本申請(qǐng)涉及電機(jī)設(shè)計(jì)，尤其涉及軸電壓設(shè)計(jì)校核方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及產(chǎn)品。

背景技術(shù)：

1、電機(jī)軸承在電機(jī)運(yùn)行過程中不僅要承受高溫、負(fù)載帶來的徑向壓力還有變頻器產(chǎn)生的軸電流，其中軸電流會(huì)劣化軸承的潤滑膜，并在軸承內(nèi)、外圈滾道與軸承滾動(dòng)體之間產(chǎn)生電火花放電，點(diǎn)蝕軸承內(nèi)、外圈滾道和滾動(dòng)體表面。隨著電機(jī)運(yùn)行時(shí)間增加軸承內(nèi)外圈滾道的點(diǎn)蝕會(huì)最終演變成滾道波紋，進(jìn)而影響電機(jī)平穩(wěn)、安全地運(yùn)行。在電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)高壓、高速/高頻、高集成度的趨勢下，軸承其至齒輪電腐蝕這一失效模式已成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)必須考慮和解決的問題。

2、目前，業(yè)內(nèi)主要是通過試驗(yàn)來測量軸電壓、軸電流或者直接進(jìn)行試驗(yàn)來驗(yàn)證軸承電腐蝕問題，缺乏相對(duì)應(yīng)的軸電壓設(shè)計(jì)校核方法，無法在設(shè)計(jì)階段就針對(duì)軸承電腐蝕問題做設(shè)計(jì)校核及優(yōu)化，容易導(dǎo)致后期相關(guān)設(shè)計(jì)反復(fù)，增加電驅(qū)動(dòng)開發(fā)周期和成本。

3、因此，如何在設(shè)計(jì)階段針對(duì)軸承電腐蝕問題做設(shè)計(jì)校核，是目前亟需解決的一個(gè)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的主要目的在于提供一種軸電壓設(shè)計(jì)校核方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及產(chǎn)品，旨在解決無法在設(shè)計(jì)階段針對(duì)軸承電腐蝕問題做設(shè)計(jì)校核的技術(shù)問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N軸電壓設(shè)計(jì)校核方法，所述的方法包括：

3、獲取初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)；

4、根據(jù)所述初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)確定轉(zhuǎn)子-定子繞組耦合電容、轉(zhuǎn)子-定子耦合電容、等效軸承電容以及共模電壓；

5、根據(jù)所述轉(zhuǎn)子-定子繞組耦合電容、轉(zhuǎn)子-定子耦合電容、等效軸承電容以及共模電壓計(jì)算軸電壓；

6、當(dāng)所述軸電壓在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)時(shí)，將所述初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)認(rèn)定為目標(biāo)電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)，并輸出所述目標(biāo)電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)。

7、在一實(shí)施例中，所述獲取初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)的步驟，包括：

8、根據(jù)車輛實(shí)際需求對(duì)電機(jī)軸承進(jìn)行初步選型，獲取電機(jī)軸承初步選型結(jié)果；

9、基于所述電機(jī)軸承初步選型結(jié)果確定初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)。

10、在一實(shí)施例中，所述初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)包括定子參數(shù)，轉(zhuǎn)子參數(shù)、繞組參數(shù)以及間隙參數(shù)，所述根據(jù)所述初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)確定轉(zhuǎn)子-定子繞組耦合電容、轉(zhuǎn)子-定子耦合電容、等效軸承電容以及共模電壓的步驟，包括：

11、通過所述定子參數(shù)、繞組參數(shù)以及間隙參數(shù)獲取第一差值以及第一和值；

12、根據(jù)所述定子參數(shù)、所述轉(zhuǎn)子參數(shù)、所述第一差值以及所述第一和值計(jì)算所述轉(zhuǎn)子-定子繞組耦合電容；

13、通過所述定子參數(shù)和轉(zhuǎn)子參數(shù)獲取第一乘積；

14、根據(jù)所述間隙參數(shù)和所述第一乘積計(jì)算所述轉(zhuǎn)子-定子耦合電容；

15、從所述初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)中提取等效軸承電容以及共模電壓。

16、在一實(shí)施例中，所述通過所述定子參數(shù)、繞組參數(shù)以及間隙參數(shù)獲取第一差值以及第一和值的步驟，包括：

17、獲取所述定子參數(shù)中的定子槽寬和定子槽高，并根據(jù)所述定子槽寬和定子槽高計(jì)算第一差值；

18、獲取第一隙寬、第二隙寬以及繞組絕緣層厚度，所述第一隙寬和所述第二隙寬屬于所述間隙參數(shù)，所述繞組絕緣層厚度屬于所述繞組參數(shù)；

19、根據(jù)所述定子槽高、所述第一隙寬、第二隙寬以及繞組絕緣層厚度，確定第一和值。

20、在一實(shí)施例中，所述根據(jù)所述轉(zhuǎn)子-定子繞組耦合電容、轉(zhuǎn)子-定子耦合電容、等效軸承電容以及共模電壓計(jì)算軸電壓的步驟，包括：

21、根據(jù)所述轉(zhuǎn)子-定子繞組耦合電容和轉(zhuǎn)子-定子耦合電容以及所述等效軸承電容計(jì)算第二和值；

22、根據(jù)所述轉(zhuǎn)子-定子繞組耦合電容和所述第二和值計(jì)算軸承分壓比；

23、通過計(jì)算所述共模電壓與所述軸承分壓比的乘積獲得所述軸電壓。

24、在一實(shí)施例中，所述根據(jù)所述初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)計(jì)算軸電壓步驟之后，包括：

25、當(dāng)所述軸電壓不在所述預(yù)設(shè)范圍內(nèi)時(shí)，返回所述獲取初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)的步驟。

26、此外，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)還提出一種軸電壓設(shè)計(jì)校核裝置，所述軸電壓設(shè)計(jì)校核裝置包括：

27、此外，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)還提出一種軸電壓設(shè)計(jì)校核設(shè)備，所述設(shè)備包括：存儲(chǔ)器、處理器及存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器上并可在所述處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序配置為實(shí)現(xiàn)如上文所述的軸電壓設(shè)計(jì)校核方法的步驟。

28、此外，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)還提出一種存儲(chǔ)介質(zhì)，所述存儲(chǔ)介質(zhì)為計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如上文所述的軸電壓設(shè)計(jì)校核方法的步驟。

29、此外，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)還提供一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如上文所述的軸電壓設(shè)計(jì)校核方法的步驟。

30、本申請(qǐng)?zhí)岢龅囊粋€(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，至少具有以下技術(shù)效果：

31、獲取初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)，根據(jù)初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)確定轉(zhuǎn)子-定子繞組耦合電容、轉(zhuǎn)子-定子耦合電容、等效軸承電容以及共模電壓，根據(jù)轉(zhuǎn)子-定子繞組耦合電容、轉(zhuǎn)子-定子耦合電容、等效軸承電容以及共模電壓計(jì)算軸電壓，當(dāng)軸電壓在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)時(shí)，將初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)認(rèn)定為目標(biāo)電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)，并輸出目標(biāo)電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)。通過解析方法計(jì)算出電機(jī)軸電壓，能夠?yàn)殡姍C(jī)設(shè)計(jì)優(yōu)化提供指導(dǎo)，避免了電機(jī)中的高軸電壓導(dǎo)致軸承電流而引發(fā)的軸承電腐蝕問題。通過計(jì)算軸電壓并確保其在安全范圍內(nèi)，可以有效預(yù)防軸承電流對(duì)軸承的損壞，也縮短了電機(jī)開發(fā)周期和成本。

技術(shù)特征：

1.一種軸電壓設(shè)計(jì)校核方法，其特征在于，所述的方法包括：

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)的步驟，包括：

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)包括定子參數(shù)，轉(zhuǎn)子參數(shù)、繞組參數(shù)以及間隙參數(shù)，所述根據(jù)所述初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)確定轉(zhuǎn)子-定子繞組耦合電容、轉(zhuǎn)子-定子耦合電容、等效軸承電容以及共模電壓的步驟，包括：

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述通過所述定子參數(shù)、繞組參數(shù)以及間隙參數(shù)獲取第一差值以及第一和值的步驟，包括：

5.如權(quán)利要求1中所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述轉(zhuǎn)子-定子繞組耦合電容、轉(zhuǎn)子-定子耦合電容、等效軸承電容以及共模電壓計(jì)算軸電壓的步驟，包括：

6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)計(jì)算軸電壓步驟之后，包括：

7.一種軸電壓設(shè)計(jì)校核裝置，其特征在于，所述裝置包括：

8.一種軸電壓設(shè)計(jì)校核設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括：存儲(chǔ)器、處理器及存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器上并可在所述處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序配置為實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的軸電壓設(shè)計(jì)校核方法的步驟。

9.一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，所述存儲(chǔ)介質(zhì)為計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的軸電壓設(shè)計(jì)校核方法的步驟。

10.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的軸電壓設(shè)計(jì)校核方法的步驟。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了一種軸電壓設(shè)計(jì)校核方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及產(chǎn)品，涉及電機(jī)設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：獲取初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)，根據(jù)初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)確定轉(zhuǎn)子?定子繞組耦合電容、轉(zhuǎn)子?定子耦合電容、等效軸承電容以及共模電壓，根據(jù)轉(zhuǎn)子?定子繞組耦合電容、轉(zhuǎn)子?定子耦合電容、等效軸承電容以及共模電壓計(jì)算軸電壓，當(dāng)軸電壓在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)時(shí)，將初始電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)認(rèn)定為目標(biāo)電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)，并輸出目標(biāo)電機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)。通過解析方法計(jì)算出電機(jī)軸電壓，能夠?yàn)殡姍C(jī)設(shè)計(jì)優(yōu)化提供指導(dǎo)，避免電機(jī)中的高軸電壓導(dǎo)致軸承電流而引發(fā)的軸承電腐蝕問題。通過計(jì)算軸電壓并確保其在安全范圍內(nèi)，可以預(yù)防軸承電流對(duì)軸承的損壞，也縮短了電機(jī)開發(fā)周期和成本。

技術(shù)研發(fā)人員：李相旺,陳佳澤,黃鳳琴
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東風(fēng)汽車集團(tuán)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2