終端設(shè)備的內(nèi)存訪問控制方法與裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，特別涉及一種終端設(shè)備的內(nèi)存訪問控制方法與裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著消費(fèi)電子產(chǎn)品的應(yīng)用越來越豐富，芯片提供的功能也越來越多，這樣對(duì)于芯片性能也有十分高的要求。中央處理器(CPU,Central Processing Unit)的處理速度，還有其他類似CPU的總線主控單元(Master)的數(shù)量也越來越多，每個(gè)Master發(fā)出的訪問對(duì)帶寬的要求也越來越高，這樣內(nèi)存漸漸成為效率的瓶頸。尤其是對(duì)于移動(dòng)通信終端設(shè)備(例如手機(jī))，一方面，隨著長期演進(jìn)(LTE, Long Term Evolut1n)等高速網(wǎng)絡(luò)制式推出，網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)量越來越大；另一方面，多媒體功能的加強(qiáng)，如4k2k、HD等高清顯示分辨率的多媒體，對(duì)帶寬的要求越來越高。
[0003]傳統(tǒng)的單通道內(nèi)存技術(shù)的訪問效率如圖1所示，消耗者(如CPU等總線主控單元)需要提供者(內(nèi)存)不斷地提供數(shù)據(jù)。如果消耗者過多，就會(huì)造成提供者的性能成為目前的瓶頸，這是急需解決的問題。為此,可以考慮采用雙通道(Dual-channel)內(nèi)存技術(shù)提升系統(tǒng)整體的運(yùn)行性能。雙通道內(nèi)存技術(shù)的訪問效率如圖2所示，通過提供多個(gè)提供者以及改進(jìn)的內(nèi)存控制器，使得傳輸?shù)牟⑿卸燃訌?qiáng)，可以使得內(nèi)存的帶寬不至于很低。一個(gè)傳輸請(qǐng)求能交錯(cuò)分配到圖2中左下角的提供者(一個(gè)內(nèi)存訪問通道)或者右下角的提供者(另一個(gè)內(nèi)存訪問通道)。
[0004]雙通道內(nèi)存技術(shù)其實(shí)是一種內(nèi)存控制和管理技術(shù)，它依賴于芯片組的內(nèi)存控制器發(fā)生作用，在理論上能夠使兩條同等規(guī)格內(nèi)存所提供的帶寬增長一倍。它最早被應(yīng)用于服務(wù)器和工作站系統(tǒng)中，后來為了解決臺(tái)式機(jī)日益窘迫的內(nèi)存帶寬瓶頸問題，它又走到了臺(tái)式機(jī)主板技術(shù)的前臺(tái)。
[0005]如今，隨著移動(dòng)終端類設(shè)備對(duì)于內(nèi)存性能的瓶頸問題也日益凸顯，雙通道/多通道內(nèi)存技術(shù)也逐漸有應(yīng)用于移動(dòng)終端類設(shè)備。采用雙通道/多通道內(nèi)存技術(shù)后，雖然在系統(tǒng)整體的運(yùn)行性能上能夠取得較大提升，但是相關(guān)硬件(例如內(nèi)存控制器)的面積一般也會(huì)有所增加，這必將導(dǎo)致更多的功耗消耗，因此，對(duì)于一些對(duì)功耗問題較為敏感的終端設(shè)備來說，如何在運(yùn)行性能提升的基礎(chǔ)上，優(yōu)化功耗控制顯得尤為重要。
[0006]因?yàn)槌Ｓ玫碾p通道/多通道內(nèi)存訪問控制策略針對(duì)的更多是個(gè)人電腦(PC，Personal Computer)等設(shè)備，而此類設(shè)備對(duì)于功耗問題基本上是不需要進(jìn)行過多關(guān)注的，所以現(xiàn)有技術(shù)一般更關(guān)注的只是性能上的提升，并不能滿足功耗敏感的終端設(shè)備對(duì)于優(yōu)化功耗控制的需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明要解決的問題是如何使雙通道/多通道內(nèi)存技術(shù)在運(yùn)行性能提升的基礎(chǔ)上優(yōu)化功耗控制。
[0008]為解決上述問題，本發(fā)明技術(shù)方案提供一種終端設(shè)備的內(nèi)存訪問控制方法，所述內(nèi)存至少包含兩個(gè)訪問通道，所述方法包括:
[0009]在設(shè)定的內(nèi)存訪問模式下，對(duì)訪問請(qǐng)求在各個(gè)訪問通道上進(jìn)行分配；
[0010]對(duì)訪問請(qǐng)求在各個(gè)訪問通道上的分配進(jìn)行監(jiān)測(cè)；
[0011 ] 若監(jiān)測(cè)出存在第一預(yù)定時(shí)間內(nèi)未被分配訪問請(qǐng)求的訪問通道，則使該訪問通道進(jìn)入第一省電模式；
[0012]若監(jiān)測(cè)出存在第二預(yù)定時(shí)間內(nèi)未被分配訪問請(qǐng)求的訪問通道，則使該訪問通道進(jìn)入第二省電模式；
[0013]所述第二預(yù)定時(shí)間大于所述第一預(yù)定時(shí)間，所述第二省電模式下的功耗低于所述第一省電模式下的功耗，從所述第一省電模式激活訪問通道的速度快于所述第二省電模式。
[0014]可選的，所述終端設(shè)備的內(nèi)存訪問控制方法還包括:
[0015]根據(jù)對(duì)所述內(nèi)存的每個(gè)訪問端口的負(fù)載和延時(shí)的監(jiān)測(cè)結(jié)果，相應(yīng)調(diào)整內(nèi)存的工作頻率；
[0016]所述負(fù)載是指發(fā)出訪問請(qǐng)求的總線主控單元在第三預(yù)定時(shí)間內(nèi)經(jīng)過所述訪問端口的訪問數(shù)據(jù)量，所述延時(shí)是指對(duì)經(jīng)由所述訪問端口訪問所述內(nèi)存的訪問請(qǐng)求進(jìn)行處理的等待時(shí)間。
[0017]可選的，所述根據(jù)對(duì)所述內(nèi)存的每個(gè)訪問端口的負(fù)載和延時(shí)的監(jiān)測(cè)結(jié)果，相應(yīng)調(diào)整內(nèi)存的工作頻率包括:
[0018]當(dāng)任意一個(gè)訪問端口的負(fù)載大于為該訪問端口配置的第一上限閾值，或者任意一個(gè)訪問端口的延時(shí)大于為該訪問端口配置的第二上限閾值時(shí)，升高內(nèi)存的工作頻率；
[0019]當(dāng)所有訪問端口的負(fù)載均小于分別為各個(gè)訪問端口配置的第一下限閾值，且所有訪問端口的延時(shí)均未超出分別為各個(gè)訪問端口配置的第二上限閾值時(shí)，降低內(nèi)存的工作頻率；
[0020]當(dāng)所有訪問端口的延時(shí)均小于分別為各個(gè)訪問端口配置的第二下限閾值，且所有訪問端口的負(fù)載均未超出分別為各個(gè)訪問端口配置的第一上限閾值時(shí)，降低內(nèi)存的工作頻率。
[0021 ] 可選的，所述終端設(shè)備的內(nèi)存訪問控制方法還包括:根據(jù)各訪問端口對(duì)應(yīng)的訪問需求，分別為每個(gè)訪問端口配置相應(yīng)的第一上限閾值、第一下限閾值、第二上限閾值和第二下限閾值。
[0022]可選的，所述對(duì)訪問請(qǐng)求在各個(gè)訪問通道上的分配進(jìn)行監(jiān)測(cè)，是在所述設(shè)定的內(nèi)存訪問模式支持在各個(gè)訪問通道對(duì)應(yīng)的訪問區(qū)域?qū)崿F(xiàn)訪問請(qǐng)求的非交錯(cuò)式訪問的條件下進(jìn)行的。
[0023]為解決上述問題，本發(fā)明技術(shù)方案還提供一種終端設(shè)備的內(nèi)存訪問控制裝置，所述內(nèi)存至少包含兩個(gè)訪問通道，所述裝置包括:
[0024]分配單元，適于在設(shè)定的內(nèi)存訪問模式下，對(duì)訪問請(qǐng)求在各個(gè)訪問通道上進(jìn)行分配；
[0025]第一監(jiān)測(cè)單元，適于對(duì)訪問請(qǐng)求在各個(gè)訪問通道上的分配進(jìn)行監(jiān)測(cè)；
[0026]省電單元，適于在所述第一監(jiān)測(cè)單元檢測(cè)出存在第一預(yù)定時(shí)間內(nèi)未被分配訪問請(qǐng)求的訪問通道，使該訪問通道進(jìn)入第一省電模式；還適于在所述第一監(jiān)測(cè)單元檢測(cè)出存在第二預(yù)定時(shí)間內(nèi)未被分配訪問請(qǐng)求的訪問通道，使該訪問通道進(jìn)入第二省電模式；所述第二預(yù)定時(shí)間大于所述第一預(yù)定時(shí)間，所述第二省電模式下的功耗低于所述第一省電模式下的功耗，從所述第一省電模式激活訪問通道的速度快于所述第二省電模式。
[0027]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0028]通過對(duì)雙通道/多通道內(nèi)存的各個(gè)訪問通道的訪問情況進(jìn)行監(jiān)測(cè)，并在監(jiān)測(cè)到存在預(yù)定時(shí)間內(nèi)未被分配訪問請(qǐng)求的訪問通道時(shí)，使該訪問通道進(jìn)入省電模式，同時(shí)根據(jù)所述預(yù)定時(shí)間的長短區(qū)分所進(jìn)入省電模式的不同省電程度以及激活訪問通道的速度，從而能在運(yùn)行性能提升的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)功耗控制的優(yōu)化。
[0029]通過對(duì)各個(gè)訪問通道的負(fù)載和延時(shí)的監(jiān)測(cè)結(jié)果，相應(yīng)調(diào)整內(nèi)存的工作頻率，以使內(nèi)存的工作頻率與訪問通道的負(fù)載和延時(shí)情況相適應(yīng)，不但能夠及時(shí)滿足各應(yīng)用對(duì)于內(nèi)存的訪問需求，而且在總體上節(jié)省了功耗，從而在運(yùn)行性能提升的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化功耗控制。
【附圖說明】
[0030]圖1是單通道內(nèi)存技術(shù)的訪問效率的示意圖；
[0031]圖2是雙通道內(nèi)存技術(shù)的訪問效率的示意圖；
[0032]圖3是本發(fā)明實(shí)施例的雙通道內(nèi)存的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖4是本發(fā)明實(shí)施例的終端設(shè)備的內(nèi)存訪問控制方法的流程示意圖；
[0034]圖5是內(nèi)存訪問模式為高性能模式時(shí)的內(nèi)存訪問配置的示意圖；
[0035]圖6是內(nèi)存訪問模式為低功耗模式時(shí)的內(nèi)存訪問配置的示意圖；
[0036]圖7是內(nèi)存訪問模式為平衡模式時(shí)的內(nèi)存訪問配置的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例作詳細(xì)的說明。
[0038]本實(shí)施例中，所述終端設(shè)備具體為移動(dòng)通信終端設(shè)備，例如手機(jī)、具有通信模塊的平板電腦等，在其他實(shí)施例中，所述終端設(shè)備也可以是掌上電腦、車載終端、臺(tái)式電腦等。所述內(nèi)存以現(xiàn)今較為常用的雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DDR SDRAM, Double Date RateSynchronous Dynamic Random Access Memory),簡稱DDR內(nèi)存為例進(jìn)行說明，其他實(shí)施例中，所述內(nèi)存也可以為其他支持雙通道或多通道內(nèi)存技術(shù)的存儲(chǔ)器。
[0039]需要說明的是，在本實(shí)施例中以支持雙通道內(nèi)存訪問技術(shù)的DDR為例說明，但本發(fā)明實(shí)施例提供的終端設(shè)備的內(nèi)存訪問控制方法不僅僅局限于雙通道，可以是多通道(即包含兩個(gè)以上的內(nèi)存訪問通道)。
[0040]本發(fā)明實(shí)施例的雙通道內(nèi)存的結(jié)構(gòu)如圖3所示，DDR控制器A、DDR PHY A以及A0、A1構(gòu)成一個(gè)內(nèi)存訪問通道，DDR控制器B、DDR PHY B以及B0、B1構(gòu)成另一個(gè)內(nèi)存訪問通道，通過DDR控制器之上的一層即互連邏輯層(