專利名稱：具有ic芯片的磁頭懸置裝配體的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于磁盤裝置的磁頭懸置裝配體的制造方法，該裝配體包括滑座，該滑座至少具有一薄膜磁頭元件；彈性懸置裝置，該裝置用于支承滑座和磁頭IC芯片。
在這種磁盤裝置中，用于對(duì)磁盤寫入磁信息和/或讀取磁信息的薄膜磁頭元件，通常是在滑座上制出，該滑座工作過程中在旋轉(zhuǎn)著的磁盤之上掠過?；蓱抑醚b置支承，該懸置裝置由彈性薄金屬片制成，該金屬片從磁盤裝置之每一可移動(dòng)臂的一端延伸。
近來，磁盤的記錄頻率迅速增加以滿足當(dāng)今磁盤裝置日益迅速增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量和存儲(chǔ)密度的需求。為了實(shí)現(xiàn)更高的頻率記錄，推薦一種磁頭懸置裝配體裝置，該裝置具有一種懸置裝置，用于支承滑座和磁頭元件所用驅(qū)動(dòng)器電路的磁頭IC芯片兩者。根據(jù)這種裝置，由于從驅(qū)動(dòng)器電路至磁頭元件的導(dǎo)線長(zhǎng)度可以縮短，從導(dǎo)線產(chǎn)生的不必要噪聲可以有效地遏制，從而導(dǎo)致高頻記錄特性的改善。
在制造這種磁盤裝置中，根據(jù)一種傳統(tǒng)的方法，每一磁頭IC芯片是安裝并連接在一連接導(dǎo)體上，該連接導(dǎo)體在懸置裝置上用逆流低溫焊接(reflow soldering)工藝叩焊芯片(flip chip)焊接制成。在執(zhí)行逆流低溫焊接工藝前，將焊接劑施加在連接導(dǎo)體上，然后將帶有低溫焊接材料凸球(bump ball)的IC芯片用低溫焊接連接。更具體地說，稱為C4(Controlled Collapse Chip Connection--受控壓平芯片連接)的工藝過程包括下列步驟(a)焊接劑施加過程，(b)扣焊芯片焊接過程，(c)逆流低溫焊接過程，(d)清洗過程，(e)干燥過程，和(f)底層填料的噴射和充填過程，這些步驟是依次執(zhí)行的。
正如將要指出的，如果扣焊芯片的焊接是使用焊接劑用逆流低溫焊接進(jìn)行，在連接之后需要清洗過程。即，在逆流加熱焊接時(shí)，焊接劑被施加在懸置裝置上焊接IC芯片的部位，以便在逆流低溫焊接過程中促進(jìn)焊料的熔化和將IC芯片臨時(shí)粘接在懸置裝置上。然而，由于所施加的焊接劑可能有例如產(chǎn)生氣體之類的不利影響，焊接之后必須清洗。
希望將底層填料填入懸置裝置上連接導(dǎo)體和磁頭IC芯片間的間隙，以改善熱輻射特性、改善此區(qū)域的機(jī)械強(qiáng)度、并覆蓋IC芯片的一部分。然而，這種底層填料的填充必須在清洗步驟之后進(jìn)行。因此，根據(jù)傳統(tǒng)的制造方法，在IC芯片焊接在懸置裝置的連接導(dǎo)體上，并在隨后進(jìn)行的清洗步驟結(jié)束之后，借助于噴射將底層填料充填入連接導(dǎo)體和磁頭IC芯片之間的縫隙。
不過，將底層填料通過噴射充填入極窄的縫隙是很困難的，這種縫隙通常為50μm或更小。因此，工作時(shí)間和檢測(cè)時(shí)間變長(zhǎng)，導(dǎo)致作為整個(gè)制造時(shí)間中加工處理時(shí)間周期變長(zhǎng)，也使制造成本進(jìn)一步增高。
因此，本發(fā)明的目的之一在于提供一種磁頭懸置裝配體的制造方法，以使工作時(shí)間和檢測(cè)時(shí)間可以縮短，且檢測(cè)可以簡(jiǎn)化。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種磁頭懸置裝配體的制造方法，以使制造成本可以降低。
根據(jù)本發(fā)明，一種磁頭懸置裝配體的制造方法包括將底層填料設(shè)置在薄膜磁頭元件所用具有電路的IC芯片將要安裝的部位；將IC芯片放置在所設(shè)置的底層填料上；進(jìn)行IC芯片的超聲粘接。
此外，根據(jù)本發(fā)明提供了一種磁頭懸置裝配體的制造方法，該裝配體包括磁頭滑座，具有至少一薄膜磁頭元件；支承件，用于支承磁頭滑座；IC芯片，具有用于至少一薄膜磁頭元件的電路；導(dǎo)線元件(lead conductor element)，IC芯片焊接在其上；底層填料，充填在IC芯片的底面和導(dǎo)線元件之間的縫隙內(nèi)。此方法包括將底層填料設(shè)置在導(dǎo)線元件上IC芯片安裝的部位；隨后，將IC芯片和導(dǎo)線元件用超聲焊接。
由于底層填料的充填，可以在IC芯片焊接之前，只通過將底層材料附著而完成，底層填料的充填可極為簡(jiǎn)單。結(jié)果，工作時(shí)間和檢測(cè)時(shí)間可以縮短，且檢測(cè)過程可以簡(jiǎn)化。于是，制造成本可以降低。
感謝超聲焊接，它不需要使抗熱應(yīng)力性能差的IC芯片通過高溫逆流爐。因此，磁頭懸置裝配體成品的可靠性可以改進(jìn)，磁頭懸置裝配體的產(chǎn)量也可以提高。此外，由于沒有需要很長(zhǎng)處理時(shí)間的逆流低溫焊接過程，工作時(shí)間可更為縮短。
此外，不用逆流低溫焊接就不需要清洗過程。磁頭從磁盤表面掠過時(shí)，保持某一空間方位姿態(tài)以保證滑座與磁盤表面間極小的縫隙。為保證這種姿態(tài)，即使在清洗過程之后，仍能保證每一用于支承滑座的懸置裝置成一彎曲角是非常重要的。由于清洗液體噴射或清洗液體超聲振動(dòng)在清洗過程中的作用，不改變懸置裝置的彎曲角就難于清洗裝配體。然而，根據(jù)本發(fā)明，由于不進(jìn)行清洗，上述問題肯定得以消除。
由于沒有逆流低溫焊接于是也沒有焊接劑設(shè)置的過程，使得制造過程的步驟更為減少。
在逆流低溫焊接中，難于正確控制釬料的融合量，于是IC芯片將借助于自身的重量自由落下而貼靠連接端子。因此，根據(jù)傳統(tǒng)的方法，不能指望在裝配體的焊接尺寸范圍內(nèi)獲得足夠的穩(wěn)定性。然而，根據(jù)本發(fā)明，由于采用超聲焊接替代逆流低溫焊接，裝配體的焊接尺寸范圍內(nèi)的穩(wěn)定性可通過控制焊接過程能量而大大改善。
由于懸置裝置具有片形彈簧結(jié)構(gòu)，懸置裝置的彎曲面相對(duì)于基準(zhǔn)片的安裝部?jī)A斜。在逆流低溫焊接過程中，由于需要支承以使彎曲面保持水平，以便獲得有效的熱傳導(dǎo)和IC芯片的焊料凸起均勻熔化，必須研究彎曲面的傾斜。然而，根據(jù)本發(fā)明，借助于采用超聲焊接，所需要的是懸置裝置的彎曲面為水平，于是，可指望IC芯片的焊接更容易。
推薦導(dǎo)線元件具有在支承元件上制成的第一部分和在延長(zhǎng)出支承元件的第二部分，而安裝部設(shè)置在導(dǎo)線元件的第一部分或第二部分之內(nèi)。
還推薦本方法還包括超聲焊接前在IC芯片的第一連接端子上制成金(Au)或銅(Cu)的凸起(bump)。在此情況下，Au或Cu凸起的制造可能包括用Au或Cu球在第一連接端子上制成Au或Cu凸起。
推薦本方法還包括制成Au或Cu墊片作為第二連接端子，在進(jìn)行超聲焊接前，IC芯片的第一連接端子粘接在第二連接端子上。
還推薦本方法還包括在第二連接端子上制出Au或Cu凸起，在進(jìn)行超聲焊接前，IC芯片的第一連接端子焊接在第二連接端子上。在此情況下，Au或Cu凸起的制造可能包括用Au或Cu球在第二連接端子上制成Au或Cu凸起。
推薦本方法還包括在超聲焊接前制成Au或Cu墊片作為IC芯片的第一連接端子。
由于磁頭IC芯片的尺寸非常小，凸起球的尺寸必須制成小的，且當(dāng)采用焊料球并進(jìn)行逆流低溫焊接時(shí)，小球之間的間距必須制得大。然而，在本發(fā)明中，通過使用Au或Cu球，不僅凸起的尺寸而且凸起的間距均可制成小的。這樣，凸起可以很容易制造。較小的凸起間距導(dǎo)致高密度的凸起，因此，芯片的尺寸可更小。
通常，如果焊料中包含大量的Au，焊接強(qiáng)度降低。因此，根據(jù)傳統(tǒng)采用焊料球的方法，在導(dǎo)線元件中連接端子的Au層必須極薄。然而，通過采用Au球替代焊料球，連接端子Au層的厚度可任意確定。
此外，根據(jù)傳統(tǒng)采用焊料球的方法，沒有控制焊料凸起融合高度的裝置，于是IC芯片將落下并由于其自身的重量而趨于傾斜，此重量取決于IC芯片的凸起敷設(shè)。然而，本發(fā)明通過采用超聲焊接Au或Cu球，可以容易地使IC芯片的焊接面保持水平，和控制IC芯片底面至導(dǎo)線連接元件間的距離達(dá)到希望的數(shù)值。
推薦底層填料的設(shè)置包括將底層填料滴至導(dǎo)線元件的安裝位置。在此情況下，最好底層填料的下滴這樣進(jìn)行，從而使得所設(shè)置的底層填料的中央部具有向上凸起的形狀。由于底層填料是滴成具有凸起的形狀，當(dāng)IC芯片被設(shè)置在這種形狀的底層填料上時(shí)，IC芯片底面與導(dǎo)線元件表面間的縫隙被底層填料充填而不形成任何空穴。
本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)，從對(duì)附圖所示本發(fā)明推薦實(shí)施例的下列說明將一目了然。


圖1示出根據(jù)本發(fā)明磁頭懸置裝配體推薦實(shí)施例的平面視圖；圖2a至2d為截面視圖，示出根據(jù)圖1所示實(shí)施例磁頭懸置裝配體制造過程的一部分。
圖1原理性地示出作為本發(fā)明推薦實(shí)施例的磁頭懸置裝配體。
如圖所示，磁頭懸置裝配體是通過將滑座11固定裝配而成，該滑座具有薄膜磁頭元件，設(shè)置在懸置裝置10的頂端部，并通過安裝磁頭IC芯片12在此懸置裝置10的中部?；?1和磁頭IC芯片12均固定在懸置裝置10的一個(gè)表面，在工作過程中，此懸置裝置將面對(duì)磁盤表面。懸置裝置的這個(gè)表面下面稱為滑座設(shè)置表面。
懸置裝置10的構(gòu)成本質(zhì)上包括彈性彎曲元件13，在其舌部接近其頂端部處攜帶滑座11，并在其中部支承磁頭IC芯片12；彈性負(fù)載梁14，支承并固定彎曲元件13；和基板15，由負(fù)載梁14的基礎(chǔ)底面所構(gòu)成。
負(fù)載兩14具有彈性，在工作過程中在朝向磁盤的方向用于懸置滑座11。彎曲元件13具有柔性舌，該柔性舌與在負(fù)載梁14上制出的陷窩同軸，并具有彈性，以由此舌柔性地支承滑座11。正如將要指出的，在此實(shí)施例中，懸置裝置10具有三件結(jié)構(gòu)，由單獨(dú)彎曲元件13、負(fù)載梁14和基板15構(gòu)成。在這種三件結(jié)構(gòu)中，彎曲元件13的剛性設(shè)置成低于負(fù)載梁14的剛性。
在磁頭IC芯片12中，制成構(gòu)成磁頭元件的磁頭放大器的集成驅(qū)動(dòng)器電路。盡管只是作為舉例，IC芯片的尺寸為1.0mm×1.0mm×0.25mm。在本實(shí)施例中，IC芯片12的固定位置的確定使熱輻射特性和電磁特性得到改善，并使IC芯片的安裝容易。
在本實(shí)施例中，彎曲元件13是用厚度大約25μm的不銹鋼板(例如SUS304TA)制成。
構(gòu)成所需數(shù)量導(dǎo)線的薄膜布線圖案16的導(dǎo)線導(dǎo)體層，在彎曲元件13上沿其長(zhǎng)度制成。導(dǎo)體層16的一端(基板15一側(cè))經(jīng)過IC芯片12連接至連接端子17，此連接端子將連接至外部電路，而導(dǎo)體層16的另一端連接至在彎曲元件13的頂端部制成的磁頭滑座11所用的連接端子。
本實(shí)施例的負(fù)載梁14用厚度大約65μm的彈性不銹鋼片制成，并沿全長(zhǎng)支承彎曲元件13。負(fù)載梁14具有接近頂端寬度窄的形狀。彎曲元件13在負(fù)載梁14上的固定是借助于數(shù)個(gè)焊接點(diǎn)實(shí)現(xiàn)的。
基板15用不銹鋼或鐵制成，并借助于焊接固定在負(fù)載梁14的基端部。懸置元件10借助于將基板15的安裝部18固定在可動(dòng)臂上，從而將設(shè)置在每一可動(dòng)臂(未示出)上。
在變形方案中，懸置元件可制成兩件結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)具有一基板和一彎曲負(fù)載梁以取代具有彎曲元件13、負(fù)載梁14和基板15的三件結(jié)構(gòu)。
如上所述，具有磁頭元件的滑座11，安裝在懸置裝置10頂端部彎曲元件13的舌部。包括所需數(shù)量導(dǎo)線的導(dǎo)線層16經(jīng)過滑座11的兩端，并在彎曲元件13的頂端部返回至連接端子，從而與滑座11的輸入/輸出電極電氣連接。用樹脂制成的絕緣材料層覆蓋連接部。
磁頭IC芯片12安裝在滑座安裝表面上，該滑座安裝表面設(shè)置在懸置元件10長(zhǎng)度上的中間部位。在此實(shí)施例中，IC芯片12由裸芯片制成，安裝在并連接至連接墊片，該墊片在導(dǎo)線層16上制出，該導(dǎo)線層16在懸置元件10的彎曲元件13上穿過絕緣材料層制成。底層填料充填在IC芯片12底面和導(dǎo)線層之間的縫隙中，從而改善熱輻射特性、改善此區(qū)域的機(jī)械強(qiáng)度和覆蓋IC芯片12的一部分區(qū)域。
下面將參看圖2a至2d說明根據(jù)本發(fā)明之IC芯片12的焊接和底層填料的充填。
如圖2a所示，在用不銹鋼板制成的彎曲元件13上，薄膜導(dǎo)體布線圖案用一種眾所周知的方法制造，該方法類似于在薄金屬板上制造諸如柔性印刷電路(FPC)的印刷電路板的圖案成型法(patterningmethod)。例如，導(dǎo)體布線圖案，通過在彎曲元件13上按順序、依次沉積厚度大約為5μm由樹脂例如聚酰亞胺制成的第一層絕緣材料層20、厚度大約為4μm的Cu布線圖案層(導(dǎo)體層)21、和厚度大約為5μm的由樹脂例如聚酰亞胺制成的第二層絕緣材料層22。在連接端子至磁頭滑座和至外部電路的區(qū)域，以及連接墊片23至IC芯片12區(qū)域，在Cu層上沉積一Au層24，在Au層24上沒有第二絕緣層。
然后，如圖2a所示，用于改善熱輻射特性、改善該區(qū)域機(jī)械強(qiáng)度和覆蓋IC芯片12一部分的液態(tài)底層填料25，被滴上并附著環(huán)繞在薄膜導(dǎo)體布線圖案的連接墊片23部位。底層材料25是良好的熱傳導(dǎo)材料，例如用樹脂諸如環(huán)氧樹脂和具有良好導(dǎo)熱性能的絕緣材料的混合物。希望所設(shè)置的底層填料25的中央部具有向上凸起的形狀。感謝所設(shè)置底層材料的這種凸起形狀，當(dāng)IC芯片設(shè)置在底層填料25上并向下推時(shí)，在IC芯片的底面和薄膜導(dǎo)體布線圖案間的縫隙內(nèi)沒有空腔。
構(gòu)成底層填料層25的具有良好熱傳導(dǎo)性的底層填料樹脂，例如可為含有融合硅(fused silica)的環(huán)氧樹脂(導(dǎo)熱率大約為12×10-4卡/厘米·秒·度)；含有鋁的樹脂(導(dǎo)熱率大約為40×10-4卡/厘米·秒·度)；含有晶體硅的樹脂(導(dǎo)熱率大約為35×10-4卡/厘米·秒·度)或含有氮化鋁的樹脂(導(dǎo)熱率大約為40×10-4卡/厘米·秒·度)。
如圖2b所示，Au球凸起26預(yù)先在連接墊片(未示出)上制成，該墊片在IC芯片12的底面制成。IC芯片12被超聲焊接頭27拾取，該超聲頭貼靠IC芯片的頂面如圖2b所示，并對(duì)準(zhǔn)薄膜導(dǎo)體布線圖案的連接墊片23。
然后，如圖2c所示，IC芯片12被沿箭頭28所示方向下壓以擠壓所設(shè)置的底層填料25，直至IC芯片12的Au球凸起26貼靠在薄膜導(dǎo)體布線圖案的連接墊片23，沿箭頭29方向(橫向)的超聲振動(dòng)由超聲頭27施加。
具有恒定壓力(負(fù)載)的下壓和超聲振動(dòng)的應(yīng)用，導(dǎo)致IC芯片12的Au球凸起與連接墊片23的Au層24的融合焊接。
于是，如圖2d所示，不僅IC芯片12的連接端子和連接墊片的連接得以實(shí)現(xiàn)，而且IC芯片12底面和薄膜導(dǎo)體布線圖案間的縫隙完全充填以底層填料25卻不形成任何空腔。底層填料25在隨后的加熱和干燥過程中固化。由于底層填料25是滴上的，于是具有凸起形狀。而IC芯片12下壓具有此形狀的底層填料25，在IC芯片12和薄膜導(dǎo)體布線圖案表面間的縫隙完全填充以底層填料而不形成任何空腔。
根據(jù)此實(shí)施例，由于IC芯片12的Au球凸起26與連接墊片23的Au層24是由超聲融合焊接而電氣和機(jī)械連接，既不需要臨時(shí)固定IC芯片，也不需要逆流低溫焊接。此外，由于進(jìn)行超聲和壓縮焊接，底層填料25的充填過程可在IC芯片焊接之前進(jìn)行。如前所指出，在傳統(tǒng)的方法中底層填料的充填只能在逆流低溫焊接和清洗過程結(jié)束后進(jìn)行。因此，通過噴射進(jìn)行困難的底層填料充填必須實(shí)施，而且需要在逆流低溫焊接過程后重新加熱。此外，為了縮短機(jī)器處理時(shí)間，現(xiàn)有的底層填料材料受到限制。然而，根據(jù)本實(shí)施例，由于采用使用Au球凸起的超聲焊接，可以將底層填料設(shè)置在焊接IC芯片的懸置元件的一部分上。因此，底層填料所用樹脂選擇和處理過程設(shè)計(jì)的柔性增加了，并可指望大大縮短機(jī)器處理的時(shí)間。
此外，根據(jù)本實(shí)施例，既不需要焊料焊劑的輸送過程也不需要逆流低溫焊焊接的過程，因此也不需要清洗過程。此外，由于可在IC芯片焊接之前充填底層填料，底層填料的充填過程可極為簡(jiǎn)單。結(jié)果，不僅機(jī)器處理時(shí)間可以極短，而且制造磁頭懸置裝配體的質(zhì)量可大大提高。
在上述實(shí)施例中，IC芯片12的Au球凸起26和連接墊片的Au層24是通過超聲焊接的。不過，本發(fā)明可通過將Cu球凸起和Cu層進(jìn)行超聲焊接，或用另一金屬球和另一金屬層取代Au球和Au層而實(shí)現(xiàn)。在修改方案中，凸起可在薄膜導(dǎo)體布線圖案的連接墊片上形成。
本發(fā)明可建造出許多不同的實(shí)施例，而不超出本發(fā)明的精神和范圍。應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明并不局限于在此所說明的具體實(shí)施例，而是由所附權(quán)利要求所限定。
權(quán)利要求
1.一種磁頭懸置裝配體的制造方法，該方法包括下列步驟將底層填料設(shè)置在將要安裝IC芯片的部位，該芯片具有用于薄膜磁頭元件的電路；將所述IC芯片設(shè)置在所設(shè)置的底層填料上；和進(jìn)行所述IC芯片的超聲焊接。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述方法還包括，在所述超聲焊接前，在所述IC芯片的第一連接端子上制成Au或Cu凸起。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述制成Au或Cu凸起的步驟包括在所述第一連接端子上使用Au或Cu球制成Au或Cu凸起。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述方法還包括在所述超聲焊接前，制成Au或Cu墊片作為第二連接端子的步驟，所述IC芯片的所述第一連接端子焊接在該第二連接端子上。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述方法還包括在所述超聲焊接前，在第二連接端子上制成Au或Cu凸起的步驟，所述IC芯片的第一端子焊接在該第二連接端子上。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述制成Au或Cu凸起的步驟包括在所述第二連接端子上用Au或Cu球制成Au或Cu凸起。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述方法還包括在所述超聲焊接前，制成Au或Cu墊片作為所述IC芯片的所述第一連接端子。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述底層填料的設(shè)置步驟包括將底層填料滴在所述IC芯片將要安裝的部位。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述滴底層填料的執(zhí)行，應(yīng)使所設(shè)置的底層填料的中央部具有向上凸起的上部。
10.一種磁頭懸置裝配體的制造方法，該裝配體包括一磁頭滑座，該滑座具有至少一薄膜磁頭元件；支承元件，用于支承所述磁頭滑座；IC芯片，該芯片具有電路，用于所述至少一薄膜磁頭元件；導(dǎo)線元件，所述IC芯片焊接在其上；和底層填料，充填在所述IC芯片底面和所述導(dǎo)線元件間縫隙中，所述方法包括下列步驟將底層填料設(shè)置在所述導(dǎo)線元件上之所述IC芯片安裝部位；和隨后，對(duì)所述IC芯片和所述導(dǎo)線元件進(jìn)行超聲焊接。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述導(dǎo)線元件具有在所述支承元件上制成的第一部和延伸出所述支承元件的第二部，其中，所述安裝位置處于所述導(dǎo)線元件的所述第一部?jī)?nèi)。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述導(dǎo)線元件具有在所述支承元件上制成的第一部和延伸出所述支承元件的第二部，其中，所述安裝位置處于所述導(dǎo)線元件的所述第二部?jī)?nèi)。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述方法還包括在所述超聲焊接前，在所述IC芯片的第一連接端子制成Au或Cu凸起的步驟。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述制成Au或Cu凸起的步驟還包括在所述第一連接端子上用Au或Cu球制成Au或Cu凸起。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述所述方法還包括在所述超聲焊接前，制成Au或Cu墊片作為第二連接端子的步驟，所述IC芯片的所述第一連接端子焊接在該第二連接端子上。
16.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述方法還包括在超聲焊接前，在第二連接端子上制成Au或Cu凸起的步驟，所述IC芯片的第一端子焊接在該第二連接端子上。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述制成Au或Cu凸起的步驟包括在所述第二連接端子上用Au或Cu球制成Au或Cu凸起。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述方法還包括在所述超聲焊接前，制成Au或Cu墊片作為所述IC芯片的所述第一連接端子。
19.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述底層填料的設(shè)置步驟包括將底層填料滴在所述導(dǎo)線元件的所述安裝部位。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述滴底層填料的執(zhí)行，應(yīng)使所設(shè)置的底層填料的中央部具有向上凸起的上部。
全文摘要
一種磁頭懸置裝配體的制造方法,包括:將底層填料設(shè)置在IC芯片的安裝部位,該芯片具有用于薄膜磁頭元件的電路;將IC芯片設(shè)置在已敷設(shè)的底層填料上;進(jìn)行IC芯片的超聲焊接。
文檔編號(hào)G11B5/48GK1274908SQ0010895
公開日2000年11月29日 申請(qǐng)日期2000年5月24日 優(yōu)先權(quán)日1999年5月24日
發(fā)明者白石一雅, 和田健, 川合滿好 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社