本發(fā)明涉及集成電路，具體涉及一種避免在芯片設計中誤判壓差的檢驗方法。

背景技術：

1、隨著集成電路技術的不斷發(fā)展,芯片尺寸也變得越來越小，尤其是到了28nm以下的工藝節(jié)點，不同走線之間的壓差問題變得尤為嚴重。高壓差會導致?lián)舸╋L險的增加，特別是在較薄的絕緣層情況下。其次，在某些極端情況下，壓差過大可能會因隧穿效應或其他物理現象而發(fā)生短路。?電壓標識器件?主要是指那些用于標識和調節(jié)電壓的電子元器件，它們在電路中扮演著至關重要的角色。這些器件通過特定的技術手段，實現對電壓的精確控制和標識，從而確保電路的正常運行和設備的安全。

2、目前，針對于壓差問題，主要是通過手動打label（標簽）的方式將電壓標注在版圖走線上，即標注一個“voltage?high?text”和一個“voltage?low?text”，工作時的最高電壓和最低電壓。然后claibre?drc工具會進行一系列的計算，得出不同線之間的壓差，壓差處于不同區(qū)間范圍，drc要求也不一樣，壓差越大，要求自然就越嚴苛。現有技術無法判斷是否有誤標或漏標的情況，一旦出現calibre?drc工具沒有判斷出壓差過大的地方，對做產品的公司來說，一旦出現擊穿，無論是從時間還是成本上來說，都將造成非常大的損失。對ip供應商來說，很有可能導致客戶在嵌入ip時無法確定drc，因為給到客戶的電壓值和ip本身識別的電壓值不一致。具體有以下幾個缺點：人工手動打label,容易出現誤標或者遺漏的情況；有些時候版圖工程師和電路工程師的認知存在偏差，一旦溝通不及時或者不充分，就會出現標錯的情況；隨著芯片規(guī)模和復雜度的提升，手動打label的工作量也隨之增大，導致出錯的概率也更大。

技術實現思路

1、本發(fā)明的目的是提供一種避免在芯片設計中誤判壓差的檢驗方法，該方法通過calibre?lvs工具智能檢測是否存在電壓誤標和漏標的情況，使得檢測的效率和準確率大大提高，避免了由于沒有判斷出壓差過大的地方導致芯片擊穿的事故發(fā)生。

2、一種避免在芯片設計中誤判壓差的檢驗方法，包括：

3、構建電壓標識器件；

4、采用所述電壓標識器件在構建的電路上進行標注；

5、根據構建的電路生成對應的版圖；

6、構建calibre?lvs工具的比對規(guī)則；

7、采用calibre?lvs工具根據比對規(guī)則驗證所述版圖是否存在電壓誤標或漏標的情況。

8、優(yōu)選地，所述構建電壓標識器件包括：

9、構建最高電壓值和最低電壓值任意可調的電壓標識器件；

10、將所述電壓標識器件作為可重復使用的電路單元。

11、優(yōu)選地，所述采用所述電壓標識器件在構建的電路上進行標注包括：

12、在不同電壓域切換的位置采用所述電壓標識器件進行標注。

13、優(yōu)選地，所述采用calibre?lvs工具根據比對規(guī)則驗證所述版圖是否存在電壓誤標或漏標的情況包括：

14、將版圖信息和電路信息輸入calibre；

15、將輸入的版圖信息和電路信息轉化為calibre可處理的格式；

16、檢查版圖和電路的邏輯結構；

17、獲取版圖的電壓標識；

18、判斷所述版圖的電壓標識是否存在電壓誤標或漏標。

19、優(yōu)選地，所述檢查版圖和電路的邏輯結構包括：

20、解析版圖文件，獲取版圖中的物理布局、連接關系和屬性信息；

21、解析電路文件，獲取電路中的幾何特征、連接關系和屬性信息；

22、對比版圖邏輯和電路的邏輯是否一致。

23、優(yōu)選地，所述判斷所述版圖的電壓標識是否存在電壓誤標或漏標包括：

24、在版圖上生成電壓信息；

25、判斷在版圖上的電壓信息與在電路上標注的電壓信息是否一致；

26、如果一致，則電壓標識為正確；

27、如果不一致，判斷電壓標識是否存在漏標；

28、如果電壓標識的個數少于版圖上的電壓信息個數，則電壓標識存在漏標；

29、如果電壓標識的個數等于版圖上的電壓信息個數，則判斷電壓標識是否存在誤標；

30、如果電壓標識信息不等于版圖上的電壓信息，則判斷電壓標識存在誤標。

31、優(yōu)選地，所述構建calibre?lvs工具的比對規(guī)則包括：

32、定義比對的精度、忽略的元素和如何處理特定的比對情況；

33、對比對規(guī)則進行準確率測試；

34、如果準確率大于預設值，則采用calibre?lvs工具進行電壓標識驗證；

35、如果準確率小于預設值，則優(yōu)化比對規(guī)則的定義參數，直至準確率大于預設值為止。

36、一種避免在芯片設計中誤判壓差的檢驗系統(tǒng)，包括：

37、初始化模塊，用于構建電壓標識器件；

38、電壓處理模塊，用于采用所述電壓標識器件在構建的電路上進行標注；

39、版圖生成模塊，用于根據構建的電路生成對應的版圖；

40、比對規(guī)則構建模塊，用于構建calibre?lvs工具的比對規(guī)則；

41、校驗模塊，用于采用calibre?lvs工具根據比對規(guī)則驗證所述版圖是否存在電壓誤標或漏標的情況。

42、一種電子設備，包括：芯片、處理器和存儲器，所述存儲器用于存儲計算機程序代碼，所述計算機程序代碼包括計算機指令，在所述芯片執(zhí)行所述計算機指令的情況下，所述電子設備執(zhí)行一種避免在芯片設計中誤判壓差的檢驗方法。

43、一種計算機可讀存儲介質，所述計算機可讀存儲介質中存儲有計算機程序，所述計算機程序包括程序指令，所述程序指令在被電子設備的處理器執(zhí)行的情況下，使所述處理器執(zhí)行一種避免在芯片設計中誤判壓差的檢驗方法。

44、本發(fā)明的有益效果在于：1.本發(fā)明制作了一種電壓標識器件，并且電壓標識器件的電壓值可以任意調節(jié)，用于不同的電壓域；2.本發(fā)明通過svrf語言編寫lvs工具的比對規(guī)則，可以通過軟件自動識別電壓標識器件是否錯誤或者遺漏，顯著提高了芯片中壓差的判斷效率和判斷準確率。

技術特征：

1.一種避免在芯片設計中誤判壓差的檢驗方法，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的一種避免在芯片設計中誤判壓差的檢驗方法，其特征在于，所述構建電壓標識器件包括：

3.根據權利要求1所述的一種避免在芯片設計中誤判壓差的檢驗方法，其特征在于，所述采用所述電壓標識器件在構建的電路上進行標注包括：

4.根據權利要求3所述的一種避免在芯片設計中誤判壓差的檢驗方法，其特征在于，所述檢查版圖和電路的邏輯結構包括：

5.根據權利要求4所述的一種避免在芯片設計中誤判壓差的檢驗方法，其特征在于，所述判斷所述版圖的電壓標識是否存在電壓誤標或漏標包括：

6.一種避免在芯片設計中誤判壓差的檢驗系統(tǒng)，用于實現權利要求1至5中任意一項所述的一種避免在芯片設計中誤判壓差的檢驗方法，其特征在于，包括：

7.一種電子設備，其特征在于，包括：芯片、處理器和存儲器，所述存儲器用于存儲計算機程序代碼，所述計算機程序代碼包括計算機指令，在所述芯片執(zhí)行所述計算機指令的情況下，所述電子設備執(zhí)行如權利要求1至5中任一項所述的一種避免在芯片設計中誤判壓差的檢驗方法。

8.一種計算機可讀存儲介質，其特征在于，所述計算機可讀存儲介質中存儲有計算機程序，所述計算機程序包括程序指令，所述程序指令在被電子設備的處理器執(zhí)行的情況下，使所述處理器執(zhí)行權利要求1至5中任意一項所述的一種避免在芯片設計中誤判壓差的檢驗方法。

技術總結
本發(fā)明的目的是提供一種避免在芯片設計中誤判壓差的檢驗方法，該方法包括：構建電壓標識器件；采用所述電壓標識器件在構建的電路上進行標注；根據構建的電路生成對應的版圖；構建calibre?LVS工具的比對規(guī)則；采用calibre?LVS工具根據比對規(guī)則驗證所述版圖是否存在電壓誤標或漏標的情況。本發(fā)明通過calibre?LVS工具智能檢測是否存在電壓誤標和漏標的情況，使得檢測的效率和準確率大大提高，避免了由于沒有判斷出壓差過大的地方導致芯片擊穿的事故發(fā)生。

技術研發(fā)人員：吳娟萍,王洪鵬
受保護的技術使用者：博越微電子（江蘇）有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/30