導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體前體、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請(qǐng)要求享有2013年11月27日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第 10-2013-0145567號(hào)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，所述韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容以引用的方式并入本 文中。
[0002] 本公開(kāi)涉及一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體前體、一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體以及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003] 觸屏面板通常根據(jù)信號(hào)的檢測(cè)方法而劃分如下。換言之，所述類(lèi)型包括在施加直 流電壓時(shí)經(jīng)由電流或電壓值的變化來(lái)感測(cè)由壓力按壓位置的電阻型、在施加交流電壓時(shí)使 用電容耦合的電容型以及在施加磁場(chǎng)時(shí)隨著電壓的變化感測(cè)選定位置的電磁型。
[0004] 目前，透明ITO電極通常用于制造接觸式傳感器。透明ITO電極通常用于接觸式 傳感器的屏幕單元，并且在配線單元中使用具有相對(duì)小的電阻的金屬。隨著最近對(duì)窄邊框 (narrow bezel)的需求增加，對(duì)將金屬沉積于ITO上的膜的需求也增加了。
[0005] 窄邊框涉及以下一種趨勢(shì)：在有限的便攜裝置尺寸中隨著觸屏增大，金屬線寬度 逐漸減小，并且隨著高分辨率屏幕變得更普遍，通道數(shù)目增加。
[0006] 當(dāng)制造包括ITO層和金屬層的層壓體時(shí)，如圖1中所示，通常使用以下方法：使 ITO層結(jié)晶，其中所述ITO層被層壓在基板（PET)上，在所述結(jié)晶的ITO層上形成金屬層，而 后使所述金屬層圖案化。
[0007] 現(xiàn)有技術(shù)文件
[0008] 韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第10-2010-0007605號(hào)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 技術(shù)問(wèn)題
[0010] 本申請(qǐng)的一個(gè)目的是提供一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體前體、一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體以及其制造方 法。具體而言，在制造包括透明導(dǎo)電層和金屬層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體方面，本申請(qǐng)的發(fā)明人提供一 種能夠通過(guò)在非晶形透明導(dǎo)電層上形成金屬層而后使所述透明導(dǎo)電層結(jié)晶來(lái)進(jìn)行連續(xù)加 工的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體。
[0011] 技術(shù)方案
[0012] 本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施方式提供一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體前體，其包括：基板；設(shè)置在所述基 板上的非晶形透明導(dǎo)電層；和設(shè)置在所述非晶形透明導(dǎo)電層上的金屬層。
[0013] 另外，本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施方式提供一種制造導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體的方法，其包括：制備導(dǎo)電 結(jié)構(gòu)體前體，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體前體包括基板、設(shè)置在所述基板上的非晶形透明導(dǎo)電層和設(shè) 置在所述非晶形透明導(dǎo)電層上的金屬層；以及熱處理所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體前體以使所述非晶形 透明導(dǎo)電層結(jié)晶。
[0014] 此外，本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施方式提供一種使用上述制造方法制造的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體，所 述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體包括：基板；設(shè)置在所述基板上的結(jié)晶透明導(dǎo)電層；和設(shè)置在所述結(jié)晶透明 導(dǎo)電層上的金屬層。
[0015] 另外，本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施方式提供一種包括所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體的觸屏面板。
[0016] 有益效果
[0017] 根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施方式的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體可有效地使諸如ITO層的透明導(dǎo)電層 結(jié)晶，即使在諸如ITO層的透明導(dǎo)電層上形成金屬層之后。另外，可在使諸如ITO層的透明 導(dǎo)電層結(jié)晶之前在非晶形層上形成金屬層，因此，非晶形透明導(dǎo)電層和金屬層可經(jīng)由輥對(duì) 車(chē)?yán)スに嚕╮oll to roll process)層壓，且因此，可簡(jiǎn)化所述工藝。此外，通過(guò)在導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體 的最外層上形成金屬氧化物、金屬氮化物或金屬氧氮化物，可更容易地使設(shè)置在金屬層底 部的非晶形透明導(dǎo)電層結(jié)晶。
【附圖說(shuō)明】
[0018] 圖1為顯示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的ITO結(jié)晶工藝的模擬圖。
[0019] 圖2為顯示根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的ITO結(jié)晶工藝的模擬圖。
[0020] 圖3為顯示根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體前體的結(jié)構(gòu)的圖。
[0021] 圖4為顯示根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)的圖。
[0022] 圖5示意性地顯示如本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施方式，在制造導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體的方法中的熱處 理工藝期間的熱傳導(dǎo)流動(dòng)。
[0023] 圖6為測(cè)量表1的非晶形ITO的殘余壓應(yīng)力的曲線圖。
[0024] 圖7為測(cè)量表1的前結(jié)晶的ITO的殘余壓應(yīng)力的曲線圖。
[0025] 圖8為測(cè)量表1的后結(jié)晶的ITO的殘余壓應(yīng)力的曲線圖。
[0026] 圖9顯示根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施方式的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體的表面電阻值。
【具體實(shí)施方式】
[0027] 在本說(shuō)明書(shū)中，一個(gè)構(gòu)件被放置在另一構(gòu)件"上"的描述不僅包括所述一個(gè)構(gòu)件鄰 接所述另一構(gòu)件的情況，而且亦包括又一構(gòu)件存在于這兩個(gè)構(gòu)件之間的情況。
[0028] 在本說(shuō)明書(shū)中，某一部分"包括"某些組分的描述意味著能夠進(jìn)一步包括其他組 分，且除非相反地特別陳述，否則不排除其他組分。
[0029] 在下文中，將更詳細(xì)地描述本申請(qǐng)。
[0030] 在本說(shuō)明書(shū)中，顯示器件是統(tǒng)指電視、計(jì)算機(jī)顯示屏等的術(shù)語(yǔ)，并且包括形成影像 的顯示元件及支撐所述顯示元件的外殼。
[0031] 所述顯示元件的例子包括等離子體顯示面板（PDP)、液晶顯示器（IXD)、電泳顯示 器、陰極射線管（CRT)、OLED顯示器等。在顯示元件中，可設(shè)置用于獲得影像的RGB像素圖 案以及額外的光學(xué)濾光片。
[0032] 同時(shí)，關(guān)于顯示器件，隨著智能型手機(jī)、平板PC、IPTV等的加速普及，對(duì)于人的雙 手直接變?yōu)檩斎朐O(shè)備而無(wú)需諸如鍵盤(pán)或遙控器的單獨(dú)輸入設(shè)備的觸控功能的需求已逐漸 增加。另外，還需要能夠?qū)懭氲亩帱c(diǎn)觸控功能以及特定點(diǎn)識(shí)別。
[0033] 目前商品化的大多數(shù)觸屏面板（TSP)都基于透明導(dǎo)電ITO薄膜，但其問(wèn)題在 于，當(dāng)在大面積的觸屏面板中使用時(shí)，由透明ITO電極自身的相對(duì)高的表面電阻（最小 150 Ω/□，由日東電工株式會(huì)社（Nitto Denko Corporation)制造的ELECRYSTA產(chǎn)品）引 起的RC延遲，導(dǎo)致觸摸識(shí)別速度變得較低，且需要引入額外的補(bǔ)償芯片以便克服此問(wèn)題。
[0034] 在觸屏面板的屏幕單元的情況下，通常使用透明ITO電極，并且在配線單元中使 用具有相對(duì)小的電阻的金屬（Ag、Cu等），且由于最近對(duì)窄邊框的需求有所增加，對(duì)將金屬 沉積在ITO上的膜的需求也增加了。
[0035] 窄邊框涉及以下一種趨勢(shì)：在有限的便攜裝置尺寸中隨著觸屏增大，金屬線寬度 逐漸減小，并且隨著高分辨率屏幕變得更普遍，通道數(shù)目增加。
[0036] 現(xiàn)有方法通過(guò)絲網(wǎng)印刷Ag糊膏使用100μπι/100μπι(線寬/線間距）配線，然而， 在對(duì)窄邊框的需求上，需要使用曝光蝕刻方法以便獲得30 μ m/30 μ m，且通過(guò)將配線金屬沉 積在ITO膜上、接著干膜抗蝕劑（DFR)層壓所得物且接著曝光及蝕刻圖案來(lái)獲得微小線寬。
[0037] 作為用于沉積的金屬，通常使用具有優(yōu)異導(dǎo)電性的Ag、Cu、Al等，然而，特別是對(duì) 于Cu(其對(duì)抗氧化和腐蝕的能力較弱）通過(guò)層壓起到氧化和腐蝕防止層作用的Ni合金 (Cu-Ni、Ni-Cr等）來(lái)使用兩個(gè)或更多個(gè)層的結(jié)構(gòu)。
[0038] 在圖1中示意性地顯示制造導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體的現(xiàn)有方法。
[0039] 如圖1中所示，在現(xiàn)有技術(shù)中，將非晶形ITO形成于基板上，然后經(jīng)由熱處理工藝 等使非晶形ITO結(jié)晶。在此之后，將金屬層形成于結(jié)晶ITO上，且使用光刻法等使金屬層圖 案化。此類(lèi)方法的優(yōu)點(diǎn)在于穩(wěn)定地確保ITO的特性，然而，所述方法的問(wèn)題在于，歸因于非 晶形ITO的熱處理工藝的設(shè)施是復(fù)雜的，且工藝變得復(fù)雜。
[0040] 鑒于上述情況，根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施方式的制造導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體的方法包括在非晶 形透明導(dǎo)電層上形成金屬層，然后熱處理所得物以使透明導(dǎo)電氧化物層結(jié)晶。
[0041 ] 根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施方式的制造導(dǎo)電結(jié)構(gòu)體的方法能夠在使透明導(dǎo)電層結(jié)晶 之前在非晶形層上形成金屬層，因此，非晶形透明導(dǎo)電層和金屬層可經(jīng)由輥對(duì)輥工藝層壓， 因此，可簡(jiǎn)化工藝。
[0042] 本申請(qǐng)