非揮發(fā)內(nèi)容可尋址的存儲方法及系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲器領(lǐng)域，尤其涉及一種非揮發(fā)內(nèi)容可尋址的存儲方法及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]內(nèi)容可尋址存儲器(CAM)在各種各樣的應(yīng)用中都需要在比特上操作的匹配模式，例如虛擬內(nèi)存，數(shù)據(jù)壓縮，高速緩存和表查找應(yīng)用程序。隨著無線網(wǎng)絡(luò)的普及的不斷上升，內(nèi)容可尋址存儲器已經(jīng)建議用作網(wǎng)絡(luò)地址過濾和部分節(jié)點(diǎn)匹配的一種方式。由于內(nèi)容可尋址存儲器的單元結(jié)構(gòu)的特殊性，其制造成本極高，當(dāng)數(shù)據(jù)存儲量及其龐大的時候用內(nèi)容可尋址存儲器是相當(dāng)不劃算的選擇。當(dāng)需要存儲龐大數(shù)據(jù)的時候，現(xiàn)在用的比較多的為硬盤或者SSD。但是沒有存儲器把搜索功能放在存儲器內(nèi)部以實(shí)現(xiàn)內(nèi)容可尋址功能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對現(xiàn)有技術(shù)中內(nèi)容可尋址存儲器空間小，F(xiàn)lash等存儲器沒有自帶內(nèi)容可尋址功能等問題，本發(fā)明提出的非揮發(fā)內(nèi)容可尋址的存儲方法及系統(tǒng)，在于解決大數(shù)據(jù)搜索問題，本發(fā)明的系統(tǒng)存儲空間大、并且存儲器自身可實(shí)現(xiàn)內(nèi)容可尋址功能。
[0004]本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0005]—種非揮發(fā)內(nèi)容可尋址的存儲方法，所述存儲方法包括:
[0006]提取待匹配內(nèi)容的X%，其中0 < X < 100 ;
[0007]提取各個存儲模塊中存儲內(nèi)容的X% ;
[0008]將所述待匹配內(nèi)容的X%與各個所述存儲內(nèi)容的X%進(jìn)行匹配；
[0009]若匹配，則將匹配的所述存儲內(nèi)容的剩余部分與所述待匹配內(nèi)容的剩余部分進(jìn)行匹配。
[0010]優(yōu)選的，所述存儲方法具體包括:0 < X < 50。
[0011 ] 優(yōu)選的，所述存儲模塊為3D-NAND閃存和/或3D相變存儲器。
[0012]優(yōu)選的，所述存儲方法還包括:于提取待匹配內(nèi)容的X%之前，
[0013]通過神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)智能分類，將所述存儲內(nèi)容存儲在所述存儲模塊中。
[0014]優(yōu)選的，所述存儲方法具體包括:
[0015]提取與所述待匹配內(nèi)容相同分類的所述存儲模塊；
[0016]提取相同分類的所述存儲模塊存儲內(nèi)容的X % ;
[0017]將所述待匹配內(nèi)容的X%與相同分類的所述存儲模塊存儲內(nèi)容的X%進(jìn)行匹配。
[0018]—種非揮發(fā)內(nèi)容可尋址的存儲系統(tǒng)，所述存儲系統(tǒng)包括:
[0019]多個存儲模塊，存儲有存儲內(nèi)容；
[0020]控制模塊，分別與各個所述存儲模塊連接，控制所述存儲內(nèi)容的讀操作、寫操作和所述存儲內(nèi)容的匹配操作；其中
[0021]所述控制模塊將待匹配內(nèi)容的X%與各個所述存儲內(nèi)容的X%逐一匹配，當(dāng)匹配時，提取所述匹配的存儲內(nèi)容，所述控制模塊再將剩余的所述待匹配內(nèi)容與所述匹配的存儲內(nèi)容的剩余部分進(jìn)行匹配；
[0022]其中0<X<100。
[0023]優(yōu)選的，所述存儲系統(tǒng)中，0 < X < 50。
[0024]優(yōu)選的，所述存儲模塊為3D-NAND閃存和/或3D相變存儲器。
[0025]優(yōu)選的，所述控制模塊包括:
[0026]讀寫控制單元，與所述存儲模塊連接，控制所述存儲內(nèi)容的讀操作和寫操作；
[0027]匹配單元，分別與所述讀寫控制單元、存儲模塊連接，控制所述存儲內(nèi)容的匹配操作。
[0028]優(yōu)選的，所述存儲模塊包括:
[0029]第一存儲單元，與所述控制模塊連接，存儲有所述存儲內(nèi)容的X% ;
[0030]第二存儲單元，分別與所述第一存儲單元、所述控制模塊連接，存儲有剩余的所述存儲內(nèi)容。
[0031]本發(fā)明的有益效果是:
[0032]本發(fā)明提出先搜索內(nèi)容的x%相當(dāng)于粗搜索，當(dāng)x%匹配之后在匹配剩下的y%，此時匹配這7%的量減少，可降低芯片的功耗。同時本發(fā)明中的存儲模塊可由3D-NAND或者3D-PCM組成，特點(diǎn)是在單位面積中可存儲量大，適合存儲大數(shù)據(jù)。
【附圖說明】
[0033]圖1為本發(fā)明存儲系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖2為本發(fā)明中存儲方法的示意圖；
[0035]圖3為本發(fā)明存儲系統(tǒng)的改進(jìn)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖4為本發(fā)明存儲方法的結(jié)構(gòu)流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]需要說明的是，在不沖突的情況下，下述技術(shù)方案，技術(shù)特征之間可以相互組合。
[0038]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的說明:
[0039]實(shí)施例一
[0040]如圖1所示，由于存儲量龐大，本實(shí)施例中的存儲模塊由多塊3D-NAND或者3D-PCM組成，多塊3D-NAND或者3D-PCM組成的存儲模塊之外還有一個控制模塊。多塊由3D-NAND或者3D-PCM在存儲大數(shù)據(jù)的時候通過神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)智能分類，對于每塊不同的存儲器，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)都可按照神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的算法將存儲內(nèi)容分類存儲在不同的存儲器里面，當(dāng)控制器接收到需匹配的內(nèi)容的時候，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)通過與存儲內(nèi)容時一樣的算法來計算此內(nèi)容，可得知此內(nèi)容分類，去對應(yīng)分類的存儲器中去做查找。
[0041 ] 如圖2所示，控制模塊包括了控制3D-NAND或者3D-PCM讀寫的控制電路(讀寫控制單元)，還有控制內(nèi)容匹配電路(匹配單元)。在內(nèi)容匹配的時候控制內(nèi)容匹配模塊先取出待匹配內(nèi)容的(內(nèi)容的百分比即取出匹配內(nèi)容的部分值)，控制器將內(nèi)容的發(fā)送到每個由3D-NAND或者3D-PCM組成的存儲模塊中，在每塊存儲器中搜索需匹配內(nèi)容的χ %，如果在存儲模塊中沒有匹配到任何與需匹配內(nèi)容的相一致的內(nèi)容，控制器變可判斷出此塊存儲器中未含有需匹配內(nèi)容。若在某塊或者某幾塊存儲模塊中匹配出與需匹配內(nèi)容的x%相一致的內(nèi)容，系統(tǒng)則判斷出存儲在此處的內(nèi)容可能與需匹配內(nèi)容一致，那么系統(tǒng)再去匹配剩下的y% (y% = 1_χ%，即整個內(nèi)容除了之前匹配的χ%內(nèi)容之后剩下的全部內(nèi)容，且X遠(yuǎn)小于y)。若剩下的7%內(nèi)容也是匹配的，則系統(tǒng)可得到已匹配到相