專(zhuān)利名稱：光盤(pán)刻錄裝置及光盤(pán)制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制作高密度光盤(pán)基片的光盤(pán)刻錄裝置及光盤(pán)制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，光盤(pán)在AV(視聽(tīng))上的應(yīng)用異常活躍。例如，在主要面向電影內(nèi)容的DVD(Digital Versatile Disc數(shù)字通用光盤(pán))中，開(kāi)發(fā)了DVD-R、DVD-RAM、DVD-RW之類(lèi)的追記型和重寫(xiě)型格式，并作為VTR的新一代錄像機(jī)而日益普及。
在今后的BS數(shù)字廣播及寬帶通信的普及中，期待著可以記錄畫(huà)質(zhì)更高的壓縮圖象的大容量光盤(pán)格式或容量雖同但尺寸更小的攜帶式的網(wǎng)絡(luò)親合性強(qiáng)的光盤(pán)格式的上市。
為實(shí)現(xiàn)如上所述的高密度光盤(pán)，在開(kāi)發(fā)能以高密度進(jìn)行記錄的材料和格式的同時(shí)，必須以高精細(xì)度、高精度開(kāi)發(fā)適用于高密度的光盤(pán)基片，因而作為其源流工序的刻錄方法成為實(shí)現(xiàn)高密度的關(guān)鍵。具體地說(shuō)，如何以高的精度在原盤(pán)上形成間距極窄的光道和微細(xì)的預(yù)刻凹坑是至關(guān)重要的。
這一點(diǎn)，取決于光點(diǎn)的微小化及光點(diǎn)的高精度定位，前者通過(guò)使激光光源的波長(zhǎng)變短和提高物鏡的NA(數(shù)值孔徑)實(shí)現(xiàn)，而后者則主要是通過(guò)提高物鏡的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的精度、降低刻錄裝置的振動(dòng)及對(duì)需進(jìn)行擺動(dòng)伺服的光盤(pán)提高偏轉(zhuǎn)的精度等實(shí)現(xiàn)。
另外，在以下的說(shuō)明中，光盤(pán)的刻錄方法，以具體實(shí)現(xiàn)刻錄方法的光盤(pán)刻錄裝置的形態(tài)進(jìn)行說(shuō)明。圖9是現(xiàn)有的光盤(pán)刻錄裝置的一例，僅示出基本的構(gòu)成要素。1是激光光源，發(fā)射出具有規(guī)定光量的平行光束Lc。通常使用Ar(氬)氣激光器并采用工作波長(zhǎng)為現(xiàn)有的500nm左右的可見(jiàn)光區(qū)域的光源，但為適應(yīng)高密度化的要求而必須使用短波長(zhǎng)，因而最近以來(lái)使用著200nm～300nm左右的紫外光譜區(qū)域的光源。
2是EO調(diào)制器(EOMElectro-Optical Modulation電—光調(diào)制器)，可以通過(guò)施加電壓而使光量以模擬的形式改變。通常，按光的通、斷選擇二值電平的施加電壓，并以數(shù)字方式調(diào)制后形成光盤(pán)的預(yù)刻凹坑，或通過(guò)持續(xù)接通而形成溝槽。3是EO偏轉(zhuǎn)器(EOMElectro-Optical Deflector電—光偏轉(zhuǎn)器)，通過(guò)施加電壓而使光束傳播角度偏轉(zhuǎn)并由后文所述的物鏡5使在原盤(pán)100上形成的用于刻錄的光點(diǎn)移動(dòng)。
對(duì)于EO調(diào)制器2及EO偏轉(zhuǎn)器3的材料，使用通過(guò)施加高電壓而使折射率各向異性改變的所謂波克爾斯效應(yīng)的某種結(jié)晶材料。為了在刻錄中取得有效的偏轉(zhuǎn)量及調(diào)制量，必需在EO元件所設(shè)有的兩個(gè)電極之間施加例如±200V的高電壓。此外，有時(shí)也代替EO而使用被稱作AO(Acoustic-Optical聲—光)的聲光元件系列的元件。
通過(guò)EO調(diào)制器2及EO偏轉(zhuǎn)器3后的光束Lc，由反射鏡4反射后，由高NA的物鏡5聚光，從而在由電機(jī)6進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)控制的光盤(pán)的原盤(pán)100上形成光點(diǎn)。反射鏡4和物鏡5，由以圖中未示出的機(jī)構(gòu)保持的刻錄用光學(xué)頭構(gòu)成，上述光學(xué)頭，由圖中未示出的輸送機(jī)構(gòu)配合著電機(jī)6的旋轉(zhuǎn)而連續(xù)精密地相對(duì)于光道間距輸送。
在刻錄中，一般采用轉(zhuǎn)數(shù)恒定的CAV方式或線速度恒定的CLV方式。
原盤(pán)每轉(zhuǎn)1周便連續(xù)精密地輸送1個(gè)光道間距，即可制成螺旋線原盤(pán)，在CAV方式的情況下，根據(jù)刻錄半徑將激光光源1的光量控制在適當(dāng)?shù)闹?。按圖9所示的刻錄輸送方向制作的光盤(pán)，可以在使導(dǎo)入?yún)^(qū)為內(nèi)周并以CAV方式進(jìn)行刻錄。
101是光盤(pán)的格式器，在控制激光光源1的光量及電機(jī)6的轉(zhuǎn)數(shù)的同時(shí)，控制EO調(diào)制器2及EO偏轉(zhuǎn)器3從而在原盤(pán)上形成預(yù)刻凹坑和溝槽，并生成所需的光盤(pán)格式。格式器101的輸出信號(hào)Vem，傳送到EOM驅(qū)動(dòng)器102。在EOM驅(qū)動(dòng)器102中，將Vem直接放大或切換高電壓電源后作為EOM驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vemd傳送到EO調(diào)制器2，并對(duì)光束Lc的光量進(jìn)行調(diào)制。這里，通過(guò)對(duì)Vem進(jìn)行“H”、“L”控制而接通或斷開(kāi)光束Lc。
另外，格式器101的偏轉(zhuǎn)信號(hào)Ved，沿徑向移動(dòng)原盤(pán)上的光點(diǎn)位置。即，根據(jù)偏轉(zhuǎn)信號(hào)Ved的極性「正、零、負(fù)」分別控制為「移向內(nèi)周、中央、移向外周」。EOD驅(qū)動(dòng)器103，接收偏轉(zhuǎn)信號(hào)Ved，并通過(guò)將其直接放大(以下，稱為模擬偏轉(zhuǎn)方式)或切換高電壓電源(以下，稱為數(shù)字偏轉(zhuǎn)方式)而作為EOD驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vedd傳送到EO偏轉(zhuǎn)器3，從而控制對(duì)光束Lc的偏轉(zhuǎn)量。
在實(shí)用上，當(dāng)使溝槽為擺動(dòng)槽并重疊時(shí)鐘或地址時(shí)，在光盤(pán)的原盤(pán)上以幾十nm的小位移求得連續(xù)性的施加電壓小到幾十V左右，所以，采用使用了放大器的模擬偏轉(zhuǎn)方式，而為了以階躍的方式實(shí)現(xiàn)大到幾百nm的位移量，采用像采樣伺服方式等那樣的數(shù)字偏轉(zhuǎn)方式。在后者的情況下，為簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)，通過(guò)由表示內(nèi)周偏轉(zhuǎn)或外周偏轉(zhuǎn)的2個(gè)控制信號(hào)構(gòu)成偏轉(zhuǎn)信號(hào)Ved并以交叉的方式切換例如+200V左右的電源的正極和負(fù)極而施加于EO偏轉(zhuǎn)器3，可以等效地得到±200V的EOD驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vedd。
由圖9的虛線表示的光束Li，是使偏轉(zhuǎn)信號(hào)Ved為正并由EO偏轉(zhuǎn)器3使光束Lc偏轉(zhuǎn)時(shí)的狀態(tài)。其結(jié)果是，使光點(diǎn)從Sc的位置向內(nèi)周側(cè)移動(dòng)并移動(dòng)到Si。
在

圖10中示出可以用如上所述的光盤(pán)刻錄裝置制作的光盤(pán)的2個(gè)具體例，并用圖11說(shuō)明其中1例的動(dòng)作。
圖10的(a)是帶溝槽的采樣伺服方式的光盤(pán)基片的例，(b)是平臺(tái)溝槽連續(xù)紋道方式的光盤(pán)基片的例。兩例中都假定圖的上側(cè)為內(nèi)周、下側(cè)為外周，并假定記錄再生光點(diǎn)從左至右進(jìn)行掃描。
圖10(a)的光盤(pán)基片，是適用于作為磁性光盤(pán)的超析像方式的一種的DWDD(Domain Wall Displacement Detection)方式(磁疇壁移動(dòng)檢測(cè)方式)的基片。在DWDD方式的光盤(pán)中，必須減弱鄰接記錄光道之間的磁性耦合(減小磁性各向異性)。因此，當(dāng)制造DWDD方式的光盤(pán)時(shí)，在進(jìn)行信息信號(hào)的記錄之前，必須進(jìn)行使鄰接記錄光道之間的磁性耦合減弱的初始化(以下，稱為退火)。溝槽在退火時(shí)使用。
這種光盤(pán)的構(gòu)成單位，為如圖所示出區(qū)段。區(qū)段由伺服區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)構(gòu)成。1個(gè)光道由1000個(gè)以上的多個(gè)區(qū)段構(gòu)成。在伺服區(qū)內(nèi)，配置采樣伺服用的第1擺動(dòng)凹坑11、第2擺動(dòng)凹坑12及地址凹坑13。采樣伺服方式的跟蹤控制，使記錄再生光點(diǎn)在第1擺動(dòng)凹坑11和第2擺動(dòng)凹坑12的中間進(jìn)行掃描。
地址凹坑13，分散地配置在多個(gè)區(qū)段內(nèi)，通過(guò)對(duì)每個(gè)區(qū)段的凹坑的有無(wú)進(jìn)行集中糾錯(cuò)等而再生為光道地址。數(shù)據(jù)區(qū)的光道由溝槽14構(gòu)成，信息光道之間為平臺(tái)15。由于這時(shí)的光道間距小到0.6μm以下，所以很難對(duì)每個(gè)光道構(gòu)成獨(dú)立的擺動(dòng)凹坑，因而擺動(dòng)凹坑由鄰接的光道共用。即，光道基本上為圖中所示的Ta和Tb兩類(lèi)。
如假定光道Ta為偶數(shù)光道2m，則記錄再生光點(diǎn)16的掃描方式為在左邊掃查到第1擺動(dòng)凹坑11而在右邊掃查到第2擺動(dòng)凹坑12。光道Tb為奇數(shù)光道2m+1，記錄再生光點(diǎn)的掃描方式與光道Ta相反，在右邊掃查到第1擺動(dòng)凹坑11而在左邊掃查到第2擺動(dòng)凹坑12。光道地址，設(shè)計(jì)和配置在區(qū)段內(nèi)，以便由光道Ta和光道Tb獨(dú)立地進(jìn)行再生(因與本發(fā)明的主題不同而將其詳細(xì)說(shuō)明省略。)。
上述的退火，使用光點(diǎn)直徑小于記錄再生光點(diǎn)16的退火用光點(diǎn)，并以高功率對(duì)平臺(tái)15的部分進(jìn)行掃描從而使磁性耦合減弱。縮小退火用光點(diǎn)的目的在于，即使光道間距狹小也能通過(guò)減小退火寬度而使保留在溝槽14內(nèi)的可進(jìn)行DWDD動(dòng)作的光道加寬從而確保記錄再生性能。因此，對(duì)退火用光點(diǎn)的光源，例如，使用波長(zhǎng)405nm的激光和NA0.75～0.85的物鏡，縮小為與記錄再生光點(diǎn)16的波長(zhǎng)650nm、NA0.6相比直徑大約為其一半的光點(diǎn)。
退火時(shí)的跟蹤，從平臺(tái)15采用使用了推挽信號(hào)的連續(xù)伺服方式。即使利用記錄再生用擺動(dòng)凹坑，也只能跟蹤溝槽，而不能在平臺(tái)上進(jìn)行跟蹤。在配置了退火專(zhuān)用的擺動(dòng)凹坑的情況下，伺服區(qū)的冗余度增加并阻礙了高密度化，所以最好還是如上所述用平臺(tái)15進(jìn)行跟蹤。平臺(tái)15，不僅因溝紋連續(xù)而能提高跟蹤精度，而且即使溝槽間發(fā)生幾何畸變和熱分離也仍然有效，所以，盡管是采樣伺服方式，也是溝槽14有效的光盤(pán)。
圖10(b)的光盤(pán)基片，是平臺(tái)溝槽連續(xù)紋道方式的光盤(pán)基片的例，即與作為重寫(xiě)型相變光盤(pán)的DVD-RAM格式相當(dāng)?shù)睦?。這種光盤(pán)的構(gòu)成單位為扇區(qū)，并由多個(gè)扇區(qū)構(gòu)成光道。扇區(qū)，由數(shù)據(jù)區(qū)和地址區(qū)的構(gòu)成。
首先，數(shù)據(jù)區(qū)，由包括溝槽23或平臺(tái)24的光道構(gòu)成，具有光盤(pán)每轉(zhuǎn)一周交替地對(duì)由溝槽23構(gòu)成的溝槽光道Tg(假定2n為偶數(shù)光道)和由平臺(tái)24構(gòu)成的平臺(tái)光道T1(假定2n+1為奇數(shù)光道)進(jìn)行掃描的螺旋線結(jié)構(gòu)。
另外，地址區(qū)，配置成使被稱作CAPA(Complementary AllocatedPit Address互補(bǔ)分配凹坑地址)的地址各偏置光道間距的一半。21是從特定的溝槽光道Tg看去時(shí)與內(nèi)周側(cè)的平臺(tái)光道T1共同使用的LG共用地址部，22是從特定的溝槽光道Tg看去時(shí)與外周側(cè)的平臺(tái)光道T1共同使用的GL共用地址部，分別由表示地址信息的預(yù)刻凹坑群構(gòu)成。
圖中雖未示出，但溝槽23重疊著由振幅比光道間距小1位以上的擺動(dòng)產(chǎn)生的時(shí)鐘。為實(shí)現(xiàn)這種結(jié)構(gòu)，可在圖9的光束Lc中插入與EO偏轉(zhuǎn)器3不同的偏轉(zhuǎn)器，并利用從格式器101另外輸出的時(shí)鐘疊加信號(hào)以上述的模擬偏轉(zhuǎn)方式使其偏轉(zhuǎn)。
圖11是表示對(duì)圖10(a)的光盤(pán)進(jìn)行刻錄時(shí)的動(dòng)作的圖。當(dāng)對(duì)這種光盤(pán)進(jìn)行刻錄時(shí)，對(duì)EO偏轉(zhuǎn)器3的偏轉(zhuǎn)，采用如上所述的數(shù)字偏轉(zhuǎn)方式(EOD驅(qū)動(dòng)器103為切換型)。圖11(a)示出刻錄裝置的控制信號(hào)的時(shí)序圖。時(shí)序圖，自上起依次示出(a1)內(nèi)周偏轉(zhuǎn)信號(hào)Vedi、(a2)外周偏轉(zhuǎn)信號(hào)Vedo、(a3)EOD驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vedd、(a4)EOM驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vemd。
圖11(b)示出作為制作對(duì)象的光盤(pán)原盤(pán)及刻錄用光點(diǎn)的軌跡。自上起依次為已形成的(b1)光道Ta、(b2)光道Tb、(b3)Ta光道。如圖中的軌跡所示，由于在Ta光道上實(shí)施偏轉(zhuǎn)，所以在光道Tb上不形成第1擺動(dòng)凹坑11和第2擺動(dòng)凹坑12，而是只按需要形成地址凹坑13。(b3)表示剛以刻錄用光點(diǎn)31形成的光道Ta并以陰影線畫(huà)出預(yù)刻凹坑和溝槽。
在(b3)所示的光道Ta的形成過(guò)程中，從形成溝槽14的時(shí)刻t6到其后的t1，由EO調(diào)制器2使刻錄用光點(diǎn)31發(fā)光(提高光量)，并在EO偏轉(zhuǎn)器3不進(jìn)行偏轉(zhuǎn)的狀態(tài)下連續(xù)地進(jìn)行刻錄。伺服區(qū)，在時(shí)刻t1到時(shí)刻t6之間形成。當(dāng)在該區(qū)間形成第1擺動(dòng)凹坑11、第2擺動(dòng)凹坑12及地址凹坑13時(shí)，發(fā)出EOM驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vemd。
另外，EOD驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vedd，在t2～t3的區(qū)間內(nèi)通過(guò)使內(nèi)周偏轉(zhuǎn)信號(hào)Vedi為“H”電平而在使第1擺動(dòng)凹坑11向內(nèi)周側(cè)移動(dòng)的方向輸出偏轉(zhuǎn)電壓，在t4～t5的區(qū)間內(nèi)通過(guò)使外周偏轉(zhuǎn)信號(hào)Vedo為“H”電平而在使第2擺動(dòng)凹坑12向外周側(cè)移動(dòng)的方向輸出偏轉(zhuǎn)電壓，在其他時(shí)刻輸出等于0的偏轉(zhuǎn)電壓，以使位移為0。
其結(jié)果是，刻錄用光點(diǎn)31，按箭頭所示的軌跡在原盤(pán)100上進(jìn)行掃描，并通過(guò)與發(fā)光時(shí)序的組合形成如陰影線所示的預(yù)刻凹坑和溝槽。此外，還可以對(duì)實(shí)際的EOM驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vemd的通、斷定時(shí)進(jìn)行時(shí)序調(diào)整，以便在原盤(pán)100上按圖11(b)的位置進(jìn)行精確的配置。
但是，在如上所述的光盤(pán)刻錄方法(裝置)中，存在著如下的問(wèn)題。即，(課題1)當(dāng)以數(shù)字偏轉(zhuǎn)方式使上述EO偏轉(zhuǎn)器產(chǎn)生階躍變化時(shí)(以下，稱為階躍偏轉(zhuǎn))，將發(fā)生一般認(rèn)為是EO結(jié)晶材料的衰減振蕩的干擾偏轉(zhuǎn)(波動(dòng))。首先，這種現(xiàn)象，可以通過(guò)如圖10(a)、(b)所示的光盤(pán)跟蹤誤差信號(hào)的測(cè)定或用電子顯微鏡觀測(cè)等得知。其次，準(zhǔn)備一個(gè)可以在上述光盤(pán)刻錄裝置的光路中觀測(cè)偏轉(zhuǎn)量的偏轉(zhuǎn)量檢測(cè)裝置進(jìn)行觀測(cè)。
其結(jié)果是，可以看到，這種干擾偏轉(zhuǎn)，例如是500kHz～700kHz左右的固定模式的噪聲，而且是在階躍偏轉(zhuǎn)后約10μm內(nèi)衰減掉的信號(hào)。干擾偏轉(zhuǎn)發(fā)生在圖11的時(shí)刻t7所示區(qū)段的開(kāi)頭部分。
偏轉(zhuǎn)量，在原盤(pán)上為10～20nmpp的較大值。假定光道間距為0.50μm(500nm)，并考慮形成寬度較寬的350nm(假定為底部寬度)、槽深30nm的溝槽。如假定溝槽的側(cè)壁傾斜角為30度，則傾斜部所占寬度為30nm× ×2＝104nm。
因此，在溝槽間形成平臺(tái)的上邊的長(zhǎng)度，至多為46nM(＝500-350-104)，因而偏轉(zhuǎn)量20nmpp是不能忽略的值。如該上邊的寬度不能保持一定程度的值，則存在著不能正常實(shí)施上述的退火的嚴(yán)重問(wèn)題。
除此以外，對(duì)于刻錄，還應(yīng)考慮刻錄用光學(xué)頭的輸送不穩(wěn)、刻錄功率變化、光刻靈敏度不穩(wěn)定以及顯影不均勻等使上述的上邊發(fā)生變化的主要因素，按這些因素分配后的裕度將大幅度降低。當(dāng)然，在隨后的成形工序中確保平臺(tái)寬度也很重要，所以必須盡量抑制上述的上邊的變化幅度，因而這時(shí)觀測(cè)到的干擾偏轉(zhuǎn)也必須加以抑制。
此外，當(dāng)實(shí)際上存在著干擾偏轉(zhuǎn)時(shí)，本來(lái)應(yīng)筆直地形成的溝槽出現(xiàn)了波動(dòng)，所以，構(gòu)成對(duì)原來(lái)的信號(hào)檢測(cè)的干擾(例如包絡(luò)線變化)及對(duì)跟蹤誤差信號(hào)(TE)的干擾，因而使信號(hào)處理和伺服動(dòng)作的性能降低。另外，由于溝槽本身出現(xiàn)波動(dòng)，所以改變了對(duì)記錄膜施加的應(yīng)力或?qū)τ涗浽偕鷷r(shí)的熱分布產(chǎn)生影響，因而有可能減小作為的記錄再生時(shí)的光道偏離裕度。
特別是，由于區(qū)段或扇區(qū)的開(kāi)頭是輸入同步信號(hào)的重要部位，所以必須確保該部分具有很高的記錄再生可靠性。從這個(gè)意義上說(shuō)，也必須抑制干擾偏轉(zhuǎn)。
(課題2)另外，當(dāng)以上述的偏轉(zhuǎn)量檢測(cè)裝置進(jìn)行觀測(cè)時(shí)，還觀測(cè)到與(課題1)中說(shuō)明過(guò)的不同的兩種干擾偏轉(zhuǎn)。一個(gè)是被認(rèn)為是由存在于刻錄裝置的光束路徑上的空氣的波動(dòng)引起的1Hz以下的直流緩慢波動(dòng)的干擾偏轉(zhuǎn)分量。另一個(gè)是被認(rèn)為是由刻錄裝置的各光學(xué)部件的機(jī)械振動(dòng)引起的100Hz～1kHz左右的波動(dòng)偏轉(zhuǎn)分量。
前者是什么都不進(jìn)行時(shí)在原盤(pán)上發(fā)生的移動(dòng)，可產(chǎn)生大約100nm以上的大的位移，但通過(guò)用外罩覆蓋整個(gè)刻錄裝置而抑制空氣的流動(dòng)，即可將其減小到1/10左右，然而，由于在刻錄裝置內(nèi)留有激光光源發(fā)出的熱量等，所以不能使空氣流完全為0。
另外，作為對(duì)策也可以考慮使刻錄裝置小型化而將其光路本身縮短等，但由于構(gòu)成刻錄裝置的各光學(xué)元件的物理尺寸的限制，所以這也不能作為將波動(dòng)完全消除的對(duì)策。該1Hz以下的波動(dòng)，因與原盤(pán)轉(zhuǎn)數(shù)之間的關(guān)系而不會(huì)直接導(dǎo)致光道間距的不均勻，但它是使光道的絕對(duì)位置發(fā)生波動(dòng)的原因。后者的100Hz～1kHz左右的波動(dòng)量，達(dá)到了(課題1)中說(shuō)明過(guò)的程度，由于該頻率范圍是在原盤(pán)旋轉(zhuǎn)的1周內(nèi)發(fā)生波動(dòng)的頻帶，所以是導(dǎo)致光道間距不均的原因。
對(duì)這兩種波動(dòng)，除原盤(pán)的徑向以外，也在切向以同樣方式進(jìn)行了觀測(cè)。切向的波動(dòng)，是預(yù)刻凹坑或溝槽的起始端和末端發(fā)生跳動(dòng)的原因。以上的波動(dòng)，必須予以充分的抑制，以便得到高精度的光盤(pán)原盤(pán)。
(課題3)在上述(課題1)、(課題2)中，說(shuō)明了由于在刻錄中使用的光束受到干擾偏轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的問(wèn)題。除此以外，還觀測(cè)到與(課題1)、(課題2)的偏轉(zhuǎn)基本同步的光束的干擾光量變化。
對(duì)激光光源本身，雖然進(jìn)行著適當(dāng)?shù)墓夤β仕欧?，但仍觀測(cè)到其后邊的EO調(diào)制器、EO偏轉(zhuǎn)器、光學(xué)部件特性及或光路所引起的光束的偏振光分量波動(dòng)的影響。刻錄中的光量變化，直接導(dǎo)致預(yù)刻凹坑的大小及溝槽寬度的變化，所以，對(duì)這種光量變化也必須加以抑制。

發(fā)明內(nèi)容
為解決如上所述的課題，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠抑制光盤(pán)刻錄裝置中產(chǎn)生的干擾偏轉(zhuǎn)分量及干擾光量變化分量從而能以高精細(xì)度制作高精度的光盤(pán)原盤(pán)的光盤(pán)刻錄裝置及光盤(pán)制造方法。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第1光盤(pán)刻錄裝置的特征在于，備有光束控制裝置，包含控制從激光光源射出的光束光量的光調(diào)制裝置及沿光盤(pán)原盤(pán)上的徑向控制上述光束的偏轉(zhuǎn)量的光偏轉(zhuǎn)裝置中的至少任何一種裝置；偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束中所含有的上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差；第2光偏轉(zhuǎn)裝置，設(shè)置在上述光束控制裝置和上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置之間并用于使光束沿上述徑向偏轉(zhuǎn)；反饋裝置，將利用了上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述第2光偏轉(zhuǎn)裝置。
本發(fā)明的第2光盤(pán)刻錄裝置的特征在于，備有光束控制裝置，包含控制從激光光源射出的光束光量的光調(diào)制裝置及沿光盤(pán)原盤(pán)上的徑向控制上述光束的偏轉(zhuǎn)量的光偏轉(zhuǎn)裝置中的至少任何一種裝置；偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束中所含有的上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差；反饋裝置，將利用了上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光偏轉(zhuǎn)裝置，并將上述反饋量與上述光偏轉(zhuǎn)裝置的控制量疊加。
本發(fā)明的第3光盤(pán)刻錄裝置的特征在于，備有光束控制裝置，包含沿光盤(pán)原盤(pán)上的徑向控制從激光光源射出的光束的偏轉(zhuǎn)量的光偏轉(zhuǎn)裝置；存儲(chǔ)裝置，存儲(chǔ)了預(yù)先測(cè)定出的由上述光偏轉(zhuǎn)裝置使上述光束發(fā)生了偏轉(zhuǎn)時(shí)的上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差；第2光偏轉(zhuǎn)裝置，用于控制來(lái)自上述光偏轉(zhuǎn)裝置的光束的偏轉(zhuǎn)量；前饋裝置，當(dāng)對(duì)上述光盤(pán)原盤(pán)進(jìn)行刻錄時(shí)，按照上述光束控制裝置的偏轉(zhuǎn)定時(shí)，將利用了存儲(chǔ)在上述存儲(chǔ)裝置內(nèi)的上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的前饋信號(hào)輸入到上述第2光偏轉(zhuǎn)裝置。
本發(fā)明的第4光盤(pán)刻錄裝置的特征在于，備有光束控制裝置，包含沿光盤(pán)原盤(pán)上的徑向控制從激光光源射出的光束的偏轉(zhuǎn)量的光偏轉(zhuǎn)裝置；存儲(chǔ)裝置，存儲(chǔ)了預(yù)先測(cè)定出的由上述光偏轉(zhuǎn)裝置使上述光束發(fā)生了偏轉(zhuǎn)時(shí)的上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差；前饋裝置，當(dāng)對(duì)上述光盤(pán)原盤(pán)進(jìn)行刻錄時(shí)，按照上述光束控制裝置的偏轉(zhuǎn)定時(shí)，將利用了存儲(chǔ)在上述存儲(chǔ)裝置內(nèi)的上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的前饋信號(hào)輸入到上述光偏轉(zhuǎn)裝置。
其次，本發(fā)明的第1光盤(pán)制造方法，在光盤(pán)原盤(pán)的刻錄工序中，由包含控制從激光光源射出的光束光量的光調(diào)制裝置及沿光盤(pán)原盤(pán)上的徑向控制上述光束的偏轉(zhuǎn)量的光偏轉(zhuǎn)裝置中的至少任何一種裝置的光束控制裝置控制上述光束，該光盤(pán)制造方法的特征在于包括由偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束中所含有的上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的工序、由設(shè)置在上述光束控制裝置和上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置之間的第2光偏轉(zhuǎn)裝置使光束沿上述徑向偏轉(zhuǎn)的工序、由反饋裝置將利用了上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述第2光偏轉(zhuǎn)裝置的工序。
本發(fā)明的第2光盤(pán)制造方法，在光盤(pán)原盤(pán)的刻錄工序中，由包含控制從激光光源射出的光束光量的光調(diào)制裝置及沿光盤(pán)原盤(pán)上的徑向控制上述光束的偏轉(zhuǎn)量的光偏轉(zhuǎn)裝置中的至少任何一種裝置的光束控制裝置控制上述光束，該光盤(pán)制造方法的特征在于包括由偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束中所含有的上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的工序、由反饋裝置將利用了上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光偏轉(zhuǎn)裝置并將上述反饋量與上述光偏轉(zhuǎn)裝置的控制量疊加的工序。
本發(fā)明的第3光盤(pán)制造方法，在光盤(pán)原盤(pán)的刻錄工序中，進(jìn)行由光偏轉(zhuǎn)裝置使從激光光源射出的光束沿光盤(pán)原盤(pán)上的徑向偏轉(zhuǎn)的控制，該光盤(pán)制造方法的特征在于包括在上述光盤(pán)原盤(pán)的刻錄工序之前預(yù)先測(cè)定沿上述徑向偏轉(zhuǎn)的控制產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)誤差并將其存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置內(nèi)的工序，在上述光盤(pán)原盤(pán)的刻錄工序中，包括按照上述光束的偏轉(zhuǎn)定時(shí)將利用了存儲(chǔ)在上述存儲(chǔ)裝置內(nèi)的上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的前饋信號(hào)輸入到控制來(lái)自上述光偏轉(zhuǎn)裝置的光束的偏轉(zhuǎn)量的第2光偏轉(zhuǎn)裝置的工序。
本發(fā)明的第4光盤(pán)制造方法，在光盤(pán)原盤(pán)的刻錄工序中，進(jìn)行由光偏轉(zhuǎn)裝置使從激光光源射出的光束沿光盤(pán)原盤(pán)上的徑向偏轉(zhuǎn)的控制，該光盤(pán)制造方法的特征在于包括在上述光盤(pán)原盤(pán)的刻錄工序之前預(yù)先測(cè)定沿上述徑向偏轉(zhuǎn)的控制產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)誤差并將其存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置內(nèi)的工序，在上述光盤(pán)原盤(pán)的刻錄工序中，包括按照上述光束的偏轉(zhuǎn)定時(shí)將利用了上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的前饋信號(hào)輸入到上述光偏轉(zhuǎn)裝置的工序。
按照本發(fā)明的第1、2光盤(pán)刻錄裝置，可以檢測(cè)并抑制光盤(pán)刻錄裝置的光路內(nèi)的干擾偏轉(zhuǎn)量，所以，可以將光盤(pán)原盤(pán)上的光點(diǎn)定位于所需位置，因而可以制成其預(yù)刻凹坑和溝槽的波動(dòng)或光道間距的不均都很小的光盤(pán)。按照本發(fā)明的第2光盤(pán)刻錄裝置，可以將為抑制光偏轉(zhuǎn)量而應(yīng)追加的光偏轉(zhuǎn)裝置的增加減低到最小限度。
按照本發(fā)明的第3、4光盤(pán)刻錄裝置，可以預(yù)先測(cè)定并存儲(chǔ)由光偏轉(zhuǎn)裝置使光束發(fā)生了偏轉(zhuǎn)時(shí)的徑向偏轉(zhuǎn)誤差，所以，可以很容易地抑制在伺服裝置中很難抑制的當(dāng)光偏轉(zhuǎn)時(shí)產(chǎn)生的光偏轉(zhuǎn)裝置中固有的光偏轉(zhuǎn)量的干擾。按照本發(fā)明的第4光盤(pán)刻錄裝置，可以將為抑制光偏轉(zhuǎn)量而應(yīng)追加的光偏轉(zhuǎn)裝置的增加減低到最小限度。
按照本發(fā)明的第1、2光盤(pán)制造方法，可以檢測(cè)并抑制光盤(pán)刻錄裝置的光路內(nèi)的干擾偏轉(zhuǎn)量，所以，可以將光盤(pán)原盤(pán)上的光點(diǎn)定位于所需位置，因而可以制成其預(yù)刻凹坑和溝槽的波動(dòng)或光道間距的不均都很小的預(yù)刻凹坑和溝槽的光盤(pán)。按照本發(fā)明的第2光盤(pán)制造方法，可以將為抑制光偏轉(zhuǎn)量而應(yīng)追加的光偏轉(zhuǎn)裝置的增加減低到最小限度。
按照本發(fā)明的第3、4光盤(pán)制造方法，包括在光盤(pán)原盤(pán)的刻錄工序之前預(yù)先測(cè)定沿徑向偏轉(zhuǎn)的控制產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)誤差并將其存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置內(nèi)的工序，所以，可以很容易地抑制由伺服裝置很難抑制的當(dāng)光偏轉(zhuǎn)時(shí)產(chǎn)生的光偏轉(zhuǎn)裝置中固有的光偏轉(zhuǎn)量的干擾。按照本發(fā)明的第4光盤(pán)制造方法，可以將為抑制光偏轉(zhuǎn)量而應(yīng)追加的光偏轉(zhuǎn)裝置的增加減低到最小限度。
在本發(fā)明的第1光盤(pán)刻錄裝置中，最好是，還備有設(shè)置在上述光束控制裝置和上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置之間并用于使上述光束沿上述光盤(pán)原盤(pán)上的切向偏轉(zhuǎn)的第3光偏轉(zhuǎn)裝置，上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，還以與上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差獨(dú)立的方式檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束中的上述切向的偏轉(zhuǎn)誤差，上述反饋裝置，還將利用了上述切向偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述第3光偏轉(zhuǎn)裝置。按照這種結(jié)構(gòu)，除徑向外還可以抑制切向的波動(dòng)，因而能以二維的形式抑制干擾偏轉(zhuǎn)量。
另外，上述光束控制裝置，最好是，包含上述光調(diào)制裝置，上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，還可以檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束的光量的強(qiáng)度誤差，上述反饋裝置，還將利用了上述強(qiáng)度誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光調(diào)制裝置。按照這種結(jié)構(gòu)，不但可以抑制干擾偏轉(zhuǎn)量，而且還可以將刻錄時(shí)的光點(diǎn)的強(qiáng)度控制為所需的值，所以，可以提供凹坑尺寸及光道間距變化小的良好的光盤(pán)。
另外，上述光束控制裝置，最好是，還備有控制由上述光束控制裝置控制的光束光量的光調(diào)制校正裝置，上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，還可以檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束的光量的強(qiáng)度誤差，上述反饋裝置，還將利用了上述強(qiáng)度誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光調(diào)制校正裝置。按照這種結(jié)構(gòu)，也可以將刻錄時(shí)的光點(diǎn)的強(qiáng)度控制為所需的值，所以，可以提供凹坑尺寸及光道間距變化小的良好的光盤(pán)。
在上述第3光盤(pán)刻錄裝置中，最好是，上述第2光偏轉(zhuǎn)裝置，使偏轉(zhuǎn)方向與上述光偏轉(zhuǎn)裝置一致，上述前饋信號(hào)，是使上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的極性反轉(zhuǎn)的信號(hào)。
另外，最好還備有檢測(cè)來(lái)自上述第2光偏轉(zhuǎn)裝置的光束中所含有的上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差的偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置、及將利用了上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述第2光偏轉(zhuǎn)裝置的反饋裝置。按照這種結(jié)構(gòu)，能更加可靠地抑制干擾偏轉(zhuǎn)量。
另外，最好是，還備有設(shè)置在上述光束控制裝置和上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置之間并用于使上述光束沿上述光盤(pán)原盤(pán)上的切向偏轉(zhuǎn)的第3光偏轉(zhuǎn)裝置，上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，還以與上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差獨(dú)立的方式檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束中的上述切向偏轉(zhuǎn)誤差，上述反饋裝置，還將利用了上述切向偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述第3光偏轉(zhuǎn)裝置。按照這種結(jié)構(gòu)，除徑向外還可以抑制切向的波動(dòng)，因而能以二維的形式抑制干擾偏轉(zhuǎn)量。
另外，最好是，還備有控制由上述光束控制裝置控制的光束的光量的光調(diào)制裝置，上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，還可以檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束的光量的強(qiáng)度誤差，上述反饋裝置，還將利用了上述強(qiáng)度誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光調(diào)制裝置。按照這種結(jié)構(gòu)，不但可以抑制干擾偏轉(zhuǎn)量，而且還可以將刻錄時(shí)的光點(diǎn)的強(qiáng)度控制為所需的值，所以，可以提供凹坑尺寸及光道間距變化小的良好的光盤(pán)。
在上述第4光盤(pán)刻錄裝置中，最好還備有檢測(cè)來(lái)自上述光偏轉(zhuǎn)裝置的光束中所含有的上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差的偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置、及將利用了上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光偏轉(zhuǎn)裝置并將上述反饋量與上述光偏轉(zhuǎn)裝置的控制量疊加的反饋裝置。按照這種結(jié)構(gòu)，能更加可靠地抑制干擾偏轉(zhuǎn)量。
另外，在上述第1光盤(pán)制造方法中，最好是，還備有設(shè)置在上述光束控制裝置和上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置之間并用于使上述光束沿上述光盤(pán)原盤(pán)上的切向偏轉(zhuǎn)的第3光偏轉(zhuǎn)裝置，在檢測(cè)上述偏轉(zhuǎn)誤差的工序中，上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，還以與上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差獨(dú)立的方式檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束中的上述切向偏轉(zhuǎn)誤差，在進(jìn)行上述反饋的工序中，上述反饋裝置，還將利用了上述切向偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述第3光偏轉(zhuǎn)裝置。按照這種結(jié)構(gòu)，除徑向外還可以抑制切向的波動(dòng)，因而能以二維的形式抑制干擾偏轉(zhuǎn)量。
另外，上述光束控制裝置，最好是，包含上述光調(diào)制裝置，在檢測(cè)上述偏轉(zhuǎn)誤差的工序中，上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，還檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束的光量的強(qiáng)度誤差，在進(jìn)行上述反饋的工序中，上述反饋裝置，還將利用了上述強(qiáng)度誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光調(diào)制裝置。按照這種結(jié)構(gòu)，不但可以抑制干擾偏轉(zhuǎn)量，而且還可以將刻錄時(shí)的光點(diǎn)的強(qiáng)度控制為所需的值，所以，可以提供凹坑尺寸及光道間距變化小的良好的光盤(pán)。
另外，上述光束控制裝置，最好是，還備有控制由上述光束控制裝置控制的光束的光量的光調(diào)制校正裝置，在檢測(cè)上述偏轉(zhuǎn)誤差的工序中，上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，還檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束的光量的強(qiáng)度誤差，在進(jìn)行上述反饋的工序中，上述反饋裝置，還將利用了上述強(qiáng)度誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光調(diào)制校正裝置。按照這種結(jié)構(gòu)，也可以將刻錄時(shí)的光點(diǎn)的強(qiáng)度控制為所需的值，所以，可以提供凹坑尺寸及光道間距變化小的良好的光盤(pán)。
另外，在第3光盤(pán)制造方法中，最好還包括由偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置檢測(cè)來(lái)自上述第2光偏轉(zhuǎn)裝置的光束中所含有的上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差的工序、及由反饋裝置將利用了上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述第2光偏轉(zhuǎn)裝置的工序。按照這種結(jié)構(gòu)，能更加可靠地抑制干擾偏轉(zhuǎn)量。
另外，最好是，在檢測(cè)上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差的工序中，還以與上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差獨(dú)立的方式檢測(cè)由上述光偏轉(zhuǎn)裝置控制的光束中的上述切向偏轉(zhuǎn)誤差，在進(jìn)行上述反饋的工序中，還將利用了上述切向偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述第3光偏轉(zhuǎn)裝置。按照這種結(jié)構(gòu)，除徑向外還可以抑制切向的波動(dòng)，因而能以二維的形式抑制干擾偏轉(zhuǎn)量。
另外，最好是，還包括由光調(diào)制裝置控制由上述光束控制裝置控制的光束的光量的工序，在檢測(cè)上述第2偏轉(zhuǎn)誤差的工序中，上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，還檢測(cè)由上述光偏轉(zhuǎn)裝置控制的光束的光量的強(qiáng)度誤差，在進(jìn)行上述反饋的工序中，還將利用了上述強(qiáng)度誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光調(diào)制裝置。按照這種結(jié)構(gòu)，不但可以抑制干擾偏轉(zhuǎn)量，而且還可以將刻錄時(shí)的光點(diǎn)的強(qiáng)度控制為所需的值，所以，可以提供凹坑尺寸及光道間距變化小的良好的光盤(pán)。
另外，在第4光盤(pán)制造方法中，最好還包括由偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置檢測(cè)來(lái)自上述光偏轉(zhuǎn)裝置的光束中所含有的上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差的工序、及由反饋裝置將利用了上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光偏轉(zhuǎn)裝置并將上述反饋量與上述光偏轉(zhuǎn)裝置的控制量疊加的工序。按照這種結(jié)構(gòu)，能更加可靠地抑制干擾偏轉(zhuǎn)量。
附圖的簡(jiǎn)單說(shuō)明圖1是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的光盤(pán)刻錄方式(裝置)的框圖。
圖2是表示在本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的光盤(pán)刻錄方式(裝置)中檢測(cè)出的干擾偏轉(zhuǎn)及檢測(cè)部的靈敏度的圖。
圖3是說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖4是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2的光盤(pán)刻錄方式(裝置)的框圖。
圖5是說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2的動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖6是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)3的光盤(pán)刻錄方式(裝置)的框圖。
圖7是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)4的光盤(pán)刻錄方式(裝置)的框圖。
圖8是表示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)4的光量及偏轉(zhuǎn)量的檢測(cè)部的圖。
圖9是現(xiàn)有的光盤(pán)刻錄方式(裝置)的框圖。
圖10是表示適用于高密度化的光盤(pán)的采樣伺服方式及連續(xù)伺服方式的基片結(jié)構(gòu)例的圖。
圖11是說(shuō)明采樣伺服方式的光盤(pán)刻錄方式(裝置)的動(dòng)作的時(shí)序圖。
實(shí)施發(fā)明的最佳形態(tài)以下，邊參照附圖邊說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。此外，在以下的說(shuō)明中，使用對(duì)光盤(pán)原盤(pán)進(jìn)行實(shí)際刻錄的光盤(pán)刻錄裝置說(shuō)明光盤(pán)刻錄方法。
(實(shí)施形態(tài)1)圖1是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的光盤(pán)刻錄裝置的框圖。本圖所示的框圖，示出光盤(pán)刻錄裝置的結(jié)構(gòu)及工序，因而也是光盤(pán)制造工序中的光盤(pán)原盤(pán)制作工序的框圖。這種情況，在以下的圖4、6、7中也相同。
對(duì)與圖9中說(shuō)明過(guò)的現(xiàn)有光盤(pán)刻錄裝置相同的部分標(biāo)以相同的編號(hào)而將其說(shuō)明省略。這里，假定EO偏轉(zhuǎn)器3以數(shù)字偏轉(zhuǎn)方式驅(qū)動(dòng)。
想要刻錄的光盤(pán)的格式，假定為如圖10(a)所示的帶溝槽的采樣伺服方式。為抑制原盤(pán)的徑向干擾偏轉(zhuǎn)，該光盤(pán)刻錄裝置，追加了一個(gè)由虛線200圍出的作為伺服裝置的干擾偏轉(zhuǎn)抑制部。其目的主要是，用伺服裝置抑制在上述的發(fā)明所要解決的課題(課題1)中說(shuō)明過(guò)的EO偏轉(zhuǎn)器中的階躍偏轉(zhuǎn)后的干擾偏轉(zhuǎn)及(課題2)示出的波動(dòng)。
在圖1中，201是光束分離器，202是聚光透鏡，203是二分立檢測(cè)器。二分立檢測(cè)器203，垂直于圖1的紙面配置，并按左右即與光盤(pán)原盤(pán)的徑向?qū)?yīng)的方向劃分。光束分離器201，將光束Lc按規(guī)定的比例分配給物鏡5和聚光透經(jīng)202。分配的比例，如激光光源1的功率足夠則各為50％，但最好從確保檢測(cè)信號(hào)的SNR(信噪比)等觀點(diǎn)考慮。射向2個(gè)方向的光束的光束形狀，必須保持為與入射到光束分離器201時(shí)相同的形狀。
聚光透鏡，假定焦點(diǎn)會(huì)聚在Dc，但將二分立檢測(cè)器203配置在其前面。二分立檢測(cè)器203，安裝在XYZ工作臺(tái)上，以使其易于調(diào)整。聚光后的光束Lc，以不產(chǎn)生因遮光而引起的檢測(cè)誤差的方式全部導(dǎo)入二分立檢測(cè)器203的有效區(qū)域。
二分立檢測(cè)器203的輸出與差動(dòng)放大器204連接，并作為與偏轉(zhuǎn)量相當(dāng)?shù)钠D(zhuǎn)檢測(cè)信號(hào)Vdet進(jìn)行檢測(cè)。該差動(dòng)放大器204，從確保檢測(cè)信號(hào)的SNR的觀點(diǎn)考慮，最好也安裝在上述的XYZ工作臺(tái)上。當(dāng)偏轉(zhuǎn)量為0時(shí)，二分立檢測(cè)器203，基本上定位于使偏轉(zhuǎn)檢測(cè)信號(hào)Vdet為0。
這里，在圖2(a)中示出實(shí)際刻錄時(shí)的偏轉(zhuǎn)檢測(cè)信號(hào)Vdet。在圖2(a)的波形中，(a1)表示使第1擺動(dòng)凹坑11偏向內(nèi)周時(shí)，(a2)表示使第2擺動(dòng)凹坑12偏向外周時(shí)，(a3)表示開(kāi)始刻錄溝槽時(shí)。特別是，觀測(cè)如(a4)所示的因干擾偏轉(zhuǎn)引起的波動(dòng)。
在該區(qū)段不形成地址凹坑13。從圖中可以看出，因干擾偏轉(zhuǎn)引起的波動(dòng)，從偏向內(nèi)周起經(jīng)過(guò)了15μs(從溝槽的起始端起約10μs)后衰減到相當(dāng)小的值。偏轉(zhuǎn)量，在原盤(pán)100上的位移中為10～20nmpp左右。
按圖中的刻度換算的擺動(dòng)位移，似乎只能移動(dòng)不足60nm，但實(shí)際上是位移約為200nm時(shí)的波形。這是由圖2(b)所示的偏轉(zhuǎn)檢測(cè)的非線性特性引起的。
就是說(shuō)，在如上所述的偏轉(zhuǎn)檢測(cè)方法中，這是由于當(dāng)為提高檢測(cè)靈敏度而將二分立檢測(cè)器203配置在檢測(cè)透鏡(聚光透鏡)202的焦點(diǎn)附近時(shí)偏轉(zhuǎn)檢測(cè)信號(hào)Vdet有趨于飽和的傾向。在線性控制中只使用圖2(b1)所示的線性區(qū)域，或?yàn)槭褂帽绕涓鼘挼姆秶捅仨殞?duì)圖2(b2)所示的非線性部分進(jìn)行校正。
為增加線性區(qū)域，只需犧牲靈敏度而以不遮擋光束的程度使二分立檢測(cè)器203遠(yuǎn)離聚光透鏡的焦點(diǎn)位置即可。但是，這將使檢測(cè)靈敏度降低。線性的確認(rèn)，通過(guò)改變對(duì)EO偏轉(zhuǎn)器3施加的與偏轉(zhuǎn)量成比例的電壓并繪制與偏轉(zhuǎn)檢測(cè)信號(hào)Vdet的關(guān)系曲線進(jìn)行判定。
回到圖1繼續(xù)進(jìn)行說(shuō)明。偏轉(zhuǎn)檢測(cè)信號(hào)Vdet，傳送到采樣保持(S/H)電路205。S/H電路205，由RC構(gòu)成20db/dec(分貝/十倍頻程)的一階低通濾波器。
采樣區(qū)間，由來(lái)自格式器101a的S/H信號(hào)控制，使其為刻錄溝槽14的區(qū)間，。實(shí)際上，如圖3的(a5)所示，將比溝槽14的區(qū)間窄一些的區(qū)間設(shè)定為采樣區(qū)間。其他區(qū)間、即偏轉(zhuǎn)過(guò)程中使光量為0的區(qū)間，設(shè)定為保持區(qū)間。
另外，格式器101a與圖9的格式器101的不同點(diǎn)在于，還輸出一個(gè)S/H信號(hào)。此外，圖3是只在圖11中追加了上述S/H信號(hào)的圖，所以，其他部分的說(shuō)明，如現(xiàn)有例中所述。
S/H電路205的輸出，與誤差放大器206連接，用于使其與給定值設(shè)定部207的輸出(這里設(shè)定為0)的誤差趨近于0。誤差放大器206的輸出，傳送到用于本伺服裝置的增益設(shè)定及根據(jù)需要對(duì)相位進(jìn)行補(bǔ)償?shù)脑鲆嬖O(shè)定·相位補(bǔ)償電路208。
其輸出FB，作為反饋信號(hào)由模擬偏轉(zhuǎn)方式的第2EOD驅(qū)動(dòng)器209進(jìn)行直流放大。對(duì)于第2EOD驅(qū)動(dòng)器209，最好采用高速、高壓的雙極電源，從而能可靠地對(duì)前一級(jí)的增益設(shè)定·相位補(bǔ)償電路208的輸出進(jìn)行放大。第2EOD驅(qū)動(dòng)器209的輸出，連接于設(shè)置在EO偏轉(zhuǎn)器3和光束分離器201之間的第2EO偏轉(zhuǎn)器210。
按照具有如上所述的結(jié)構(gòu)的本實(shí)施形態(tài)，通過(guò)由增益設(shè)定·相位補(bǔ)償電路208設(shè)定適當(dāng)?shù)脑鲆?，可以更充分地抑制原盤(pán)的徑向干擾偏轉(zhuǎn)量，并可以借助于S/H電路205的一階低通濾波特性更充分地抑制在(課題2)中說(shuō)明過(guò)的1Hz以下及100Hz～1kHz的波動(dòng)分量。
但是，在(課題1)中說(shuō)明過(guò)的階躍偏轉(zhuǎn)后的波動(dòng)，由于基波為700kHz的高頻，所以在第2EOD驅(qū)動(dòng)器209及其他電路要素群的延遲的影響下只能將波動(dòng)量抑制到幾分之一。盡管如此，由于不僅可以將實(shí)際的波動(dòng)量抑制到幾nm以下而且能夠充分地抑制低頻波動(dòng)，所以作為高密度的光盤(pán)刻錄裝置的實(shí)用效果可以說(shuō)是顯著的。
另外，在本實(shí)施形態(tài)中，通過(guò)光束分離器201后的光束，進(jìn)入獨(dú)立的光路，由于在各光路中都可能分別受到空氣波動(dòng)的影響，所以最好將光束分離器201盡可能靠近物鏡5配置，并使聚光透鏡202也靠近光束分離器201。
另外，為避免上述的影響，從來(lái)自原盤(pán)100的反射光中檢測(cè)出偏轉(zhuǎn)量也是有效的。即，也可以變更光束分離器201及物鏡5周?chē)墓鈱W(xué)系統(tǒng)，使光束Lc通過(guò)一次并在通過(guò)物鏡5后使焦點(diǎn)作為光點(diǎn)會(huì)聚在原盤(pán)100上，然后將其反射光導(dǎo)入二分立檢測(cè)器203，從而從該光束檢測(cè)偏轉(zhuǎn)量。
但是，在這種情況下，必須排除物經(jīng)5的遮擋及來(lái)自物鏡的聚焦用光源的干擾光的影響。
另外，為了抑制因刻錄時(shí)的功率設(shè)定變更引起的伺服增益的變化，在差動(dòng)放大器204中，最好備有將二分立檢測(cè)器203的兩個(gè)輸出相加并對(duì)兩者之差進(jìn)行除法運(yùn)算的AGC(自動(dòng)增益控制)電路?；蛘撸梢詫⒓す夤庠?的功率控制信號(hào)傳送到增益設(shè)定·相位補(bǔ)償電路208，并構(gòu)成使增益保持一定的AGC。
另外，當(dāng)激光光源1的波長(zhǎng)限定為300nm時(shí)，在通常的樹(shù)脂密封的Si系列的檢測(cè)器中，因樹(shù)脂吸收光而得不到適當(dāng)?shù)臋z測(cè)靈敏度，所以，必需選擇具有石英玻璃密封外殼的Si系列等檢測(cè)器。此外，在本實(shí)施形態(tài)中，當(dāng)生成使溝槽14擺動(dòng)的格式時(shí)，可以從格式器101輸出與擺動(dòng)量相當(dāng)?shù)闹挡⑤斎氲浇o定值設(shè)定部207，然后通過(guò)設(shè)定給定值設(shè)定部207的給定值即可實(shí)現(xiàn)。
另外，在本實(shí)施形態(tài)中，以既備有作為光調(diào)制裝置的EO調(diào)制器2又備有作為光偏轉(zhuǎn)裝置的EO偏轉(zhuǎn)器3的裝置為例進(jìn)行了說(shuō)明，但如上所述，按照本實(shí)施形態(tài)，可以抑制原盤(pán)的徑向干擾偏轉(zhuǎn)量，所以，也可以是只包含EO調(diào)制器2及EO偏轉(zhuǎn)器3中的任何一個(gè)的裝置。
另外，在本實(shí)施形態(tài)中，以另外設(shè)有與EO偏轉(zhuǎn)器3不同的第2EO偏轉(zhuǎn)器210的例進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以不設(shè)第2EO偏轉(zhuǎn)器210而將反饋信號(hào)反饋到EO偏轉(zhuǎn)器3，并將反饋量與EO偏轉(zhuǎn)器3的控制量疊加。
(實(shí)施形態(tài)2)以下，說(shuō)明實(shí)施形態(tài)2。如上所述的實(shí)施形態(tài)1中的伺服裝置，雖然在實(shí)用上十分有效，但還不能將在(課題1)中說(shuō)明過(guò)的階躍偏轉(zhuǎn)后的波動(dòng)(以下，稱作偏轉(zhuǎn)波動(dòng))抑制到實(shí)際上可以忽略的程度。在本實(shí)施形態(tài)中，給出一種備有可以通過(guò)前饋控制而將該偏轉(zhuǎn)波動(dòng)消除的消除裝置的光盤(pán)刻錄裝置。
具體地說(shuō)，是在實(shí)施形態(tài)1中追加了上述消除裝置的例。當(dāng)然，按照光盤(pán)格式，有時(shí)采用將實(shí)施形態(tài)1的伺服裝置省略而只安裝了上述消除裝置的光盤(pán)刻錄裝置也足夠了。這種情況，在以下的實(shí)施形態(tài)3中也是一樣。
圖4是本實(shí)施形態(tài)的光盤(pán)刻錄裝置的框圖。對(duì)與實(shí)施形態(tài)1相同的部分標(biāo)以相同的編號(hào)而將其說(shuō)明省略。該光盤(pán)刻錄裝置，為消除上述的偏轉(zhuǎn)波動(dòng)而追加了一個(gè)由虛線300圍出的干擾偏轉(zhuǎn)消除部。
在圖4中，301～304是存儲(chǔ)了階躍偏轉(zhuǎn)后產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)波動(dòng)的波形存儲(chǔ)器(1)～波形存儲(chǔ)器(4)。305是決定各波形存儲(chǔ)器的輸出定時(shí)的時(shí)序控制器，根據(jù)由格式器101輸出的偏轉(zhuǎn)信號(hào)Ved生成時(shí)序。306是將從波形存儲(chǔ)器(1)301～波形存儲(chǔ)器(4)304輸出的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)相加的加法器，用于將波形存儲(chǔ)器全加輸出作為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸出。
307是將加法器306的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)并將其作為反饋信號(hào)輸出的DA(數(shù)模)轉(zhuǎn)換器(DAC)，308是將來(lái)自本實(shí)施形態(tài)的干擾偏轉(zhuǎn)消除部的前饋信號(hào)FF與實(shí)施形態(tài)1中說(shuō)明過(guò)的伺服裝置的增益設(shè)定·相位補(bǔ)償電路208的反饋信號(hào)FB相加的加法放大器。加法放大器308的輸出，通過(guò)第2EOD驅(qū)動(dòng)器209驅(qū)動(dòng)第2EO偏轉(zhuǎn)器210。
圖5是表示波形存儲(chǔ)器(1)301～波形存儲(chǔ)器(4)304的輸出定時(shí)的時(shí)序圖。圖5(a)示出由偏轉(zhuǎn)信號(hào)Ved驅(qū)動(dòng)的EO偏轉(zhuǎn)器3的EOD驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vedd。在時(shí)刻t1、t2、t3、t4，分別進(jìn)行偏向內(nèi)周、回到中央、偏向外周、回到中央的驅(qū)動(dòng)。
時(shí)序控制器305，按t1～t4的順序，分別輸出存儲(chǔ)在波形存儲(chǔ)器(1)301～波形存儲(chǔ)器(4)304內(nèi)的波形。波形存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)雖然是數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，但在圖5中為易于理解而分別表示為(b)、(c)、(d)、(f)的模擬波形。在各波形存儲(chǔ)器內(nèi)，存儲(chǔ)著EO偏轉(zhuǎn)器3的階躍響應(yīng)后的偏轉(zhuǎn)波動(dòng)。這種波形存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)，在對(duì)光盤(pán)實(shí)際進(jìn)行刻錄之前預(yù)先進(jìn)行。
在本說(shuō)明中，圖5(b)所示，將波動(dòng)波形作為正弦波衰減振蕩而模型化，但實(shí)際的偏轉(zhuǎn)波動(dòng)是含有高頻分量的不規(guī)則值，因而不能通過(guò)計(jì)算算出，實(shí)際上是對(duì)所使用的EO偏轉(zhuǎn)器3施加階躍電壓后用數(shù)字示波器等將其作為基本波形取得的。
如假定在各時(shí)刻的偏轉(zhuǎn)量相同，則對(duì)其偏轉(zhuǎn)方向及偏轉(zhuǎn)量加以調(diào)整后將上述基本波形存儲(chǔ)在各波形存儲(chǔ)器內(nèi)。在這種情況下，將偏轉(zhuǎn)方向相同的時(shí)刻t1和t4的偏轉(zhuǎn)波形存儲(chǔ)在波形存儲(chǔ)器(1)301和波形存儲(chǔ)器(4)304內(nèi)。
另外，時(shí)刻t2和t3的偏轉(zhuǎn)方向，與時(shí)刻t1和t4的偏轉(zhuǎn)方向相反。因此，將極性與時(shí)刻t1和t4的偏轉(zhuǎn)波形相反的波形存儲(chǔ)在波形存儲(chǔ)器(2)302和波形存儲(chǔ)器(3)303內(nèi)。
用于抑制偏轉(zhuǎn)波動(dòng)的前饋信號(hào)FF，是將以上4個(gè)波形存儲(chǔ)器的所有值相加后的(h)所示的波形存儲(chǔ)器全加輸出。
另外，前饋信號(hào)FF，由時(shí)序控制部305調(diào)整起始點(diǎn)，以便對(duì)電路系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的延遲等進(jìn)行校正。此外，波形存儲(chǔ)器的輸出，一到偏轉(zhuǎn)波動(dòng)在實(shí)用上可以忽略的時(shí)刻就截止為0，并為下一個(gè)偏轉(zhuǎn)周期作準(zhǔn)備。
作為參考，在圖5(d)和(g)中分別以波形存儲(chǔ)器(1)+(2)、波形存儲(chǔ)器(3)+(4)示出進(jìn)行了向內(nèi)周和外周偏轉(zhuǎn)的脈沖動(dòng)作時(shí)的偏轉(zhuǎn)波動(dòng)。如使用這種波形，則如現(xiàn)有例中給出的DVD-RAM所示，當(dāng)偏轉(zhuǎn)發(fā)生4次時(shí)需用多達(dá)8個(gè)波形存儲(chǔ)器，但如分別按每個(gè)脈沖進(jìn)行存儲(chǔ)則可以節(jié)省到4個(gè)。
另外，存儲(chǔ)在各波形存儲(chǔ)器內(nèi)的值雖然極性不同但本質(zhì)相同，所以，通過(guò)對(duì)1個(gè)波形存儲(chǔ)器的讀出進(jìn)行時(shí)序控制，也可以節(jié)省波形存儲(chǔ)器。
另外，應(yīng)存儲(chǔ)在波形存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)，最好以如下方式采集，即，不存在如(課題2)所述的波動(dòng)的影響、積分后不存在干擾的影響、或在進(jìn)行低頻伺服的同時(shí)取出高頻干擾。
按照如上所述的實(shí)施形態(tài)，可以對(duì)在實(shí)施形態(tài)1的伺服裝置中不能完全抑制的偏轉(zhuǎn)波動(dòng)進(jìn)行充分的抑制。此外，在實(shí)施形態(tài)1中只能將溝槽14的偏轉(zhuǎn)波動(dòng)作為抑制對(duì)象，但在本實(shí)施形態(tài)中，偏轉(zhuǎn)中的第1擺動(dòng)凹坑11和第2擺動(dòng)凹坑12、及地址凹坑13的偏轉(zhuǎn)波動(dòng)都可以消除。因此，由于可以將第1擺動(dòng)凹坑11和第2擺動(dòng)凹坑12的偏轉(zhuǎn)波動(dòng)同時(shí)消除，所以可以提高采樣伺服的跟蹤精度并能對(duì)溝槽14的中心進(jìn)行高精度的跟蹤。
(實(shí)施形態(tài)3)以下，說(shuō)明實(shí)施形態(tài)3。本實(shí)施形態(tài)，是對(duì)實(shí)施形態(tài)2的改進(jìn)，在實(shí)施形態(tài)2中使用了2個(gè)EO偏轉(zhuǎn)器，但這里只使用一個(gè)，因而無(wú)需追加高價(jià)的EO偏轉(zhuǎn)器。圖6是本實(shí)施形態(tài)的光盤(pán)刻錄裝置的框圖。對(duì)與實(shí)施形態(tài)2相同的部分標(biāo)以相同的編號(hào)而將其說(shuō)明省略。
不同的部分為，格式器101b、時(shí)序控制部305a、以400示出的共用EO偏轉(zhuǎn)器的加法放大器308a。由于采用了共用結(jié)構(gòu)，所以將第2EOD驅(qū)動(dòng)器209和第2EO偏轉(zhuǎn)器210除去。
從格式器101b控制EOD驅(qū)動(dòng)器的控制信號(hào)Ved2，是圖3(a3)所示的EOD驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vedd的放大前的模擬信號(hào)。時(shí)序控制部305a，從控制信號(hào)Ved2抽出定時(shí)信號(hào)。當(dāng)然，也可以代替控制信號(hào)Ved2而采用從格式器101b輸出與實(shí)施形態(tài)2相同的數(shù)字信號(hào)即偏轉(zhuǎn)信號(hào)Ved的結(jié)構(gòu)。
加法放大器308a，將反饋信號(hào)FB、前饋信號(hào)FF及EOD控制信號(hào)相加，并生成EOD控制信號(hào)Vedd3。這里，假定EO偏轉(zhuǎn)方式為模擬偏轉(zhuǎn)方式。因此，成本將稍有增加且變得復(fù)雜，但可以將高電壓下的高通過(guò)速率的直流型放大器用作EOD驅(qū)動(dòng)器103a。抑制干擾偏轉(zhuǎn)的動(dòng)作，與實(shí)施形態(tài)2基本相同，所以將其說(shuō)明省略。
在以上的結(jié)構(gòu)中，即使在EO偏轉(zhuǎn)器3和反射鏡4之間不能插入新的EO偏轉(zhuǎn)器時(shí)，只要能夠插入光束分離器201就可以抑制干擾偏轉(zhuǎn)。此外，還避免了因插入新的EO偏轉(zhuǎn)器而使光路長(zhǎng)度延長(zhǎng)因而使干擾偏轉(zhuǎn)增加的惡劣影響。
另外，對(duì)于EO偏轉(zhuǎn)器，將2個(gè)EO偏轉(zhuǎn)器裝在一個(gè)單元內(nèi)的型式已付諸實(shí)用，因此，對(duì)采用這種結(jié)構(gòu)的光盤(pán)刻錄裝置來(lái)說(shuō)，如按照實(shí)施形態(tài)2，則無(wú)需追加高電壓下的高通過(guò)速率的直流型放大器，因而能以經(jīng)濟(jì)的方式實(shí)現(xiàn)。
另外，本實(shí)施形態(tài)，在進(jìn)行了如下的變更后仍可以進(jìn)行同樣的動(dòng)作。即，首先，將EO調(diào)制器2與EO偏轉(zhuǎn)器3的順序顛倒后配置，并將光束分離器201配置在EO偏轉(zhuǎn)器3的后邊，從而可以隨時(shí)檢測(cè)偏轉(zhuǎn)量。其次，使S/H電路205始終為采樣狀態(tài)并在S/H電路205和誤差放大器206之間插入一個(gè)可以校正圖2(b)所示的非線性特性的校正裝置。
將格式器101b的偏轉(zhuǎn)信號(hào)Ved從加法放大器308a取下而輸入到給定值設(shè)定部207。增益設(shè)定·相位補(bǔ)償電路208內(nèi)的相位補(bǔ)償功能，轉(zhuǎn)移到不產(chǎn)生延遲的上述校正裝置。
當(dāng)按如上方式構(gòu)成閉合回路時(shí)，在EOD驅(qū)動(dòng)器103a中，將對(duì)由誤差放大器檢測(cè)出的干擾偏轉(zhuǎn)量的抑制分量與將偏轉(zhuǎn)信號(hào)Ved2放大后的驅(qū)動(dòng)信號(hào)疊加，另外還由波形存儲(chǔ)器輸入消除信號(hào)。其結(jié)果是，EO偏轉(zhuǎn)器3，可以實(shí)現(xiàn)與本實(shí)施形態(tài)3基本相同的對(duì)干擾偏轉(zhuǎn)的抑制。
(實(shí)施形態(tài)4)以下，說(shuō)明實(shí)施形態(tài)4。本實(shí)施形態(tài)，與實(shí)施形態(tài)1～3僅對(duì)徑向的干擾偏轉(zhuǎn)進(jìn)行抑制不同，是抑制切向的干擾偏轉(zhuǎn)及干擾光量變化的例。圖7是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)4的光盤(pán)刻錄方式(裝置)的框圖。對(duì)與實(shí)施形態(tài)3相同的部分標(biāo)以相同的編號(hào)而將其說(shuō)明省略。此外，圖8是表示本實(shí)施形態(tài)中的光量及偏轉(zhuǎn)量的檢測(cè)部的圖。
這里，首先說(shuō)明圖8。在圖8中，203a是四分立檢測(cè)器，由A、B、C、D各檢測(cè)部構(gòu)成，并設(shè)置在與實(shí)施形態(tài)3的二分立檢測(cè)器203相同的位置。Lm是在四分立檢測(cè)器203a上形成的光束，當(dāng)光束Lc偏轉(zhuǎn)時(shí)在四分立檢測(cè)器203a上沿圖示的徑向和切向移動(dòng)。這里所說(shuō)的移動(dòng)方向與原盤(pán)上的光點(diǎn)的移動(dòng)相同。切向移動(dòng)(偏轉(zhuǎn)量)，按(A+B)-(C+D)檢測(cè)，徑向移動(dòng)(偏轉(zhuǎn)量)，按(B+D)-(A+C)檢測(cè)。
各偏轉(zhuǎn)量，由復(fù)合放大器600計(jì)算。各檢測(cè)部的光電流，由IV放大器601～604變換為電壓。然后，由加法放大器605～608計(jì)算上述兩式的括弧內(nèi)的值。
進(jìn)一步，在加法放大器609中，計(jì)算光束的總光量Vsum＝(A+B+C+D)，除供給后文所述的AGC外，用于消除光盤(pán)刻錄裝置的干擾光量。差動(dòng)放大器610和611，計(jì)算上述兩式的差分，并分別作為切向偏轉(zhuǎn)量和徑向偏轉(zhuǎn)量。
進(jìn)一步，這兩個(gè)值分別在AGC電路612和613中使用并除以加法放大器609的總光量Vsum，從而計(jì)算并輸出歸一化的切向偏轉(zhuǎn)信號(hào)Vdett和徑向偏轉(zhuǎn)信號(hào)Vdetr。Vdetr實(shí)質(zhì)上與實(shí)施形態(tài)1～3的Vdet相同。
在圖7中，按本實(shí)施形態(tài)的目的而對(duì)實(shí)施形態(tài)3追加的是由虛線500圍出的切向干擾偏轉(zhuǎn)抑制部和光量變化抑制部。203a和600，分別為上述的四分立檢測(cè)器和復(fù)合放大器。將徑向偏轉(zhuǎn)信號(hào)Vdetr傳送到構(gòu)成現(xiàn)有的徑向干擾偏轉(zhuǎn)抑制部的S/H電路205，而對(duì)切向干擾偏轉(zhuǎn)的抑制則使用切向偏轉(zhuǎn)信號(hào)Vdett。
S/H電路501、誤差放大器502、給定值設(shè)定部503、增益設(shè)定·相位補(bǔ)償電路504及第3EO驅(qū)動(dòng)器505，分別起著與S/H電路205、誤差放大器206、給定值設(shè)定部207、增益設(shè)定·相位補(bǔ)償電路208及實(shí)施形態(tài)1中的第2EO驅(qū)動(dòng)器209相同的作用。506是設(shè)置在EO偏轉(zhuǎn)器3和光束分離器201間的可沿切向進(jìn)行控制的第3EO偏轉(zhuǎn)器。
在本光盤(pán)刻錄裝置中，由于基本上不進(jìn)行在切向上的偏轉(zhuǎn)，所以將切向偏轉(zhuǎn)信號(hào)Vdett直接看作干擾偏轉(zhuǎn)量。在完成對(duì)四分立檢測(cè)器203a的劃分位置和電路系統(tǒng)的偏置電壓的零點(diǎn)調(diào)整后，通過(guò)將給定值設(shè)定部設(shè)定為0，即可抑制切向的干擾偏轉(zhuǎn)量。
EOM驅(qū)動(dòng)器102a與上述實(shí)施形態(tài)不同，具有校正光量變化的功能。即，備有將格式器101c輸出的光量給定值Vem2與總光量Vsum之差放大后作為EO調(diào)制器2的驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vemd而進(jìn)行反饋的伺服裝置，進(jìn)行控制以使Vsum和Vem2趨于相等，并以原盤(pán)上的光量為目標(biāo)設(shè)定Vem2。
另外，如上所述，當(dāng)進(jìn)行光盤(pán)的原盤(pán)刻錄時(shí)，如進(jìn)行CAV刻錄，則隨著向外周的移動(dòng)而增大激光光源1的發(fā)射光量，當(dāng)沿刻錄半徑進(jìn)行光量控制時(shí)，使該給定值也相應(yīng)地變?yōu)橄駿OM驅(qū)動(dòng)器102a傳送的適當(dāng)值。
按照如上所述的實(shí)施形態(tài)4，除徑向的干擾偏轉(zhuǎn)量外，還可以抑制切向的干擾偏轉(zhuǎn)量及干擾光量變化。
另外，在圖7所示的實(shí)施形態(tài)中，以備有切向干擾偏轉(zhuǎn)抑制部和光量變化抑制部的例進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以是備有其中任何一個(gè)的結(jié)構(gòu)。
另外，也可以對(duì)上述實(shí)施形態(tài)1的結(jié)構(gòu)追加本實(shí)施形態(tài)的抑制切向干擾偏轉(zhuǎn)量的功能及校正光量變化的功能。在圖1中，當(dāng)對(duì)不具備EO調(diào)制器2的結(jié)構(gòu)追加校正光量變化的功能時(shí)，只需在EO偏轉(zhuǎn)器3的后邊追加作為光調(diào)制校正裝置的EO調(diào)制器并將與強(qiáng)度誤差有關(guān)的反饋信號(hào)反饋到所追加的該EO調(diào)制器即可。
(光盤(pán)制作)采用如上所述的實(shí)施形態(tài)1～4的光盤(pán)刻錄方法(裝置)制成的玻璃原盤(pán)，在隨后的母盤(pán)工序中用壓模進(jìn)行加工。即，首先，進(jìn)行將按溝槽和凹坑部曝光后的光刻膠除去的顯影過(guò)程。然后，蒸鍍鎳以形成預(yù)鍍層，并以鎳鍍層增加厚度而制成壓模，將原盤(pán)和壓模剝離。
進(jìn)一步，對(duì)制成的壓模進(jìn)行用于成型機(jī)的外形和孔的加工以及背面的研磨等。接著，將其安裝在光盤(pán)基片成型機(jī)內(nèi)，通過(guò)聚碳酸酯的注射成型，制成透明的光盤(pán)基片。
然后，用濺射裝置形成記錄膜和反射膜，并根據(jù)需要涂敷保護(hù)膜，在封入盒體等之后，即可完成所需的光盤(pán)。
按照如上方式，采用本發(fā)明的光盤(pán)刻錄方法(裝置)制成的光盤(pán)，其預(yù)刻凹坑的大小和位置及溝槽的寬度和間距，都可以精確地按所需的位置形成，所以，預(yù)刻凹坑再生時(shí)的SNR高，跟蹤誤差信號(hào)精確且偏差小，溝槽寬度和/或平臺(tái)寬度穩(wěn)定而偏差小，所以，可以顯著地提高記錄再生的性能和穩(wěn)定裕度。
反過(guò)來(lái)說(shuō)，這種情況意味著，如采用本發(fā)明的光盤(pán)刻錄方法(裝置)制作光盤(pán)，則即使進(jìn)一步減小光道間距和凹坑尺寸也能確保與現(xiàn)有的刻錄裝置相同的記錄再生性能和穩(wěn)定裕度，因而可以制成密度更高的光盤(pán)。
另外，在如上所述的各實(shí)施形態(tài)的光盤(pán)刻錄方法中，說(shuō)明了使用一個(gè)光束進(jìn)行刻錄的單光束刻錄方式。如在刻錄中采用以不同的光束按偏轉(zhuǎn)方式形成預(yù)刻凹坑和不偏轉(zhuǎn)地形成溝槽的雙光束刻錄方式以抑制偏轉(zhuǎn)波動(dòng)，則在原理上可以使溝槽不受偏轉(zhuǎn)的影響。
但是，在雙光束刻錄方式中，兩個(gè)光點(diǎn)的高精度的定位、即按0.01μm以下的精度在切向和徑向的二維方向上進(jìn)行定位，將成為新的課題。即使是進(jìn)行雙光束刻錄，如按本發(fā)明對(duì)兩個(gè)光束分別檢測(cè)干擾偏轉(zhuǎn)和干擾光量變化并進(jìn)行反饋，則也能刻錄高精度的光盤(pán)。
另外，實(shí)施形態(tài)1～4可以適用的光盤(pán)，以現(xiàn)有例的圖10(a)的制作為例示出，但光盤(pán)格式也可以是包括圖10(b)所示的DVD-RAM在內(nèi)的所有光盤(pán)格式。
例如，即使是CD或CD-ROM那樣的按凹坑的有無(wú)進(jìn)行刻錄的光盤(pán)，也可以通過(guò)對(duì)凹坑形成過(guò)程中的偏轉(zhuǎn)量進(jìn)行采樣而抑制徑向和切向的干擾偏轉(zhuǎn)量并能抑制光量變化。
按照這種方式，可以提高預(yù)刻凹坑的大小和位置的精度，所以能抑制徑向的波動(dòng)，因而可以提高跟蹤誤差信號(hào)的精度，并能減低預(yù)刻凹坑的切向信號(hào)的波動(dòng)，由于可以使預(yù)刻凹坑的尺寸均勻化，所以能夠改善SND并減小跳動(dòng)。進(jìn)一步，本發(fā)明的用途也不限于光盤(pán)，也可以用于提高以激光光源形成圖案的系統(tǒng)的精度。
另外，從測(cè)定結(jié)果可以看出，當(dāng)減低驅(qū)動(dòng)電壓的通過(guò)速率時(shí)，可以減小使EO偏轉(zhuǎn)器以階躍方式變化后的偏轉(zhuǎn)波動(dòng)，所以，在刻錄速度與光盤(pán)格式的關(guān)系中，如能容許緩慢的偏轉(zhuǎn)，則最好將通過(guò)速率減低裝置與本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)組合在一起實(shí)施并抑制所引起的偏轉(zhuǎn)波動(dòng)。
從以上的說(shuō)明可以看出，如采用本發(fā)明的光盤(pán)刻錄方法(裝置)，則可以從光盤(pán)的原盤(pán)消除由干擾偏轉(zhuǎn)和/或干擾光量變化所引起的預(yù)刻凹坑和溝槽的變動(dòng)，因此，可以用以高精細(xì)度形成的高精度原盤(pán)提供適用于大容量、高密度的光盤(pán)。
權(quán)利要求
1.一種光盤(pán)刻錄裝置，其特征在于，備有光束控制裝置，包含控制從激光光源射出的光束光量的光調(diào)制裝置及沿光盤(pán)原盤(pán)上的徑向控制上述光束的偏轉(zhuǎn)量的光偏轉(zhuǎn)裝置中的至少任何一種裝置；偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束中所含有的上述徑向的偏轉(zhuǎn)誤差；第2光偏轉(zhuǎn)裝置，設(shè)置在上述光束控制裝置和上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置之間并用于使光束沿上述徑向偏轉(zhuǎn)；反饋裝置，將利用了上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述第2光偏轉(zhuǎn)裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤(pán)刻錄裝置，其特征在于還備有設(shè)置在上述光束控制裝置和上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置之間并用于使上述光束沿上述光盤(pán)原盤(pán)上的切向偏轉(zhuǎn)的第3光偏轉(zhuǎn)裝置，上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，還以與上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差獨(dú)立的方式檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束中的上述切向的偏轉(zhuǎn)誤差，上述反饋裝置，還將利用了上述切向偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述第3光偏轉(zhuǎn)裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤(pán)刻錄裝置，其特征在于上述光束控制裝置，包含上述光調(diào)制裝置，上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，還可以檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束的光量的強(qiáng)度誤差，上述反饋裝置，還將利用了上述強(qiáng)度誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光調(diào)制裝置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤(pán)刻錄裝置，其特征在于上述光束控制裝置，還備有控制由上述光束控制裝置控制的光束的光量的光調(diào)制校正裝置，上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，還可以檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束的光量的強(qiáng)度誤差，上述反饋裝置，還將利用了上述強(qiáng)度誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光調(diào)制校正裝置。
5.一種光盤(pán)刻錄裝置，其特征在于，備有光束控制裝置，包含控制從激光光源射出的光束光量的光調(diào)制裝置及沿光盤(pán)原盤(pán)上的徑向控制上述光束的偏轉(zhuǎn)量的光偏轉(zhuǎn)裝置中的至少任何一種裝置；偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束中所含有的上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差；反饋裝置，將利用了上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光偏轉(zhuǎn)裝置，并將上述反饋量與上述光偏轉(zhuǎn)裝置的控制量疊加。
6.一種光盤(pán)刻錄裝置，其特征在于，備有光束控制裝置，包含沿光盤(pán)原盤(pán)上的徑向控制從激光光源射出的光束的偏轉(zhuǎn)量的光偏轉(zhuǎn)裝置；存儲(chǔ)裝置，存儲(chǔ)了預(yù)先測(cè)定出的由上述光偏轉(zhuǎn)裝置使上述光束發(fā)生了偏轉(zhuǎn)時(shí)的上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差；第2光偏轉(zhuǎn)裝置，用于控制來(lái)自上述光偏轉(zhuǎn)裝置的光束的偏轉(zhuǎn)量；前饋裝置，當(dāng)對(duì)上述光盤(pán)原盤(pán)進(jìn)行刻錄時(shí)，按照上述光束控制裝置的偏轉(zhuǎn)定時(shí)，將利用了存儲(chǔ)在上述存儲(chǔ)裝置內(nèi)的上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的前饋信號(hào)輸入到上述第2光偏轉(zhuǎn)裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光盤(pán)刻錄裝置，其特征在于上述第2光偏轉(zhuǎn)裝置，使偏轉(zhuǎn)方向與上述光偏轉(zhuǎn)裝置一致，上述前饋信號(hào)，是使上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的極性反轉(zhuǎn)的信號(hào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光盤(pán)刻錄裝置，其特征在于還備有檢測(cè)來(lái)自上述第2光偏轉(zhuǎn)裝置的光束中所含有的上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差的偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置、及將利用了上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述第2光偏轉(zhuǎn)裝置的反饋裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光盤(pán)刻錄裝置，其特征在于還備有設(shè)置在上述光束控制裝置和上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置之間并用于使上述光束沿上述光盤(pán)原盤(pán)上的切向偏轉(zhuǎn)的第3光偏轉(zhuǎn)裝置，上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，還以與上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差獨(dú)立的方式檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束中的上述切向的偏轉(zhuǎn)誤差，上述反饋裝置，還將利用了上述切向偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述第3光偏轉(zhuǎn)裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光盤(pán)刻錄裝置，其特征在于還備有控制由上述光束控制裝置控制的光束的光量的光調(diào)制裝置，上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，還可以檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束的光量的強(qiáng)度誤差，上述反饋裝置，還將利用了上述強(qiáng)度誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光調(diào)制裝置。
11.一種光盤(pán)刻錄裝置，其特征在于，備有光束控制裝置，包含沿光盤(pán)原盤(pán)上的徑向控制從激光光源射出的光束的偏轉(zhuǎn)量的光偏轉(zhuǎn)裝置；存儲(chǔ)裝置，存儲(chǔ)了預(yù)先測(cè)定出的由上述光偏轉(zhuǎn)裝置使上述光束發(fā)生了偏轉(zhuǎn)時(shí)的上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差；前饋裝置，當(dāng)對(duì)上述光盤(pán)原盤(pán)進(jìn)行刻錄時(shí)，按照上述光束控制裝置的偏轉(zhuǎn)定時(shí)，將利用了存儲(chǔ)在上述存儲(chǔ)裝置內(nèi)的上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的前饋信號(hào)輸入到上述光偏轉(zhuǎn)裝置。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光盤(pán)刻錄裝置，其特征在于還備有檢測(cè)來(lái)自上述光偏轉(zhuǎn)裝置的光束中所含有的上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差的偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置、及將利用了上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光偏轉(zhuǎn)裝置并將上述反饋量與上述光偏轉(zhuǎn)裝置的控制量疊加的反饋裝置。
13.一種光盤(pán)制造方法，在光盤(pán)原盤(pán)的刻錄工序中，由包含控制從激光光源射出的光束光量的光調(diào)制裝置及沿光盤(pán)原盤(pán)上的徑向控制上述光束的偏轉(zhuǎn)量的光偏轉(zhuǎn)裝置中的至少任何一種裝置的光束控制裝置控制上述光束，該光盤(pán)制造方法的特征在于包括由偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束中所含有的上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的工序、由設(shè)置在上述光束控制裝置和上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置之間的第2光偏轉(zhuǎn)裝置使光束沿上述徑向偏轉(zhuǎn)的工序、由反饋裝置將利用了上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述第2光偏轉(zhuǎn)裝置的工序。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光盤(pán)制造方法，其特征在于還備有設(shè)置在上述光束控制裝置和上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置之間并用于使上述光束沿上述光盤(pán)原盤(pán)上的切向偏轉(zhuǎn)的第3光偏轉(zhuǎn)裝置，在檢測(cè)上述偏轉(zhuǎn)誤差的工序中，上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，還以與上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差獨(dú)立的方式檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束中的上述切向的偏轉(zhuǎn)誤差，在進(jìn)行上述反饋的工序中，上述反饋裝置，還將利用了上述切向偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述第3光偏轉(zhuǎn)裝置。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光盤(pán)制造方法，其特征在于上述光束控制裝置，包含上述光調(diào)制裝置，在檢測(cè)上述偏轉(zhuǎn)誤差的工序中，上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，還檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束的光量的強(qiáng)度誤差，在進(jìn)行上述反饋的工序中，上述反饋裝置，還將利用了上述強(qiáng)度誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光調(diào)制裝置。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光盤(pán)制造方法，其特征在于上述光束控制裝置，還備有控制由上述光束控制裝置控制的光束的光量的光調(diào)制校正裝置，在檢測(cè)上述偏轉(zhuǎn)誤差的工序中，上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，還檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束的光量的強(qiáng)度誤差，在進(jìn)行上述反饋的工序中，上述反饋裝置，還將利用了上述強(qiáng)度誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光調(diào)制校正裝置。
17.一種光盤(pán)制造方法，在光盤(pán)原盤(pán)的刻錄工序中，由包含控制從激光光源射出的光束光量的光調(diào)制裝置及沿光盤(pán)原盤(pán)上的徑向控制上述光束的偏轉(zhuǎn)量的光偏轉(zhuǎn)裝置中的至少任何一種裝置的光束控制裝置控制上述光束，該光盤(pán)制造方法的特征在于包括由偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束中所含有的上述徑向的偏轉(zhuǎn)誤差的工序、由反饋裝置將利用了上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光偏轉(zhuǎn)裝置并將上述反饋量與上述光偏轉(zhuǎn)裝置的控制量疊加的工序。
18.一種光盤(pán)制造方法，在光盤(pán)原盤(pán)的刻錄工序中，進(jìn)行由光偏轉(zhuǎn)裝置使從激光光源射出的光束沿光盤(pán)原盤(pán)上的徑向偏轉(zhuǎn)的控制，該光盤(pán)制造方法的特征在于包括在上述光盤(pán)原盤(pán)的刻錄工序之前預(yù)先測(cè)定沿上述徑向偏轉(zhuǎn)的控制產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)誤差并將其存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置內(nèi)的工序，在上述光盤(pán)原盤(pán)的刻錄工序中，包括按照上述光束的偏轉(zhuǎn)定時(shí)將利用了存儲(chǔ)在上述存儲(chǔ)裝置內(nèi)的上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的前饋信號(hào)輸入到控制來(lái)自上述光偏轉(zhuǎn)裝置的光束的偏轉(zhuǎn)量的第2光偏轉(zhuǎn)裝置的工序。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的光盤(pán)制造方法，其特征在于還包括由偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置檢測(cè)來(lái)自上述第2光偏轉(zhuǎn)裝置的光束中所含有的上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差的工序、及由反饋裝置將利用了上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述第2光偏轉(zhuǎn)裝置的工序。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的光盤(pán)制造方法，其特征在于在檢測(cè)上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差的工序中，還以與上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差獨(dú)立的方式檢測(cè)由上述光偏轉(zhuǎn)裝置控制的光束中的上述切向的偏轉(zhuǎn)誤差，在進(jìn)行上述反饋的工序中，還將利用了上述切向偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述第3光偏轉(zhuǎn)裝置。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的光盤(pán)制造方法，其特征在于還包括由光調(diào)制裝置控制由上述光束控制裝置控制的光束的光量的工序，在檢測(cè)上述第2偏轉(zhuǎn)誤差的工序中，上述偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置，還檢測(cè)由上述光偏轉(zhuǎn)裝置控制的光束的光量的強(qiáng)度誤差，在進(jìn)行上述反饋的工序中，還將利用了上述強(qiáng)度誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光調(diào)制裝置。
22.一種光盤(pán)制造方法，在光盤(pán)原盤(pán)的刻錄工序中，進(jìn)行由光偏轉(zhuǎn)裝置使從激光光源射出的光束沿光盤(pán)原盤(pán)上的徑向偏轉(zhuǎn)的控制，該光盤(pán)制造方法的特征在于包括在上述光盤(pán)原盤(pán)的刻錄工序之前預(yù)先測(cè)定沿上述徑向偏轉(zhuǎn)的控制產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)誤差并將其存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置內(nèi)的工序，在上述光盤(pán)原盤(pán)的刻錄工序中，包括按照上述光束的偏轉(zhuǎn)定時(shí)將利用了上述徑向偏轉(zhuǎn)誤差的前饋信號(hào)輸入到上述光偏轉(zhuǎn)裝置的工序。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的光盤(pán)制造方法，其特征在于還包括由偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置檢測(cè)來(lái)自上述光偏轉(zhuǎn)裝置的光束中所含有的上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差的工序、及由反饋裝置將利用了上述徑向的第2偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到上述光偏轉(zhuǎn)裝置并將上述反饋量與上述光偏轉(zhuǎn)裝置的控制量疊加的工序。
全文摘要
提供一種能夠抑制干擾偏轉(zhuǎn)分量及干擾光量變化分量從而能以高精細(xì)度制作高精度的光盤(pán)原盤(pán)的光盤(pán)刻錄裝置及光盤(pán)制造方法。該光盤(pán)刻錄裝置，備有包含控制從激光光源1射出的光束光量的光調(diào)制裝置2及沿光盤(pán)原盤(pán)100上的徑向控制上述光束的偏轉(zhuǎn)量的光偏轉(zhuǎn)裝置3中的至少任何一種裝置的光束控制裝置、檢測(cè)由上述光束控制裝置控制的光束中所含有的徑向偏轉(zhuǎn)誤差的偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置、設(shè)置在光束控制裝置和偏轉(zhuǎn)誤差檢測(cè)裝置之間并用于使光束沿徑向偏轉(zhuǎn)的第2光偏轉(zhuǎn)裝置210、將利用了徑向偏轉(zhuǎn)誤差的反饋信號(hào)反饋到第2光偏轉(zhuǎn)裝置210的反饋裝置。
文檔編號(hào)G11B7/125GK1412748SQ0214409
公開(kāi)日2003年4月23日 申請(qǐng)日期2002年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月5日
發(fā)明者石橋謙三, 錦織圭史, 日野泰守, 尾留川正博 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社