面陣指紋傳感器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及指紋傳感技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種面陣指紋傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]面陣指紋傳感器是一種平面成像設(shè)備，由像素單元陣列、驅(qū)動(dòng)線、信號(hào)讀出線等構(gòu)成。
[0003]進(jìn)行指紋感測(cè)時(shí)，帶有圖像信息的光信號(hào)直接投射到傳感器成像表面的各個(gè)像素單元，被傳感器的像素單元吸收而成像。由于不經(jīng)過(guò)透鏡或光纖聚焦光，是同尺寸、無(wú)縮放比例的成像，因而會(huì)有更好的成像質(zhì)量，成像設(shè)備也更加輕薄。
[0004]參考圖1，示出了現(xiàn)有技術(shù)一種面陣指紋傳感器的示意圖，從背面穿透過(guò)來(lái)的可見(jiàn)光，照射到緊貼在面陣指紋傳感器I的成像表面的物體，所述可見(jiàn)光在面陣指紋傳感器I和被照物體的接觸面發(fā)生反射和透射，被反射的可見(jiàn)光返回到面陣指紋傳感器1，所述面陣指紋傳感器將所述反射的可見(jiàn)光轉(zhuǎn)化為電子信號(hào)，然后存儲(chǔ)起來(lái)。
[0005]如圖2所示，為現(xiàn)有技術(shù)一種面陣指紋傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖，所述面陣指紋傳感器包括像素單元，所述像素單元由開(kāi)關(guān)器件111和光電器件112構(gòu)成。所述面陣指紋傳感器包括與所述開(kāi)關(guān)器件111相連的驅(qū)動(dòng)線12，還包括與所述光電器件112相連的信號(hào)線13，所述驅(qū)動(dòng)線12進(jìn)一步與驅(qū)動(dòng)芯片21相連，所述信號(hào)線13進(jìn)一步與一信號(hào)采集單元3相連。
[0006]如圖2所示，所述面陣指紋傳感器還包括控制器4，用于控制驅(qū)動(dòng)單元上的驅(qū)動(dòng)芯片21控制面陣指紋傳感器I上的驅(qū)動(dòng)線12，進(jìn)而控制像素單元11陣列的逐行開(kāi)啟；同時(shí)，控制器4控制信號(hào)采集單元3上的信號(hào)讀出芯片31，通過(guò)面陣指紋傳感器I上的信號(hào)線13來(lái)讀取像素單元11陣列中被開(kāi)啟的那一行的電子信號(hào)，然后進(jìn)行放大、模數(shù)轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)。最終獲得一個(gè)與被照物體表面結(jié)構(gòu)直接相關(guān)的數(shù)字化灰階圖像。
[0007]如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)和產(chǎn)品中，驅(qū)動(dòng)芯片21和信號(hào)讀出芯片31都通過(guò)芯片在薄膜上(Chip On Film, C0F)綁定等方式，分別封裝在一個(gè)柔性導(dǎo)電薄膜上，形成一個(gè)COF模塊2和COF模塊3。然后通過(guò)薄膜在玻璃上(Film On Glass,FOG)綁定的工藝將COF模塊2和COF模塊3綁定到面陣指紋傳感器I的相應(yīng)位置上，實(shí)現(xiàn)面陣指紋傳感器I的驅(qū)動(dòng)線12和驅(qū)動(dòng)芯片21的電性連接和導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)面陣指紋傳感器I的信號(hào)線13和信號(hào)讀出芯片31的電性連接和導(dǎo)通。類似地，圖2所示面陣指紋傳感器還通過(guò)薄膜在電路板上(Film OnBoard, FOB)綁定等工藝將COF模塊2和COF模塊3綁定到控制器4上，實(shí)現(xiàn)控制器4和驅(qū)動(dòng)芯片21與信號(hào)讀出芯片31的電性連接和導(dǎo)通。
[0008]進(jìn)一步，如圖3所示，驅(qū)動(dòng)芯片21或信號(hào)讀出芯片31也可以通過(guò)芯片在玻璃上(Chip On Glass,COG)綁定的方式，直接綁定在面陣指紋傳感器I上。如此一來(lái)，驅(qū)動(dòng)芯片21的輸出線和面陣指紋傳感器I上的驅(qū)動(dòng)線12直接連接，驅(qū)動(dòng)芯片21的輸出線連接到面陣指紋傳感器I上。通過(guò)第一柔性連接體22，實(shí)現(xiàn)控制器4和面陣指紋傳感器I上的驅(qū)動(dòng)芯片21的輸入線的電性連接和導(dǎo)通。信號(hào)讀出芯片31的輸入線和面陣指紋傳感器I上的信號(hào)線13直接連接，信號(hào)讀出芯片31的輸出線連接到面陣指紋傳感器I上。通過(guò)第二柔性連接體32，實(shí)現(xiàn)控制器4和面陣指紋傳感器I上的信號(hào)讀出芯片31的輸出線的電性連接和導(dǎo)通。
[0009]此外，由于驅(qū)動(dòng)芯片21的功能相對(duì)簡(jiǎn)單、體積較小、要求較低，為了簡(jiǎn)化產(chǎn)品、降低成本、提高性能，如圖4所示,驅(qū)動(dòng)芯片21也可以通過(guò)集成非晶娃驅(qū)動(dòng)(AmorphousSilicon Gate Driving,ASG)電路14設(shè)計(jì)來(lái)替代驅(qū)動(dòng)芯片21。ASG電路14的功能和驅(qū)動(dòng)芯片21的功能類似，都是實(shí)現(xiàn)像素陣列的逐行打開(kāi)。ASG電路14的制作是和面陣指紋傳感器I中的其他器件同時(shí)進(jìn)行，無(wú)需增加額外工藝步驟。ASG電路14的輸出線和面陣指紋傳感器I的驅(qū)動(dòng)線12相連。只需將ASG電路14的輸入電路通過(guò)柔性連接體22，連接到控制器4，就可以實(shí)現(xiàn)控制器4和面陣指紋傳感器I的驅(qū)動(dòng)線12的電性連接和導(dǎo)通。類似地，驅(qū)動(dòng)芯片21也可以通過(guò)集成低溫多晶??圭驅(qū)動(dòng)(Low Temperature Poly-silicon Gate Driving,LTPSG)電路14設(shè)計(jì)來(lái)替代驅(qū)動(dòng)芯片21。驅(qū)動(dòng)芯片21還可以通過(guò)集成氧化物半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)(Oxide Semiconductor Gate Driving, OSG)電路 14 設(shè)計(jì)來(lái)替代驅(qū)動(dòng)芯片 21。
[0010]但是驅(qū)動(dòng)芯片21無(wú)論是以圖2所示的芯片在薄膜上的COF模塊方式，還是如圖3所示的COG綁定的方式，還是如圖4中的ASG、LTPSG、或OSG電路的方式，面陣指紋傳感器I的像素單元陣列之外的區(qū)域都比較大。隨著對(duì)外圍機(jī)構(gòu)尺寸的要求提高，面陣指紋傳感器I的像素區(qū)之外的區(qū)域的尺寸也越來(lái)越小，現(xiàn)有技術(shù)的面陣指紋傳感器難以達(dá)到外圍機(jī)構(gòu)尺寸較小的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種面陣指紋傳感器，縮小面陣指紋傳感器外圍機(jī)構(gòu)尺寸。
[0012]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種面陣指紋傳感器，包括:
[0013]基板；位于基板上的呈陣列排布的像素單元，所述像素單元包括開(kāi)關(guān)器件以及與所述開(kāi)關(guān)器件相連的光電器件，所述光電器件用于將帶有指紋信息的光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)；位于基板上的沿行方向的驅(qū)動(dòng)線，與所述像素單元的開(kāi)關(guān)器件對(duì)應(yīng)相連；位于基板上的沿列方向的驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)接線，與所述驅(qū)動(dòng)線對(duì)應(yīng)連接，用于向所述驅(qū)動(dòng)線傳輸能使所述開(kāi)關(guān)器件導(dǎo)通的開(kāi)啟信號(hào)；位于基板上的沿列方向的信號(hào)線，與所述像素單元的光電器件對(duì)應(yīng)相連，用于傳輸光電器件形成的所述電信號(hào)。
[0014]可選的，所述驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)接線與所述驅(qū)動(dòng)線通過(guò)過(guò)孔連接。
[0015]可選的，所述驅(qū)動(dòng)線與所述驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)接線的數(shù)量相同。
[0016]可選的，所述驅(qū)動(dòng)線還包括在基板上相互平行且依次排布的第一根驅(qū)動(dòng)線、第二根驅(qū)動(dòng)線……第N根驅(qū)動(dòng)線，N為基板上所有驅(qū)動(dòng)線的數(shù)量；所述驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)接線包括在基板上相互平行且依次排布的第一根驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)接線、第二根驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)接線……第N根驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)接線；所述第一根驅(qū)動(dòng)線與所述第一根驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)接線相連，所述第二根驅(qū)動(dòng)線與所述第二根驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)接線相連……所述第N根驅(qū)動(dòng)線與所述第N根驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)接線相連。
[0017]可選的，呈陣列排布的像素單元構(gòu)成像素單元陣列，所述驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)接線均貫穿所述像素單元陣列。
[0018]可選的，所述驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)接線與所述信號(hào)線采用同一金屬形成。
[0019]可選的，所述面陣指紋傳感器的像素單元包括:位于所述基板上的開(kāi)關(guān)器件的柵極，以及與所述柵極相連的驅(qū)動(dòng)線；覆蓋于所述基板、所述開(kāi)關(guān)器件柵極和所述驅(qū)動(dòng)線上的第一絕緣層；位于所述第一絕緣層上的所述開(kāi)關(guān)器件的源極、開(kāi)關(guān)器件的漏極、開(kāi)關(guān)器件的半導(dǎo)體層、信號(hào)線和驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)接線；形成于所述第一絕緣層內(nèi)的過(guò)孔結(jié)構(gòu)，所述過(guò)孔結(jié)構(gòu)連接所述驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)接線和所述驅(qū)動(dòng)線；位于所述第一絕緣層上的所述光電器件，所述光電器件與所述開(kāi)關(guān)器件的源極相連導(dǎo)通；所述開(kāi)關(guān)器件的漏極與所述信號(hào)線相連導(dǎo)通。
[0020]可選的，所述面陣指紋傳感器還包括遮光層，用于遮擋保護(hù)所述開(kāi)關(guān)器件的半導(dǎo)體層，所述驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)接線與所述遮光層采用同一金屬形成。
[0021]可選的，所述面陣指紋傳感器的像素單元包括:位于所述基板上的開(kāi)關(guān)器件的柵極，以及與所述柵極相連的驅(qū)動(dòng)線；覆蓋于所述基板、所述開(kāi)關(guān)器件柵極和所述驅(qū)動(dòng)線上的第一絕緣層；位于所述第一絕緣層上的所述開(kāi)關(guān)器件的源極、開(kāi)關(guān)器件的漏極、開(kāi)關(guān)器件的半導(dǎo)體層和信號(hào)線；位于所述第一絕緣層上的所述光電器件，所述光電器件與所述開(kāi)關(guān)器件的源極相連導(dǎo)通；所述開(kāi)關(guān)器件的漏極與所述信號(hào)線相連導(dǎo)通；覆蓋于所述開(kāi)關(guān)器件、所述信號(hào)線和所述