(wèn)題，這些問(wèn)題包括光學(xué)系統(tǒng)的復(fù)雜程度的提高，以及降低探測(cè)器處信噪比的效應(yīng)，例如探測(cè)器處克爾效應(yīng)的降低和散射噪聲的增大。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種從磁疇擴(kuò)展存儲(chǔ)介質(zhì)讀出數(shù)據(jù)的方法，所述介質(zhì)包含其中數(shù)據(jù)以磁標(biāo)記的形式被存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層，和可以從該存儲(chǔ)層復(fù)制和擴(kuò)展磁疇的擴(kuò)展層，所述方法包含施加第一輻射光束從而啟動(dòng)將一個(gè)磁疇從存儲(chǔ)層復(fù)制到擴(kuò)展層，其中該第一輻射光束具有在存儲(chǔ)介質(zhì)上的第一點(diǎn)尺寸；以及施加第二輻射光束從而從擴(kuò)展層中讀出數(shù)據(jù)，其中該第二輻射光束具有在存儲(chǔ)介質(zhì)上大于第一點(diǎn)尺寸的第二點(diǎn)尺寸。
注意到，EP-A-899727描述了一種使用兩個(gè)光束點(diǎn)實(shí)現(xiàn)從磁光盤(pán)讀出的光學(xué)記錄和讀出系統(tǒng)，但是其中所描述的系統(tǒng)是一種磁疇壁移動(dòng)檢出(DWDD)讀出系統(tǒng)，該系統(tǒng)與本發(fā)明的磁疇擴(kuò)展介質(zhì)讀出系統(tǒng)有顯著的區(qū)別，包含以下特征在磁疇壁移動(dòng)檢出讀出系統(tǒng)中，使用的是磁疇壁移動(dòng)而不是磁疇擴(kuò)展，存儲(chǔ)層和讀出層是通過(guò)磁交換耦合被耦合到一起的，以及在讀出過(guò)程中通常不使用外部磁場(chǎng)。DWDD要求熱曲線中的非對(duì)稱(chēng)溫度梯度從而抑制“幻像信號(hào)(ghostsignal)”。在所提出的系統(tǒng)中，產(chǎn)生較大的點(diǎn)尺寸的光束被加入到傳統(tǒng)DWDD讀出光束從而改善讀出。
通過(guò)隨后參考附圖所做的對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方案的描述，本發(fā)明的特征和優(yōu)勢(shì)將得到明顯的體現(xiàn)，其中圖1是如用于本發(fā)明的實(shí)施方案的MAMMOS記錄系統(tǒng)的示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方案進(jìn)行配置的光學(xué)掃描設(shè)備的示意圖；圖3是圖2中所示的設(shè)備的一部分的示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方案進(jìn)行配置的光學(xué)掃描設(shè)備的示意圖；圖5顯示了在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中所得到的溫度曲線的特性。
圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方案的磁光掃描設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，磁光可重寫(xiě)盤(pán)1以MAMMSO盤(pán)的形式存在，該盤(pán)包含外部覆蓋層和/或基底層，并且外部覆蓋層和基底層中的至少一個(gè)是透明的并且該透明層位于至少一個(gè)存儲(chǔ)層和一個(gè)擴(kuò)展層的相對(duì)側(cè)面。MAMMOS盤(pán)的層結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子是1.2mm PC基底/60nm SiNx/20nm GdFeCo/5nm SiNx/50nm TbFeCo/20nm SiNx/30nm鋁合金。所有層都是通過(guò)DC磁電管濺射法制備的。對(duì)于MO層來(lái)說(shuō)，補(bǔ)償溫度在室溫附近，其中在該補(bǔ)償溫度處矯頑磁力趨向于無(wú)窮大，而對(duì)于GdFeCo和TbFeCo來(lái)說(shuō)，居里溫度分別是320℃和270℃。
信息可以以在基本上平行的、同心的或者螺旋形的磁軌中排列的標(biāo)記的形式存儲(chǔ)在光盤(pán)1的存儲(chǔ)層中，這并未在圖1中顯示。可以在盤(pán)上使用凸區(qū)-凹槽結(jié)構(gòu)來(lái)進(jìn)行光跟蹤。標(biāo)記以磁光的形式存在，由例如LP-MFM記錄技術(shù)生成。
光掃描設(shè)備包含第一輻射源6和第二輻射源8，其中第一輻射源6是例如發(fā)射第一輻射光束7的半導(dǎo)體激光器并且基本上所有輻射都位于例如430nm區(qū)域中的第一波長(zhǎng)λ1，而第二輻射源8是例如發(fā)射第二輻射光束9的半導(dǎo)體激光器并且基本上所有輻射都位于例如650nm區(qū)域中的第二波長(zhǎng)λ2。
每個(gè)光路包含校準(zhǔn)儀透鏡12、偏振和/或二色分光器15、折疊式反射鏡16以及包含后透鏡元件13和前透鏡元件14的復(fù)合物鏡10。前透鏡元件14是平凸的SIL。通過(guò)適當(dāng)尺寸的空氣軸承(air-bearing)滑動(dòng)器(未示出)，使得前透鏡元件14距離上盤(pán)的入口面很近，優(yōu)選地在一個(gè)輻射波長(zhǎng)的范圍內(nèi)并且通常在1μm內(nèi)。為了改善界面的摩擦特性，在外部覆蓋層26上涂有潤(rùn)滑劑。該潤(rùn)滑劑可以通過(guò)例如已知的FomblinTM和ZdolTM的多氟聚醚(polyfluoropolyether)來(lái)形成。通過(guò)在潤(rùn)滑劑的溶液中對(duì)盤(pán)進(jìn)行浸涂覆，潤(rùn)滑劑形成了厚度典型地小于1nm的均勻的層。可以通過(guò)在應(yīng)用潤(rùn)滑劑之前利用類(lèi)金剛石碳的硬涂覆對(duì)外部覆蓋層的頂部表面進(jìn)行處理，從而改善潤(rùn)滑劑的應(yīng)用。
每個(gè)單獨(dú)的校準(zhǔn)儀透鏡12將發(fā)散的輻射光束7和9轉(zhuǎn)換為通常是被校準(zhǔn)的光束。該第一光束7被分光器15反射，而第二光束9則不被分光器15反射。
后透鏡元件13將第一光束7和第二光束9聚焦為位于后透鏡元件13和前透鏡元件14之間的會(huì)聚光束。利用伺服傳動(dòng)裝置可以使后透鏡元件13相對(duì)于前透鏡14移動(dòng)，從而進(jìn)行跟蹤和聚焦。圖3對(duì)這種配置進(jìn)行了更詳細(xì)的描述。作為使用近場(chǎng)倏逝耦合將光耦合進(jìn)入盤(pán)的固態(tài)浸沒(méi)透鏡(Solid Immersion Lens，SLL)，前透鏡元件14所引起的效果是隨著第一光束進(jìn)入盤(pán)的入口面時(shí)，進(jìn)一步提高系統(tǒng)對(duì)于第一光束7的數(shù)值孔徑，而不引入球面像差，或降低不需要的球面像差，同時(shí)對(duì)第二光束9產(chǎn)生更加有限的聚焦效果。因此，光束7和9每個(gè)都被復(fù)合物鏡10聚焦到在光盤(pán)1的擴(kuò)展層上形成的一個(gè)點(diǎn)。第一光束具有相對(duì)較高的數(shù)值孔徑NA1，例如大于1(NA＞1)，而第二光束具有相對(duì)較低的數(shù)值孔徑NA2，例如位于大小為0.6的區(qū)域之內(nèi)。另外，這些點(diǎn)優(yōu)選地是基本上衍射受限的，并且λ1/NA1＜λ2/NA2。按照半最大值全寬度(FWHM)幅度來(lái)進(jìn)行測(cè)量、且形成于擴(kuò)展層上的第一光束點(diǎn)因此基本上小于形成于擴(kuò)展層之上的第二輻射點(diǎn)，優(yōu)選地小于第二輻射點(diǎn)的尺寸的一半，并且更加優(yōu)選地小于第二輻射點(diǎn)的尺寸的三分之一。
在相應(yīng)的相反過(guò)程中的光學(xué)系統(tǒng)將被反射的光束從位于前透鏡元件14和后透鏡元件13之間的發(fā)散光束轉(zhuǎn)換為位于后透鏡元件13和校準(zhǔn)透鏡12之間的被校準(zhǔn)的光束。
第一光束7被分光器15反射，并且由校準(zhǔn)透鏡12將其聚焦為入射到與輻射源6并排放置的跟蹤誤差探測(cè)器系統(tǒng)上的會(huì)聚反射光束。該跟蹤誤差探測(cè)器系統(tǒng)捕獲該輻射并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。該信號(hào)被用來(lái)在對(duì)盤(pán)的掃描期間執(zhí)行跟蹤誤差校正。該探測(cè)器系統(tǒng)還可以被用來(lái)執(zhí)行焦點(diǎn)誤差探測(cè)。
由校準(zhǔn)透鏡12將第二光束9聚焦為入射到與輻射源8并排放置的磁光數(shù)據(jù)信號(hào)探測(cè)器系統(tǒng)上的會(huì)聚反射光束。該數(shù)據(jù)信號(hào)探測(cè)器系統(tǒng)捕獲該輻射并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。該信號(hào)被用來(lái)在對(duì)盤(pán)的掃描期間探測(cè)數(shù)據(jù)信號(hào)。如果在跟蹤誤差探測(cè)器上并未執(zhí)行焦點(diǎn)誤差探測(cè)，那么該探測(cè)器系統(tǒng)還可以被用來(lái)執(zhí)行焦點(diǎn)誤差探測(cè)。
未在圖2中示出的外部場(chǎng)線圈位于盤(pán)的一側(cè)，優(yōu)選地位于具有MAMMOS層的盤(pán)的一側(cè)，并且包含用于同步于數(shù)據(jù)讀出對(duì)磁場(chǎng)進(jìn)行切換的磁場(chǎng)方向切換電路，如在MAMMOS記錄系統(tǒng)領(lǐng)域中所公知的。
現(xiàn)在參考圖3，在這種實(shí)施方案中的盤(pán)1包含一個(gè)厚度值在0.6-1.2mm范圍內(nèi)的相對(duì)較厚的基底20、一磁數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層22、一磁疇擴(kuò)展層24和厚度值在5-20μm范圍內(nèi)的薄透明覆蓋層，并且該透明覆蓋層的厚度優(yōu)選為大約10μm。前透鏡元件14被安裝在透明滑動(dòng)器28上，包含在數(shù)據(jù)記錄期間使用的MFM線圈30。高NA光束7可以在MFM記錄過(guò)程期間被用于數(shù)據(jù)記錄。
圖4顯示了本發(fā)明的一種替換的第二實(shí)施方案。在這種實(shí)施方案中，包含前透鏡元件13的第一光束7的光學(xué)元件被位于光盤(pán)的相對(duì)側(cè)的滑動(dòng)器30所取代，并且具有同步于上部光學(xué)系統(tǒng)的移動(dòng)而進(jìn)行移動(dòng)的徑向移動(dòng)機(jī)制。該上部光學(xué)系統(tǒng)可以被用來(lái)生成數(shù)據(jù)信號(hào)、跟蹤誤差信號(hào)和聚焦誤差信號(hào)等全部信號(hào)。后透鏡元件13被為第二光束9進(jìn)行過(guò)優(yōu)化的物鏡32所取代。MAMMOS盤(pán)1被具有不同格式的MAMMOS盤(pán)34所取代。
滑動(dòng)器30包含生成等效于第一光束的具有第一波長(zhǎng)λ1的光束的輻射源36，例如半導(dǎo)體激光器，并且該光束被聚焦到具有非常小的輸出孔徑的平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中，從而在盤(pán)32的信息承載層上生成非常小的點(diǎn)。在一種替換的實(shí)施方案中，在不需要使用單獨(dú)的波導(dǎo)的情況下，高NA光束可以由具有小近場(chǎng)曲線的半導(dǎo)體激光器直接生成，如在日本應(yīng)用物理學(xué)期刊(Japanese Journal of Applied Physics)，Vol 37(1998)p.3759中所提出的那樣。在另一種替換的實(shí)施方案中，位于盤(pán)附近并且具有小輸出孔徑的光纖或激光器可以被用來(lái)生成小的點(diǎn)，其中小輸出孔徑例如是通過(guò)聚焦的離子束來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
MAMMOS盤(pán)34包含位于第二光束9一側(cè)的厚度值在0.6-1.2mm范圍之內(nèi)的透明基底42、位于基底42之下的磁疇擴(kuò)展層44、位于磁疇擴(kuò)展層44之下的磁存儲(chǔ)層46，以及具有例如在10nm范圍內(nèi)的厚度的非常薄的覆蓋層48。
滑動(dòng)器30包含數(shù)據(jù)記錄期間所使用的MFM線圈40。由源36所生成的小點(diǎn)可以被用于在LP-MFM記錄過(guò)程期間進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄。相關(guān)于線圈40的電路包含用于同步于數(shù)據(jù)讀出對(duì)磁場(chǎng)進(jìn)行切換的磁場(chǎng)方向切換電路，如在MAMMOS記錄系統(tǒng)領(lǐng)域中所公知的。因此，線圈40可以被用于向盤(pán)記錄數(shù)據(jù)和從盤(pán)讀出數(shù)據(jù)。
圖5顯示了在上述本發(fā)明的各種實(shí)施方案中在盤(pán)上可以得到的溫度曲線。所示溫度曲線是軸對(duì)稱(chēng)的，但是在實(shí)際當(dāng)中，由于在掃描期間盤(pán)相對(duì)于光束會(huì)發(fā)生移動(dòng)，所以該曲線將有些不對(duì)稱(chēng)，向光束的尾部邊緣方向展寬。由于在第一實(shí)施方案中的第一光束7的加熱效應(yīng)，該溫度曲線包含第一相對(duì)較窄的組成部分50，或者在上述的第二實(shí)施方案或其它替換的實(shí)施方案中與之等效的組成。由于第二光束9的加熱效應(yīng)，該曲線包含第二相對(duì)較寬的組成部分52。在給定的功率余量的范圍內(nèi)，第一和第二光束的功率電平得到控制，從而第一組成部分50包含具有高于MAMMOS盤(pán)的復(fù)制溫度Tc的溫度的部分，而被認(rèn)為是由第二光束單獨(dú)生成的第二組成部分并沒(méi)有達(dá)到MAMMOS盤(pán)的復(fù)制溫度Tc，但是高于盤(pán)的擴(kuò)展溫度Te。因此，第一組成部分50規(guī)定了復(fù)制窗口的寬度w，并且因此也就規(guī)定了讀出過(guò)程的分辨率。第二組成部分52規(guī)定了磁疇擴(kuò)展區(qū)域的寬度s，該寬度大于復(fù)制窗口，從該寬度中得到系統(tǒng)的數(shù)據(jù)讀出信號(hào)。應(yīng)該注意到，因?yàn)閮蓚€(gè)組成部分是由兩個(gè)光束累加生成的，所以可以使用具有相對(duì)較低功率的激光來(lái)生成溫度曲線的第一組成部分50，而使用具有相對(duì)較高功率的激光來(lái)生成第二組成部分52。
因此，可以理解，根據(jù)上述本發(fā)明的各種實(shí)施方案的磁光掃描提供了多個(gè)優(yōu)點(diǎn)。在使用大的信號(hào)光束點(diǎn)用于數(shù)據(jù)讀出的情況下，以相對(duì)較高的分辨率執(zhí)行數(shù)據(jù)讀出過(guò)程，并且對(duì)于每個(gè)光束都有相對(duì)較好的功率余量，以及可以獲得相對(duì)較高的信噪比。
上述實(shí)施方案應(yīng)該被理解為本發(fā)明的示例。還可以設(shè)計(jì)本發(fā)明的其它實(shí)施方案。例如，可以替換地使用例如零磁場(chǎng)MAMMOS的其它的磁疇擴(kuò)展技術(shù)和其它磁疇擴(kuò)展系統(tǒng)。另外，兩個(gè)光束不必具有不同的波長(zhǎng)；兩個(gè)光束可以?xún)H是具有不同的NA，從而可以實(shí)現(xiàn)與根據(jù)圖5所描述的溫度曲線類(lèi)似的溫度曲線。應(yīng)該理解，根據(jù)一種實(shí)施方案所描述的任何特征都可以被用于其它的實(shí)施方案。另外，可以在不偏離本發(fā)明的范圍的情況下使用沒(méi)有在上面得到描述的等價(jià)物和修改，其本發(fā)明在所附的權(quán)利要求中被規(guī)定。
權(quán)利要求
1.一種從磁疇擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)中讀出數(shù)據(jù)的方法，所述介質(zhì)包含其中數(shù)據(jù)以磁標(biāo)記的形式存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層，以及可以從該存儲(chǔ)層復(fù)制和擴(kuò)展磁疇的擴(kuò)展層，所述方法包含施加第一輻射光束從而啟動(dòng)將磁疇從存儲(chǔ)層復(fù)制到擴(kuò)展層，其中該第一輻射光束具有在存儲(chǔ)介質(zhì)上的第一點(diǎn)尺寸；以及施加第二輻射光束從而從擴(kuò)展層中讀出數(shù)據(jù)，其中該第二輻射光束具有在存儲(chǔ)介質(zhì)上大于所述第一點(diǎn)尺寸的第二點(diǎn)尺寸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一光束包含比所述第二光束的輻射更短波長(zhǎng)的輻射。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中在該存儲(chǔ)介質(zhì)上，所述第一光束具有第一數(shù)值孔徑，所述第二光束具有第二數(shù)值孔徑，并且所述第一數(shù)值孔徑大于所述第二數(shù)值孔徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其中在該存儲(chǔ)介質(zhì)上，所述第一光束具有第一數(shù)值孔徑NA1，所述第二光束具有第二數(shù)值孔徑NA2，并且所述第一光束包含第一波長(zhǎng)λ1，所述第二光束包含第二波長(zhǎng)λ2，其中λ1/NA1＜λ2/NA2。
5.根據(jù)上述任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中使用大于1的數(shù)值孔徑來(lái)生成所述第一點(diǎn)尺寸。
6.根據(jù)上述任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中使用小于1的數(shù)值孔徑來(lái)生成所述第二點(diǎn)尺寸。
7.根據(jù)上述任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，包含在發(fā)射所述第一光束的光學(xué)元件和所述存儲(chǔ)介質(zhì)之間提供倏逝光學(xué)耦合。
8.根據(jù)上述任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中所述第一和第二光束被施加到存儲(chǔ)介質(zhì)的一側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1到7中的任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中所述第一和第二光束被施加到存儲(chǔ)介質(zhì)的不同側(cè)。
10.根據(jù)上述任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中在讀出期間，以比生成所述第二光束所用功率更低的功率來(lái)生成所述第一光束。
11.根據(jù)上述任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中所述第二光束單獨(dú)具有的功率不足以啟動(dòng)將磁疇從存儲(chǔ)層復(fù)制到擴(kuò)展層。
12.根據(jù)上述任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中基本上完全由所述第一光束提供的溫度曲線組成部分來(lái)規(guī)定復(fù)制窗口寬度。
13.根據(jù)上述任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中基本上完全由所述第二光束提供的溫度曲線組成部分來(lái)規(guī)定磁疇擴(kuò)展區(qū)域尺寸。
14.根據(jù)上述任何一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，進(jìn)一步包含使用所述第一光束向所述存儲(chǔ)介質(zhì)寫(xiě)數(shù)據(jù)。
15.一種被配置用來(lái)執(zhí)行上述任何一個(gè)權(quán)利所述方法的光學(xué)掃描設(shè)備。
全文摘要
一種從例如MAMMOS磁光盤(pán)(1)的磁疇擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中讀出數(shù)據(jù)的方法，該MAMMOS磁光盤(pán)(1)包含其中數(shù)據(jù)以磁標(biāo)記的形式存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層(22)和可以從存儲(chǔ)層復(fù)制和擴(kuò)展磁疇的擴(kuò)展層(24)，該系統(tǒng)施加第一輻射光束(7)從而啟動(dòng)將磁疇從存儲(chǔ)層復(fù)制到擴(kuò)展層，其中該第一輻射光束(7)具有在盤(pán)上的第一點(diǎn)尺寸，該系統(tǒng)還施加第二輻射光束(9)從而從擴(kuò)展層中讀出數(shù)據(jù)，其中該第二輻射光束(9)具有在盤(pán)上大于第一點(diǎn)尺寸的第二點(diǎn)尺寸。
文檔編號(hào)G11B11/105GK1539140SQ02815197
公開(kāi)日2004年10月20日 申請(qǐng)日期2002年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月3日
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