專(zhuān)利名稱(chēng)：曲面結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造具有曲面的結(jié)構(gòu)的方法。這種結(jié)構(gòu)能夠用作包括磁頭在內(nèi)的電子器件，光學(xué)器件，精密零件等器件。尤其是，本發(fā)明涉及一種制造曲面結(jié)構(gòu)的方法，同時(shí)不改變?cè)摻Y(jié)構(gòu)的特性。
近年來(lái)，為了滿(mǎn)足作為功能器件的復(fù)雜功能和低成本的要求，具有薄膜等功能膜層的結(jié)構(gòu)常用作電子器件。使用了功能膜層的電子器件的器件結(jié)構(gòu)由于是通過(guò)將原子級(jí)的特殊材料層疊起來(lái)制成的，因此這些電子器件對(duì)處理環(huán)境具有很高的敏感度。由于這種敏感度，因此在進(jìn)行成形等后處理工作時(shí)需要避免對(duì)器件造成損害。
例如，在薄膜磁頭的制造中成形曲面時(shí)，后處理時(shí)進(jìn)行的精研等研磨會(huì)引起這樣的問(wèn)題，即由于研磨過(guò)程時(shí)產(chǎn)生的形狀變化會(huì)導(dǎo)致器件特性和功能的改變。
與此有關(guān)，日本專(zhuān)利No.2,552,068的說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)了通過(guò)有選擇的成形來(lái)控制結(jié)構(gòu)的曲面，其中這種有選擇的成形使用了激光處理和噴砂處理。另外，日本公開(kāi)出版物No.HEI 1-30,082中公開(kāi)了在加熱條件下和后繼的結(jié)構(gòu)冷卻到常溫下通過(guò)在結(jié)構(gòu)上形成不同熱膨脹系數(shù)的材料層來(lái)形成曲面。
參考圖6和圖7，下面對(duì)制造曲面結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)工藝的上述實(shí)例進(jìn)行描述。在圖6所示的第一個(gè)例子中，通過(guò)結(jié)構(gòu)1的能量成形，如激光和噴砂2，使結(jié)構(gòu)1成形為彎曲的形狀。在圖7所示的第二個(gè)例子中，將結(jié)構(gòu)1放置在加熱室3內(nèi)(如圖7A所示)并且在加熱條件下在結(jié)構(gòu)1上形成熱縮材料層4(如圖7B所示)。然后將加熱室3冷卻到常溫，結(jié)果結(jié)構(gòu)1成形為彎曲的形狀(如圖7C所示)。
然而，由于上述傳統(tǒng)曲面成形處理采用了精研和噴砂等研磨處理或激光處理和加熱等熱加工，因此存在的問(wèn)題是，對(duì)于具有敏感器件功能的結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，結(jié)構(gòu)的器件特性受到了損害和破壞，并且其功能膜層也不能發(fā)揮其固有的作用。
本發(fā)明的目的在于提供一種制造曲面結(jié)構(gòu)的方法，并且不使用研磨處理和熱加工。
本發(fā)明的第一方面是提供一種制造曲面結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括提供一種結(jié)構(gòu)主體；通過(guò)噴鍍?cè)诮Y(jié)構(gòu)主體的一個(gè)表面上形成薄膜以通過(guò)薄膜內(nèi)產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力使結(jié)構(gòu)主體彎曲，由此結(jié)構(gòu)主體的一個(gè)表面和另一個(gè)表面形成為曲面。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，由于制造該結(jié)構(gòu)沒(méi)有采用研磨處理和熱加工，因此能夠得到可以完全發(fā)揮其自身功能的曲面結(jié)構(gòu)，并且不會(huì)損害器件的特性，即使結(jié)構(gòu)的器件功能是敏感的。
構(gòu)成薄膜的材料最好是具有不低于40和不超過(guò)240的原子量。通過(guò)采用具有該范圍原子量的材料，形成的薄膜具有足夠的內(nèi)應(yīng)力，因此能夠確保結(jié)構(gòu)的形成，同時(shí)結(jié)構(gòu)的表面具有必要的曲率。
在通過(guò)噴鍍形成薄膜期間，曲面的曲率能夠通過(guò)壓力調(diào)整。特別是，通過(guò)把壓力設(shè)定的比預(yù)定壓力高，與上面形成有薄膜的一個(gè)表面相對(duì)的另一個(gè)表面成為凸面，通過(guò)通過(guò)把壓力設(shè)定的比預(yù)定壓力低，上面形成有薄膜的一個(gè)表面成為凸面。
另外，通過(guò)噴鍍形成薄膜是在真空室內(nèi)進(jìn)行的，表面的曲率能夠通過(guò)薄膜形成之前真空室內(nèi)的初始?jí)毫?lái)調(diào)整。特別是，通過(guò)把初始?jí)毫υO(shè)定的比預(yù)定壓力高，與上面形成有薄膜的一個(gè)表面相對(duì)的另一個(gè)表面成為凸面，通過(guò)把初始?jí)毫υO(shè)定的比預(yù)定壓力低，上面形成有薄膜的一個(gè)表面成為凸面。
通過(guò)噴鍍形成薄膜是通過(guò)對(duì)與結(jié)構(gòu)主體相對(duì)的一個(gè)目標(biāo)施加電壓進(jìn)行的，表面的曲率能夠通過(guò)施加到目標(biāo)上的電壓調(diào)整。特別是，通過(guò)把電壓設(shè)定的比預(yù)定電壓高，上面形成有薄膜的一個(gè)表面成為凸面，通過(guò)把電壓設(shè)定的比預(yù)定電壓低，與上面形成有薄膜的一個(gè)表面相對(duì)的另一個(gè)表面成為凸面。
優(yōu)選的是，在薄膜形成期間對(duì)結(jié)構(gòu)主體進(jìn)行冷卻。通過(guò)這種冷卻能夠防止薄膜形成期間結(jié)構(gòu)溫度的升高。
例如，結(jié)構(gòu)主體為Al2O3-TiC基底，噴鍍期間結(jié)構(gòu)主體的溫度不低于20℃，并且不超過(guò)50℃，噴鍍期間真空室內(nèi)的壓力不低于0.5Pa，并且不超過(guò)5.0Pa，薄膜由鉭(Ta)或鉻(Cr)組成。
本發(fā)明的第二方面是提供一種制造磁頭的方法，該方法包括提供具有單個(gè)或多個(gè)內(nèi)置器件的磁頭基底；通過(guò)噴鍍?cè)诖蓬^基底的一個(gè)表面上形成薄膜以通過(guò)薄膜內(nèi)產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力使磁頭基底彎曲，由此磁頭基底的一個(gè)表面和另一個(gè)表面成為曲面，其中的凸面作為磁頭表面。在薄膜形成后可以將磁頭基底切割分成多個(gè)磁頭。
本發(fā)明的第三方面是提供一種具有曲面的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括結(jié)構(gòu)主體；通過(guò)噴鍍?cè)诮Y(jié)構(gòu)主體的一個(gè)表面上形成的薄膜，其中結(jié)構(gòu)主體通過(guò)薄膜的內(nèi)應(yīng)力彎曲，由此使結(jié)構(gòu)主體的一個(gè)表面和與該表面相對(duì)的結(jié)構(gòu)主體的另一個(gè)表面成為曲面。
本發(fā)明的第四方面是提供一種磁頭，該磁頭包括具有單個(gè)或多個(gè)內(nèi)置器件的磁頭基底；通過(guò)噴鍍?cè)诖蓬^基底的一個(gè)表面上形成的薄膜，其中磁頭基底通過(guò)薄膜的內(nèi)應(yīng)力彎曲，由此使磁頭基底的一個(gè)表面或與該表面相對(duì)的磁頭基底的另一個(gè)表面成為用作磁頭表面的凸面。
從下面結(jié)合附圖對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述中，本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)更清楚，其中

圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例用于制造曲面結(jié)構(gòu)的方法中的噴鍍?cè)O(shè)備示意圖；圖2A為薄膜形成之前的磁頭基底的透視圖；圖2B為具有薄膜的磁頭基底的透視圖；圖2C為被薄膜的內(nèi)應(yīng)力(張力)彎曲的磁頭基底的透視圖；圖2D為磁頭基底切割過(guò)程的透視圖；圖3A為圖2A沿線III-III的剖視圖；圖3B為圖2B沿線III’-III’的剖視圖；圖3C為圖2C沿線III”-III”的剖視圖；圖4A為薄膜形成之前的磁頭基底的透視圖；圖4B為具有薄膜的磁頭基底的透視圖；圖4C為被薄膜的內(nèi)應(yīng)力(壓力)彎曲的磁頭基底的透視圖；圖4D為磁頭基底切割過(guò)程的透視圖5A為圖4A沿線V-V的剖視圖；圖5B為圖4B沿線V’-V’的剖視圖；圖5C為圖4C沿線V”-V”的剖視圖；圖6為曲面結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)制造方法的示意圖；圖7A-7C為曲面結(jié)構(gòu)的另一個(gè)傳統(tǒng)制造方法的示意圖。
下面參考附圖對(duì)本發(fā)明曲面結(jié)構(gòu)的制造方法進(jìn)行詳細(xì)的描述。
圖2D和圖3C，圖4D和圖5C分別示出了一種磁頭31，其為本發(fā)明具有曲面的結(jié)構(gòu)。該磁頭31包括結(jié)構(gòu)主體或磁頭基底32和通過(guò)噴鍍?cè)诖蓬^基底32的一個(gè)表面32a上形成的薄膜33。磁頭基底32由Al2O3-TiC組成并具有內(nèi)置器件34A和34B。薄膜33由鉭(Ta)或鉻(Cr)組成。
磁頭基底32通過(guò)薄膜33的內(nèi)應(yīng)力彎曲，由此上面形成有薄膜33的一個(gè)表面32a和與表面32a相對(duì)的另一個(gè)表面32b都成為曲面。
在圖3B和3C所示的實(shí)施例中，內(nèi)應(yīng)力δ1為張力。內(nèi)應(yīng)力δ1導(dǎo)致產(chǎn)生作用在磁頭基底32上的變形力，因此與薄膜33相對(duì)的另一個(gè)表面32b成為凸面。另外，成為凸面的另一個(gè)表面32b構(gòu)成了磁頭表面，在該磁頭表面上形成有空氣軸承面35。另一方面，在圖5B和5C所示的實(shí)施例中，內(nèi)應(yīng)力δ2為壓力。內(nèi)應(yīng)力δ2導(dǎo)致產(chǎn)生作用在磁頭基底32上的變形力，因此具有薄膜33的一個(gè)表面32a成為凸面。另外，成為凸面的一個(gè)表面32a構(gòu)成了磁頭表面，在該磁頭表面上形成有空氣軸承面35。
圖1所示為用于制造磁頭31的噴鍍?cè)O(shè)備的例圖。
真空室11內(nèi)裝有基底固定器12。該基底固定器12以這樣的方式固定磁頭基底32，即由于內(nèi)應(yīng)力δ1和δ2引起的磁頭基底的變形是容許的。另外，基底固定器12通過(guò)驅(qū)動(dòng)單元13上下移動(dòng)。
基底固定器12具有冷卻水通道12a。在冷卻水通道12a內(nèi)，從冷卻水源14供給的冷卻水進(jìn)行循環(huán)，由此在噴鍍期間對(duì)磁頭基底32進(jìn)行冷卻。通過(guò)將基底固定器12的體積設(shè)定的足夠大，其可以具有大的熱容量。
在真空室11內(nèi)，安裝有與基底固定器12相對(duì)的目標(biāo)15。目標(biāo)15與電源17連接。盡管在該實(shí)施例中電源17使用的是直流電源，但是如果目標(biāo)15是由電絕緣體組成的也可以使用高頻電源。在基底固定器12與目標(biāo)15之間安裝有閘門(mén)18。閘門(mén)18通過(guò)驅(qū)動(dòng)單元19開(kāi)啟和關(guān)閉。
用于排放的真空泵21經(jīng)閥22與真空室11的內(nèi)部相連。另一方面，真空室11上的進(jìn)氣口23經(jīng)閥24與氣源25相連。處理氣體從氣源25經(jīng)閥24供給到真空室11的內(nèi)部。
控制器27控制基底固定器12的驅(qū)動(dòng)單元13，冷卻水源14，電源17，閘門(mén)18的驅(qū)動(dòng)單元19，閥22和24，真空泵21，及氣源25。
下面以圖2D和3C所示磁頭為例對(duì)用于制造磁頭的方法進(jìn)行描述。
圖2A和2B所示柵狀的磁頭基底32同基底固定器12固定，一個(gè)表面32a朝下。在磁頭基底32的另一個(gè)表面32b上預(yù)先形成有空氣軸承表面35。
然后，為了調(diào)整薄膜厚度分布的精度，基底固定器12通過(guò)驅(qū)動(dòng)單元13上下移動(dòng)以根據(jù)磁頭基底32的布置面積來(lái)調(diào)整磁頭基底32與目標(biāo)15之間的距離。
此后，排放真空室11內(nèi)的氣體直到真空室11內(nèi)的壓力達(dá)到預(yù)定的壓力(初始?jí)毫?。在該實(shí)施例中，真空室11的氣體排放一直持續(xù)到初始?jí)毫_(dá)到大約10-3Pa為止。另外，諸如氬氣(Ar)的處理氣體從氣源25經(jīng)進(jìn)氣口23被導(dǎo)引到真空室11的內(nèi)部。在這些過(guò)程中，從進(jìn)氣口23導(dǎo)入處理氣體的流速和通過(guò)真空泵21排放的流速設(shè)定的相同，由此真空室11內(nèi)部的壓力保持恒定。該恒定的壓力就是薄膜形成期間的壓力。
下一步，保持閘門(mén)18關(guān)閉，將電源17供給的電壓作用到目標(biāo)15上以便產(chǎn)生等離子放電。為了清除目標(biāo)15上的物質(zhì)，如氧化物，穩(wěn)定的等離子放電要維持幾分鐘。此后，打開(kāi)閘門(mén)18，由此在磁頭基底32的一個(gè)表面32a上形成了噴鍍膜或薄膜33，如圖2B和3B所示。薄膜33的厚度設(shè)定的不超過(guò)1μm。如圖2C和3C所示，由于內(nèi)應(yīng)力δ1的作用，磁頭基底32被彎曲并且與薄膜33相對(duì)的另一表面32b成為凸面。
由于能量從噴射微粒傳遞給磁頭基底，因此通過(guò)噴鍍形成薄膜的長(zhǎng)的持續(xù)時(shí)間會(huì)造成磁頭基底的溫度升高。然而，在該實(shí)施例中，通過(guò)冷卻水對(duì)基底固定器12的冷卻和基底固定器12的大熱容量能夠降低磁頭基底32的溫度升高。盡管磁頭基底32的冷卻效果依賴(lài)于其材料，但是將磁頭基底32冷卻到不超過(guò)50℃的溫度能夠防止由于加熱對(duì)器件34A和34B特性造成的損害，即使這些器件34A和34B是敏感的。
在完成薄膜33的形成后，將磁頭基底32從真空室11內(nèi)取出。接著，通過(guò)圖2D中所示的線C將磁頭基底32切割分離成各個(gè)磁頭31。例如，利用劃片機(jī)完成對(duì)磁頭基底32的切割。
除了空氣軸承表面35是在完成薄膜形成后制成的，圖4D和5C所示的磁頭31也可以通過(guò)上述制造圖2D和3C所示磁頭31的方法制造(參考圖4A-4D和圖5A-5C)。
如上所述，內(nèi)部應(yīng)力是張力或是壓力會(huì)使得磁頭基底32的彎曲方向不同，即一個(gè)表面32a和另一表面32b中的那一個(gè)會(huì)成為凸面。另外，內(nèi)應(yīng)力越大，磁頭基底32的彎曲程度越大，該彎曲程度稱(chēng)為一個(gè)表面32a和另一表面32b的曲率。相應(yīng)地，通過(guò)在薄膜形成期間對(duì)壓力，初始?jí)毫笆┘拥侥繕?biāo)15上的電壓進(jìn)行控制，磁頭基底32的彎曲方向和曲率都能夠得到調(diào)整。
首先對(duì)通過(guò)薄膜形成期間的壓力進(jìn)行的調(diào)整進(jìn)行描述。
薄膜形成期間的壓力可以通過(guò)真空泵21和/或氣源25進(jìn)行調(diào)整。特別是，當(dāng)從氣源25供給的處理氣體的流速相對(duì)于真空泵21排放的流速增加時(shí)薄膜形成期間的壓力增高。相反，當(dāng)從氣源25供給的處理氣體的流速相對(duì)于真空泵21排放的流速降低時(shí)薄膜形成期間的壓力降低。
利用薄膜形成期間壓力的增高，從目標(biāo)15到磁頭基底32的一個(gè)表面32a上的各個(gè)微粒的能量降低。由此，當(dāng)薄膜形成期間的壓力高時(shí)，薄膜33的密度就低并且構(gòu)成薄膜33的原子之間的吸引力對(duì)磁頭基底32具有很大的影響。這會(huì)導(dǎo)致薄膜33的內(nèi)應(yīng)力為張力δ1(參考圖3C)并且與薄膜33相對(duì)的另一表面32b成為凸面。
另一方面，隨著薄膜形成期間壓力的降低，從目標(biāo)15到磁頭基底32的一個(gè)表面32a上的各個(gè)微粒的能量升高。因此，當(dāng)薄膜形成期間的壓力低時(shí)，薄膜33的密度就高并且構(gòu)成薄膜33的原子之間的排斥力對(duì)磁頭基底32具有很大的影響。這會(huì)導(dǎo)致薄膜33的內(nèi)應(yīng)力為壓力δ2(參考圖5C)并且上面形成有薄膜33的一表面32a成為凸面。
換而言之，通過(guò)把薄膜33形成期間的壓力設(shè)定的比預(yù)定的壓力高，與形成有薄膜33的一個(gè)表面32a相對(duì)的另一個(gè)表面32b成為凸面。相反，通過(guò)把薄膜33形成期間的壓力設(shè)定的比預(yù)定的壓力低，形成有薄膜33的一個(gè)表面32a成為凸面。
下面對(duì)通過(guò)初始?jí)毫M(jìn)行的調(diào)整進(jìn)行描述。
在利用真空泵21開(kāi)始排放之前，水分粘在真空室11的內(nèi)壁表面和磁頭基底32上。隨著初始?jí)毫Φ慕档停值氖Ｓ嗔吭趪婂冮_(kāi)始時(shí)降低。相反，隨著初始?jí)毫Φ纳?，水分的剩余量在噴鍍開(kāi)始時(shí)增加。
相應(yīng)地，當(dāng)初始?jí)毫Ω邥r(shí)，真空室11內(nèi)的剩余水分粘在目標(biāo)微粒上從而產(chǎn)生絮凝。薄膜33的密度由于這種絮凝而降低。這會(huì)導(dǎo)致薄膜33的內(nèi)應(yīng)力為張力δ1(參考圖3C)并且形成有薄膜33的一個(gè)表面32a成為凸面。
另一方面，當(dāng)初始?jí)毫Φ蜁r(shí)，不產(chǎn)生絮凝，因此薄膜33的密度升高。這會(huì)導(dǎo)致薄膜33的內(nèi)應(yīng)力為張力δ2(參考圖5C)并且與薄膜33相對(duì)的另一個(gè)表面32b成為凸面。
換而言之，通過(guò)把初始?jí)毫υO(shè)定的比預(yù)定壓力高，與形成有薄膜33的一個(gè)表面32a相對(duì)的另一個(gè)表面32b成為凸面。相反，通過(guò)把初始?jí)毫υO(shè)定的比預(yù)定的壓力低，上面形成有薄膜33的一個(gè)表面32a成為凸面。
下面對(duì)通過(guò)施加到目標(biāo)上的電壓進(jìn)行的調(diào)整進(jìn)行描述。
隨著施加到目標(biāo)15上的電壓升高，朝向磁頭基底32的各個(gè)噴鍍微粒的能量升高。因此，當(dāng)施加的電壓高時(shí)，薄膜33的密度就高。這會(huì)導(dǎo)致薄膜33的內(nèi)應(yīng)力為壓力δ2(參考圖5C)并且上面形成有薄膜33上的一表面32a成為凸面。
另一方面，當(dāng)施加的電壓低時(shí)，薄膜33的密度就低。這會(huì)導(dǎo)致薄膜33的內(nèi)應(yīng)力為張力δ1(參考圖3C)并且與薄膜33相對(duì)的另一個(gè)表面32b成為凸面。
換而言之，通過(guò)把電壓設(shè)定的比預(yù)定電壓高，上面形成有薄膜33的一個(gè)表面32a成為凸面。相反，通過(guò)把電壓設(shè)定的比預(yù)定電壓低，與上面形成有薄膜33的一個(gè)表面32a相對(duì)的另一表面32b成為凸面。
構(gòu)成目標(biāo)15的材料的原子量最好不低于40并且不超過(guò)240。這是因?yàn)槿绻恿康陀?0，由于噴鍍微粒的能量小很難形成具有彎曲磁頭基底所需內(nèi)應(yīng)力的薄膜。另一方面，如果原子量不低于40，由于噴鍍微粒的能量大就能夠形成具有彎曲磁頭基底所需內(nèi)應(yīng)力的薄膜。另外，在這種情況下，磁頭基底的彎曲方向和曲率能夠通過(guò)薄膜形成期間的壓力，初始?jí)毫?，及施加的電壓?lái)調(diào)整。另外，目標(biāo)15所用的金屬的最大原子量大約為240。
根據(jù)本發(fā)明發(fā)明者的試驗(yàn)，如果結(jié)構(gòu)主體為Al2O3-Tic基底，目標(biāo)或薄膜的材料為鉭或鉻，并且把Al2O3-Tic基底冷卻在20℃到50℃的范圍內(nèi)，那么通過(guò)把薄膜形成期間的壓力調(diào)整在0.5Pa到5.0Pa的范圍內(nèi)，Al2O3-Tic基底可以被彎曲成具有任何曲率的曲面。
盡管上述實(shí)施例是以磁頭為例進(jìn)行描述的，除了磁頭，本發(fā)明也可以應(yīng)用于其它器件，如電子器件，光學(xué)器件及精密零件等。另外，結(jié)構(gòu)主體的材料也可以為鋯(Zr)，鈮(Nb)，鎢(W)，鉬(Mo)，鈦(Ti)，鎳(Ni)，釩(V)，鐵(Fe)，銀(Ag)，銅(Cu)，金(Au)。
盡管結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行了描述，需要指出的是本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易作出改變和變形。因此，在不脫離本發(fā)明的思想和范圍內(nèi)，這些改變和變形都落在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制造具有曲面的結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括提供一種結(jié)構(gòu)主體；通過(guò)噴鍍?cè)诮Y(jié)構(gòu)主體的一個(gè)表面上形成薄膜以便通過(guò)薄膜內(nèi)產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力使結(jié)構(gòu)主體彎曲，由此結(jié)構(gòu)主體的一個(gè)表面和另一個(gè)表面形成為曲面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述薄膜的構(gòu)成材料具有不低于40和不超過(guò)240的原子量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述表面的曲率是由通過(guò)噴鍍形成薄膜期間的壓力調(diào)整的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中通過(guò)把壓力設(shè)定的比預(yù)定壓力高，與上面形成有薄膜的一個(gè)表面相對(duì)的另一個(gè)表面成為凸面；及其中通過(guò)把壓力設(shè)定的比預(yù)定壓力低，上面形成有薄膜的一個(gè)表面成為凸面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通過(guò)噴鍍形成薄膜是在真空室內(nèi)進(jìn)行的，及其中表面的曲率是通過(guò)薄膜形成之前真空室內(nèi)的初始?jí)毫φ{(diào)整的。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中通過(guò)把初始?jí)毫υO(shè)定的比預(yù)定壓力高，與形成有薄膜的一個(gè)表面相對(duì)的另一個(gè)表面成為凸面，及通過(guò)把初始?jí)毫υO(shè)定的比預(yù)定壓力低，上面形成有薄膜的一個(gè)表面成為凸面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通過(guò)噴鍍形成薄膜是通過(guò)對(duì)與結(jié)構(gòu)主體相對(duì)的一個(gè)目標(biāo)施加電壓進(jìn)行的，及其中表面的曲率是通過(guò)施加到目標(biāo)上的電壓調(diào)整的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中通過(guò)把壓力設(shè)定的比預(yù)定壓力高，上面形成有薄膜的一個(gè)表面成為凸面；及其中通過(guò)把壓力設(shè)定的比預(yù)定壓力低，與上面形成有薄膜的一個(gè)表面相對(duì)的另一個(gè)表面成為凸面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在薄膜形成期間對(duì)結(jié)構(gòu)主體進(jìn)行冷卻。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中結(jié)構(gòu)主體是Al2O3-TiC基底，噴鍍期間結(jié)構(gòu)主體的溫度不低于20℃并且不超過(guò)50℃，噴鍍期間真空室內(nèi)的壓力不低于0.5Pa并且不超過(guò)5.0Pa，及薄膜是由鉭或鉻構(gòu)成的。
11.一種制造磁頭的方法，該方法包括提供具有單個(gè)或多個(gè)內(nèi)置器件的磁頭基底；通過(guò)噴鍍?cè)诖蓬^基底的一個(gè)表面上形成薄膜以便通過(guò)薄膜內(nèi)產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力使磁頭基底彎曲，由此磁頭基底的一個(gè)表面和另一個(gè)表面成為曲面，其中的凸面作為磁頭表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于該方法還包括在磁頭基底的一側(cè)上形成薄膜后將磁頭基底切割分成多個(gè)磁頭。
13.一種具有曲面的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括結(jié)構(gòu)主體；及通過(guò)噴鍍?cè)诮Y(jié)構(gòu)主體的一個(gè)表面上形成的薄膜，其中結(jié)構(gòu)主體通過(guò)薄膜的內(nèi)應(yīng)力彎曲，由此使結(jié)構(gòu)主體的一個(gè)表面和與該表面相對(duì)的結(jié)構(gòu)主體的另一個(gè)表面成為曲面。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的結(jié)構(gòu)，其中所述薄膜的構(gòu)成材料具有不低于40和不超過(guò)240的原子量。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的結(jié)構(gòu)，其中結(jié)構(gòu)主體是Al2O3-TiC基底，及薄膜是由鉭或鉻構(gòu)成的。
16.一種磁頭，該磁頭包括具有單個(gè)或多個(gè)內(nèi)置器件的磁頭基底；及通過(guò)噴鍍?cè)诖蓬^基底的一個(gè)表面上形成的薄膜，其中磁頭基底通過(guò)薄膜的內(nèi)應(yīng)力彎曲，由此使磁頭基底的一個(gè)表面或與該表面相對(duì)的磁頭基底的另一個(gè)表面成為用作磁頭表面的凸面。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種結(jié)構(gòu),其能夠用作包括磁頭在內(nèi)的電子器件,光學(xué)器件,或精密零件并具有一個(gè)結(jié)構(gòu)主體。在結(jié)構(gòu)主體的一個(gè)表面上通過(guò)噴鍍形成有薄膜。結(jié)構(gòu)主體通過(guò)薄膜的內(nèi)應(yīng)力彎曲,由此使結(jié)構(gòu)主體的一個(gè)表面和與該表面相對(duì)的另一個(gè)表面成為曲面。
文檔編號(hào)G11B5/187GK1338746SQ0111883
公開(kāi)日2002年3月6日 申請(qǐng)日期2001年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2000年6月19日
發(fā)明者西原宗和 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社