多功能rfid低頻近接非接觸式讀取器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及讀取器技術(shù)領(lǐng)域，具體來(lái)說(shuō)是一種多功能RFID低頻近接非接觸式讀取器。
【背景技術(shù)】
[0002]Smart Tag(電子標(biāo)簽)又稱射頻標(biāo)簽、應(yīng)答器、數(shù)據(jù)載體，讀取器又稱為讀出裝置、掃描器、讀頭、通信器、閱讀器。電子標(biāo)簽與讀取器之間通過(guò)耦合元件實(shí)現(xiàn)射頻信號(hào)的空間的無(wú)接觸耦合，在耦合通道內(nèi)，根據(jù)時(shí)序關(guān)系，實(shí)現(xiàn)能量的傳遞和數(shù)據(jù)交換。
[0003]近年來(lái)，物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)在各地都有越來(lái)越熱的發(fā)展趨勢(shì)，于是作為基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)的電子標(biāo)簽產(chǎn)業(yè)也迎來(lái)了新一輪的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。由于電子標(biāo)簽具有不易損壞，讀取便利，體積小，可靠性高，安裝位置隱蔽，同時(shí)可以節(jié)省大量人力物力等優(yōu)點(diǎn)，電子標(biāo)簽應(yīng)用越來(lái)越廣泛。于是對(duì)于電子標(biāo)簽系統(tǒng)最基本的組成部分讀取器成為人們的研宄的對(duì)象。
[0004]目前，常用的無(wú)線射頻讀取器是一種能夠閱讀電子標(biāo)簽的自動(dòng)識(shí)別設(shè)備，是一種非接觸式的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，通過(guò)射頻信號(hào)自動(dòng)識(shí)別目標(biāo)對(duì)象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù)，識(shí)別工作無(wú)須人工干擾。當(dāng)標(biāo)簽進(jìn)入磁場(chǎng)后，接收讀取器發(fā)出的射頻信號(hào)，憑借感應(yīng)電流所獲得的能量發(fā)送出存儲(chǔ)在芯片中的產(chǎn)品信息，根據(jù)應(yīng)用需求的差異性，電磁波頻率的頻帶可以劃分成低頻、高頻、超高頻和微波。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)讀取器讀取距離過(guò)短，一般僅3?5cm，且一般無(wú)法滿足多偵測(cè)點(diǎn)的自動(dòng)化控制、及自動(dòng)控制復(fù)合控制。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本實(shí)用新型的目的是提出一種能夠提高功率使用，降低成本，讀取距離較遠(yuǎn)的多功能RFID低頻近接非接觸式讀取器。本實(shí)用新型的目的將通過(guò)以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn):
[0007]—種多功能RFID低頻近接非接觸式讀取器，包括射頻接口單元和邏輯控制單元，所述射頻接口單元包括電壓調(diào)節(jié)器、時(shí)鐘發(fā)生器、發(fā)射器和與發(fā)射器輸出端連接的天線，所述發(fā)射器通過(guò)MOSFET單元連接至天線，MOSFET單元的源極接地，漏極接至天線，柵極接至邏輯控制單元，所述MOSFET單元包括第一 MOSFET和第二 M0SFET，所述第一 MOSFET和第二MOSFET并聯(lián)連接。
[0008]本實(shí)用新型進(jìn)一步地，所述邏輯控制單元包括微控制器，所述微控制器上設(shè)置有數(shù)值量輸入點(diǎn)DI和數(shù)字量輸出點(diǎn)D0。
[0009]本實(shí)用新型進(jìn)一步地，所述射頻接口單元包括發(fā)射器，發(fā)射器通過(guò)導(dǎo)線連接所述微控制器的數(shù)字量輸出點(diǎn)D0。
[0010]本實(shí)用新型進(jìn)一步地，所述數(shù)字量輸出點(diǎn)DO采用達(dá)靈頓電路。
[0011 ] 本實(shí)用新型進(jìn)一步地，所述射頻接口單元包括接收器，接收器過(guò)導(dǎo)線連接所述微控制器的數(shù)字量輸入點(diǎn)DI。
[0012]本實(shí)用新型進(jìn)一步地，所述數(shù)字量輸入點(diǎn)DI采用光耦合電晶體。
[0013]本實(shí)用新型進(jìn)一步地，所述邏輯控制單元還包括存儲(chǔ)單元。
[0014]本實(shí)用新型的有益效果主要體現(xiàn)在:通過(guò)MOSFET設(shè)計(jì)提升了本實(shí)用新型讀取器的輸出功率，有效地?cái)U(kuò)增了讀取器讀取距離至6?1cm ;通過(guò)微控制器與流量計(jì)量信號(hào)相連接，通過(guò)檢測(cè)發(fā)射器和接收器的流量值，實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型多輸入點(diǎn)或多輸出點(diǎn)的自動(dòng)化控制，使用戶更方便快捷的操作整個(gè)裝置。
【附圖說(shuō)明】
[0015]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1是本實(shí)用新型多功能RFID低頻近接非接觸式讀取器的MOSFET單元電路示意圖；
[0017]圖2是本實(shí)用新型多功能RFID低頻近接非接觸式讀取器的結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]本實(shí)用新型揭示了多功能RFID低頻近接非接觸式讀取器，有別于傳統(tǒng)RFID低頻近接非接觸式讀取器。下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0019]如圖1，本實(shí)用新型多功能RFID低頻近接非接觸式讀取器，包括射頻接口單元4和邏輯控制單元1，上述射頻接口單元包括電壓調(diào)節(jié)器、時(shí)鐘發(fā)生器、發(fā)射器和與發(fā)射器輸出端連接的天線3。上述發(fā)射器通過(guò)MOSFET單元連接至天線3，MOSFET單元2的源極接地、漏極接至天線3、柵極接至邏輯控制單元I。本實(shí)用新型讀取器將MOSFET單元設(shè)置為包括第一 M0SFET21和第二 M0SFET22兩個(gè)電路組成的功能單元，有效的提升了本實(shí)用新型讀取器的輸出功率，優(yōu)選地，第一 M0SFET21和第二 M0SFET22并聯(lián)連接。
[0020]具體地，上述邏輯控制單元I包括微控制器，在微控制器上設(shè)置有數(shù)值量輸入點(diǎn)DI和數(shù)字量輸出點(diǎn)D0。射頻接口單元包括發(fā)射器，發(fā)射器通過(guò)導(dǎo)線連接微控制器的數(shù)字量輸出點(diǎn)D0。數(shù)字量輸出點(diǎn)DO采用達(dá)靈頓電路，達(dá)靈頓電路是將兩只三極管適當(dāng)?shù)倪B接在一起，以組成一支等效的新的三極管，采用達(dá)靈頓電路，可使電流放大倍數(shù)很高，進(jìn)而可以增加發(fā)射器的發(fā)射功率，解決低頻干擾的問(wèn)題。此外，射頻接口單元還包括接收器，接收器過(guò)導(dǎo)線連接微控制器的數(shù)字量輸入點(diǎn)DI，數(shù)字量輸入點(diǎn)DI優(yōu)選地采用光耦合電晶體，有利于穩(wěn)定訊號(hào)。邏輯控制單元還包括存儲(chǔ)單元，用于儲(chǔ)存接收到信號(hào)的數(shù)據(jù)。
[0021]因此，通過(guò)MOSFET設(shè)計(jì)提升了本實(shí)用新型讀取器的輸出功率，有效地?cái)U(kuò)增了讀取器讀取距離至6?1cm ;通過(guò)微控制器與流量計(jì)量信號(hào)相連接，通過(guò)檢測(cè)發(fā)射器和接收器的流量值，實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型多輸入點(diǎn)或多輸出點(diǎn)的自動(dòng)化控制，使用戶更方便快捷的操作整個(gè)裝置。本實(shí)用新型尚有多種實(shí)施方式，凡采用等同變換或者等效變換而形成的所有技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種多功能RFID低頻近接非接觸式讀取器，包括射頻接口單元(4)和邏輯控制單元(1)，所述射頻接口單元包括電壓調(diào)節(jié)器、時(shí)鐘發(fā)生器、發(fā)射器和與發(fā)射器輸出端連接的天線(3)，其特征在于:所述發(fā)射器通過(guò)MOSFET單元連接至天線(3)，MOSFET單元(2)的源極接地，漏極接至天線(3)，柵極接至邏輯控制單元(1)，所述MOSFET單元包括第一 MOSFET(21)和第二 MOSFET (22)，所述第一 MOSFET (21)和第二 MOSFET (22)并聯(lián)連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多功能RFID低頻近接非接觸式讀取器，其特征在于:所述邏輯控制單元(I)包括微控制器，所述微控制器上設(shè)置有數(shù)值量輸入點(diǎn)DI和數(shù)字量輸出點(diǎn)DO03.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多功能RFID低頻近接非接觸式讀取器，其特征在于:所述射頻接口單元包括發(fā)射器，發(fā)射器通過(guò)導(dǎo)線連接所述微控制器的數(shù)字量輸出點(diǎn)D0。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多功能RFID低頻近接非接觸式讀取器，其特征在于:所述數(shù)字量輸出點(diǎn)DO采用達(dá)靈頓電路。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多功能RFID低頻近接非接觸式讀取器，其特征在于:所述射頻接口單元包括接收器，接收器過(guò)導(dǎo)線連接所述微控制器的數(shù)字量輸入點(diǎn)DI。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多功能RFID低頻近接非接觸式讀取器，其特征在于:所述數(shù)字量輸入點(diǎn)DI采用光耦合電晶體。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多功能RFID低頻近接非接觸式讀取器，其特征在于:所述邏輯控制單元還包括存儲(chǔ)單元。
【專利摘要】本實(shí)用新型一種多功能RFID低頻近接非接觸式讀取器，包括射頻接口單元和邏輯控制單元，射頻接口單元包括電壓調(diào)節(jié)器、時(shí)鐘發(fā)生器、發(fā)射器和與發(fā)射器輸出端連接的天線，所述發(fā)射器通過(guò)MOSFET單元連接至天線，MOSFET單元的源極接地，漏極接至天線，柵極接至邏輯控制單元，所述MOSFET單元包括第一MOSFET和第二MOSFET，所述第一MOSFET和第二MOSFET并聯(lián)連接。通過(guò)MOSFET設(shè)計(jì)提升了本實(shí)用新型讀取器的輸出功率，有效地?cái)U(kuò)增了讀取器讀取距離至6～10cm；通過(guò)微控制器與流量計(jì)量信號(hào)相連接，通過(guò)檢測(cè)發(fā)射器和接收器的流量值，實(shí)現(xiàn)多輸入點(diǎn)或多輸出點(diǎn)的自動(dòng)化控制，使用戶更方便快捷的操作整個(gè)裝置。
【IPC分類】G06K7/00
【公開(kāi)號(hào)】CN204667413
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520384834
【發(fā)明人】陳榮華, 廖鴻文
【申請(qǐng)人】昆山芯物聯(lián)電子通訊有限公司
【公開(kāi)日】2015年9月23日
【申請(qǐng)日】2015年6月5日