160的第二引腳2流出，并通過第二開關(guān)單元12的第二端和第三端，形成閉合回路，而電流經(jīng)過電磁線圈后產(chǎn)生強(qiáng)大的電磁吸引力，進(jìn)而打開錢箱16 ;當(dāng)錢箱16打開后，錢箱接口 160的第三引腳3輸出低電平信號給第一開關(guān)單元11的第二端，使得第一開關(guān)單元11的第二端和第三端斷開，這樣，第一開關(guān)單元11的第三端沒有信號輸出，導(dǎo)致第二開關(guān)單元12的第二端和第三端也斷開，使得第一電源VCCl通過錢箱接口的第四引腳4、錢箱接口的第二引腳2無法形成導(dǎo)通回路，即關(guān)閉流過錢箱內(nèi)電磁線圈的電流，這樣，即使主機(jī)出現(xiàn)死機(jī)狀態(tài)并不停發(fā)送打開錢箱打開指令，錢箱接收通道被關(guān)閉，所以錢箱不會持續(xù)接收到錢箱打開指令，從而解決了當(dāng)電子設(shè)備中的主機(jī)出現(xiàn)死機(jī)狀態(tài)并不停發(fā)送錢箱打開指令時，導(dǎo)致錢箱中的繼電器線圈持續(xù)通電發(fā)熱錢箱壽命驟減的問題，保護(hù)錢箱安全，延長錢箱的使用壽命。
[0031]進(jìn)一步的，當(dāng)錢箱16打開時，為了釋放錢箱中電磁線圈工作時產(chǎn)生的多余的電磁能量，如圖3所示，該保護(hù)電路還包括:二極管單元13 ;二極管單元13的陽極與錢箱接口160的第二引腳2連接，二極管單元13的陰極與錢箱接口 160的第四引腳4連接。這樣，當(dāng)錢箱16打開時，第一電源VCCl通過錢箱接口 160的第四引腳4、第二引腳2、二極管單元13形成閉合回路，來釋放錢箱內(nèi)部電磁線圈產(chǎn)生的多余的電磁能量。
[0032]進(jìn)一步的，如圖4所示，該保護(hù)電路還包括:
[0033]第二上拉單元14，第二上拉單元14的第一端與第二電源VCC2連接，第二上拉單元14的第二端與主機(jī)的第二端(圖4中未示出)連接；
[0034]第三開關(guān)單元15，第三開關(guān)單元15的第一端與錢箱接口 160的第三引腳3連接，第三開關(guān)單元15的第二端與第二上拉單元14的第二端連接，第三開關(guān)15的第三端接地；第三開關(guān)單元15用于在接收到錢箱接口 160的第三引腳3反饋的低電平信號時，將所述第三開關(guān)單元15的第二端和第三端斷開。
[0035]這樣，當(dāng)?shù)谌_關(guān)單元15的第一端接收到錢箱接口 160的第三引腳3的低電平信號時，將第三開關(guān)單元15的第二端和第三端斷開，此時，第二電源VCC2經(jīng)過第二上拉單元14輸出高電平信號給主機(jī)的第二端，當(dāng)主機(jī)的第二端接收該高電平信號時，確定錢箱16已經(jīng)打開。
[0036]進(jìn)一步的，由于不同的錢箱16的工作電壓不同，為了適應(yīng)不同的錢箱需求，如圖5所示，該保護(hù)電路還包括:電壓轉(zhuǎn)換電路17 ;電壓轉(zhuǎn)換電路17的第一端與第一電源VCCl連接，電壓轉(zhuǎn)換電路17的第二端與錢箱接口 160的第四引腳4連接。
[0037]—般情況下，錢箱的工作電壓為12V或者24V，這樣，根據(jù)不同的錢箱，第一電源VCCl經(jīng)過電壓轉(zhuǎn)換電路17的電壓轉(zhuǎn)換，輸出該錢箱所需的工作電壓。對于電壓轉(zhuǎn)換電路的具體連接器件，可以參考現(xiàn)有技術(shù)中所使用的，本發(fā)明對此不作限定。
[0038]下面，針對上述所述的各個單元進(jìn)行具體描述。
[0039]在對各個單元進(jìn)行具體介紹之前，需要說明的是，本發(fā)明所有實(shí)施例中采用的三極管均可以為薄膜晶體管或場效應(yīng)管或其他特性相同的器件，由于這里采用的三極管的源極、漏極是對稱的，所以其源極、漏極是可以互換的。在本發(fā)明實(shí)施例中，為區(qū)分晶體管除柵極之外的兩極，將其中一極稱為源極，另一極稱為漏極。此外本發(fā)明實(shí)施例所采用的開關(guān)晶體管包括P型開關(guān)晶體管和N型開關(guān)晶體管兩種，其中，P型開關(guān)晶體管在柵極為低電平時導(dǎo)通，在柵極為高電平時截止，N型開關(guān)晶體管為在柵極為高電平時導(dǎo)通，在柵極為低電平時截止。
[0040]如圖6所示，第一上拉單元10中包含上拉電阻R1。
[0041]第一開關(guān)單元11包括第一三極管Vl和第一限流電阻R2 ;第一限流電阻R2的第一端用于與主機(jī)的第一端連接，第一限流電阻R2的第二端與第一三極管Vl的柵極連接，第一三極管Vl的第一極分別與第一上拉單元11的第二端、錢箱接口 160的第三引腳3連接，第一三極管Vl的第二極與第二開關(guān)單元12的第一端連接。
[0042]第二開關(guān)單元12包括第二三極管V2和分壓電阻R3 ;第二三極管V2的柵極與第一開關(guān)單元11的第三端連接，第二三極管V2的第一極與錢箱接口 160的第二引腳2連接，第二三極管V2的第二極接地；分壓電阻R3的第一端與第二三極管V2的柵極連接，分壓電阻R3的第二端接地。
[0043]如圖6所示，以第一三極管Vl為PNP型三極管為例，則第一三極管Vl的柵極為PNP型三極管的基極b，第一三極管Vl的第一極為PNP型三極管的發(fā)射極e，第一三極管Vl的第二極為PNP型三極管的集電極c ;第二三極管V2為NMOS (英文全稱megativemetal-oxid-semiconductor，中文:N型金屬氧化物半導(dǎo)體)管為例，貝丨』第二三極管V2的柵極為NMOS管的柵極g，第二三極管V2的第一極為NMOS管的漏極d，第二三極管V2的第二極為NMOS管的源極S。
[0044]根據(jù)圖6所示的電路，當(dāng)主機(jī)(英文全稱:Central Processing Unit，中文:CPU)發(fā)送打開錢箱的指令，打開錢箱的指令為低電平，該低電平經(jīng)過第一限流電阻R2到達(dá)PNP型三極管的基極b，PNP型三極管的發(fā)射極e通過上拉電阻Rl與第二電源VCC2連接，此時，PNP型三極管的發(fā)射極e的電壓大于基極b的電壓，且PNP型三極管的發(fā)射極e的電壓與基極b的電壓之差大于導(dǎo)通閾值電壓，則PNP型三極管的發(fā)射極e和集電極c導(dǎo)通，從而PNP型三極管的集電極c變?yōu)楦唠娖?，進(jìn)而與PNP型三極管的集電極c連接的NMOS管的柵極g變?yōu)楦唠娖?，同時，NMOS管的源極s接地，為低電平，所以NMOS管的漏極d和源極s導(dǎo)通。這樣，第一電源VCCl通過錢箱接口 160的第四引腳4進(jìn)入電磁線圈，然后經(jīng)過電磁線圈由錢箱接口 160的第二引腳2流出，并通過NMOS管的漏極d和源極s接地，形成一個閉合回路。此時，電流經(jīng)過電磁線圈后，電磁線圈產(chǎn)生強(qiáng)大的電磁吸引力，吸開彈簧卡位開關(guān)，從而釋放壓縮的彈簧，彈簧將錢箱抽屜彈出，實(shí)現(xiàn)打開錢箱的目的。
[0045]另外，在錢箱打開的同時，錢箱接口 160的第三引腳3輸出一個低電平信號，該低電平信號同時連接到PNP型三極管的發(fā)射極e，從而將PNP型三極管的發(fā)射極e拉低，這樣，PNP型三極管的發(fā)射極e的電壓小于PNP型三極管的基極b的電壓，則PNP型三極管的發(fā)射極e和集電極c截止，而此時NMOS管的柵極g通過分壓電阻R3接地，即NMOS管的柵極g的電壓為低電壓，這樣，?OS管截止，從而導(dǎo)致第一電源VCC1、錢箱16的線路斷開，即關(guān)閉了流入電磁線圈的電流，這樣，即便主機(jī)出現(xiàn)死機(jī)并持續(xù)發(fā)送打開錢箱的指令，錢箱也不會接收到持續(xù)發(fā)送的打開錢箱的指令，保護(hù)了錢箱安全。
[0046]進(jìn)一步的，為了優(yōu)化電器性能，在圖6的基礎(chǔ)上，如圖7所示，該第一開關(guān)單元11還包括:第二電阻R4和電容Cl ;第二電阻R4的第一端與第一三極管Vl的柵極連接，電阻R4的第二端與第一三極管Vl的第一極連接；電容Cl的第一端與第一三極管Vl的第一極連接，電容Cl的第二端接地。
[0047]需要說明的是，對于圖7中與圖6相同標(biāo)記的器件，可以參考對圖6所示的實(shí)施例，在此不再贅述。
[0048]進(jìn)一步的，在圖6或圖7的基礎(chǔ)上，該保護(hù)電路中的二極管單元13中包含二極管D1，二極管單元Dl用于釋放錢箱內(nèi)的電磁線圈工作時產(chǎn)生的多余的電磁能量，以保護(hù)線圈或者其他元器件的使用安全。圖8中以在圖7的基礎(chǔ)上為例進(jìn)行說明。
[0049]進(jìn)一步的，在圖8的基礎(chǔ)上，如圖9所示，該保護(hù)電路中的第二上拉單元14包含第二上拉電阻R5。
[0050]第三開關(guān)單元15包括第三三極管V3和第二限流電阻R6 ;第二限流電阻R6的第一端與錢箱接口 160的第三引腳3連接，第二限流電阻R6的第二端與第三三極管