基于芯片內(nèi)部flash替代eeprom的數(shù)據(jù)存儲方法
【專利摘要】基于芯片內(nèi)部FLASH替代EEPROM的數(shù)據(jù)存儲方法，本發(fā)明涉及FLASH替代EEPROM的數(shù)據(jù)存儲方法。本發(fā)明是為了解決現(xiàn)有低成本汽車組合儀表的存儲器成本高和存儲器數(shù)據(jù)線易受干擾導致數(shù)據(jù)錯誤或丟失的問題。本發(fā)明首先將待保存的16進制數(shù)據(jù)依次寫入Bank B of Flash A的SA1空間內(nèi)，在SA1空間寫滿后將下一個待保存的16進制數(shù)據(jù)向SA2內(nèi)寫入，同時將SA1的空間擦除；SA2空間寫滿后將下一個待保存的16進制數(shù)據(jù)向SA1內(nèi)寫入，并將SA2空間數(shù)據(jù)擦除。如此交替將數(shù)據(jù)寫入FLASH分區(qū)，F(xiàn)LASH的可擦寫次數(shù)10萬次，滿足存儲使用要求。本發(fā)明應用于數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域。
【專利說明】
基于芯片內(nèi)部FLASH替代EEPROM的數(shù)據(jù)存儲方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ] 本發(fā)明涉及FLASH替代EEPROM的數(shù)據(jù)存儲方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)代汽車組合儀表中有大量的數(shù)據(jù)要保存、暫存及對外數(shù)據(jù)交換。如總里程數(shù)據(jù)，小計里程數(shù)據(jù)，油耗數(shù)據(jù)，故障碼，車速信號數(shù)據(jù)輸出等等。組合儀表使用的數(shù)據(jù)存儲器有EEPROM和FLASH兩種，EEPROM數(shù)據(jù)存儲器可以對單個字節(jié)數(shù)據(jù)逐一進行存儲和更改，EEPROM數(shù)據(jù)存儲器是一個零部件。FLASH存儲器可以使數(shù)據(jù)逐一寫入，但只能對存儲區(qū)進行整體擦除。FLASH存儲器都是集成在組合儀表主芯片中的。
[0003]組合儀表接收到來自總線的信息或者儀表內(nèi)部計算產(chǎn)生的信息數(shù)據(jù)，就會將這些信息數(shù)據(jù)存儲在儀表的存儲器中，待使用時調(diào)用這些信息數(shù)據(jù)。全部數(shù)據(jù)都是存儲在儀表主芯片外置的獨立數(shù)據(jù)存儲器EEPROM中。在實際產(chǎn)品使用中，主芯片與數(shù)據(jù)存儲器之間的數(shù)據(jù)通信時，數(shù)據(jù)通信線易受外部磁場或特殊頻率的信號干擾導致數(shù)據(jù)錯誤或丟失。而且單獨采購EEPROM數(shù)據(jù)存儲器，成本較高，在低成本儀表方案中急需一種替代方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明是為了解決現(xiàn)有低成本汽車組合儀表的存儲器成本高和存儲器數(shù)據(jù)線易受干擾導致數(shù)據(jù)錯誤或丟失的問題，而提出的一種基于芯片內(nèi)部FLASH替代EEPROM的數(shù)據(jù)存儲方法。
[0005]基于芯片內(nèi)部FLASH替代EEPROM的數(shù)據(jù)存儲方法按以下步驟實現(xiàn):
[0006]步驟一:將待保存的數(shù)據(jù)寫入Bank B of Flash A的SAl空間內(nèi)，寫入時判斷當前地址空間是否已有數(shù)據(jù)，若當前地址無數(shù)據(jù)則寫入當前地址，并執(zhí)行步驟四；若當前地址有數(shù)據(jù)則寫入下一個地址，并執(zhí)行步驟四；累計判斷500?1200次時，SAl空間已寫滿，執(zhí)行步驟二；
[0007]步驟二:將待保存的數(shù)據(jù)寫入Bank B of Flash A的SA2空間內(nèi)，將已寫入SAl空間的全部數(shù)據(jù)擦除，寫入SA2空間時判斷當前地址空間是否已有數(shù)據(jù)，若當前地址無數(shù)據(jù)則寫入當前地址，并執(zhí)行步驟四；若當前地址有數(shù)據(jù)則寫入下一個地址，并執(zhí)行步驟四；累計判斷500?1200次時，SA2空間已寫滿，執(zhí)行步驟三；
[0008]步驟三:重新執(zhí)行步驟一，并將已寫入SA2空間的全部數(shù)據(jù)擦除；
[0009]步驟四:數(shù)據(jù)校驗;將待寫入數(shù)據(jù)寫入存儲器后，將數(shù)據(jù)讀出，與寫入存儲器前的數(shù)據(jù)進行比較，若一致，認為校驗成功，返回當前步驟;若不一致，則校驗失敗，重新將待寫入數(shù)據(jù)寫入存儲器，執(zhí)行步驟一；若連續(xù)3次校驗均失敗，進入故障處理模式，發(fā)出錯誤提醒。
[0010]發(fā)明效果:
[0011]本發(fā)明方法簡單可靠，降低了產(chǎn)品成本，并同時滿足數(shù)據(jù)穩(wěn)定可靠的要求。本發(fā)明在程序代碼處理上采用數(shù)據(jù)編碼、數(shù)據(jù)校驗等方式保證存儲數(shù)據(jù)的準確性和可靠性。FLASH的可擦寫次數(shù)10萬次，完全可以滿足產(chǎn)品使用要求。進行可靠性實驗和測試，未出現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失或錯誤的情況。
[0012]哈飛民意微型車用組合儀表原使用主芯片加外部存儲器的方式，因為外部存儲器故障占總故障率約為3%。后改用此方案，生產(chǎn)1000套產(chǎn)品，至今沒有因為數(shù)據(jù)錯誤或丟失原因的售后返回產(chǎn)品，目前此方案的故障率為零。
[0013]微型電動車組合儀表(ZB1193A)，使用該方案，獨立儀表主芯片，相對于儀表主芯片加外置數(shù)據(jù)存儲器，材料成本降低10%。而且完全滿足用戶要求，且目前此方案故障率為零。
【附圖說明】
[0014]圖1為數(shù)據(jù)存儲工作流程圖；
[0015]圖2為芯片內(nèi)部Flash區(qū)域示意圖。
【具體實施方式】
[0016]基于芯片內(nèi)部FLASH替代EEPROM的數(shù)據(jù)存儲方法按以下步驟實施:
[0017]步驟一:將待保存的數(shù)據(jù)按字(2個字節(jié))寫入Bank B of Flash A的SAl空間內(nèi)，寫入時判斷當前地址空間是否已有數(shù)據(jù)，若當前地址無數(shù)據(jù)則寫入當前地址，并執(zhí)行步驟四；若當前地址有數(shù)據(jù)則寫入下一個地址，并執(zhí)行步驟四；累計判斷500?1200次時，SAl空間已寫滿，執(zhí)行步驟二；
[0018]步驟二:將待保存的數(shù)據(jù)按字(2個字節(jié))寫入BankB of Flash A的SA2空間內(nèi)，將已寫入SAl空間的全部數(shù)據(jù)擦除，寫入SA2空間時判斷當前地址空間是否已有數(shù)據(jù)，若當前地址無數(shù)據(jù)則寫入當前地址，并執(zhí)行步驟四；若當前地址有數(shù)據(jù)則寫入下一個地址，并執(zhí)行步驟四；累計判斷500?1200次時，SA2空間已寫滿，執(zhí)行步驟三；
[0019]步驟三:重新執(zhí)行步驟一，并將已寫入SA2空間的全部數(shù)據(jù)擦除；
[0020]步驟四:數(shù)據(jù)校驗;將待寫入數(shù)據(jù)寫入存儲器后，將剛寫入的數(shù)據(jù)讀出，與寫入存儲器前的數(shù)據(jù)進行比較，若一致，認為校驗成功，返回當前步驟;若不一致，則校驗失敗，重新將待寫入數(shù)據(jù)寫入存儲器，執(zhí)行步驟一;若連續(xù)3次校驗均失敗，則認為該數(shù)據(jù)或此芯片的該存儲區(qū)錯誤，即進入故障處理模式，發(fā)出錯誤提醒。
[0021]本設(shè)計利用了低成本芯片的不同F(xiàn)LASH分區(qū)，見圖1。利用其中兩個存儲區(qū)交替存儲數(shù)據(jù)。
[0022]首先將待保存數(shù)據(jù)依次寫入Bank B of Flash A的SAl空間內(nèi)，在SAl空間寫滿后將下一個數(shù)據(jù)向SA2內(nèi)寫入。一旦開始向SA2內(nèi)寫入數(shù)據(jù)后，即一直向SA2區(qū)寫入，同時將SAl的空間擦除。直到寫滿數(shù)據(jù)后，才轉(zhuǎn)向重新將數(shù)據(jù)寫入SAl，并將SA2空間數(shù)據(jù)擦除。如此交替將數(shù)據(jù)寫入FLASH分區(qū)，滿足存儲使用要求。
[0023]【具體實施方式】二:本實施方式與【具體實施方式】一不同的是:所述步驟一中的待保存的數(shù)據(jù)為16進制數(shù)據(jù)。
[0024]【具體實施方式】三:本實施方式與【具體實施方式】一或二不同的是:所述步驟一中的Bank B of Flash A為閃存A的區(qū)域B。
[0025]【具體實施方式】四:本實施方式與【具體實施方式】一至三之一不同的是:所述步驟一中的判斷當前地址空間是否已有數(shù)據(jù)的具體過程為:當前地址空間數(shù)據(jù)為FF時代表此地址為沒有數(shù)據(jù)的空狀態(tài)。
[0026]【具體實施方式】五:本實施方式與【具體實施方式】一至四之一不同的是:所述步驟一中累計判斷為1000次。
[0027]【具體實施方式】六:本實施方式與【具體實施方式】一至五之一不同的是:所述步驟二中的待保存的數(shù)據(jù)為16進制數(shù)據(jù)。
[0028]【具體實施方式】七:本實施方式與【具體實施方式】一至六之一不同的是:所述步驟二中判斷當前地址空間是否已有數(shù)據(jù)的具體過程為:當前地址空間數(shù)據(jù)為FF時代表此地址為沒有數(shù)據(jù)的空狀態(tài)。
[0029]【具體實施方式】八:本實施方式與【具體實施方式】一至七之一不同的是:所述步驟二中將已寫入SAl空間的全部數(shù)據(jù)擦除的具體過程為:將已寫入SAl空間的數(shù)據(jù)全部寫成FF。
[0030]【具體實施方式】九:本實施方式與【具體實施方式】一至八之一不同的是:所述步驟二中累計判斷為1000次。
[0031]【具體實施方式】十:本實施方式與【具體實施方式】一至九之一不同的是:所述步驟三中將已寫入SA2空間的全部數(shù)據(jù)擦除的具體過程為:將已寫入SA2空間的數(shù)據(jù)全部寫成FF。
[0032]實施例一:
[0033]在哈飛民意微型車組合儀表中，采用本方案，存儲總里程數(shù)據(jù)。
[0034]設(shè)定當前總里程數(shù)據(jù)為120km。
[0035]第一步:將總里程數(shù)據(jù)“120”轉(zhuǎn)成十六進制的數(shù)據(jù)“78”；
[0036]第二步:從SAl空間的第一個地址開始按順序查找，數(shù)據(jù)為“FF”的空間；
[0037]第三步:發(fā)現(xiàn)第200個字空間的數(shù)據(jù)是“FF”，那么將“78”寫入第200個字的位置。
[0038]第四步:寫入后將第200個字位置的數(shù)據(jù)“78”讀出，與為寫入前的數(shù)據(jù)“78”對比，數(shù)據(jù)正確，則認為當前寫入數(shù)據(jù)正確，寫入操作結(jié)束。
【主權(quán)項】
1.基于芯片內(nèi)部FLASH替代EEPROM的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于，所述基于芯片內(nèi)部FLASH替代EEPROM的數(shù)據(jù)存儲方法包括以下步驟: 步驟一:將待保存的數(shù)據(jù)寫入Bank B of Flash A的SAl空間內(nèi)，寫入時判斷當前地址空間是否已有數(shù)據(jù)，若當前地址無數(shù)據(jù)則寫入當前地址，并執(zhí)行步驟四；若當前地址有數(shù)據(jù)則寫入下一個地址，并執(zhí)行步驟四；累計判斷500?1200次時，SAl空間已寫滿，執(zhí)行步驟二； 步驟二:將待保存的數(shù)據(jù)寫入Bank B of Flash A的SA2空間內(nèi)，將已寫入SAl空間的全部數(shù)據(jù)擦除，寫入SA2空間時判斷當前地址空間是否已有數(shù)據(jù)，若當前地址無數(shù)據(jù)則寫入當前地址，并執(zhí)行步驟四；若當前地址有數(shù)據(jù)則寫入下一個地址，并執(zhí)行步驟四；累計判斷500?1200次時，SA2空間已寫滿，執(zhí)行步驟三； 步驟三:重新執(zhí)行步驟一，并將已寫入SA2空間的全部數(shù)據(jù)擦除； 步驟四:數(shù)據(jù)校驗;將待寫入數(shù)據(jù)寫入存儲器后，將數(shù)據(jù)讀出，與寫入存儲器前的數(shù)據(jù)進行比較，若一致，認為校驗成功，返回當前步驟;若不一致，則校驗失敗，重新將待寫入數(shù)據(jù)寫入存儲器，執(zhí)行步驟一;若連續(xù)3次校驗均失敗，進入故障處理模式，發(fā)出錯誤提醒。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于芯片內(nèi)部FLASH替代EEPROM的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于所述步驟一中的待保存的數(shù)據(jù)為16進制數(shù)據(jù)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于芯片內(nèi)部FLASH替代EEPROM的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于所述步驟一中的Bank B of Flash A為閃存A的區(qū)域B。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于芯片內(nèi)部FLASH替代EEPROM的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于所述步驟一中的判斷當前地址空間是否已有數(shù)據(jù)的具體過程為:當前地址空間數(shù)據(jù)為FF時代表此地址為沒有數(shù)據(jù)的空狀態(tài)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于芯片內(nèi)部FLASH替代EEPROM的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于所述步驟一中累計判斷為1000次。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于芯片內(nèi)部FLASH替代EEPROM的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于所述步驟二中的待保存的數(shù)據(jù)為16進制數(shù)據(jù)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于芯片內(nèi)部FLASH替代EEPROM的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于所述步驟二中判斷當前地址空間是否已有數(shù)據(jù)的具體過程為:當前地址空間數(shù)據(jù)為FF時代表此地址為沒有數(shù)據(jù)的空狀態(tài)。8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于芯片內(nèi)部FLASH替代EEPROM的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于所述步驟二中將已寫入SAl空間的全部數(shù)據(jù)擦除的具體過程為:將已寫入SAl空間的數(shù)據(jù)全部寫成FF。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于芯片內(nèi)部FLASH替代EEPROM的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于所述步驟二中累計判斷為1000次。10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于芯片內(nèi)部FLASH替代EEPROM的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于所述步驟三中將已寫入SA2空間的全部數(shù)據(jù)擦除的具體過程為:將已寫入SA2空間的數(shù)據(jù)全部寫成FF。
【文檔編號】G06F12/02GK105868120SQ201610177231
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年3月24日
【發(fā)明人】佟大龍, 祝文甫, 王晶
【申請人】航天科技控股集團股份有限公司