本發(fā)明涉及電壓補(bǔ)償技術(shù)，尤其涉及一種用于芯片的電壓波動(dòng)補(bǔ)償控制方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片的集成度越來(lái)越高，功能越來(lái)越復(fù)雜，工作頻率也不斷提高。這些因素導(dǎo)致芯片的功耗持續(xù)增加，同時(shí)對(duì)供電電壓的穩(wěn)定性要求也越來(lái)越高。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，芯片的供電電壓常常會(huì)出現(xiàn)波動(dòng)，這些波動(dòng)可能源于多種因素，如負(fù)載變化、電源噪聲、溫度變化等。電壓波動(dòng)會(huì)對(duì)芯片的性能、可靠性和壽命產(chǎn)生不利影響，嚴(yán)重時(shí)甚至可能導(dǎo)致芯片故障。

2、現(xiàn)有技術(shù)中，一般通過(guò)在芯片電源端增加去耦電容等無(wú)源元件，減少電壓波動(dòng)的幅度。這種方法簡(jiǎn)單易行，但效果有限，難以應(yīng)對(duì)快速、大幅度的電壓波動(dòng)。也有基于歷史數(shù)據(jù)和負(fù)載模型，預(yù)測(cè)可能出現(xiàn)的電壓波動(dòng)，并提前進(jìn)行補(bǔ)償。這種方法可以提高補(bǔ)償?shù)募皶r(shí)性，但預(yù)測(cè)精度受多種因素影響，實(shí)際效果可能不穩(wěn)定。

3、因此，亟需一種新的電壓波動(dòng)補(bǔ)償控制方法及系統(tǒng)，能夠克服現(xiàn)有技術(shù)的局限性，實(shí)現(xiàn)更加精確、快速、高效且智能的電壓波動(dòng)補(bǔ)償，以滿(mǎn)足現(xiàn)代芯片和多芯片系統(tǒng)日益嚴(yán)格的供電要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于芯片的電壓波動(dòng)補(bǔ)償控制方法及系統(tǒng)，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題。

2、本發(fā)明實(shí)施例的第一方面，

3、提供一種用于芯片的電壓波動(dòng)補(bǔ)償控制方法，包括：

4、在多芯片系統(tǒng)的每個(gè)芯片上布置電壓傳感器和智能體，利用所述電壓傳感器采集所在芯片的局部電壓數(shù)據(jù)，并通過(guò)無(wú)線通信網(wǎng)絡(luò)與相鄰芯片上的電壓傳感器進(jìn)行數(shù)據(jù)交互，利用基于卡爾曼濾波的多傳感器信息融合算法將各個(gè)電壓傳感器采集到的局部電壓數(shù)據(jù)進(jìn)行融合，得到多芯片系統(tǒng)的分布式電壓波動(dòng)數(shù)據(jù)；

5、根據(jù)所述分布式電壓波動(dòng)數(shù)據(jù)，生成表征多芯片系統(tǒng)整體電壓分布的電壓波動(dòng)分布圖，基于得到的電壓波動(dòng)分布圖，利用自適應(yīng)調(diào)度算法動(dòng)態(tài)調(diào)整各個(gè)電壓傳感器的工作狀態(tài)和數(shù)據(jù)上報(bào)頻率，同時(shí)利用各個(gè)電壓傳感器上設(shè)置的智能體，基于所述電壓波動(dòng)分布圖和各個(gè)電壓傳感器的當(dāng)前工作狀態(tài)，利用模型預(yù)測(cè)控制算法得到芯片級(jí)的電壓補(bǔ)償控制數(shù)據(jù)；

6、利用基于共識(shí)機(jī)制的分布式優(yōu)化算法，將各個(gè)智能體所得到的電壓補(bǔ)償控制數(shù)據(jù)進(jìn)行迭代融合和更新，直至滿(mǎn)足預(yù)設(shè)的迭代次數(shù)，得到全局最優(yōu)電壓控制補(bǔ)償數(shù)據(jù)，并利用在線學(xué)習(xí)算法對(duì)所述全局最優(yōu)電壓補(bǔ)償控制數(shù)據(jù)進(jìn)行自適應(yīng)優(yōu)化，根據(jù)優(yōu)化后的全局最優(yōu)電壓補(bǔ)償控制數(shù)據(jù)，控制各個(gè)芯片中的電源管理電路對(duì)芯片的供電電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，并通過(guò)智能功率管理策略最小化供電電壓調(diào)節(jié)過(guò)程中的能量損耗，以實(shí)現(xiàn)多芯片系統(tǒng)的電壓波動(dòng)補(bǔ)償。

7、在一種可選的實(shí)施例中，

8、基于所述電壓波動(dòng)分布圖和各個(gè)電壓傳感器的當(dāng)前工作狀態(tài)，利用模型預(yù)測(cè)控制算法得到芯片級(jí)的電壓補(bǔ)償控制數(shù)據(jù)包括：

9、構(gòu)建描述芯片電壓響應(yīng)行為的偏微分方程，所述偏微分方程包括泊松方程和熱方程，其中，所述泊松方程的源項(xiàng)為芯片中各單元的瞬時(shí)電流分布；所述熱方程的源項(xiàng)為芯片中各單元的焦耳熱；

10、基于構(gòu)建的偏微分方程，設(shè)計(jì)全連接神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，所述全連接神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)以芯片中節(jié)點(diǎn)的時(shí)空坐標(biāo)和芯片中各單元瞬時(shí)電流分布為輸入，以芯片中節(jié)點(diǎn)的電壓分布和溫度分布為輸出；

11、構(gòu)建全連接神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的聯(lián)合損失函數(shù)，所述聯(lián)合損失函數(shù)包括數(shù)據(jù)擬合損失和物理約束損失，并通過(guò)自適應(yīng)梯度優(yōu)化算法，通過(guò)最小化聯(lián)合損失函數(shù)訓(xùn)練全連接神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，得到最終的芯片電壓響應(yīng)預(yù)測(cè)模型；

12、給定芯片中任意節(jié)點(diǎn)的時(shí)空坐標(biāo)和電流激勵(lì)，將其輸入到所述芯片電壓響應(yīng)預(yù)測(cè)模型中，預(yù)測(cè)得到當(dāng)前節(jié)點(diǎn)處的瞬時(shí)電壓值和瞬時(shí)溫度值，結(jié)合電壓波動(dòng)分布圖和各個(gè)電壓傳感器的當(dāng)前工作狀態(tài)，分析芯片中各個(gè)模塊的功耗情況，根據(jù)分析結(jié)果動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)各個(gè)模塊的工作頻率和電壓，得到芯片級(jí)的電壓補(bǔ)償控制數(shù)據(jù)。

13、在一種可選的實(shí)施例中，

14、構(gòu)建全連接神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的聯(lián)合損失函數(shù)，所述聯(lián)合損失函數(shù)包括數(shù)據(jù)擬合損失和物理約束損失包括：

15、所述聯(lián)合損失函數(shù)的計(jì)算公式如下：

16、；

17、其中，l(θ)表示聯(lián)合損失函數(shù)，θ表示全連接神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)參數(shù)，ldata(θ)表示數(shù)據(jù)擬合損失，λ表示物理約束損失的權(quán)重系數(shù)，lphys(θ)表示物理約束損失；

18、所述數(shù)據(jù)擬合損失的計(jì)算公式如下：

19、；

20、其中，n表示樣本數(shù)量，表示預(yù)測(cè)電壓值， φ i表示實(shí)際電壓值，表示預(yù)測(cè)溫度值，t i表示實(shí)際溫度值；

21、所述物理約束損失的計(jì)算公式如下：

22、；

23、其中，ω表示芯片的求解域，▽表示梯度運(yùn)算符，σ表示熱導(dǎo)率，?表示偏導(dǎo)數(shù)，ρ表示電荷密度，t表示時(shí)間，k表示單元數(shù)量，ik(t)表示第k個(gè)單元在t時(shí)刻的瞬時(shí)電流，δ(·)表示三維狄拉克函數(shù)，x表示芯片中的x軸坐標(biāo)，y表示芯片中的y軸坐標(biāo)，z表示芯片中的z軸坐標(biāo)，xk表示第k個(gè)單元的x軸坐標(biāo)，yk表示第k個(gè)單元的y軸坐標(biāo)，zk表示第k個(gè)單元的z軸坐標(biāo)，cp表示比熱容，η表示熱擴(kuò)散率。

24、在一種可選的實(shí)施例中，

25、利用基于共識(shí)機(jī)制的分布式優(yōu)化算法，將各個(gè)智能體所得到的電壓補(bǔ)償控制數(shù)據(jù)進(jìn)行迭代融合和更新，直至滿(mǎn)足預(yù)設(shè)的迭代次數(shù)，得到全局最優(yōu)電壓控制補(bǔ)償數(shù)據(jù)包括：

26、構(gòu)建多芯片系統(tǒng)的通信拓?fù)鋱D模型，所述通信拓?fù)鋱D模型包括節(jié)點(diǎn)特征矩陣和邊特征矩陣，其中節(jié)點(diǎn)特征矩陣中的元素表示對(duì)應(yīng)節(jié)點(diǎn)的電壓狀態(tài)信息，邊特征矩陣中的元素表示對(duì)應(yīng)節(jié)點(diǎn)之間的通信鏈路信息；

27、每個(gè)節(jié)點(diǎn)采集當(dāng)前時(shí)刻的自身電壓測(cè)量值，通過(guò)與鄰居節(jié)點(diǎn)通信獲得當(dāng)前時(shí)刻鄰居節(jié)點(diǎn)的電壓測(cè)量值以及與鄰居節(jié)點(diǎn)之間的通信鏈路信息；

28、針對(duì)每個(gè)節(jié)點(diǎn)，將所述當(dāng)前時(shí)刻的自身電壓測(cè)量值、鄰居節(jié)點(diǎn)電壓測(cè)量值以及通信鏈路信息輸入至通信拓?fù)鋱D模型，經(jīng)過(guò)至少兩層圖卷積層和注意力層的前向傳播計(jì)算，輸出當(dāng)前節(jié)點(diǎn)的電壓補(bǔ)償控制量；

29、將得到的電壓補(bǔ)償控制量作為反饋值，與當(dāng)前時(shí)刻的自身電壓測(cè)量值疊加，得到更新后的節(jié)點(diǎn)電壓狀態(tài)，并通過(guò)鄰居通信機(jī)制將更新后的節(jié)點(diǎn)電壓狀態(tài)廣播給鄰居節(jié)點(diǎn)；

30、各個(gè)節(jié)點(diǎn)根據(jù)接收到的鄰居節(jié)點(diǎn)電壓狀態(tài)，更新自身所存儲(chǔ)的鄰居節(jié)點(diǎn)電壓狀態(tài)，重復(fù)迭代直至滿(mǎn)足預(yù)設(shè)的迭代次數(shù)，得到全局最優(yōu)電壓控制補(bǔ)償數(shù)據(jù)。

31、在一種可選的實(shí)施例中，

32、構(gòu)建多芯片系統(tǒng)的通信拓?fù)鋱D模型包括：

33、采用基于圖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的圖編碼器提取當(dāng)前時(shí)刻多芯片系統(tǒng)的通信拓?fù)鋱D的特征表示，所述圖編碼器通過(guò)自注意力機(jī)制聚合節(jié)點(diǎn)特征和鄰域信息，并引入殘差連接和層歸一化操作增強(qiáng)節(jié)點(diǎn)特征表示能力，得到增強(qiáng)后的當(dāng)前時(shí)刻圖特征表示；

34、將增強(qiáng)后的當(dāng)前時(shí)刻圖特征表示與歷史軌跡信息輸入到基于注意力機(jī)制的軌跡更新模塊中進(jìn)行融合，所述軌跡更新模塊通過(guò)位置感知注意力機(jī)制自適應(yīng)地聚合不同歷史時(shí)刻的圖狀態(tài)特征表示，并更新隱藏狀態(tài)，得到融合后的當(dāng)前時(shí)刻隱藏狀態(tài)；

35、利用預(yù)設(shè)的基于transformer架構(gòu)的自回歸模型對(duì)融合后的當(dāng)前時(shí)刻隱藏狀態(tài)進(jìn)行解碼，所述自回歸模型通過(guò)多頭自注意力機(jī)制和位置編碼建模節(jié)點(diǎn)間的依賴(lài)關(guān)系，并使用邊預(yù)測(cè)注意力層聚合節(jié)點(diǎn)對(duì)的表示，預(yù)測(cè)生成下一時(shí)刻節(jié)點(diǎn)之間的連接概率，得到預(yù)測(cè)生成的下一時(shí)刻通信拓?fù)鋱D；

36、將下一時(shí)刻通信拓?fù)鋱D作為更新后的當(dāng)前時(shí)刻多芯片系統(tǒng)的通信拓?fù)鋱D，使用圖編碼器提取其圖特征表示，并將提取到的圖特征表示加入到歷史軌跡信息中作為最新的歷史圖狀態(tài)特征表示，重復(fù)迭代直到滿(mǎn)足預(yù)設(shè)的迭代次數(shù)，得到最終的多芯片系統(tǒng)的通信拓?fù)鋱D。

37、在一種可選的實(shí)施例中，

38、根據(jù)優(yōu)化后的全局最優(yōu)電壓補(bǔ)償控制數(shù)據(jù)，控制各個(gè)芯片中的電源管理電路對(duì)芯片的供電電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，并通過(guò)智能功率管理策略最小化供電電壓調(diào)節(jié)過(guò)程中的能量損耗，以實(shí)現(xiàn)多芯片系統(tǒng)的電壓波動(dòng)補(bǔ)償包括：

39、在芯片內(nèi)設(shè)置多個(gè)電力路由單元，每個(gè)電力路由單元包括功率開(kāi)關(guān)矩陣和控制器，利用控制器動(dòng)態(tài)配置功率開(kāi)關(guān)矩陣的開(kāi)關(guān)連接狀態(tài)，構(gòu)建芯片內(nèi)部能量傳輸路徑，相鄰電力路由單元之間直接連通，通過(guò)控制相鄰電力路由單元的連接狀態(tài)，搭建覆蓋整個(gè)芯片的電力路由網(wǎng)絡(luò)；

40、將芯片劃分為多個(gè)區(qū)域，每個(gè)區(qū)域設(shè)置一個(gè)本地能量路由中心，區(qū)域內(nèi)電力路由單元與對(duì)應(yīng)的本地能量路由中心連接，逐級(jí)匯聚能量；基于樹(shù)形的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在相鄰芯片的能量路由中心之間引入環(huán)形連接，最終得到多芯片系統(tǒng)的分層能量路由拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)；

41、基于多芯片系統(tǒng)的分層能量路由拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，利用自適應(yīng)能量路由算法，獲取各芯片的能量供需狀態(tài)數(shù)據(jù)，基于獲取的能量供需狀態(tài)數(shù)據(jù)構(gòu)建系統(tǒng)狀態(tài)空間，將每個(gè)所述電力路由單元的可能路由動(dòng)作定義為路由動(dòng)作空間，以能量損耗作為即時(shí)獎(jiǎng)勵(lì)函數(shù)；基于系統(tǒng)狀態(tài)空間、路由動(dòng)作空間和即時(shí)獎(jiǎng)勵(lì)函數(shù)，求解各系統(tǒng)狀態(tài)下的最優(yōu)路由動(dòng)作序列，形成動(dòng)態(tài)調(diào)整的智能功率管理策略；

42、引入跨芯片電壓均衡機(jī)制，在每個(gè)芯片上集成電壓傳感器，采集各芯片的實(shí)時(shí)電壓數(shù)據(jù)，通過(guò)電力路由網(wǎng)絡(luò)將采集的電壓數(shù)據(jù)共享至其他芯片，基于共享的電壓數(shù)據(jù)，計(jì)算各芯片間的電壓差異，并設(shè)定統(tǒng)一的電壓均衡閾值，計(jì)算各芯片節(jié)點(diǎn)的電壓數(shù)據(jù)相對(duì)于電壓均衡閾值的電壓偏移量；選擇電壓偏移量最大的芯片作為源芯片，電壓偏移量最小的芯片作為宿芯片；

43、根據(jù)得到的智能功率管理策略，規(guī)劃從源芯片到宿芯片的能量分配路徑，通過(guò)源芯片與宿芯片上對(duì)應(yīng)的電力路由單元中的功率開(kāi)關(guān)矩陣，實(shí)現(xiàn)源芯片向宿芯片的定向能量傳輸，完成局部區(qū)域的電壓波動(dòng)補(bǔ)償；

44、持續(xù)監(jiān)測(cè)各芯片的電壓水平變化，判斷各芯片的電壓水平是否均已達(dá)到電壓均衡閾值范圍內(nèi)；若否，則重復(fù)執(zhí)行局部區(qū)域的電壓波動(dòng)補(bǔ)償步驟，直至所有芯片的電壓水平均達(dá)到電壓均衡閾值范圍內(nèi)，完成多芯片系統(tǒng)的電壓波動(dòng)補(bǔ)償。

45、在一種可選的實(shí)施例中，

46、基于系統(tǒng)狀態(tài)空間、路由動(dòng)作空間和即時(shí)獎(jiǎng)勵(lì)函數(shù)，求解各系統(tǒng)狀態(tài)下的最優(yōu)路由動(dòng)作序列，形成動(dòng)態(tài)調(diào)整的智能功率管理策略包括：

47、引入資格跡和特征函數(shù)，通過(guò)q-learning算法更新能量路由策略，求解各系統(tǒng)狀態(tài)下的最優(yōu)路由動(dòng)作序列，計(jì)算公式如下：

48、；

49、其中，q*(·)表示更新后的能量路由策略，q(st，at)表示在狀態(tài)st下采取動(dòng)作at的與其回報(bào)值，α表示學(xué)習(xí)率，rt表示t時(shí)刻的即時(shí)獎(jiǎng)勵(lì)，γ表示折扣因子，表示在t時(shí)刻之后的下一時(shí)刻的狀態(tài)采取最優(yōu)動(dòng)作所對(duì)應(yīng)的能量路由策略，β表示資格跡衰減率，g表示特征函數(shù)的數(shù)量， εg(·)表示特征函數(shù)，dg表示第g個(gè)特征函數(shù)對(duì)應(yīng)的資格跡；

50、其中，以能量傳輸損耗作為即時(shí)獎(jiǎng)勵(lì)函數(shù)，計(jì)算公式如下：

51、；

52、其中，r(s，d)表示從源芯片s到宿芯片d的能量損耗，作為即時(shí)獎(jiǎng)勵(lì)，h表示電力路由單元數(shù)量，rh表示第h個(gè)電力路由單元的電阻，ih表示第h個(gè)電力路由單元的電流，th表示第h個(gè)電力路由單元的傳輸時(shí)間，μh表示第h個(gè)電力路由單元的能量傳輸效率，jh表示第h個(gè)電力路由單元的電流密度，j0表示電流密度的參考值，m表示功率開(kāi)關(guān)的數(shù)量，vj表示第j個(gè)功率開(kāi)關(guān)的電壓，ij表示第j個(gè)功率開(kāi)關(guān)的電流，tj表示第j個(gè)功率開(kāi)關(guān)的傳輸時(shí)間，μj表示第j個(gè)功率開(kāi)關(guān)的能量傳輸效率，e表示底數(shù)，jj表示第j個(gè)功率開(kāi)關(guān)的電流密度。

53、本發(fā)明實(shí)施例的第二方面，

54、提供一種用于芯片的電壓波動(dòng)補(bǔ)償控制系統(tǒng)，包括：

55、第一單元，用于在多芯片系統(tǒng)的每個(gè)芯片上布置電壓傳感器和智能體，利用所述電壓傳感器采集所在芯片的局部電壓數(shù)據(jù)，并通過(guò)無(wú)線通信網(wǎng)絡(luò)與相鄰芯片上的電壓傳感器進(jìn)行數(shù)據(jù)交互，利用基于卡爾曼濾波的多傳感器信息融合算法將各個(gè)電壓傳感器采集到的局部電壓數(shù)據(jù)進(jìn)行融合，得到多芯片系統(tǒng)的分布式電壓波動(dòng)數(shù)據(jù)；

56、第二單元，用于根據(jù)所述分布式電壓波動(dòng)數(shù)據(jù)，生成表征多芯片系統(tǒng)整體電壓分布的電壓波動(dòng)分布圖，基于得到的電壓波動(dòng)分布圖，利用自適應(yīng)調(diào)度算法動(dòng)態(tài)調(diào)整各個(gè)電壓傳感器的工作狀態(tài)和數(shù)據(jù)上報(bào)頻率，同時(shí)利用各個(gè)電壓傳感器上設(shè)置的智能體，基于所述電壓波動(dòng)分布圖和各個(gè)電壓傳感器的當(dāng)前工作狀態(tài)，利用模型預(yù)測(cè)控制算法得到芯片級(jí)的電壓補(bǔ)償控制數(shù)據(jù)；

57、第三單元，用于利用基于共識(shí)機(jī)制的分布式優(yōu)化算法，將各個(gè)智能體所得到的電壓補(bǔ)償控制數(shù)據(jù)進(jìn)行迭代融合和更新，直至滿(mǎn)足預(yù)設(shè)的迭代次數(shù)，得到全局最優(yōu)電壓控制補(bǔ)償數(shù)據(jù)，并利用在線學(xué)習(xí)算法對(duì)所述全局最優(yōu)電壓補(bǔ)償控制數(shù)據(jù)進(jìn)行自適應(yīng)優(yōu)化，根據(jù)優(yōu)化后的全局最優(yōu)電壓補(bǔ)償控制數(shù)據(jù)，控制各個(gè)芯片中的電源管理電路對(duì)芯片的供電電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，并通過(guò)智能功率管理策略最小化供電電壓調(diào)節(jié)過(guò)程中的能量損耗，以實(shí)現(xiàn)多芯片系統(tǒng)的電壓波動(dòng)補(bǔ)償。

58、本發(fā)明實(shí)施例的第三方面，

59、提供一種電子設(shè)備，包括：

60、處理器；

61、用于存儲(chǔ)處理器可執(zhí)行指令的存儲(chǔ)器；

62、其中，所述處理器被配置為調(diào)用所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的指令，以執(zhí)行前述所述的方法。

63、本發(fā)明實(shí)施例的第四方面，

64、提供一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序指令，所述計(jì)算機(jī)程序指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)前述所述的方法。

65、在本實(shí)施例中，通過(guò)在每個(gè)芯片上布置電壓傳感器，并利用多傳感器信息融合算法，可以實(shí)時(shí)、準(zhǔn)確地獲取整個(gè)多芯片系統(tǒng)的分布式電壓波動(dòng)數(shù)據(jù)?；陔妷翰▌?dòng)分布圖，系統(tǒng)能夠動(dòng)態(tài)調(diào)整各個(gè)電壓傳感器的工作狀態(tài)和數(shù)據(jù)上報(bào)頻率。這種自適應(yīng)機(jī)制可以在保證監(jiān)測(cè)精度的同時(shí)，優(yōu)化系統(tǒng)資源利用。每個(gè)芯片上的智能體可以基于局部信息和全局電壓分布，計(jì)算出芯片級(jí)的電壓補(bǔ)償控制數(shù)據(jù)，這種分布式方法使得系統(tǒng)能夠快速響應(yīng)局部電壓波動(dòng)。通過(guò)基于共識(shí)機(jī)制的分布式優(yōu)化算法，系統(tǒng)可以將各個(gè)智能體的局部決策融合成全局最優(yōu)的電壓補(bǔ)償控制策略，確保了整個(gè)多芯片系統(tǒng)的電壓穩(wěn)定性得到全面優(yōu)化。利用在線學(xué)習(xí)算法對(duì)全局最優(yōu)電壓補(bǔ)償控制數(shù)據(jù)進(jìn)行自適應(yīng)優(yōu)化，使系統(tǒng)能夠不斷學(xué)習(xí)和改進(jìn)其控制策略，適應(yīng)不同的運(yùn)行條件和負(fù)載變化。通過(guò)智能功率管理策略，在進(jìn)行電壓調(diào)節(jié)時(shí)最小化能量損耗，提高了整個(gè)系統(tǒng)的能量效率。通過(guò)精確的電壓監(jiān)測(cè)和智能補(bǔ)償，可以有效減少電壓波動(dòng)對(duì)系統(tǒng)性能和可靠性的影響，提高整個(gè)多芯片系統(tǒng)的穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)了多芯片系統(tǒng)電壓的精確監(jiān)測(cè)、智能補(bǔ)償和優(yōu)化控制，大大提高了系統(tǒng)的性能、穩(wěn)定性和能效。