專利名稱：信息記錄媒體和其記錄/再現(xiàn)方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及用于通過用激光束的輻射來再現(xiàn)信息的信息記錄媒體以及其記錄/再現(xiàn)方法。
背景技術(shù)：
近來，存在對高密度光盤的需求，并且其軌道間距正在變窄，同時線密度增加。為了實現(xiàn)窄軌道間距，要求降低相臨軌道的諸如串寫的干擾。因此，為了用良好精確度來記錄/再現(xiàn)，進行束斑點的跟蹤控制是重要的。
作為控制束斑點的方法，經(jīng)常使用推挽跟蹤系統(tǒng)。但是，該系統(tǒng)存在光軸位移和盤片傾斜中含有的問題。
作為即使當諸如光軸位移的波動發(fā)生時用于控制束斑點同時降低跟蹤控制誤差的方法，公知樣品伺服跟蹤系統(tǒng)。根據(jù)該系統(tǒng)，跟蹤控制是基于來自盤上分開布置的預坑區(qū)域的再現(xiàn)信號進行的。

圖17A示意地表示光盤上預坑區(qū)域的傳統(tǒng)配置，其采用樣品伺服跟蹤系統(tǒng)。
參考圖17A，在預坑區(qū)域中，每個時鐘坑(clock pit)2被布置在實際軌道中心1。而且，一對擺動坑(wobble pit)3被布置在從實際軌道中心1偏移1/4軌道的位置。一對擺動坑3由第一擺動坑3a和第二擺動坑3b構(gòu)成，它們被布置在實際軌道中心1的不同側(cè)。地址坑4沿實際軌道中心1被形成在距第二擺動坑3b的預定距離。
根據(jù)樣品伺服跟蹤系統(tǒng)，跟蹤誤差是基于從一對擺動坑3的反射光量(再現(xiàn)信號)被檢測的。圖17B到17D表示了圖17A表示的預坑區(qū)域中的再現(xiàn)信號。Tc部分表示來自時鐘坑2的再現(xiàn)信號，Tw1部分表示來自第一擺動坑3a的再現(xiàn)信號，以及Tw2部分表示來自第二擺動坑3b的再現(xiàn)信號。
擺動坑3a和3b從實際軌道中心1以相反方向偏移相同的距離。因此，在用于記錄/再現(xiàn)的束斑點沿著實際軌道中心1通過的情況下，反射光在Tw1部分的降低量V1等于反射光在Tw2部分的降低量V2，如圖17b表示。在束斑點偏向第一擺動坑3a側(cè)的情況下，反射光在Tw1部分的降低量V1增加，而反射光在Tw2部分的降低量V2下降，如圖17C表示。另一方面，在束斑點偏向第二擺動坑3b側(cè)的情況下，反射光在Tw1部分的降低量V1下降，而反射光在Tw2部分的降低量V2增加，如圖17D表示。
如上述，當束斑點偏離實際軌道中心1時，在反射光的降低量V1和V2之間引起一個差。根據(jù)樣品伺服跟蹤系統(tǒng)，通過檢測在反射光的降低量V1和V2之間的差(跟蹤控制信號)，進行跟蹤控制。根據(jù)樣品伺服跟蹤系統(tǒng)，使用來自盤的所有反射光，使得跟蹤控制不可能受到透鏡移位、盤傾斜等的影響，其減少了跟蹤控制中的殘余誤差。
JP4(1992)-301219公開了一種在上述樣品伺服跟蹤系統(tǒng)中用于增加記錄密度的方法。根據(jù)該方法，擺動坑被相臨軌道共用。與傳統(tǒng)方法比較，該方法能夠加倍跟蹤密度。
而且，在傳統(tǒng)光盤中，信號的再現(xiàn)分辨率基本上是由再現(xiàn)光的波長λ和物鏡的數(shù)值孔徑(NA)決定的，并且檢測極限的坑周期實質(zhì)上是λ/(2/NA)。但是，縮短再現(xiàn)光的波長或者增加物鏡的數(shù)值孔徑是不容易的。因此，為了通過改進記錄媒體和再現(xiàn)方法來增加信息的記錄密度已經(jīng)提出了各種各樣的嘗試。例如，JP6(1994)-290496公開了使用DWDD方法將再現(xiàn)分辨率增強到超過由再現(xiàn)光的波長和物鏡的數(shù)值孔徑?jīng)Q定的檢測極限的技術(shù)。根據(jù)DWDD方法，磁疇壁由用于再現(xiàn)的光束輻射來依次移動，并且磁疇壁的移動被檢測。根據(jù)該技術(shù)，當作為第一磁性層的其中磁疇壁依賴用于再現(xiàn)光束輻射來移動的再現(xiàn)層在各個信息軌道之間被磁性分開時，獲得了特別滿意的再現(xiàn)信號。
作為用于磁性地切斷在信息軌道之間磁性層的方法，有用于在信息軌道之間激光退火的方法。但是，進行激光退火要用許多時間。為了解決這個問題，提出了用于在光盤上形成凹槽和凸臺，以及用凸臺分開磁疇壁移動層的方法(見JP11(1999)-120636A)。而且，在使用凹槽和凸臺作為記錄軌道的光盤中，還提出了通過使用凹槽和凸臺傾斜的傾斜表面來分開磁疇壁移動層的方法(見JP11(1999)-120636A)。
但是，在信息是根據(jù)傳統(tǒng)樣品伺服跟蹤系統(tǒng)相對于高密度光盤被記錄/再現(xiàn)的情況下，不保證足夠的跟蹤精度。這使得實現(xiàn)高密度光盤困難。在光盤根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中說明的DWDD方法進行記錄/再現(xiàn)的情況下，有關(guān)跟蹤精度的問題變得特別嚴重。這是因為DWDD方法允許記錄/再現(xiàn)超過光束分辨率極限進行。在不采用DWDD方法的傳統(tǒng)光盤中，光學分辨率控制記錄密度。因此，當軌道間距是窄時，因來自相臨軌道的串擾導致不能進行再現(xiàn)。為了避免該串擾，要求將軌道間距增加到大約λ/NA的0.67倍。但是，根據(jù)DWDD方法，即使當軌道間距被變窄到大約λ/NA的0.49倍時也能夠進行記錄/再現(xiàn)。因此，要求非常大于傳統(tǒng)光盤之跟蹤精確度的跟蹤精確度以支持通過變窄軌道間距得到的軌道密度的增加。
為了在樣品伺服跟蹤系統(tǒng)中取得這種高跟蹤精確度，有下述兩個問題。
1由于光盤的傾斜，發(fā)生跟蹤誤差，降低了跟蹤精確度。
2跟蹤控制信號的幅值在盤的內(nèi)周邊和外周邊之間是變化的，降低了跟蹤精確度。
說明第一個問題。在根據(jù)用在傳統(tǒng)光盤中的推挽跟蹤系統(tǒng)的跟蹤控制中，通過盤的傾斜和透鏡偏移在跟蹤控制信號中發(fā)生DC補償，并且該誤差降低了跟蹤精確度。相反，根據(jù)樣品伺服跟蹤系統(tǒng)，因為盤的傾斜，透鏡的偏移等，在跟蹤控制信號中不產(chǎn)生DC補償。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中已經(jīng)認為，樣品伺服跟蹤系統(tǒng)的優(yōu)點在于跟蹤控制信號不因盤傾斜、透鏡的偏移等而波動。但是，在樣品伺服跟蹤系統(tǒng)中，在跟蹤控制信號的DC補償中不發(fā)生的跟蹤誤差因盤的傾斜會發(fā)生，其降低了跟蹤精確度。該現(xiàn)象在共用相臨軌道之間擺動坑的光盤中變得明顯，如JP4(1992)-301219A中所公開的。
圖18A表示在擺動坑在相臨軌道之間沒有被共用的情況下的樣品伺服跟蹤系統(tǒng)，圖18B表示在擺動坑在相臨軌道之間被共用的情況下的樣品伺服跟蹤系統(tǒng)。在圖18B的信息記錄媒體中，實際軌道中心1包括實際軌道中心1a和1b，其具有來自擺動坑的不同極性的再現(xiàn)信號。與圖18A比較，可以理解，在圖18B中，相臨軌道的擺動坑是靠近光束5以引起大的干擾。因此，當軌道密度增加時，在相臨軌道之間擺動坑的干擾增加。結(jié)果，在發(fā)生盤傾斜的情況下跟蹤誤差發(fā)生，其降低了跟蹤精確度。類似地，在擺動坑之前和之后的坑的干擾也引起跟蹤誤差。
作為例子，圖19表示在時鐘坑2和第一擺動坑3a之間的間隔是不足夠的情況下的再現(xiàn)信號。在這種情況下，在Tw1部分的反射光量V1’的降低因時鐘坑2的作用而增加。因此，即使在光斑點掃描實際軌道中心1的情況下，跟蹤控制信號(V1’-V2’)不變成0，并且不能夠進行嚴格的跟蹤控制。
下面說明第二個問題，其中跟蹤控制信號的幅值在盤的內(nèi)周邊和外周邊之間是變化的，并且跟蹤精確度降低。
圖20A到20C表示再現(xiàn)信號是如何因預坑的長度而變化的。在預坑是太短的情況下，信號的幅值太小而不能進行跟蹤控制，如圖20A所表示。隨著預坑變得較長，信號的幅值增加，如圖20B表示的。當預坑與圖20B表示的狀態(tài)比較變得較長時，幅值稍微下降以形成平的部分，如圖20C所表示的。
當來自擺動坑的再現(xiàn)信號的振幅依賴于盤上的位置被改變時，跟蹤控制信號的振幅依賴于盤上的位置被改變，其降低了跟蹤控制的可靠性。為了避免這個問題，提出了規(guī)定擺動坑要比斑點直徑長以在再現(xiàn)信號中形成平的部分和使用該部分的信號以獲得穩(wěn)定跟蹤控制信號的方法(見JP5(1993)-73929A)。但是，如果擺動坑被作成較長，預坑區(qū)域變成較長，使得線性密度降低。
因此，為了在采用樣品伺服跟蹤系統(tǒng)的光盤中實現(xiàn)高密度，在預坑區(qū)域中的預坑大小和在預坑之間的間隔是重要的。
特別是，根據(jù)DWDD方法，數(shù)據(jù)被記錄到從相臨軌道磁性切斷的記錄軌道上，并且熱分布梯度被用于進行放大再現(xiàn)。因此，當軌道補償在記錄和再現(xiàn)期間發(fā)生時，再現(xiàn)特征被顯著地降低以引起誤差。為了在沒有誤差之下進行再現(xiàn)，要求將跟蹤誤差抑制在±0.04μm之內(nèi)。在作為要被替換媒體的光盤中，將跟蹤誤差(包括因可逆性和在設備之間的振動導致的那些誤差)抑制在±0.04μm之內(nèi)是非常困難的。
上述樣品伺服跟蹤系統(tǒng)是優(yōu)良的，其中跟蹤誤差不可能因盤傾斜、透鏡移位等而發(fā)生。但是，即使通過使用該系統(tǒng)在各種條件之下降低跟蹤誤差是非常困難的。在樣品伺服跟蹤系統(tǒng)中，盤中跟蹤控制信號振幅的變化和因盤傾斜發(fā)生的跟蹤位置的檢測誤差變成跟蹤誤差的主要因素。而且，跟蹤誤差的余量需要覆蓋諸如在跟蹤控制中包含的控制殘余誤差，因振動發(fā)生的跟蹤誤差和在跟蹤位置的檢測誤差的因素。
在普通光盤中，有由振動引起的大約±0.015μm的控制殘余誤差和±0.02μm的跟蹤誤差。在其中跟蹤誤差余量非常小即±0.04μm的DWDD方法中，保留跟蹤位置為僅僅大約±0.005μm的檢測誤差。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中不是問題的樣品伺服跟蹤系統(tǒng)中跟蹤控制信號的檢測誤差也變成嚴重問題。由于高密度光盤的軌道間距是大約0.5到0.6μm，±0.005μm的檢測誤差變成大約為軌道間距的1％。因此，為了實現(xiàn)高密度光盤，要求在最小可能伺服區(qū)域中實現(xiàn)上述跟蹤位置檢測誤差。
本發(fā)明的公開鑒于上述，本發(fā)明目的是提供信息記錄媒體，其中跟蹤控制能夠用高可靠性進行和能夠增加記錄密度。
為了實現(xiàn)上述目的，用于通過用數(shù)值孔徑NA的物鏡會聚的激光束的輻射來再現(xiàn)信息的本發(fā)明第一信息記錄媒體包括盤形基片和布置在基片上的記錄層，其中，在基片的表面上，多個預坑區(qū)域和多個數(shù)據(jù)區(qū)域被沿著螺旋的或者同心的實際軌道中心交替布置，每個預坑(prepit)區(qū)域包括用于跟蹤伺服的一對擺動坑，并且沿著實際軌道中心的擺動坑長度L(μm)，激光束的波長λ(μm)和NA滿足關(guān)系0.3≤L·NA/λ≤0.65。在第一信息記錄媒體中，與基片上的位置無關(guān)，來自擺動坑的再現(xiàn)信號的振幅變成固定。因此，第一信息記錄媒體允許跟蹤控制可靠地進行和進行高密度記錄。而且，在圖18B表示的相臨軌道中的擺動坑引起的干擾振幅正比于擺動坑的長度。因此，通過縮短擺動坑，能夠降低干擾，并且在光盤在半徑方向被傾斜的情況下基本上能夠增強跟蹤精度。在本說明書中，“一個軌道”是指單個圈數(shù)。
在第一信息記錄媒體中，優(yōu)選平的部分是出現(xiàn)在沿著實際軌道中心之擺動坑之前和之后的基片表面上，以及沿著實際軌道中心之平的部分的長度M(μm)和斑點直徑D(μm)滿足關(guān)系0.65≤(M/D)。根據(jù)該配置，即使當切向傾斜發(fā)生時，跟蹤控制能夠可靠地被執(zhí)行。因此，例如，信息能夠通過使用有可能受到跟蹤控制的殘余誤差影響的DWDD方法被再現(xiàn)，以及能夠提高線性密度。
本發(fā)明的用于通過由數(shù)值孔徑NA的物鏡會聚之激光束的輻射來再現(xiàn)信息的第二信息記錄媒體包括盤形基片和在基片上布置的記錄層，其中，在基片的表面上，多個預坑區(qū)域和多個數(shù)據(jù)區(qū)域被交替地沿著螺旋的或者同心的實際軌道中心布置，每個預坑區(qū)域包括用于跟蹤伺服的一對擺動坑，平的部分是出現(xiàn)在沿著實際軌道中心之擺動坑之前和之后的基片表面上，以及沿著實際軌道中心之平的部分的長度M(μm)，激光束的波長λ(μm)和NA滿足關(guān)系0.65≤M·NA/λ。在第二信息記錄媒體中，即使當切向傾斜發(fā)生時，跟蹤控制能夠可靠地被執(zhí)行。因此，例如，信息能夠通過使用有可能受到跟蹤控制的殘余誤差影響的DWDD方法被再現(xiàn)，以及能夠提高線性密度。
在第一和第二信息記錄媒體中，該對擺動坑的一個可以被在基片半徑方向上是臨近的兩個預坑區(qū)域所共用。
在第一和第二信息記錄媒體中，預坑區(qū)域可以被分成多個區(qū)域，它們根據(jù)距基片中心的距離被重復地配置，該對擺動坑可以由具有兩個可能排列的第一擺動坑和具有兩個可能排列的第二擺動坑構(gòu)成，并且該多個區(qū)域可以具有第一擺動坑排列和第二擺動坑排列的不同組合。根據(jù)該配置，通過檢測擺動坑的位置，能夠檢測激光束斑點的徑向移動方向。
在第一和第二信息記錄媒體中，凹槽可以被形成在對應于基片數(shù)據(jù)區(qū)域的部分中。根據(jù)該配置，能夠采用跟蹤系統(tǒng)，其中使用凹槽推挽跟蹤的跟蹤誤差是用擺動坑校正的。在這種情況下，與僅僅使用擺動坑的跟蹤系統(tǒng)比較，每個軌道的伺服區(qū)域的數(shù)目能夠減少。因此，能夠進行高密度記錄。而且，能夠采用記錄/再現(xiàn)系統(tǒng)，其中記錄軌道被磁性地切斷，如同在DWDD方法中那樣。因此，能夠提高線性密度。
在第一和第二信息記錄媒體中，記錄層可以包括第一磁性層，第二磁性層和第三磁性層，其以這個次序從激光束的入射側(cè)布置，第一磁性層的居里溫度和第三磁性層的居里溫度可以高于第二磁性層的居里溫度，并且記錄層在相臨軌道之間可以被磁性地切斷。根據(jù)該配置，信息能夠通過DWDD方法被再現(xiàn)。
在第一和第二信息記錄媒體中，沿著實際軌道中心的預坑區(qū)域的長度可以是常數(shù)。
在第一和第二信息記錄媒體中，在該對擺動坑的每個中心和預坑區(qū)域的尾端之間的距離可以用T/N的整數(shù)倍來表示，這里T是預坑沿著實際軌道中心的長度和N是大于或者等于5的整數(shù)。這里，預坑區(qū)域的尾端是指在再現(xiàn)期間激光束斑點進入側(cè)面上的預坑區(qū)域尾端。根據(jù)該配置，能夠很容易地確定光斑點通過的部分是屬于哪個圖形。
而且，本發(fā)明的第一記錄/再現(xiàn)方法是用于通過由數(shù)值孔徑NA的物鏡會聚之激光束來輻射信息記錄媒體以記錄/再現(xiàn)信息的方法，其中，信息記錄媒體包括盤形基片和在基片上布置的記錄層，多個預坑區(qū)域和多個數(shù)據(jù)區(qū)域被交替地沿著螺旋的或者同心的實際軌道中心被布置在基片的表面上，每個預坑區(qū)域包括用于跟蹤伺服的一對擺動坑，以及沿著實際軌道中心的擺動坑的長度L(μm)，激光束的波長λ(μm)和NA滿足關(guān)系0.3≤L·NA/λ≤0.65。
而且，本發(fā)明的第二記錄/再現(xiàn)方法是用于通過由數(shù)值孔徑NA的物鏡會聚之激光束來輻射信息記錄媒體以記錄/再現(xiàn)信息的方法，其中，信息記錄媒體包括盤形基片和在基片上布置的記錄層，多個預坑區(qū)域和多個數(shù)據(jù)區(qū)域被交替地沿著螺旋的或者同心的實際軌道中心被布置在基片的表面上，每個預坑區(qū)域包括用于跟蹤伺服的一對擺動坑，平的部分是出現(xiàn)在沿著實際軌道中心之擺動坑之前和之后的基片表面上，以及沿著實際軌道中心的平的部分的長度M(μm)，激光束的波長λ(μm)和NA滿足關(guān)系0.6 5≤M·NA/λ。
在另一個觀點中，本發(fā)明涉及使用本發(fā)明信息記錄媒體和記錄/再現(xiàn)方法的記錄/再現(xiàn)系統(tǒng)。
附圖簡述圖1A和1B是示意地表示本發(fā)明信息記錄媒體示例結(jié)構(gòu)的平面圖，圖1C是示意地表示再現(xiàn)狀態(tài)的剖面圖。
圖2是示意地表示圖1A，1B和1C中表示的信息記錄媒體的結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖3示意地表示圖1A，1B和1C中表示的信息記錄媒體的段的結(jié)構(gòu)。
圖4示意地表示圖1A，1B和1C中表示的信息記錄媒體的預坑區(qū)域的結(jié)構(gòu)。
圖5是表示在擺動坑長度和跟蹤控制信號幅值之間關(guān)系的曲線。
圖6是表示在預坑長度為斑點直徑的0.32倍或者0.63倍的情況下再現(xiàn)信號的示例波形的示意圖。
圖7是表示在平的部分的長度和歸一跟蹤誤差之間關(guān)系的曲線。
圖8示意地表示圖1A，1B和1C中表示的信息記錄媒體的預坑區(qū)域的結(jié)構(gòu)。
圖9是示意地表示圖1A，1B和1C中表示的信息記錄媒體的預坑的示例再現(xiàn)信號的圖。
圖10A和10B是示意地表示本發(fā)明信息記錄媒體另一個示例結(jié)構(gòu)的平面圖，圖10C是示意地表示再現(xiàn)狀態(tài)的剖面圖。
圖11示意地表示圖10A，10B和10C中表示的信息記錄媒體的段的結(jié)構(gòu)。
圖12是表示在圖10A，10B和10C表示的信息記錄媒體中擺動坑和時鐘坑的位置的示意圖。
圖13是表示圖10A，10B和10C中表示的信息記錄媒體的剖面圖。
圖14A到14D示意地表示圖10A，10B和10C中表示的信息記錄媒體的功能。
圖15示意地表示本發(fā)明信息記錄媒體中段的另一個示例結(jié)構(gòu)。
圖16示意地表示在本發(fā)明記錄/再現(xiàn)方法中使用的示例性記錄/再現(xiàn)設備。
圖17A到17D示意地表示在傳統(tǒng)信息記錄媒體中預坑配置和再現(xiàn)信號之間的關(guān)系。
圖18A示意地表示在傳統(tǒng)信息記錄媒體中預坑和激光束斑點之間的關(guān)系的例子，圖18B示意地表示其另一個例子。
圖19表示傳統(tǒng)信息記錄媒體中的示例再現(xiàn)信號。
圖20A到20C表示傳統(tǒng)信息記錄媒體中的其它示例再現(xiàn)信號。
實現(xiàn)本發(fā)明最佳模式下面，通過參考附圖利用說明性的實施例將說明本發(fā)明。
實施例1在實施例1中，將說明本發(fā)明的第一信息記錄媒體。實施例1的信息記錄媒體是用通過數(shù)值孔徑NA的物鏡會聚的激光束來輻射的，由此再現(xiàn)(或者記錄)信息。該信息記錄媒體提供有盤形基片。在基片的表面上，多個預坑區(qū)域和數(shù)據(jù)區(qū)域被交替地沿著螺旋的或者同心的實際軌道中心布置。預坑區(qū)域包括用于跟蹤伺服的一對擺動坑。沿著實際軌道中心的擺動坑的長度L(μm)和沿著實際軌道中心的激光束的斑點直徑D(μm)滿足關(guān)系0.3≤(L/D)≤0.65。特別是，優(yōu)選L和D滿足關(guān)系0.4≤(L/D)≤0.55。如果擺動坑的長度是在該范圍內(nèi)，即使擺動坑的長度是變化的，跟蹤控制信號振幅的變化能夠被抑制在幾個％之內(nèi)。此時，即使擺動坑的寬度具有在0.4倍到0.55倍的斑點直徑的范圍內(nèi)變化，跟蹤控制信號的振幅幾乎不被影響。
這里，實際軌道中心是指在信息記錄/再現(xiàn)期間輻射用于記錄/再現(xiàn)信息的激光束斑點要穿過的實際線。用于跟蹤控制的擺動坑和數(shù)據(jù)區(qū)域被沿著該實際軌道中心形成。
而且，預坑是指為了在再現(xiàn)期間產(chǎn)生特殊信號的目的而在基片上在先形成的凸部分或者凹部分。預坑例如包括時鐘坑，擺動坑，地址坑等。當從上面看時，預坑通常具有圓形，橢圓形或者矩形。
激光束沿著實際軌道中心的斑點直徑D(μm)(即切線方向的斑點直徑)是由公式D＝λ/NA表示的，這里NA表示用于再現(xiàn)信息的光學頭物鏡的數(shù)值孔徑，λ表示用于再現(xiàn)信息的激光束波長(μm)。因此，實施例1的信息記錄媒體滿足關(guān)系0.3≤L·NA/λ≤0.65，優(yōu)選為0.4≤L·NA/λ≤0.55。
在實施例1的信息記錄媒體中，波長λ例如在400μm到780μm的范圍內(nèi)。而且，數(shù)值孔徑NA例如在0.55到0.85的范圍內(nèi)。而且，斑點直徑D(＝λ/NA)優(yōu)選在0.47μm到1.42μm的范圍內(nèi)。
在信息記錄媒體中，其中形成了預坑的預坑區(qū)域被分別設置在盤上。預坑區(qū)域的排列能夠依賴于盤的旋轉(zhuǎn)方法而變化。例如，預坑區(qū)域可以被徑向地布置。而且，預坑區(qū)域可以以預定間隔沿著實際軌道中心被布置。沿著實際軌道中心的預坑區(qū)域的長度在整個信息記錄媒體上可以是常數(shù)，或者在朝著外周邊方向可以是較長的。
在預坑區(qū)域中，除了擺動坑之外，如果要求，提供諸如時鐘坑和地址坑的預坑。在沿著實際軌道中心之擺動坑之前和之后的基片表面上有平的部分。這里，平的部分是指不形成預坑和預凹槽(即在基片上在先形成的那些)的區(qū)域。具體地，平的部分是指在基片上不形成非均勻性的區(qū)域。希望沿著實際軌道中心之平的部分的長度M(μm)和沿著實際軌道中心之激光束的斑點直徑D(μm)滿足關(guān)系0.65≤(M/D)。具體地，希望長度M(μm)，波長λ(μm)和數(shù)值孔徑NA滿足關(guān)系0.65≤M·NA/λ。
實施例1的信息記錄媒體包括在基片上布置的記錄層。在數(shù)據(jù)區(qū)域中，信息被記錄在記錄層上。作為記錄層，能夠使用由磁性物質(zhì)構(gòu)成的層，其中信息被記錄在磁疇中。作為用于記錄信息的方法，例如，能夠使用光脈沖磁場調(diào)制系統(tǒng)，其通過調(diào)制磁場同時以脈沖方式輻射激光束來進行記錄。
實施例1的信息記錄媒體允許可靠地進行跟蹤控制和實現(xiàn)高密度記錄，如在例子中的后面說明的。
實施例2在實施例2中，將說明本發(fā)明的另一個信息記錄媒體。實施例2的信息記錄媒體是用通過數(shù)值孔徑NA的物鏡會聚的激光束來輻射的，由此再現(xiàn)(或者記錄)信息。該信息記錄媒體提供有盤形基片。在基片的表面上，多個預坑區(qū)域和數(shù)據(jù)區(qū)域被交替地沿著螺旋的或者同心的實際軌道中心布置。預坑區(qū)域包括用于跟蹤伺服的一對擺動坑。在沿著實際軌道中心的擺動坑之前和之后的基片表面上有平的部分。沿著實際軌道中心的平的部分的長度M(μm)和沿著實際軌道中心的激光束的斑點直徑D(μm)滿足關(guān)系0.65≤(M/D)。當通過使用要輻射的激光束波長λ(μm)和物鏡的數(shù)值孔徑NA來表示時，長度M(μm)，波長λ(μm)和物鏡的數(shù)值孔徑NA滿足關(guān)系0.65≤M·NA/λ。
平的部分，實際軌道中心，預坑，斑點直徑D(μm)，數(shù)據(jù)區(qū)域和記錄層是與實施例1信息記錄媒體中的那些相同。因此，在此不重復說明。
實施例2的信息記錄媒體允許可靠地進行跟蹤控制和實現(xiàn)高密度記錄，如在例子中的后面說明的。
實施例3在實施例3中，將說明本發(fā)明的記錄/再現(xiàn)方法。根據(jù)本發(fā)明的第一個記錄/再現(xiàn)方法，實施例1的信息記錄媒體是用通過數(shù)值孔徑NA的物鏡會聚的激光束來輻射的，由此進行記錄/再現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的第二個記錄/再現(xiàn)方法，實施例2的信息記錄媒體是用通過數(shù)值孔徑NA的物鏡會聚的激光束來輻射的，由此進行記錄/再現(xiàn)。
作為在本發(fā)明記錄/再現(xiàn)方法中使用的記錄/再現(xiàn)設備，能夠使用通用的記錄/再現(xiàn)設備。
根據(jù)本發(fā)明的第一個記錄/再現(xiàn)方法，沿著實際軌道中心的擺動坑長度L(μm)，激光束的波長λ(μm)和物鏡的數(shù)值孔徑NA滿足關(guān)系0.3≤L·NA/λ≤0.65，優(yōu)選為0.4≤L·NA/λ≤0.55。根據(jù)本發(fā)明的第二個記錄/再現(xiàn)方法，上述平的部分的長度M(μm)，激光束的波長λ(μm)和物鏡的數(shù)值孔徑NA滿足關(guān)系0.65≤M·NA/λ。
例子下面，通過說明性例子詳細地說明本發(fā)明。
例1例1中，將說明本發(fā)明的信息記錄媒體的例子。圖1A表示例1信息記錄媒體10的平面圖。信息記錄媒體10是樣品伺服跟蹤系統(tǒng)的磁光盤。信息記錄媒體10具有盤形狀，直徑大約50mm，在中心提供有通孔100。在信息記錄媒體10上，在11mm到25mm的半徑范圍內(nèi)形成記錄區(qū)域101。實際軌道中心102以螺旋形狀被布置在記錄區(qū)域101中。軌道間距(在半徑方向相臨的實際軌道中心102之間的距離)為0.6μm。圖1B表示信息記錄媒體10的預坑區(qū)域和數(shù)據(jù)區(qū)域的排列。多個徑向布置的預坑區(qū)域110和多個徑向布置的數(shù)據(jù)區(qū)域120被交替放置。一個軌道中，布置了1280個預坑區(qū)域110和1280個數(shù)據(jù)區(qū)域120。
如圖1C表示，信息記錄媒體10是用通過數(shù)值孔徑NA的物鏡300會聚的具有波長λ(μm)的激光束301來輻射的，由此進行記錄/再現(xiàn)。
如圖2表示，信息記錄媒體10的記錄區(qū)域101在半徑方向被分成多個區(qū)域。信息記錄媒體10采用區(qū)域化常數(shù)線速度(ZCLV)系統(tǒng)，其中記錄/再現(xiàn)通過在區(qū)域基線上轉(zhuǎn)換旋轉(zhuǎn)角速度在整個記錄區(qū)域101中以基本恒定線速度進行。
圖3是表示信息記錄媒體10的段130的結(jié)構(gòu)的部分放大圖。參考圖3，每個段130包括預坑區(qū)域110和數(shù)據(jù)區(qū)域120。具體地，信息記錄媒體10包括每個軌道1280個的段。數(shù)據(jù)區(qū)域120被用于記錄用戶數(shù)據(jù)。
圖4示意地表示預坑區(qū)域110的結(jié)構(gòu)。在預坑區(qū)域110中，形成了預坑111。預坑111包括時鐘坑112，一對擺動坑113，和地址坑114，其從引導端(即在信息記錄/再現(xiàn)期間激光束斑點首次通過的側(cè)面)以這個次序配置。每個預坑111的寬度(在半徑方向的長度)是0.4μm。激光束斑點LS在圖4的箭頭表示的方向移動。而且，平的部分11p(見圖8)被形成在沿著實際軌道中心102擺動坑113a和113b之前和之后。在該平的部分11p中，不形成預坑111。
時鐘坑112被用于產(chǎn)生同步時鐘信號，并且被布置在實際軌道中心102上。
一對擺動坑113包括擺動坑113a和擺動坑113b。擺動坑113a和113b被布置在偏離實際軌道中心102為1/2軌道間距的位置。擺動坑113之一被相臨軌道擺動坑所共用。因此，在信息記錄媒體10中，具有不同極性跟蹤控制信號的軌道103a和軌道103b被交替地布置在半徑方向上。
地址坑114被用于產(chǎn)生關(guān)于位置信息的信號。每個段130提供一個地址坑114。八個地址坑114形成一個地址信息。具體地，在信息記錄媒體10中的每個軌道記錄16(1280/80)塊地址信息。
在信息記錄媒體10中，沿著實際軌道中心102的擺動坑113的長度L(μm)和沿著實際軌道中心在信息再現(xiàn)期間要輻射的激光束的斑點直徑D(μm)滿足關(guān)系0.3≤(L/D)≤0.65。在斑點直徑D是大約1.1μm的情況下，長度L例如是0.4μm。
例如，圖5表示當預坑長度L改變時有關(guān)跟蹤控制信號幅值變化的模擬結(jié)果。這里，假設用于信息再現(xiàn)的光學系統(tǒng)包括波長λ為0.65μm的半導體激光器和數(shù)值孔徑NA為0.6的物鏡。因此，被會聚在信息記錄媒體10上的激光束的斑點直徑D是大約1.1μm(λ/NA)。圖5的水平軸表示沿著實際軌道中心102的擺動坑的長度L(由λ/NA歸一)。即，水平軸上的值表示(L/D)值。例如，水平軸上的值“1”表示坑長度L是1.1μm。而且，圖5的垂直軸表示跟蹤控制信號的幅值，其用鏡表面(沒有預坑的平的部分)上的再現(xiàn)信號標準化。
從圖5可以理解，通過將擺動坑長度L(μm)規(guī)定在大約0.3倍到大約0.65倍斑點直徑D(μm)的范圍內(nèi)，跟蹤控制信號的幅值能夠被做成基本上不變。具體地，當長度L(μm)和斑點直徑D(μm)滿足關(guān)系0.3≤(L/D)≤0.65時，跟蹤控制能夠可靠地進行。而且，通過將長度L(μm)規(guī)定為斑點直徑D(μm)的0.65倍或更小，能夠進行高密度記錄。
圖6表示當沿著實際軌道中心的預坑的長度L’(μm)是沿著實際軌道中心斑點直徑D(μm)的0.32倍(圖6中的實線)或者0.63倍(圖6中的虛線)時的再現(xiàn)信號的波形。峰Pc表示時鐘坑112的再現(xiàn)信號，峰Pwa表示擺動坑113a的再現(xiàn)信號，以及峰Pwb表示擺動坑113b的再現(xiàn)信號。在L’＝0.32D和在L’＝0.63D兩種情況下，平的部分不出現(xiàn)在預坑的再現(xiàn)波形中。因此，在這種情況下，預坑的中心位置能夠容易地通過使用再現(xiàn)信號的差分信號或者切向推挽信號檢測出。PLL的輸出能夠與以在預坑中心位置的信息為基礎的時鐘坑112的中心同步。而且，如在例2中所說明，通過檢測擺動坑113a和113b的位置，能夠檢測激光束的移動方向。
下面，將說明在沿著實際軌道中心102擺動坑之前和之后形成的平的部分11p(見圖8)。在信息記錄媒體10中，沿著實際軌道中心102之平的部分的長度M(μm)和沿著實際軌道中心102之激光束的斑點直徑D(μm)滿足關(guān)系0.65≤(M/D)。在斑點直徑D是大約1.1μm的情況下，長度M例如是0.88μm。
例如，圖7表示有關(guān)在長度M和歸一跟蹤誤差之間關(guān)系的模擬結(jié)果。這里，假設用于信息再現(xiàn)的光學系統(tǒng)是與圖5模擬中的相同。垂直軸上的歸一跟蹤誤差(％)表示由(跟蹤誤差/軌道間距)×100計算得到的值。而且，水平軸表示被λ/NA歸一的值，即斑點直徑D(μm)。具體地，水平軸上的值表示(M/D)值。例如，水平軸上的值是1的狀態(tài)表示平的部分的長度M是1.1μm。而且，圖7中，虛線表示在沒有切向傾斜的情況下的結(jié)果，實線表示在切向傾斜為5mrad的情況下的結(jié)果。
為了可靠地再現(xiàn)信息，要求降低歸一跟蹤誤差，即使在發(fā)生切向傾斜的情況下也是如此。特別地，在使用用于通過疇壁位移檢測方法(以后其可以稱為“DWDD方法”)進行再生的記錄層的情況下，在跟蹤誤差期間的記錄/再現(xiàn)特性是不滿足的，使得要求進一步降低歸一跟蹤誤差。具體地，在發(fā)生5mrad切向傾斜的情況下，希望歸一跟蹤誤差為軌道間距的1％或更小。因此，從圖7可以理解，將平的部分的長度M(μm)規(guī)定為斑點直徑D的0.65倍或者更大是優(yōu)選的。具體地，當長度M(μm)和斑點直徑D(μm)滿足關(guān)系0.65≤(M/D)時，跟蹤控制能夠可靠地進行。
下面，將說明信息記錄媒體10的結(jié)構(gòu)。圖8表示信息記錄媒體10沿著實際軌道中心102的部分剖面圖。
參考圖8，信息記錄媒體10包括盤形基片11(剖面線省去)，以及介質(zhì)層12，磁性層13，介質(zhì)層14和涂層15，它們以這個次序被堆積在基片11上。在預坑區(qū)域110中，形成了作為時鐘坑112，擺動坑113和地址坑114的凹部分。沿著實際軌道中心102不形成預坑的部分對應于平的部分11p。用于記錄/再現(xiàn)的激光束從基片11側(cè)輻射。
基片11能夠例如由聚碳酸酯樹脂，聚烯烴樹脂等制成。介質(zhì)層12和14能夠例如由諸如SiN和AlN的氮化物，諸如SiO2和Al2O3的氧化物或者諸如ZnS和ZnTe的硫?qū)兕愋筒牧现瞥?。磁性?3能夠例如由多層膜制成，膜是由TbFeCo和TbFeCoCr，或者TbDyFeCo，TbFe，和GdFeCo的組合構(gòu)成。諸如環(huán)氧樹脂類型UV可固化樹脂和尿烷類型UV可固化樹脂的UV可固化樹脂是能夠被用于涂層15的例子。
下面，參考圖8將說明用于生產(chǎn)信息記錄媒體10的示例方法。首先，通過使用模盤注入形成法，2P法(干膜法)等形成基片11。然后，順序形成介質(zhì)層12，磁性層13和介質(zhì)層14。這些層能夠通過濺射或者蒸發(fā)沉積法形成。此后，形成涂層15。涂層15能夠通過旋涂法用UV可固化樹脂涂覆介質(zhì)層14和通過用UV光輻射固化該UV可固化樹脂來形成。
下面說明用于生產(chǎn)用來形成基片上坑的母盤模盤的方法。母盤是通過用光致抗蝕劑涂覆玻璃基片，將一部分光致抗蝕劑曝光于通過激光束輻射的光(切割)，以及去除被輻射的部分來形成的。具體地，母盤以固定旋轉(zhuǎn)數(shù)旋轉(zhuǎn)，并且用激光束輻射，同時激光束從內(nèi)側(cè)移動到外側(cè)，由此進行切割。
這里，在對應于預坑111的不均勻性是通過用激光束切割被形成的情況下，該激光束是用與母盤位置無關(guān)的相同脈沖寬度調(diào)制的電流驅(qū)動的，由于下述原因，根據(jù)距母盤中心的距離，預坑的長度變得較大。母盤的旋轉(zhuǎn)角速度是固定的，使得母盤相對于激光束的相對運動速度隨著距母盤中心的距離而增加。
這里，假設在固定驅(qū)動脈沖寬度下驅(qū)動的激光束(波長0.35μm)被數(shù)值孔徑NA為0.9的物鏡會聚來進行切割。還假設用于再現(xiàn)信號的激光束的斑點直徑是1.1μm。還假設最內(nèi)軌道(半徑11mm)中的預坑長度等于用于切割的激光束的斑點直徑。在這種情況下，最內(nèi)軌道(半徑11mm)中的預坑長度變成0.35/0.9＝0.4(μm)＞0.3×(用于再現(xiàn)信號的激光束的斑點直徑)。另一方面，最外軌道(半徑25mm)中的預坑長度變成(0.4/11)×25＝0.9(μm)＞0.65×(用于再現(xiàn)信號的激光束的斑點直徑)。因此，當母盤的旋轉(zhuǎn)角速度和激光束的驅(qū)動脈沖寬度被規(guī)定為常數(shù)時，實現(xiàn)本發(fā)明確定的在預坑長度L(μm)和用于再現(xiàn)信號的激光束斑點直徑D(μm)之間的關(guān)系即0.3≤(L/M)≤0.65變成困難。
當生產(chǎn)了信息記錄媒體10的母盤時，用于切割的激光束的驅(qū)動脈沖寬度是以1000個軌道為基礎變化的。具體地，盤被劃分成以1000個軌道為基礎的段，以及段的最內(nèi)軌道中的預坑長度被規(guī)定為0.4μm。在相同的段中，切割是以相同的驅(qū)動脈沖寬度進行的。激光束的驅(qū)動脈沖寬度被設置成在外側(cè)的段中為依次較短，由此進行切割。由于這，在每個段中，最內(nèi)軌道中的預坑長度總是變成0.4μm。在每個段中，最外軌道預坑長度變成稍微長于0.4μm。但是，每個段的寬度僅僅是600μm(1000個軌道)，使得預坑的長度能夠被設置為0.43μm或者更小。圖9表示了具有0.4μm長度的預坑再現(xiàn)信號和具有0.43μm長度的預坑再現(xiàn)信號的例子。具有0.43μm長度的預坑再現(xiàn)信號(圖9中的虛線表示)具有反射光量的下降峰值，其寬于具有0.4μm長度的再現(xiàn)信號(圖9中的實線表示)的峰值。但是，用任何一種預坑，再現(xiàn)信號在預坑的中心部分有局部最小值，并且信號的斜率(slope)在中心部分之前和之后是變化較大的。因此，在例1的信息記錄媒體中，能夠容易地檢測預坑的中心部分。
鎳膜被形成在如此生產(chǎn)的母盤的表面上以獲得模盤。基片11能夠通過2P法或者使用模盤的注入形成法形成。
例2在例2中，將說明本發(fā)明信息記錄媒體的另一個例子。在例2的信息記錄媒體20中，形成了對應于基片數(shù)據(jù)區(qū)域的凹槽(預先凹槽)。在信息記錄媒體20中，記錄信息是通過DWDD方法再現(xiàn)的。而且，在信息記錄媒體20中，擺動坑是以20個軌道為基礎構(gòu)圖的，并且光學頭的移動方向能夠通過檢測擺動坑檢測。
圖10A是例2的信息記錄媒體20的平面圖。信息記錄媒體20是樣品伺服跟蹤系統(tǒng)的磁光盤。信息記錄媒體20具有直徑大約為50mm的盤形狀，并且在中心提供有通孔200。信息記錄媒體20上，記錄區(qū)域201被形成在半徑為11mm到25mm的范圍內(nèi)。實際軌道中心202以螺旋形狀被布置在記錄區(qū)域201中。軌道間距(在半徑方向相臨的實際軌道中心202之間的距離)是0.54μm。圖10B表示信息記錄媒體20的預坑區(qū)域和數(shù)據(jù)區(qū)域的排列。多個徑向布置的預坑區(qū)域210和多個徑向布置的數(shù)據(jù)區(qū)域220被交替地布置。在一個軌道中，提供了1280個預坑區(qū)域210和1280個數(shù)據(jù)區(qū)域220。
如圖10B中表示，與例1的信息記錄媒體比較，例2的信息記錄媒體20的特征在于預坑區(qū)域210的長度在盤中是相同的。例1中，預坑區(qū)域210在朝著盤外周側(cè)邊方向變得較寬。相反，在信息記錄媒體20中，預坑區(qū)域210具有相同的長度，并且在盤的所有區(qū)域中，擺動坑的長度和在擺動坑之間的間隔在預坑區(qū)域210中是相同的。因此，在信息記錄媒體20中，能夠在盤中產(chǎn)生更均勻的跟蹤控制信號，并且與信息記錄媒體10比較，能夠進行具有更高精度的跟蹤控制。而且，信息記錄媒體10的基片是平板，由此在信息記錄媒體20的數(shù)據(jù)區(qū)域220中形成預先凹槽。
如圖10C表示，信息記錄媒體20是用通過數(shù)值孔徑NA的物鏡300會聚的波長為λ(μm)的激光束301來輻射的，由此進行記錄/再現(xiàn)。
與信息記錄媒體10相同的方式，信息記錄媒體20的記錄區(qū)域201在半徑方向被分成多個區(qū)域(見圖10)。信息記錄媒體20采用ZCLV系統(tǒng)，其中，記錄/再現(xiàn)通過在區(qū)域基線上轉(zhuǎn)換旋轉(zhuǎn)角速度在整個記錄區(qū)域201中以基本恒定線速度進行。
圖11是表示信息記錄媒體20的段230結(jié)構(gòu)的部分放大圖。參考圖11，每個段230包括預坑區(qū)域210和數(shù)據(jù)區(qū)域220。具體地，信息記錄媒體20包括每個軌道1280個段。數(shù)據(jù)區(qū)域220被用于記錄用戶數(shù)據(jù)。
在預坑區(qū)域210中，形成了預坑211。預坑211包括一對擺動坑213和地址坑214，其從引導端(即在信息記錄/再現(xiàn)期間激光束斑點首次通過的側(cè)面)以這個次序配置。每個預坑211的寬度(在半徑方向的長度)是0.4μm。而且，平的部分被形成在沿著實際軌道中心202的預坑211之前和之后。
地址坑214是類似于例1中說明的地址坑114的預坑。
在信息記錄媒體20中，沿著實際軌道中心的擺動坑213的長度L(μm)和在信息再現(xiàn)期間輻射的激光束的斑點直徑D(μm)滿足關(guān)系0.3≤(L/D)≤0.65。在斑點直徑D是大約1.1μm的情況下，長度L例如是0.4μm。
而且，在信息記錄媒體20中，沿著實際軌道中心202之平的部分的長度M(μm)和沿著實際軌道中心202之激光束的斑點直徑D(μm)滿足關(guān)系0.65≤(M/D)。在斑點直徑D是大約1.1μm的情況下，長度M例如是0.88μm。
在信息記錄媒體20中，時鐘坑不形成在預坑區(qū)域210中。同步時鐘信號是通過檢測在數(shù)據(jù)區(qū)域220中形成的預先凹槽221的邊緣產(chǎn)生的。
一對擺動坑213包括擺動坑213a(以后其被稱為“第一擺動坑213a”)和擺動坑213b(以后其被稱為“第二擺動坑213b”)，其以這個次序從引導端布置。擺動坑213a和213b被布置在偏離實際軌道中心102為1/2軌道間距的位置。該對擺動坑213之一被在半徑方向上相臨的預坑區(qū)域210所共用。因此，在信息記錄媒體20中，具有不同極性跟蹤控制信號的軌道203a和軌道203b被交替地布置在半徑方向上。
在信息記錄媒體20中，構(gòu)圖擺動坑213。具體地，第一擺動坑213a被布置在相對靠近預凹槽221的第一位置P1a或者相對遠離預凹槽221的第二位置。而且，第二擺動坑213b被布置在相對靠近預凹槽221的第一位置P2a或者相對遠離預凹槽221的第二位置P2b。因此，擺動坑213具有四個排列圖形A圖形(P1a，P2b)，B圖形(P1b，P2b)，C圖形(P1b，P2a)和D圖形(P1a，P2a)，其依賴于第一擺動坑213a和第二擺動坑213b的排列。這些圖形能夠通過從同步時鐘信號中產(chǎn)生對應于P1a，P1b，P2a和P2b的時序信號和取樣使用該時序信號的再現(xiàn)信號而識別。
圖12示意地表示擺動坑213和地址坑214以及預坑區(qū)域210長度之間的關(guān)系。如圖12表示，在每個圖形(A圖形，B圖形，C圖形和D圖形)中，每個擺動坑213和每個地址坑214被布置成使得在軌道方向的每個中心位置被定位在通過以相同長度將預坑區(qū)域210劃分成多個區(qū)域而獲得的分區(qū)上。具體地，擺動坑213和地址坑214被布置成使得在坑中心和預坑區(qū)域210末端之間的距離變成T/N的整數(shù)倍(T是預坑區(qū)域210的長度，N是5或更大的整數(shù))。在圖12表示的例子中，在擺動坑213和地址坑214的中心和預坑區(qū)域210的末端之間的距離是T/14的整數(shù)倍。具體地，在第一擺動坑213a的中心和預坑區(qū)域210的末端之間的距離是3T/14或者4T/14，而在第二擺動坑213b的中心和預坑區(qū)域210的末端之間的距離是7T/14或者8T/14。而且，在地址坑214的中心和預坑區(qū)域210的末端之間的距離是11T/14。圖12中表示的排列是表示用于說明目的，本發(fā)明不局限于此。
在擺動坑213按圖12所表示配置并且擺動坑213的長度L滿足0.3≤(L/D)≤0.65的情況下，信號振幅是朝下凸的，并且具有在擺動坑中心的最小值。因此，通過將由預坑區(qū)域210長度被整數(shù)N(例2中為14)除獲得的位置與信號的最小位置進行比較，能夠很容易地確定光斑點穿過的部分是屬于哪個圖形。
在信息記錄媒體20中，A圖形，B圖形，C圖形和D圖形以在記錄區(qū)域201的內(nèi)周側(cè)開始的20個軌道為基礎被重復地配置。具體地，A圖形(20個軌道)，B圖形(20個軌道)，C圖形(20個軌道)，D圖形(20個軌道)，A圖形(20個軌道)，B圖形(20個軌道)，......，被以這個次序從內(nèi)周側(cè)開始重復。
因此，在信息記錄媒體20中，一對擺動坑213是由具有兩種類型排列的第一擺動坑213a和具有兩種類型排列的第二擺動坑213b構(gòu)成的。而且，預坑區(qū)域210被分成多個區(qū)域，其根據(jù)距基片21中心的距離被重復地配置。多個區(qū)域具有第一擺動坑213a排列和第二擺動坑213b排列的不同組合。在信息記錄媒體20中，由于這種排列，束斑點的移動方向在信息的記錄/再現(xiàn)期間能夠容易地被檢測。例如，如果通過檢測來自擺動坑213的信號發(fā)現(xiàn)束斑點從A圖形移動到B圖形，就能夠確定束斑點已經(jīng)從內(nèi)周側(cè)移動到外周側(cè)。
下面，將說明數(shù)據(jù)區(qū)域220。在數(shù)據(jù)區(qū)域220中，預凹槽221被沿著實際軌道中心202形成。圖13是在半徑方向數(shù)據(jù)區(qū)域220的部分放大剖面圖。
參考圖13，信息記錄媒體20包括基片21，和介質(zhì)層22，再現(xiàn)層(第一磁性層)23，中間層(第二磁性層)24，磁性記錄層(第三磁性層)25，介質(zhì)層26，和涂層27，其以這個次序被堆積在基片21上。再現(xiàn)層23，中間層24和磁性記錄層25形成信息記錄媒體20的記錄層30。具體地，信息記錄媒體20的記錄層包括第一磁性層，第二磁性層和第三磁性層，其以這個次序從激光束入射側(cè)開始布置。第一磁性層的居里溫度和第三磁性層的居里溫度高于第二磁性層的居里溫度。
基片21是由與基片11的相同材料制成的。在數(shù)據(jù)區(qū)域220中，預先凹槽221被形成在每個實際軌道中心202上。預先凹槽221作為線性凹部分被形成在基片21上。平的凸臺222被形成在相臨預先凹槽221之間。
介質(zhì)層22可以由SiN制成并且具有80nm的厚度。再現(xiàn)層23可以由GdFeCoCr制成和具有30nm的厚度。中間層24可以由TdDyFe制成和具有10nm的厚度。磁性記錄層25可以由TbFeCo制成和具有50nm的厚度。介質(zhì)層26可以由SiN制成并且具有80nm的厚度。再現(xiàn)層23具有150℃的補償成分溫度(compensating compositiontemperature)和270℃的居里溫度。中間層24具有150℃的居里溫度。并且稀土金屬成分在居里溫度或者以下時總是變成起主要作用。磁性記錄層25具有80℃的補償成分溫度(compensating compositiontemperature)和290℃的居里溫度。這些層能夠通過濺射形成(例如，DC磁控濺射，反應濺射等)。通過改變?yōu)R射條件和靶，這些層能夠具有理想的成分比。
涂層27可以由環(huán)氧丙烯酸酯樹脂制成和具有6μm的厚度。涂層27可以通過由旋涂法用樹脂涂覆介質(zhì)層26和用UV光輻射樹脂以固化之來形成。
在信息記錄媒體20中，相臨軌道在數(shù)據(jù)區(qū)域220的記錄層30中被磁性地切斷。這是因為被粘結(jié)到凹槽側(cè)表面的膜是非常薄的，并且凹槽側(cè)表面和凹槽底表面在磁性特征上是相互不同的。因此，在信息記錄媒體20中，信息能夠通過DWDD方法再現(xiàn)。以后，根據(jù)DWDD方法的再現(xiàn)將參考圖14A到14D說明。
圖14A示意地表示了在激光束不輻射的條件下數(shù)據(jù)區(qū)域220的狀態(tài)。信息信號作為磁化信息被記錄到磁性記錄層25上。當激光束不輻射時，磁性記錄層25，中間層24和再現(xiàn)層23被交換耦合，使得磁性記錄層25的磁化信息被轉(zhuǎn)換到中間層24和再現(xiàn)層23。
圖14B示意地表示當激光束輻射時數(shù)據(jù)區(qū)域220的狀態(tài)。激光束相對于信息記錄媒體20在由箭頭表示的方向上相對地移動。當激光束輻射和每個層的溫度增加時，部分24p(由圖中陰影區(qū)域表示)被形成在一部分中間層24中，在這里溫度達到居里溫度或者更高。在部分24p中，在磁性記錄層25和再現(xiàn)層23之間的交換耦合被關(guān)斷。此時，再現(xiàn)層23的磁疇壁根據(jù)依賴于溫度的磁疇壁能量密度的梯度而導致移動。因此，放大的磁疇23a被出現(xiàn)在位于部分24p的再現(xiàn)層23中。磁性記錄層25的磁疇25a中的信息通過位于部分24p前方的磁疇24a被轉(zhuǎn)換到磁疇23a(相對基片21的激光束的移動方向被假設為向前的方向，其在圖14B中由箭頭表示)。
當激光束從圖14B中的狀態(tài)向前移動時，磁疇24a的溫度被增加變成部分24p，如圖14C表示。此時，位于部分24p前方的磁疇24b上的磁疇23b的磁疇壁移動。如圖14D表示，形成放大的磁疇23b。磁疇25b的信息通過中間層24被轉(zhuǎn)換到放大的磁疇23b。
如上述，根據(jù)DWDD方法，以記錄標記記錄的信息被放大和轉(zhuǎn)換到再現(xiàn)層。因此，DWDD方法允許再現(xiàn)比激光束斑點直徑更小的記錄標記。在信息記錄媒體20中，記錄是通過光學脈沖磁場調(diào)制記錄法進行的，再現(xiàn)是通過DWDD法進行的，由此具有特殊高密度的信息能夠被記錄/再現(xiàn)。
圖形的排列以及在一個圖形中包括的軌道數(shù)目不局限于上述，可以使用另外的結(jié)構(gòu)。
例子2中，已經(jīng)說明了信息記錄媒體，其中預先凹槽221被形成在數(shù)據(jù)區(qū)域220的每個軌道中?？梢允褂昧硗獾慕Y(jié)構(gòu)。例如，預先凹槽221可以被形成在數(shù)據(jù)區(qū)域220的每隔一個的軌道中。有關(guān)這種信息記錄媒體20a，圖15示意地表示預坑區(qū)域210和數(shù)據(jù)區(qū)域220a的結(jié)構(gòu)。信息記錄媒體20a不同于信息記錄媒體20，其僅僅在于預先凹槽221被形成在數(shù)據(jù)區(qū)域220a的每隔一個的軌道中。因此，這里不重復說明。
如圖15表示，在數(shù)據(jù)區(qū)域220a中，預先凹槽221被形成在每隔一個的軌道中。凸臺222也被形成在每隔一個的軌道中。具體地，數(shù)據(jù)被記錄在軌道203a的預先凹槽221上，以及數(shù)據(jù)被記錄在軌道203b的凸臺222上。在信息記錄媒體20a中，因為在預先凹槽221和凸臺222之間同步的差，相鄰軌道被磁性地切斷。因此，信息能夠根據(jù)DWDD方法被再現(xiàn)。
例3在例3中，將說明在本發(fā)明記錄/再現(xiàn)方法中使用的說明性記錄/再現(xiàn)設備。
圖16示意地表示例3的記錄/再現(xiàn)設備400的結(jié)構(gòu)。記錄/再現(xiàn)設備400相對于根據(jù)本發(fā)明的記錄媒體401來記錄/再現(xiàn)信息。
記錄/再現(xiàn)設備400可以包括馬達402，光拾取器403，差分和附加放大器404，聚焦信號發(fā)生電路405，PLL406，跟蹤控制信號檢測電路407，控制電路408，激光驅(qū)動電路409，數(shù)據(jù)解碼器410，數(shù)據(jù)編碼器411，磁頭驅(qū)動電路412和磁頭413。
馬達402被控制電路408控制和旋轉(zhuǎn)記錄媒體401。光拾取器403被控制電路408控制和相對于記錄媒體401記錄/再現(xiàn)數(shù)據(jù)。光拾取器403將關(guān)于P極化光分量和S極化光分量的信號輸出到差分和附加放大器404。光拾取器403包括發(fā)射波長為λ的激光束的半導體激光器，和具有數(shù)值孔徑NA的物鏡。差分和附加放大器404進行從光拾取器403輸入的兩種信號的相加和差分，并且輸出加法信號(坑信號)和差分信號(MO信號)。聚焦信號發(fā)生電路405產(chǎn)生用于聚焦控制的信號。PLL 406從由差分和附加放大器404輸入的加法信號中提取時鐘坑，并且產(chǎn)生用于記錄/再現(xiàn)的時鐘信號。跟蹤控制信號檢測電路407檢測基于輸入加法信號和時鐘信號的一對擺動坑的幅值，并且通過計算兩個幅值之間的差產(chǎn)生跟蹤控制信號。控制電路408控制聚焦，跟蹤和馬達402。激光驅(qū)動電路409控制記錄和再現(xiàn)期間的激光功率并且調(diào)制激光脈沖。數(shù)據(jù)解碼器410解碼基于輸入差分信號的再現(xiàn)數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)編碼器411編碼被記錄的數(shù)據(jù)。磁頭驅(qū)動電路412驅(qū)動用于數(shù)據(jù)記錄的磁頭413。磁頭413根據(jù)用于記錄的數(shù)據(jù)產(chǎn)生磁場。
本發(fā)明的記錄/再現(xiàn)方法能夠通過使用記錄/再現(xiàn)設備400實現(xiàn)。
本發(fā)明已經(jīng)利用說明性實施例進行了說明。但是，本發(fā)明不局限于上述實施例，能夠適用于基于本發(fā)明技術(shù)思想的另外實施例。
在上述例子中，采用樣品伺服跟蹤系統(tǒng)的磁光盤被作為示例。但是，可以使用不同于樣品伺服跟蹤系統(tǒng)的另一個系統(tǒng)的信息記錄媒體。例如，本發(fā)明可以用在安裝有引導凹槽和擺動坑的跟蹤系統(tǒng)的盤中，其中，跟蹤通常是使用引導凹槽根據(jù)推挽系統(tǒng)進行的，并且跟蹤控制誤差是使用擺動坑再現(xiàn)信號校正的。
例2中，已經(jīng)說明了其中擺動坑具有兩種配置的情況。但是，本發(fā)明的信息記錄媒體不局限于此，并且擺動坑可以具有兩種或者更多種配置。
本發(fā)明在不脫離其精神或者本質(zhì)特征的情況下可以體現(xiàn)為其它形式。本申請公開的實施例在所有方面是作為說明而非限制考慮的。本發(fā)明的范圍是通過所附權(quán)利要求而非前述說明書表示的，并且落在權(quán)利要求等價意義和范圍之內(nèi)的所有變化都被認為在此之中。
工業(yè)實用性如上述，根據(jù)本發(fā)明，能夠獲得信息記錄媒體，其中跟蹤控制能夠可靠地進行和能夠進行信息的高密度記錄。
而且，根據(jù)本發(fā)明的記錄/再現(xiàn)方法，信息能夠被記錄在具有高密度的信息記錄媒體上，并且用高密度記錄的信息能夠從該信息記錄媒體中再現(xiàn)。
權(quán)利要求
1.一種用于通過用數(shù)值孔徑NA的物鏡會聚的激光束的輻射來再現(xiàn)信息的信息記錄媒體，包括盤形基片和布置在基片上的記錄層，其中，在基片的表面上，多個預坑區(qū)域和多個數(shù)據(jù)區(qū)域被沿著螺旋的或者同心的實際軌道中心交替布置，每個預坑區(qū)域包括用于跟蹤伺服的一對擺動坑，并且沿著實際軌道中心的擺動坑長度L(μm)，激光束的波長λ(μm)和NA滿足關(guān)系0.3≤L·NA/λ≤0.65。
2.權(quán)利要求1的信息記錄媒體，其中平的部分是出現(xiàn)在沿著實際軌道中心之擺動坑之前和之后的基片表面上，以及沿著實際軌道中心之平的部分的長度M(μm)，波長λ(μm)和NA滿足關(guān)系0.65≤M·NA/λ。
3.權(quán)利要求1的信息記錄媒體，其中該對擺動坑之一被在基片半徑方向上相臨的兩個預坑區(qū)域共用。
4.權(quán)利要求1的信息記錄媒體，其中預坑區(qū)域被分成多個區(qū)域，它們根據(jù)距基片中心的距離被重復地配置，該對擺動坑由具有兩個可能排列的第一擺動坑和具有兩個可能排列的第二擺動坑構(gòu)成，并且該多個區(qū)域具有第一擺動坑排列和第二擺動坑排列的不同組合。
5.權(quán)利要求1的信息記錄媒體，其中凹槽被形成在對應于基片數(shù)據(jù)區(qū)域的部分中。
6.權(quán)利要求5的信息記錄媒體，其中記錄層包括第一磁性層，第二磁性層和第三磁性層，其以這個次序從激光束的入射側(cè)布置，第一磁性層的居里溫度和第三磁性層的居里溫度高于第二磁性層的居里溫度，并且記錄層在相臨軌道之間可以被磁性地切斷。
7.權(quán)利要求1的信息記錄媒體，其中沿著實際軌道中心的預坑區(qū)域的長度是常數(shù)。
8.權(quán)利要求7的信息記錄媒體，其中在該對擺動坑的每個中心和預坑區(qū)域的尾端之間的距離用T/N的整數(shù)倍來表示，這里T是預坑區(qū)域沿著實際軌道中心的長度和N是大于或者等于5的整數(shù)。
9.一種用于通過用數(shù)值孔徑NA的物鏡會聚的激光束的輻射來再現(xiàn)信息的信息記錄媒體，包括盤形基片和布置在基片上的記錄層，其中，在基片的表面上，多個預坑區(qū)域和多個數(shù)據(jù)區(qū)域被沿著螺旋的或者同心的實際軌道中心交替布置，每個預坑區(qū)域包括用于跟蹤伺服的一對擺動坑，平的部分是出現(xiàn)在沿著實際軌道中心之擺動坑之前和之后的基片表面上，和沿著實際軌道中心的平的部分的長度M(μm)，激光束的波長λ(μm)和NA滿足關(guān)系0.6 5≤M·NA/λ。
10.權(quán)利要求9的信息記錄媒體，其中該對擺動坑之一被在基片半徑方向上相臨的兩個預坑區(qū)域共用。
11.權(quán)利要求9的信息記錄媒體，其中預坑區(qū)域被分成多個區(qū)域，它們根據(jù)距基片中心的距離被重復地配置，該對擺動坑由具有兩個可能排列的第一擺動坑和具有兩個可能排列的第二擺動坑構(gòu)成，并且該多個區(qū)域具有第一擺動坑排列和第二擺動坑排列的不同組合。
12.權(quán)利要求9的信息記錄媒體，其中凹槽被形成在對應于基片數(shù)據(jù)區(qū)域的部分中。
13.權(quán)利要求12的信息記錄媒體，其中記錄層包括第一磁性層，第二磁性層和第三磁性層，其以這個次序從激光束的入射側(cè)布置，第一磁性層的居里溫度和第三磁性層的居里溫度高于第二磁性層的居里溫度，并且記錄層在相臨軌道之間被磁性地切斷。
14.權(quán)利要求9的信息記錄媒體，其中沿著實際軌道中心的預坑區(qū)域的長度是常數(shù)。
15.權(quán)利要求14的信息記錄媒體，其中在該對擺動坑的每個中心和預坑區(qū)域的尾端之間的距離用T/N的整數(shù)倍來表示，這里T是預坑區(qū)域沿著實際軌道中心的長度和N是大于或者等于5的整數(shù)。
16.一種用于通過由數(shù)值孔徑NA的物鏡會聚之激光束來輻射信息記錄媒體以記錄/再現(xiàn)信息的記錄/再現(xiàn)方法，其中，信息記錄媒體包括盤形基片和在基片上布置的記錄層，多個預坑區(qū)域和多個數(shù)據(jù)區(qū)域被交替地沿著螺旋的或者同心的實際軌道中心被布置在基片的表面上，每個預坑區(qū)域包括用于跟蹤伺服的一對擺動坑，以及沿著實際軌道中心的擺動坑的長度L(μm)，激光束的波長λ(μm)和NA滿足關(guān)系0.3≤L·NA/λ≤0.65。
17.一種用于通過由數(shù)值孔徑NA的物鏡會聚之激光束來輻射信息記錄媒體以記錄/再現(xiàn)信息的記錄/再現(xiàn)方法，其中，信息記錄媒體包括盤形基片和在基片上布置的記錄層，多個預坑區(qū)域和多個數(shù)據(jù)區(qū)域被交替地沿著螺旋的或者同心的實際軌道中心被布置在基片的表面上，每個預坑區(qū)域包括用于跟蹤伺服的一對擺動坑，平的部分是出現(xiàn)在沿著實際軌道中心之擺動坑之前和之后的基片表面上，以及沿著實際軌道中心的平的部分的長度M(μm)，激光束的波長λ(μm)和NA滿足關(guān)系0.65≤M·NA/λ。
全文摘要
一種用于通過用數(shù)值孔徑NA的物鏡會聚的激光束的輻射來再現(xiàn)信息的信息記錄媒體包括盤形基片和布置在基片上的記錄層。在基片的表面上，多個預坑區(qū)域和多個數(shù)據(jù)區(qū)域被沿著螺旋的或者同心的實際軌道中心交替布置。每個預坑區(qū)域包括用于跟蹤伺服的一對擺動坑，并且沿著實際軌道中心的擺動坑長度L(μm)，激光束的波長λ(μm)和數(shù)值孔徑NA滿足關(guān)系0.3≤L·NA/λ≤0.65。
文檔編號G11B7/013GK1394333SQ01803206
公開日2003年1月29日 申請日期2001年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2000年8月18日
發(fā)明者日野泰守, 鹽谷雅美, 平野和正, 弓田昌平 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社