專利名稱：雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，特別是關(guān)于一種應(yīng)用于短波長(zhǎng)雷射讀取頭來(lái)進(jìn)行讀寫的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)。
背景技術(shù)：
隨著信息與多媒體世代的來(lái)臨，包括計(jì)算機(jī)、通訊、消費(fèi)性電子的3C(Computer，Communication，Consumer Electronics)產(chǎn)品對(duì)于儲(chǔ)存介質(zhì)的儲(chǔ)存密度及容量的需求也不斷的增加。目前就光信息儲(chǔ)存介質(zhì)而言，以1982年荷蘭菲利浦(Philips)公司及日本新力(Sony)公司共同發(fā)表的紅皮書所定出的光盤規(guī)格(Compact Disk，CD)最為一般大眾接受和廣泛使用。
由于多媒體應(yīng)用日益增廣與數(shù)字化世代的來(lái)臨，再加上使用者對(duì)影像及音效的要求越來(lái)越高，因此，數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)的高儲(chǔ)存密度及高容量的需求亦隨之增加。尤其是在數(shù)字影音的表現(xiàn)上，CD規(guī)格的光盤片已不敷使用。以目前最為普遍的激光視盤(Video Compact Disk，VCD)來(lái)說(shuō)，其畫質(zhì)遠(yuǎn)不如一般的錄像帶，且一片激光視盤僅能儲(chǔ)存1小時(shí)的影音節(jié)目。因此，荷蘭菲利浦(Philips)公司及日本索尼(Sony)公司達(dá)成協(xié)議，與其它廠商共同在1996年4月提出了數(shù)字多功能光盤(Digital Versatile Disc，DVD)規(guī)格。以儲(chǔ)存數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的容量而言，DVD光盤片單片容量約為4.7GB(Gigabyte)遠(yuǎn)高于CD光盤片的單片容量約為650MB(Megabyte)，在容量上大幅提升。于是自1996年以來(lái)，能夠配合讀取及播放DVD盤片的硬件也進(jìn)入消費(fèi)市場(chǎng)并逐漸成為主流產(chǎn)品之一。同時(shí)也發(fā)展出許多相關(guān)的DVD規(guī)格。
然而為了整合目前的影像訊號(hào)放送模式以及追求更高的影音觀賞品質(zhì)，高分辨率電視(High-Definition Television，HDTV)播放技術(shù)已成為時(shí)下最先進(jìn)的放送模式。因此產(chǎn)生了全新的視聽(tīng)標(biāo)準(zhǔn)，即是高畫質(zhì)和高音質(zhì)的HDTV訊號(hào)。HDTV是一種新的視訊顯示規(guī)格，它可以支持到1,920×1,080的分辨率、使用長(zhǎng)寬比16∶9的顯示屏幕和每秒30或60個(gè)畫面的更新頻率(目前電視系統(tǒng)的更新頻率為24或是30)。同時(shí)也導(dǎo)致光盤片儲(chǔ)存容量再度成為瓶頸，容量4.7GB的DVD光盤片若用來(lái)儲(chǔ)存HDTV訊號(hào)的高畫質(zhì)影片，其僅能儲(chǔ)存不到40分鐘，因此，在未來(lái)進(jìn)入HDTV的高畫質(zhì)時(shí)代，DVD光盤片的使用將大大受到限制。
就光信息儲(chǔ)存介質(zhì)而言，一般以紅光雷射作為讀取光源的光信息儲(chǔ)存介質(zhì)，由于牽涉到光學(xué)繞射極限的問(wèn)題，記錄密度相對(duì)受到限制。由于光學(xué)讀取頭的聚焦光點(diǎn)大小和波長(zhǎng)有關(guān)，當(dāng)縮短讀取雷射光源的波長(zhǎng)時(shí)，聚焦光點(diǎn)就會(huì)相對(duì)縮小，單位面積的記錄容量則相對(duì)提升數(shù)倍。目前各大光儲(chǔ)存介質(zhì)制造公司所提出的高容量光儲(chǔ)存介質(zhì)的規(guī)格，如高密度數(shù)字多功能光盤(High-Density Digital Versatile Disc，HD-DVD)，紛紛以較短波長(zhǎng)的藍(lán)紫光作為光讀取頭。由此可知，訂定出配合短波長(zhǎng)雷射的光盤規(guī)格與結(jié)構(gòu)為目前光儲(chǔ)存介質(zhì)的發(fā)展主流。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)以提高其貯存數(shù)據(jù)容量。該介質(zhì)利用藍(lán)光及低于藍(lán)光的短波長(zhǎng)的雷射讀寫頭來(lái)進(jìn)行讀取與儲(chǔ)存；以增加信息儲(chǔ)存介質(zhì)單位面積的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存量。并且搭配雙面四記錄層的盤片結(jié)構(gòu)來(lái)提升其容量。
本發(fā)明的目的可通過(guò)如下措施來(lái)實(shí)現(xiàn)一種雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，此雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)是應(yīng)用藍(lán)光及低于藍(lán)光的短波長(zhǎng)的雷射讀寫頭來(lái)加以儲(chǔ)存與讀取，其包含有一基板，該基板的頂端具有至少一復(fù)制溝軌表面及底部具有至少一復(fù)制溝軌表面；及在該頂端的復(fù)制溝軌表面覆蓋有一記錄疊層，該記錄疊層由至少一個(gè)信息記錄層所組成；在該底部的復(fù)制溝軌表面覆蓋有一記錄疊層，該記錄疊層由至少一個(gè)信息記錄層所組成。
該基板的材料選自聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、高分子樹脂、玻璃及鋁金屬其中之一。
該基板的厚度為0.85毫米至1.3毫米。
該基板的厚度最佳值為0.95毫米至1.1毫米。
該基板由兩片單面具有一復(fù)制溝軌表面的基材貼合而成。
該基材的厚度為0.4毫米至0.65毫米。
該基材的厚度最佳值為0.45毫米至0.55毫米。
該記錄疊層表面具有一表面覆蓋層。
當(dāng)基板的任一面的復(fù)制溝軌表面數(shù)大于2時(shí)，每一復(fù)制溝軌表面上覆蓋的記錄疊層與另一復(fù)制溝軌表面之間設(shè)有一隔離層。
該信息記錄層的材料選自相變化材料、磁光材料及有機(jī)材料其中之一。
所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)還包含在該記錄疊層中加入光學(xué)強(qiáng)化層、熱學(xué)強(qiáng)化層及磁特性強(qiáng)化層的任意組合。
一種雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，此雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)是應(yīng)用藍(lán)光及低于藍(lán)光的短波長(zhǎng)的雷射讀寫頭來(lái)加以儲(chǔ)存與讀取，其包含有一基板，該基板頂端具有一第一頂端復(fù)制溝軌表面及其底部具有一第一底部復(fù)制溝軌表面；一第一頂端記錄疊層，其覆蓋于該第一頂端復(fù)制溝軌表面，該第一頂端記錄疊層由至少一個(gè)信息記錄層所組成；一第一隔離層，其一表面疊合于該第一頂端記錄疊層表面，另一表面為一第二頂端復(fù)制溝軌表面；一第二頂端記錄疊層，其覆蓋于該第二頂端復(fù)制溝軌表面，該第二頂端記錄疊層由至少一個(gè)信息記錄層所組成；一第一底部記錄疊層，其覆蓋于該第一底部復(fù)制溝軌表面，該第一底部記錄疊層由至少一個(gè)信息記錄層所組成；一第二隔離層，其一表面系疊合于該第一底部記錄疊層表面，另一表面系為一第二底部復(fù)制溝軌表面；及一第二底部記錄疊層，其覆蓋于該第二底部復(fù)制溝軌表面，該第二底部記錄疊層由至少一個(gè)信息記錄層所組成。
該基板的材料選自聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、高分子樹脂、玻璃及鋁金屬其中之一。
該基板的厚度為0.85毫米至1.3毫米。
該基板的厚度最佳值為0.95毫米至1.1毫米。
該基板由兩片單面具有一復(fù)制溝軌表面的基材貼合而成。
該基材的厚度為0.4毫米至0.65毫米。
該基材的厚度最佳值為0.45毫米至0.55毫米。
該第一隔離層與該第二隔離層的厚度為0.1微米至100微米。
該第一隔離層與該第二隔離層的厚度最佳值為10微米至40微米。
該第二頂端記錄疊層與該第二底部記錄疊層表面各具有一表面覆蓋層。
該信息記錄層的材料選自相變化材料、磁光材料及有機(jī)材料其中之一。
所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)還包含在該記錄疊層中加入光學(xué)強(qiáng)化層、熱學(xué)強(qiáng)化層及磁特性強(qiáng)化層的任意組合。
本發(fā)明相比現(xiàn)有技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明可應(yīng)用現(xiàn)有的光盤片制程，制造出配合短波長(zhǎng)雷射讀寫頭的信息儲(chǔ)存介質(zhì)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)配合短波長(zhǎng)雷射讀寫頭即可達(dá)到高密度的讀寫，同時(shí)可制造出具有四層記錄疊層的信息儲(chǔ)存介質(zhì)以達(dá)到高信息儲(chǔ)存容量。


圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的第一記錄疊層的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體的實(shí)施方式請(qǐng)參考圖1，其為本發(fā)明第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。取雙面各具有一復(fù)制溝軌表面的基板100?；?00頂端的復(fù)制溝軌表面具有第一記錄疊層110，在基板100底面的復(fù)制溝軌表面具有第二記錄疊層120；以及，在其第一記錄疊層110和第二記錄疊層120表面再分別由覆蓋層130來(lái)加以保護(hù)，覆蓋層130的厚度約為70微米至125微米，即形成一雙面二記錄層的高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)。其中，第一記錄疊層110和第二記錄疊層120是由一個(gè)以上的信息記錄層所組成。
本發(fā)明還包含具有更高記憶容量的雙面四記錄層的高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，請(qǐng)參考圖2，其為本發(fā)明第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。取雙面各具有一復(fù)制溝軌表面的基板200?；屙敹说膹?fù)制溝軌表面具有第一記錄疊層210，再于第一記錄疊層210表面形成第一隔離層220，以模板在第一隔離層220上制作復(fù)制溝軌表面，并且于第一隔離層220表面形成第二記錄疊層230。在基板底面的復(fù)制溝軌表面具有第三記錄疊層240，同樣于其第三記錄疊層240表面形成第二隔離層250，在第二隔離層250上制作復(fù)制溝軌表面，并且于第二隔離層250表面形成第四記錄疊層260。以及，在基板的頂端與底面的第二記錄疊層230和第四記錄疊層260表面再分別披覆一覆蓋層270來(lái)加以保護(hù)，覆蓋層的厚度約為70微米至125微米，即形成一雙面四記錄層的高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)。其中，每一記錄疊層是由一個(gè)以上的信息記錄層所組成。而且，第一實(shí)施例與第二實(shí)施例所使用的基板厚度約為0.85毫米至1.3毫米，基板的厚度最佳值為0.95毫米至1.1毫米本發(fā)明的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)亦可由雙基板貼合而成，請(qǐng)參考圖3，其為本發(fā)明第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。取單面具有一復(fù)制溝軌表面的基板300，其基板300厚度約為0.45毫米至0.6毫米；在其復(fù)制溝軌表面各具有一記錄疊層310，此記錄疊層310由一個(gè)以上的信息記錄層所組成；在其記錄疊層310表面由一覆蓋層320來(lái)加以保護(hù)，覆蓋層320的厚度約為70微米至125微米；然后，取兩片上述的基板，將兩片基板300的復(fù)制溝軌表面向外，另一表面則利用貼合層330相對(duì)貼合，則可形成雙面二記錄層的高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)。
同樣的，亦可依此形成雙面四記錄層的高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，如圖4所示，其為本發(fā)明第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。取單面具有復(fù)制溝軌表面的基板400，且在其復(fù)制溝軌表面具有一記錄疊層410；在此記錄疊層410上堆棧一隔離層420，先以模板在隔離層420上制作復(fù)制溝軌表面，再于隔離層420表面形成另一記錄疊層430，由隔離層420所分隔的記錄疊層430分別由一個(gè)以上的信息記錄層所組成；將兩片基板400的復(fù)制溝軌表面向外，另一表面則利用貼合層450來(lái)面對(duì)面相對(duì)貼合；最后，在基板頂端與底面的記錄疊層表面再由一覆蓋層440來(lái)加以保護(hù)；即可形成雙面四記錄層的高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)。
此外，本發(fā)明所使用的單面或雙面具有一復(fù)制溝軌表面的基板，其材質(zhì)可選自聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate，PMMA)、高分子樹脂、玻璃或鋁金屬擇一制成。其隔離記錄疊層的隔離層是由環(huán)氧樹脂(Epoxy)、聚甲基丙烯酸甲酯或聚酯(Polyester)所制成。同時(shí)，還可直接使用目前已相當(dāng)成熟的射出成型技術(shù)來(lái)加以制造。其隔離記錄疊層的隔離層則可由環(huán)氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯或聚酯所制成，并且利用模板復(fù)制等方法來(lái)制作復(fù)制溝軌表面。
而且，本發(fā)明的每一記錄疊層是由一層以上的信息記錄層所組成，可應(yīng)用多種不同材料來(lái)制作信息記錄層，如相變化材料、磁光材料或有機(jī)材料，達(dá)到多層記錄的目的。并且，可在記錄疊層中加入光學(xué)、熱學(xué)或磁特性的強(qiáng)化層，如介電層、金屬層和磁性輔助層等。其金屬層的材料選自金、銀、鋁、鉻、鉑、鎳、硅及其任意組合的合金。如圖5所示，其為本發(fā)明第二實(shí)施例的第一記錄疊層的結(jié)構(gòu)示意圖。雷射光線經(jīng)過(guò)第一隔離層220之后，進(jìn)入基板200表面的第一記錄疊層210，依序是厚度為10納米(nanometer)至150納米的介電層214、厚度為3納米至30納米的相變化材料記錄層213及厚度為10納米至150納米的介電層212，最后進(jìn)入厚度為30納米至200納米的金屬層211。
權(quán)利要求
1.一種雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，此雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)是應(yīng)用藍(lán)光及低于藍(lán)光的短波長(zhǎng)的雷射讀寫頭來(lái)加以儲(chǔ)存與讀取，其包含有一基板，該基板的頂端具有至少一復(fù)制溝軌表面及底部具有至少一復(fù)制溝軌表面；及在該頂端的復(fù)制溝軌表面覆蓋有一記錄疊層，該記錄疊層由至少一個(gè)信息記錄層所組成；在該底部的復(fù)制溝軌表面覆蓋有一記錄疊層，該記錄疊層由至少一個(gè)信息記錄層所組成。
2.如權(quán)利要求1所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于該基板的材料選自聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、高分子樹脂、玻璃及鋁金屬其中之一。
3.如權(quán)利要求1所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于該基板的厚度為0.85毫米至1.3毫米。
4.如權(quán)利要求1所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于該基板的厚度最佳值為0.95毫米至1.1毫米。
5.如權(quán)利要求1所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于該基板由兩片單面具有一復(fù)制溝軌表面的基材貼合而成。
6.如權(quán)利要求5所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于該基材的厚度為0.4毫米至0.65毫米。
7.如權(quán)利要求5所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于該基材的厚度最佳值為0.45毫米至0.55毫米。
8.如權(quán)利要求1所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于該記錄疊層表面具有一表面覆蓋層。
9.如權(quán)利要求1所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于該信息記錄層的材料選自相變化材料、磁光材料及有機(jī)材料其中之一。
10.如權(quán)利要求1所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于還包含在該記錄疊層中加入光學(xué)強(qiáng)化層、熱學(xué)強(qiáng)化層及磁特性強(qiáng)化層的任意組合。
11.一種雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，此雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)是應(yīng)用藍(lán)光及低于藍(lán)光的短波長(zhǎng)的雷射讀寫頭來(lái)加以儲(chǔ)存與讀取，其包含有一基板，該基板頂端具有一第一頂端復(fù)制溝軌表面及其底部具有一第一底部復(fù)制溝軌表面；一第一頂端記錄疊層，其覆蓋于該第一頂端復(fù)制溝軌表面，該第一頂端記錄疊層由至少一個(gè)信息記錄層所組成；一第一隔離層，其一表面疊合于該第一頂端記錄疊層表面，另一表面為一第二頂端復(fù)制溝軌表面；一第二頂端記錄疊層，其覆蓋于該第二頂端復(fù)制溝軌表面，該第二頂端記錄疊層由至少一個(gè)信息記錄層所組成；一第一底部記錄疊層，其覆蓋于該第一底部復(fù)制溝軌表面，該第一底部記錄疊層由至少一個(gè)信息記錄層所組成；一第二隔離層，其一表面系疊合于該第一底部記錄疊層表面，另一表面系為一第二底部復(fù)制溝軌表面；及一第二底部記錄疊層，其覆蓋于該第二底部復(fù)制溝軌表面，該第二底部記錄疊層由至少一個(gè)信息記錄層所組成。
12.如權(quán)利要求11所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于該基板的材料選自聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、高分子樹脂、玻璃及鋁金屬其中之一。
13.如權(quán)利要求11所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于該基板的厚度為0.85毫米至1.3毫米。
14.如權(quán)利要求11所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于該基板的厚度最佳值為0.95毫米至1.1毫米。
15.如權(quán)利要求11所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于該基板由兩片單面具有一復(fù)制溝軌表面的基材貼合而成。
16.如權(quán)利要求15所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于該基材的厚度為0.4毫米至0.65毫米。
17.如權(quán)利要求15所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于該基材的厚度最佳值為0.45毫米至0.55毫米。
18.如權(quán)利要求11所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于該第一隔離層與該第二隔離層的厚度為0.1微米至100微米。
19.如權(quán)利要求11所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于該第一隔離層與該第二隔離層的厚度最佳值為10微米至40微米。
20.如權(quán)利要求11所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于該第二頂端記錄疊層與該第二底部記錄疊層表面各具有一表面覆蓋層。
21.如權(quán)利要求11所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于該信息記錄層的材料選自相變化材料、磁光材料及有機(jī)材料其中之一。
22.如權(quán)利要求11所述的雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，其特征在于還包含在該記錄疊層中加入光學(xué)強(qiáng)化層、熱學(xué)強(qiáng)化層及磁特性強(qiáng)化層的任意組合。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)，是應(yīng)用藍(lán)光及低于藍(lán)光的短波長(zhǎng)的雷射讀寫頭來(lái)進(jìn)行讀取與儲(chǔ)存；以增加信息儲(chǔ)存介質(zhì)單位面積的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存量；并且，利用雙面高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)的雙面記錄疊層結(jié)構(gòu)來(lái)提升其記錄容量；形成雙面二記錄層高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)和雙面四記錄層高密度信息儲(chǔ)存介質(zhì)。
文檔編號(hào)G11B7/007GK1489142SQ02145759
公開(kāi)日2004年4月14日 申請(qǐng)日期2002年10月11日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月11日
發(fā)明者廖文毅, 林志銘, 鄭尊仁 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院