具含銀的透明導(dǎo)電層的投影電容式觸控面板的制作方法
【專利說(shuō)明】具含銀的透明導(dǎo)電層的投影電容式觸控面板
[0001] 本申請(qǐng)?jiān)O(shè)及一種投影電容式觸控面板，特別是，具有含銀的透明導(dǎo)電層的投影電 容式觸控面板。
[000引發(fā)明背景
[0003] 一種電容式觸控面板包括絕緣體，例如玻璃，被涂上導(dǎo)電涂層。由于人體也是導(dǎo)電 體，當(dāng)接觸面板的表面時(shí)會(huì)導(dǎo)致面板的靜電場(chǎng)的變形，可測(cè)量電容的變化。透明觸摸面板可 與顯示器組合，例如形成觸摸屏的液晶面板。投影電容式（PROCA巧觸控面板允許手指或其 他接觸，通過(guò)導(dǎo)電涂層前的保護(hù)層被傳感。保護(hù)層增加耐久性，且同時(shí)可通過(guò)絕緣體傳感接 觸，允許用戶在戴手套時(shí)操作觸控面板。
[0004] 圖1(a)至圖1(g)中示出一種相關(guān)技術(shù)的電容式觸控面板的示例，例如，參照美國(guó) 專利No. 8, 138, 425,其公開的內(nèi)容被納入此處作為參考。
[000引參照?qǐng)D1 (a)，提供基片11，行的X軸導(dǎo)體12、絕緣體13、用于列的y軸導(dǎo)體14,和 導(dǎo)電跡線15?；?1可W是透明材料，例如玻璃。X軸導(dǎo)體12和y軸導(dǎo)體14可W是透明 導(dǎo)電涂層，通常為銅錫氧化物（IT0)。絕緣體13可W是任何絕緣材料（例如，氮化娃），其 抑制X軸導(dǎo)體12和y軸導(dǎo)體14之間的傳導(dǎo)性。跡線15在多個(gè)導(dǎo)體的每一個(gè)和信號(hào)處理 器（未示出）之間提供導(dǎo)電性。
[0006] 參照1圖化），X軸導(dǎo)體12 (例如，IT0)被形成在基片11上。ITO被涂在基片11 上的連續(xù)層中然后進(jìn)行第一次光刻處理，將ITO圖案化至X軸導(dǎo)體12。圖1(C)示出圖1化） 的橫斷面A-A'，包括形成在基片11上的X軸導(dǎo)體12。參照?qǐng)D1 (d)，絕緣體13被形成在基 片11上，于X軸導(dǎo)體12的X軸通道之上。圖1 (e)示出圖1 (d)的橫斷面B-B'，包括絕緣體 13,被形成在基片11和X軸導(dǎo)體12上。圖l(d)-(e)中示出的絕緣體區(qū)13通過(guò)將絕緣材 料（例如，氮化娃）的連續(xù)層沉積在基片11上被形成，于導(dǎo)體12之上，并對(duì)絕緣材料進(jìn)行 第二次光刻、蝕刻，或其他圖案化處理，將絕緣材料圖案化至絕緣體區(qū)13。參照?qǐng)D1(f)，然 后，y軸導(dǎo)體14被形成在基片上，于絕緣體區(qū)13和X軸導(dǎo)體之上。ITO被涂在基片11上， 于12、13之上，然后進(jìn)行第S次光刻或其他圖案化處理，將ITO圖案化至y軸導(dǎo)體14。當(dāng)大 部分y軸導(dǎo)體材料14被直接形成在基片11上，y軸通道被形成在絕緣體13上來(lái)抑制X軸 導(dǎo)體12和y軸導(dǎo)體14之間的傳導(dǎo)性。圖1 (g)示出圖1 (f)的橫斷面C-C'，包括y軸導(dǎo)體 14的一部分，其被形成在基片11上，于絕緣體區(qū)13之上并于示例性X軸導(dǎo)體12之上。應(yīng) 注意，圖l(a)-(g)中示出的制造該結(jié)構(gòu)的過(guò)程需要S個(gè)沉積步驟和S次光刻型處理，使制 造過(guò)程變得較麻煩，效率低、W及昂貴。
[0007] 圖1化）示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的投射電容式觸控面板的X軸導(dǎo)體12和y軸導(dǎo)體14 的交叉點(diǎn)的另一示例。參照?qǐng)D1化），ITO層被形成在基片11上，然后在第一次光刻處理中 被圖案化至X軸導(dǎo)體12和y軸導(dǎo)體14。然后，絕緣層被形成在基片上并在第二次光刻處理 中被圖案化至絕緣體區(qū)13。然后，金屬的導(dǎo)電層被形成在基片11上，于12-14之上，并在 第=次光刻處理中被圖案化至傳導(dǎo)性橋接16中。金屬的橋接16用于在X軸導(dǎo)體12上為 y軸導(dǎo)體14提供導(dǎo)電性。此外，此制造過(guò)程需要=個(gè)沉積步驟和=次不同的光刻處理。
[000引圖1(a)至1化）中示出的投影電容式觸控面板可W是互電容裝置和自電容裝置。
[0009] 在互電容裝置中，X軸導(dǎo)體12和y軸導(dǎo)體14(或金屬的橋接16)之間的每個(gè)交叉 點(diǎn)具有一個(gè)電容器。當(dāng)y軸導(dǎo)體14的電壓被測(cè)量時(shí)電壓被施加至X軸導(dǎo)體12 (反之亦然）。 當(dāng)用戶將手指或鐵筆靠近裝置的表面時(shí)，局部靜電場(chǎng)中的變化減少互電容。網(wǎng)格上的各散 點(diǎn)的電容變化可被測(cè)量，來(lái)準(zhǔn)確地確定接觸位置。
[0010] 在自電容裝置中，X軸導(dǎo)體12和y軸導(dǎo)體14本質(zhì)上獨(dú)立操作。經(jīng)自電容，手指等 的電容負(fù)載通過(guò)流速計(jì)在各X軸導(dǎo)體12和y軸導(dǎo)體14上被測(cè)量。
[0011] 如圖1(g)和1似中所示出的，相關(guān)技術(shù)的投射電容式觸控面板需要至少；個(gè)薄 膜層（例如ITO層、絕緣體、和其他ITO層或金屬的橋接），形成在基片11上來(lái)制備觸摸感 應(yīng)結(jié)構(gòu)，且W上可能具有進(jìn)一步的保護(hù)層。各薄膜層通常具有各自的光刻和/或激光圖案 化過(guò)程，增加了制造成本和/或時(shí)間。
[0012] 如上所述，透明的導(dǎo)體12和14通常為銅錫氧化物（ITO)，其成本較高。ITO層還具 有較高的片電阻（至少約100歐姆/平方）。為了使ITO層具有小于5歐姆/平方的片電 阻，層必須較厚（例如，大于400nm)。較厚的ITO層比較昂貴并且不太透明。因此，較薄的 ITO層片電阻較高，限制其被用于大型觸控面板（例如，具有5英寸W上的對(duì)角線的面板） 上需要狹長(zhǎng)跡線的布局中。應(yīng)理解，當(dāng)前需要在本技術(shù)領(lǐng)域中解決上述指出的一個(gè)或多個(gè) 問(wèn)題。
[0013] 發(fā)明的示例性實(shí)施例概述
[0014] 上述和其他缺陷可通過(guò)一種具有含銀的透明導(dǎo)電層的投影電容式觸控面板被克 月良，其中，含銀的層可夾在至少第一和第二介質(zhì)層之間。
[0015] 在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，提供一種電容式觸控面板，包括；基片；含有銀的透 明導(dǎo)電層，其由所述基片支撐，其形成行電極，多個(gè)列電極，和多個(gè)跡線的矩陣；W及信號(hào)處 理器，按順序測(cè)量各行電極和相鄰的列電極之間的電容，其中，所述行電極，多個(gè)列電極，和 多個(gè)跡線，位于與所述基片基本平行的平面上，各行電極通過(guò)多個(gè)跡線中的至少一個(gè)，與所 述處理器電連接，且所述多個(gè)跡線基本與列電極平行。
[0016] 在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，提供一種用于制造含有基片和信號(hào)處理器的投影電 容式觸控面板的方法，所述方法包括；將含有銀的透明導(dǎo)電涂層沉積在基片上，從而形成行 電極、多個(gè)列電極、和多個(gè)跡線的矩陣，其中，所述行電極，多個(gè)列電極，和多個(gè)跡線的矩陣 位于與所述基片基本平行的平面上，各行電極通過(guò)多個(gè)跡線中的至少一個(gè)與所述信號(hào)處理 器電連接，且所述多個(gè)跡線與所述列電極基本平行。
[0017] 所述含有銀的透明導(dǎo)電涂層，從所述基片按順序可包括：第一基于娃的層；第一 介質(zhì)層；第二介質(zhì)層，經(jīng)第=介質(zhì)層被分離，從而形成第二介質(zhì)層的第一和第二部分；銀 層，位于所述第二介質(zhì)層的第二部分之上并直接與其接觸；含有鑲和/或銘的氧化物的上 接觸層，直接位于所述銀層之上并與其接觸；第四介質(zhì)層，和第二基于娃的層，其中，所述第 =介質(zhì)層包括氧化鐵或氧化錫。
[001引附圖簡(jiǎn)要說(shuō)明
[0019] 圖1 (a)至1化）是示出相關(guān)技術(shù)的投影電容式觸控面板的示例。
[0020] 圖2(a)是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的投影電容式觸控面板的頂部或底部計(jì)劃布 局。
[0021] 圖2化）是示出圖2(a)和/或3中的投影電容式觸控面板的電路示意圖。
[0022] 圖3是示出根據(jù)另一示例性實(shí)施例的投影電容式觸控面板的頂部或底部計(jì)劃布 局。
[0023] 圖4是示出根據(jù)示例性實(shí)施例，圖2-3中的觸控面