一種純ito膜結(jié)構(gòu)單層多點(diǎn)的電容式觸摸屏制作工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及觸摸屏制作技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種純IT0膜結(jié)構(gòu)單層多點(diǎn)的電容式 觸摸屏制作工藝。
【背景技術(shù)】
[0002] 電容式觸摸屏是一種計(jì)算機(jī)輸入輸出設(shè)備，具有可靠性高、耐用性好等優(yōu)點(diǎn)，廣泛 應(yīng)用于通訊、消費(fèi)類電子、儀器儀表等多個(gè)方面，是智能移動(dòng)終端人機(jī)交互的重要部件。電 容觸摸屏是將手指或者導(dǎo)電介質(zhì)在觸摸時(shí)與基板上的電極間所產(chǎn)生的電容變化，通過驅(qū)動(dòng) 芯片的數(shù)字轉(zhuǎn)換，輸出手指或者導(dǎo)電介質(zhì)觸控的坐標(biāo)位置。目前電容式觸摸屏已經(jīng)廣泛應(yīng) 用于手機(jī)，平板等領(lǐng)域。按基材劃分，有膜結(jié)構(gòu)和玻璃結(jié)構(gòu)兩種，按貼合結(jié)構(gòu)劃分有G+F、 G+F2、0GS、〇n-cell、in-cell等。按工藝劃分，一般有黃光、鐳射、印刷等幾個(gè)方向。
[0003] 電容式觸摸屏感應(yīng)器的制造方法主要有印刷制程、鐳雕制程和黃光制程等。印刷 制程工藝簡單，設(shè)備成本較低，但其線路精度只能做到0. 1_，而且線性度較差，觸控感應(yīng)不 靈敏，不適合大尺寸的感應(yīng)器制作；鐳雕制程線路精度可達(dá)到0. 05mm，但存在工藝效率和 爆點(diǎn)問題，不適合復(fù)雜圖形的批量生產(chǎn)；黃光制程線路精度可達(dá)到0. 〇4_，線性度良好，觸 控感應(yīng)靈敏，支持復(fù)雜圖形的設(shè)計(jì)，是目前比較主流的生產(chǎn)方式。傳統(tǒng)的黃光制程工藝是對 感應(yīng)器的IT0層采用多次曝光顯影的制作方法，對金屬層采用銀漿印刷的方法，這樣的工 藝需要多次圖像成型，工序較為復(fù)雜，對上下層圖形的對位精準(zhǔn)度要求較高，金屬層線寬較 大，優(yōu)良率低。
[0004] 現(xiàn)有公開的一種菲林結(jié)構(gòu)電容式觸摸屏感應(yīng)器線路圖的一體成型制作方法及其 制成的產(chǎn)品，包括：裁切預(yù)定尺寸的鍍銅IT0 ;在鍍銅IT0表面上涂敷液態(tài)光刻膠，并烘烤 固化為光阻層；采用光罩對涂上光阻層的鍍銅IT0進(jìn)行曝光；將曝光后的鍍銅IT0進(jìn)行顯 影；將顯影后的鍍銅IT0進(jìn)行金屬圖案蝕刻；將蝕刻出金屬圖案后的鍍銅IT0進(jìn)行IT0圖 案蝕刻；將蝕刻后的鍍銅IT0的光阻層進(jìn)行剝離。該方法中采用鍍銅IT0膜為材料，在制 作工藝中增加了對金屬的蝕刻工序，且浪費(fèi)材料；同時(shí)，該工藝得到的產(chǎn)品精準(zhǔn)度偏低，產(chǎn) 品厚度較厚，不良率較高，存在金屬蝕刻時(shí)的側(cè)蝕問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種基于一次曝光成型的純IT0膜 的觸摸屏感應(yīng)器生產(chǎn)工藝的單層多點(diǎn)方案，純IT0膜的單層結(jié)構(gòu)比傳統(tǒng)黃光工藝的鍍銅 IT0結(jié)構(gòu)節(jié)省制作工序，省去原材鍍銅膜的消耗，為生產(chǎn)節(jié)約成本。同時(shí)將原來銀漿跳線的 部分印刷改變成整個(gè)金屬層的銀漿印刷，以銀線代替銅線，避免了銅蝕刻的側(cè)蝕問題，同時(shí) 節(jié)省了蝕刻和側(cè)蝕抑制的藥劑使用。
[0006] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的一種純IT0膜結(jié)構(gòu)單層多點(diǎn)的電容式觸摸屏制 作工藝，依次包括以下步驟： S1、老化：對純IT0膜進(jìn)行高溫老化，利用高溫老化可以改善IT0膜基材的穩(wěn)定性，提 高ITO膜的透過率，同時(shí)消除部分光學(xué)上的偏振現(xiàn)象，減少光膜層之間的光學(xué)干涉；其次， 可以改變IT0膜表面的電阻；第三，可將IT0從非結(jié)晶狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榻Y(jié)晶狀態(tài)，提高穩(wěn)定性； 52、 涂布：在經(jīng)步驟S1老化后的IT0膜表面涂敷液態(tài)光阻劑，并烘烤使得所述液態(tài)光阻 劑固化為光阻層； 53、 曝光：對涂敷在IT0膜表面上的光阻層進(jìn)行曝光； 54、 顯影：將經(jīng)步驟S3曝光后的IT0膜用堿性溶液進(jìn)行顯影，在光阻層上產(chǎn)生圖案； 55、 蝕刻：將經(jīng)步驟S4顯影后的IT0膜用酸性溶液進(jìn)行蝕刻，在IT0膜上形成圖形；與 傳統(tǒng)的黃光工藝采用鍍銅IT0膜相比，減少了銅的蝕刻工序； 56、 剝膜：將經(jīng)步驟S5蝕刻后的IT0膜用堿性溶液去除IT0膜表面的光阻層； 57、 絕緣印刷：在經(jīng)過步驟S6剝膜后的IT0膜上印刷透明的絕緣油墨，并在紫外燈照射 下固化絕緣油墨；絕緣油墨起到隔絕導(dǎo)電銀漿和IT0膜的接觸作用，使本制作工藝中的搭 橋技術(shù)更加方便、精確； 58、 銀漿印刷：在經(jīng)過步驟S7后的IT0膜上印刷導(dǎo)電銀漿，本步驟將原來銀漿跳線的 部分印刷改變成整個(gè)金屬層的銀漿印刷，這部分只需要將原來網(wǎng)板的跳線圖案改變成整個(gè) 金屬層圖案即可，以銀線代替銅線，避免了銅蝕刻的側(cè)蝕問題；與傳統(tǒng)的黃光工藝采用鍍銅 IT0膜相比，沒有了原先鍍好的銅，即金屬層由銀漿印刷來完成，由于銀漿印刷只需要在周 邊線路上涂上少量的線條，不需要像鍍銅一樣，全面覆蓋再蝕刻； 59、 烘烤：將經(jīng)過步驟S8后的IT0膜置于烤箱中，固化導(dǎo)電銀漿形成線路，得到所述純 IT0膜結(jié)構(gòu)單層多點(diǎn)的電容式觸摸屏成品。
[0007] 優(yōu)選的，所述步驟S1中的老化溫度為140°C。
[0008] 進(jìn)一步的，所述的步驟S2中涂敷液態(tài)光阻劑為正性光刻膠，厚度為4~7um，所述 烘烤固化溫度為100~130°C。
[0009] 更進(jìn)一步的，所述的步驟S3的曝光是在黃光環(huán)境中，用波長為200~400nm的紫外 線垂直照射光阻層，曝光能量為200~300J/cm2。
[0010] 更進(jìn)一步的，所述步驟S4中顯影溫度為20-30°C，顯影時(shí)間為30-70s;所述堿性 溶液為氫氧化鈉或碳酸鈉溶液，質(zhì)量濃度為〇. 1~1.〇 %wt。
[0011] 更進(jìn)一步的，所述步驟S5中蝕刻溫度為30-50°C，蝕刻時(shí)間為20-80S ;所述酸性 溶液為硝酸或鹽酸溶液，質(zhì)量濃度為18~22%wt。
[0012] 更進(jìn)一步的，所述步驟S6中剝膜溫度為35-45°C，剝膜時(shí)間為30-50s;所述堿性 溶液為氫氧化鈉或碳酸鈉溶液，質(zhì)量濃度為1. 5~2. 5%wt。
[0013] 更進(jìn)一步的，所述步驟S9中烘烤溫度為138~142°C，烘烤時(shí)間為20min。
[0014] 優(yōu)選的，所述步驟S7中的絕緣油墨為日本東洋紡績株式會(huì)社的型號為FR-200C-4 的絕緣油墨，所述絕緣油墨印刷厚度為8~11um。
[0015] 優(yōu)選的，所述步驟S8中的導(dǎo)電銀漿為日本東洋紡績株式會(huì)社的型號為 DW-440L-29C的導(dǎo)電銀漿，所述導(dǎo)電銀漿印刷厚度為9~12um。
[0016] 本發(fā)明的有益效果：（1)本發(fā)明采用純ITO膜作為原材，與傳統(tǒng)的黃光工藝采用 鍍銅IT0膜相比，減少了銅的蝕刻工序，將原來銀漿跳線的部分印刷改變成整個(gè)金屬層的 銀漿印刷，以銀線代替銅線，避免了銅蝕刻的側(cè)蝕問題，同時(shí)節(jié)省了蝕刻和側(cè)蝕抑制的藥劑 使用；（2)本發(fā)明采用純IT0膜作為原材，在原材方面，純IT0的價(jià)格也低于鍍銅IT0膜的 價(jià)格，與傳統(tǒng)的黃光工藝采用鍍銅ITO膜相比，沒有了原先鍍好的銅，即金屬層由銀漿印刷 來完成，由于銀漿印刷只需要在周邊線路上涂上少量的線條，不需要像鍍銅一樣，全面覆蓋 再蝕刻，節(jié)省了金屬層的材料消耗和蝕刻消耗的藥劑，獲得一定的利潤空間；（3)在工藝方 面，節(jié)省制作工序，即可節(jié)省人力、能源、輔材等多方面的的資源，同時(shí)減少不良率。
【附圖說明】
[0017] 圖1為本發(fā)明一種純IT0膜結(jié)構(gòu)單層多點(diǎn)的電容式觸摸屏制作工藝流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018] 下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說明本發(fā) 明的技術(shù)方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0019] 實(shí)施例1 本發(fā)明提供的一種純IT0膜結(jié)構(gòu)單層多點(diǎn)的電容式觸摸屏制作工藝，請參閱圖1所示， 依次包括以下步驟：裁切預(yù)定尺寸的IT0膜后，依次進(jìn)行如下步驟； 51、 老化：對純IT0膜進(jìn)行高溫老化，老化溫度為140°C，利用高溫老化可以改善IT0膜 基材的穩(wěn)定性，提高IT0膜的透過率，同時(shí)消除部分光學(xué)上的偏振現(xiàn)象，減少光膜層之間的 光學(xué)干涉；其次，可以改變IT0膜表面的電阻；第三，可將IT0從非結(jié)晶狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榻Y(jié)晶狀 態(tài)，提尚穩(wěn)定性； 52、 涂布：在經(jīng)步驟S1老化后的IT0膜表面涂敷液態(tài)光阻劑，所述液態(tài)光阻劑為蘇州 瑞紅電子化學(xué)品有限公司生產(chǎn)的型號為RZJ-2500正性光刻膠，涂敷液態(tài)光阻劑的厚度為4 um，并在KKTC下烘烤，使液態(tài)光阻劑固化，凝固在IT0表面形成光阻層；利用高溫固化光阻 劑使其溶劑揮發(fā)，不影響光阻劑的效果； 53、 曝光：對涂敷在IT0膜表面上的光阻層進(jìn)行曝光，采用光罩對涂敷有光阻層進(jìn)行曝 光，在黃光環(huán)境下，用波長為200nm的紫外線從光罩面向光阻層的方向垂直照射，對光阻層 的曝光能量為200~300J/cm2; 54、 顯影：將經(jīng)步驟S3曝光后的ITO膜用堿性溶液進(jìn)行顯影，在黃光環(huán)境下，將曝光后 的IT0膜浸泡在溫度為20°C，質(zhì)量濃度為0.l%wt的氫氧化鈉溶液中進(jìn)行顯影，顯影時(shí)間為 30s，在光阻層上產(chǎn)生圖案； 55、 蝕刻：將經(jīng)步驟S4顯影后的IT0膜用酸性溶液進(jìn)行蝕刻，是將顯影后IT0膜浸泡在 溫度為30°C，質(zhì)量濃度為18%wt的硝酸溶液中進(jìn)行蝕刻，蝕刻時(shí)間為20s，在IT0膜上形成 圖形； 56、 剝膜：將經(jīng)步驟S5蝕刻后的IT0膜用堿性溶液去除IT0膜表面的光阻層，是將經(jīng)過 蝕刻后的IT0膜浸泡在溫度為35°C，質(zhì)量濃度為1. 5%wt的氫氧化鈉溶液中進(jìn)行剝膜，剝膜 時(shí)間為30s; 57、 絕緣印刷：將經(jīng)過步驟S6剝膜后的IT0膜置于涂敷透明絕緣油墨且有線路圖形的 網(wǎng)板下，用刮膠刮動(dòng)，將透明的絕緣油墨按照網(wǎng)板上的線路圖形均勻的擠壓印刷在IT0膜 上，并在紫外燈照射下烘烤固化，紫外光固化能量為1000mj/cm2,所述的絕緣油墨為日本 東洋紡績株式會(huì)社的型號為FR-200C-4的絕緣油墨； 58、 銀漿印刷：將經(jīng)過步驟S7絕緣油墨印刷后的IT0膜置于涂敷導(dǎo)電銀漿且有線路圖 形的網(wǎng)板下，用刮膠刮動(dòng)，將導(dǎo)電銀漿按照網(wǎng)板上的線路圖形均勻的擠壓印刷在鍍銅ITO膜上，所述導(dǎo)電銀漿為日本東洋紡績株式會(huì)社的型號為DW-440L-29C的導(dǎo)電銀漿； S9、烘烤：將經(jīng)過步驟S8后的IT0膜置于烘烤溫度為138°C的烤箱中，烘烤20min，固 化導(dǎo)電銀漿形成線路，得到所述純IT0膜結(jié)構(gòu)單層多點(diǎn)的電容式觸摸屏成品。
[0020] 實(shí)施例2 本發(fā)明提供的一種純IT0膜結(jié)構(gòu)單層多點(diǎn)的電容式觸摸屏制作工藝，請參閱圖1所示， 依次包括以下步驟：裁切預(yù)定尺寸的IT0膜后，依次進(jìn)行如下步驟； 51、 老化：對純IT0膜進(jìn)行高溫老化，老化溫度為140°C，利用高溫老化可以改善IT0膜 基材的穩(wěn)定性，提高IT0膜的透過率，同時(shí)消除部分光學(xué)上的偏振現(xiàn)象，減少光膜層之間的 光學(xué)干涉；其次，可以改變IT0膜表面的電阻；第三，可將IT0從非結(jié)晶狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榻Y(jié)晶狀 態(tài)，提尚穩(wěn)定性； 52、 涂布：在經(jīng)步驟S1老化后的IT0膜表面涂敷液態(tài)光阻劑，所述液態(tài)光阻劑為蘇州 瑞紅電子化學(xué)品有限公司生產(chǎn)的型號為RZJ-2500正性光刻膠，涂敷液態(tài)光阻劑的厚度為5 um，并在120°C下烘烤，使液態(tài)光阻劑固化，凝固在IT0表面形成光阻層；利用高溫固化光阻 劑使其溶劑揮發(fā)，不影響光阻劑的效果； 53、 曝光：對涂敷在IT0膜表面上的光阻層進(jìn)行曝光，采用光罩對涂敷有光阻層進(jìn)行曝 光，在黃光環(huán)境下，用波長為300nm的紫外線從光罩面向光阻層的方向垂直照射