專利名稱：記憶硬盤的存取方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種記憶硬盤的讀寫方法，特別涉及一種可快速存取高容量記憶硬盤的信息的方法及裝置。
一般轉(zhuǎn)動(dòng)式磁盤驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，例如硬盤驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，使用一磁頭來讀寫一轉(zhuǎn)動(dòng)中磁盤上的磁性信息。當(dāng)磁盤驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)關(guān)閉時(shí)，磁頭則停留在磁盤表面上，或磁頭從磁盤表面上收回，以避免傷及該磁盤。在前述系統(tǒng)被啟動(dòng)后，硬盤沿其中心軸轉(zhuǎn)動(dòng)，該磁頭與磁盤互相保持接觸，直到使磁頭＂磁?。?或飛行)在磁盤上方的一相對(duì)速度為止，當(dāng)該磁頭磁浮飛行在旋轉(zhuǎn)硬盤的圓軌上方時(shí)，就可實(shí)現(xiàn)其讀寫動(dòng)作。
但是一般磁盤驅(qū)動(dòng)器中，該磁頭一般在飛行前已滑行接觸該磁盤數(shù)百英寸，會(huì)導(dǎo)致磁頭的過度耗損。
其次，一般磁盤驅(qū)動(dòng)器會(huì)使旋轉(zhuǎn)中的磁盤產(chǎn)生離心力作用，導(dǎo)致磁頭進(jìn)行徑向移動(dòng)讀寫旋轉(zhuǎn)磁盤上信息時(shí)，也就是該磁盤驅(qū)動(dòng)頭徑向地沿該磁盤移動(dòng)，一相對(duì)歪曲角介入用以＂飛行＂磁盤驅(qū)動(dòng)頭的結(jié)構(gòu)及該磁盤轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)所產(chǎn)生＂風(fēng)＂的方向之間，該歪曲角可能導(dǎo)致飛行高度的不必要抖動(dòng)及用以＂飛行＂磁盤驅(qū)動(dòng)頭的結(jié)構(gòu)中的不穩(wěn)定性，此歪曲角也導(dǎo)致信號(hào)對(duì)雜訊比衰減。
此外，一般轉(zhuǎn)動(dòng)式磁盤驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的實(shí)際磁段長度隨該磁盤半徑的函數(shù)而變化，其壓縮資料的能力受限于僅能存在一磁盤的固定長度段內(nèi)的資料數(shù)量，也就是一般轉(zhuǎn)動(dòng)式磁盤驅(qū)動(dòng)，需將磁盤的中心裝設(shè)在一中心軸上，所以圓形磁盤可供記錄的表面面積，實(shí)際只占整塊磁盤的三分之二強(qiáng)而已(例如為激光片時(shí)，其中間貫孔及供抓握的周環(huán)框，皆不能使用)。
最後，一般磁盤在讀寫確認(rèn)、伺服寫入與最后安置，都重復(fù)地被夾持住其中心，此種重復(fù)地被夾住會(huì)導(dǎo)致磁盤歪曲。
因此，本發(fā)明的第一目的在于提供一種記憶硬盤的存取方法，可快速讀寫記憶硬盤。
本發(fā)明的第二目的在于提供一種記憶硬盤的存取方法及裝置，可在該定位不動(dòng)的記憶硬盤的最小讀寫面(或空間)上下左右位移，并對(duì)記憶硬盤呈縱深向的進(jìn)行伸縮性光束(或光速)存取資料。
本發(fā)明的第三目的在于提供一種記憶硬盤的存取方法及裝置，特別針對(duì)該塊狀(方型或矩型)記憶硬盤，可快速讀寫高或超高容量記憶體的資料。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的，提供一種記憶硬盤的存取方法，該方法包含下列步驟步驟一設(shè)置一塊狀記憶硬盤；步驟二設(shè)置一雙軸移動(dòng)光讀寫單元；步驟三雙軸移動(dòng)光讀寫單元從塊狀記憶硬盤的周面快速存取資料。
前述方法中，該步驟二的雙軸移動(dòng)光讀寫單元進(jìn)一步包含在上下相互承載的橫、縱向移動(dòng)伺服裝置上承置一光讀寫裝置，使光讀寫裝置可呈上下、左右的雙軸伺服驅(qū)動(dòng)位移。
前述方法中，該光讀寫裝置可具有浮動(dòng)讀寫頭的光讀寫方法，亦可具有激光光束伸縮聚焦驅(qū)動(dòng)伺服電路的光讀寫方法。
前述方法中，該步驟三進(jìn)一步包含光讀寫裝置使用從塊狀記憶硬盤的最小移動(dòng)空間的厚度面、呈縱深向的伸縮性光束(或光速)讀寫方法。
本發(fā)明還提供一種記憶硬盤的存取裝置，它包括一中央處理單元、一橫向移動(dòng)伺服裝置、一縱向移動(dòng)伺服裝置及一塊狀記憶硬盤。該橫向移動(dòng)伺服裝置上承載一光讀寫裝置，并連接該中央處理單元；該縱向移動(dòng)伺服裝置承載該橫向移動(dòng)伺服裝置，亦連接該中央處理單元；該塊狀記憶硬盤是呈固定的型態(tài)，可被該光讀寫裝置從對(duì)應(yīng)周面以快速上下左右移動(dòng)方式存取資料。
前述裝置更可包含，該塊狀記憶硬盤可為方型或矩型。
前述裝置更可包含，該塊狀記憶硬盤的周面為四邊或上下周側(cè)的任一縱深向。
前述裝置更可包含，該塊狀記憶硬盤是呈可抽換型態(tài)的高容量或超高容量記憶硬盤。
本發(fā)明所具備的特點(diǎn)功效歸納如后一、一般圓形磁盤約有三分之一的記錄區(qū)無法讀寫資料，本發(fā)明創(chuàng)新使用塊狀記憶硬盤(其制法將另案提出專利申請(qǐng))，立體型態(tài)記錄區(qū)完全可供記錄信息，并且可制成高容量或超高容量記憶硬盤。
二、本發(fā)明塊狀記憶體可提供最小讀寫面(或最小讀寫空間)，呈縱深向的多層排列結(jié)構(gòu)，供光讀寫裝置進(jìn)行縱深向的伸縮性光束(或光速)讀寫(zoom式讀寫)或采浮動(dòng)讀寫頭式讀寫資料。
三、本發(fā)明光讀寫裝置除可進(jìn)行雙軸向伺服位移與伸縮性光束(或光速)讀寫手段，實(shí)現(xiàn)對(duì)高容量或超高容量記憶硬盤的快速讀寫之外，沒有一般磁頭的過度耗損情形。本發(fā)明提供固定的塊狀記憶硬盤，沒有一般該旋轉(zhuǎn)磁盤會(huì)產(chǎn)生離心力作用而衍生的歪曲角，本發(fā)明在操作時(shí)不會(huì)抖動(dòng)與不會(huì)發(fā)生一般運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定的情形，亦無一般磁盤中在伺服寫入所需的額外“夾住”步驟，使塊狀記憶硬盤可免于歪曲變形。
下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明

圖1是本發(fā)明較佳實(shí)施例的方法流程圖。
圖2是本發(fā)明較佳實(shí)施例的方塊示意圖之一。
圖3是本發(fā)明較佳實(shí)施例的方塊示意圖之二。
圖4是本發(fā)明較佳實(shí)施例中塊狀記憶硬盤與被激光光束讀寫的立體示意圖。
圖5是本發(fā)明較佳實(shí)施例裝置的立體示意圖。
如圖1至圖4所示，本發(fā)明的記憶硬盤的存取方法包含下列步驟步驟一設(shè)置一塊狀記憶硬盤6。
步驟二設(shè)置一雙軸移動(dòng)光讀寫單元2。
步驟三雙軸移動(dòng)光讀寫單元2從該塊狀記憶硬盤6的周面快速存取資料。
其中，該步驟二的雙軸移動(dòng)光讀寫單元2包含在上下相互承載的橫、縱向移動(dòng)伺服裝置3、4上承置光讀寫裝置5，使光讀寫裝置5可呈上下、左右伺服驅(qū)動(dòng)位移。
光讀寫裝置5可具有浮動(dòng)讀寫頭的光讀寫方法。
光讀寫裝置5可具有激光光束伸縮聚焦驅(qū)動(dòng)伺服電路的光讀寫方法。
該步驟三更可包含光讀寫裝置5可從該塊狀記憶硬盤6的最小移動(dòng)空間的厚度面，呈縱深向的伸縮性光束(或光速)讀寫方法。
如圖2至圖5所示，本發(fā)明的記憶硬盤的存取裝置包括中央處理單元1、雙軸移動(dòng)光讀寫單元2、橫向移動(dòng)伺服裝置3、縱向移動(dòng)伺服裝置4、光讀寫裝置5、塊狀記憶硬盤6和數(shù)位輸入/輸出7。
該雙軸移動(dòng)光讀寫單元2包含橫向移動(dòng)伺服裝置3、縱向移動(dòng)伺服裝置4和光讀寫裝置5。
該橫向(或水平左右)移動(dòng)伺服裝置3上承載一光讀寫裝置5，它連接在中央處理單元1上，使光讀寫裝置5可以呈左右水平伺服位移，從而對(duì)塊狀記憶硬盤6進(jìn)行讀寫。
該縱向(或垂直上下)移動(dòng)伺服裝置4承載該橫向移動(dòng)伺服裝置3，亦連接在中央處理單元1上，使光讀寫裝置5除了上述左右水平伺服位移讀寫之外，更可呈上下垂直伺服位移讀寫，從而使光讀寫裝置5可呈水平(或左右)、垂直(或上下)伺服移動(dòng)，對(duì)塊狀記憶硬盤6讀寫信息。
該塊狀記憶硬盤6可呈定位不動(dòng)的型態(tài)，可被光讀寫裝置5從相對(duì)應(yīng)周面以快速上下左右兩軸精確伺服移動(dòng)方式存取信息。
塊狀記憶硬盤6可為方型或矩型的立體型態(tài)。
前述塊狀記憶硬盤6的周面，是指四邊或上下周側(cè)等六面的任一周面，該光讀寫裝置5可從塊狀記憶硬盤6的最小厚度面呈縱深向進(jìn)行伸縮性光束(或光速)讀寫，是指塊狀記憶硬盤6具有以最小厚度面為基層與往縱深向排列的多層結(jié)構(gòu)(如圖4)，供具有伸縮性光束(或光速)的光讀寫裝置5可從縱向結(jié)構(gòu)射入不同深度的基層中存取信息。
為便于對(duì)不同記憶硬盤內(nèi)容的讀寫，該塊狀記憶硬盤6可呈抽取式型態(tài)，供抽換置入不同的記憶硬盤6。
該塊狀記憶硬盤6可為高(或超高)記憶容量的記憶硬盤。
權(quán)利要求
1.一種記憶硬盤的存取方法，其特征在于，該方法包含下列步驟步驟一設(shè)置一塊狀記憶硬盤；步驟二設(shè)置一雙軸移動(dòng)光讀寫單元；步驟三雙軸移動(dòng)光讀寫單元從塊狀記憶硬盤的周面快速存取資料。
2.如權(quán)利要求1所述的記憶硬盤的存取方法，其特征在于該步驟二的雙軸移動(dòng)光讀寫單元包含在上下相互承載的橫、縱向移動(dòng)伺服裝置上承置一光讀寫裝置，使光讀寫裝置可呈上下、左右伺服驅(qū)動(dòng)位移。
3.如權(quán)利要求1所述的記憶硬盤的存取方法，其特征在于該光讀寫裝置使用具有浮動(dòng)讀寫頭的光讀寫方法。
4.如權(quán)利要求1所述的記憶硬盤的存取方法，其特征在于該光讀寫裝置使用具有激光光束伸縮聚焦驅(qū)動(dòng)伺服電路的光讀寫方法。
5.如權(quán)利要求1至4之一所述的記憶硬盤的存取方法，其特征在于該步驟三更可包含光讀寫裝置使用從塊狀記憶硬盤的最小移動(dòng)空間的厚度面、呈縱深向的伸縮性光束讀寫方法。
6.一種記憶硬盤的存取裝置，其特征在于，它包括一中央處理單元、一橫向移動(dòng)伺服裝置、一縱向移動(dòng)伺服裝置及一塊狀記憶硬盤；該橫向移動(dòng)伺服裝置上承載一光讀寫裝置，并連接該中央處理單元；該縱向移動(dòng)伺服裝置承載該橫向移動(dòng)伺服裝置，亦連接該中央處理單元；該塊狀記憶硬盤是呈定位不動(dòng)的型態(tài)，該光讀寫裝置從對(duì)應(yīng)周面以快速上下左右移動(dòng)方式存取資料。
7.如權(quán)利要求6所述的記憶硬盤的存取裝置，其特征在于該塊狀記憶硬盤為方型或矩型。
8.如權(quán)利要求6或7所述的記憶硬盤的存取裝置，其特征在于該塊狀記憶硬盤的周面為四邊或上下周側(cè)的任一周面。
9.如權(quán)利要求6或7所述的記憶硬盤的存取裝置，其特征在于該塊狀記憶硬盤呈可抽取式。
10.如權(quán)利要求6或7所述的記憶硬盤的存取裝置，其特征在于該塊狀記憶硬盤可為高容量或超高記憶容量的記憶硬盤。
全文摘要
一種記憶硬盤的存取方法及裝置,它有別于傳統(tǒng)記憶體的讀寫方法,它是以一雙軸伺服驅(qū)動(dòng)裝置承載光讀寫裝置,使光讀寫裝置可上下、左右伺服位移對(duì)該固定不動(dòng)的記憶硬盤周側(cè)或呈縱深向進(jìn)行激光光束伸縮聚焦或浮動(dòng)讀寫頭的讀寫方法。
文檔編號(hào)G11B7/00GK1348171SQ00131709
公開日2002年5月8日 申請(qǐng)日期2000年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2000年10月10日
發(fā)明者駱俊光 申請(qǐng)人:駱俊光