本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件仿真，尤其涉及一種溝槽mos仿真方法、系統(tǒng)、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體芯片的研發(fā)投入成本高，周期較長(zhǎng)，在芯片設(shè)計(jì)之初通常需要對(duì)流片結(jié)果進(jìn)行仿真，具體是根據(jù)芯片的設(shè)計(jì)以及對(duì)應(yīng)的工藝條件，通過(guò)軟件仿真的方法預(yù)先把芯片虛擬制造出來(lái)，并對(duì)其結(jié)構(gòu)、相關(guān)的電參數(shù)進(jìn)行綜合分析。只有當(dāng)仿真結(jié)果滿足設(shè)計(jì)目標(biāo)后，在實(shí)際生產(chǎn)中再圍繞仿真條件在一定范圍內(nèi)進(jìn)行合理的調(diào)整，這樣的研發(fā)成功率往往比較高，同時(shí)能夠極大地縮短研發(fā)周期，大大提高研發(fā)效率。

2、對(duì)于常規(guī)的mos功率器件，常見(jiàn)的元胞設(shè)計(jì)主要分為條形與方形兩種，對(duì)于條形元胞，每個(gè)橫截面的結(jié)構(gòu)處處相同，使用二維的仿真方法就可以獲得較好的準(zhǔn)確度。但對(duì)于方形元胞，不同位置的橫截面不一樣，不能像條形元胞直接使用二維的方法進(jìn)行仿真。如果一開始使用三維的仿真方法在理論上是可行的，但其弊端也很明顯，三維的建模、校準(zhǔn)工作都比較復(fù)雜，尤其對(duì)于三維的工藝仿真過(guò)程，往往需要消耗大量的計(jì)算機(jī)資源以及仿真時(shí)間，經(jīng)常會(huì)導(dǎo)致計(jì)算機(jī)卡頓或死機(jī)，費(fèi)時(shí)費(fèi)力最后還不一定能順利做出來(lái)，這對(duì)產(chǎn)品的研發(fā)工作造成很不利的影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的是針對(duì)背景技術(shù)存在的技術(shù)問(wèn)題，提出一種溝槽mos仿真方法。

2、為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

3、本發(fā)明第一方面的第一種實(shí)現(xiàn)方式提供了一種溝槽mos仿真方法，其包括：

4、s101、在所述溝槽mos的有源區(qū)上構(gòu)建多個(gè)指定尺寸的方形元胞；

5、s102、將所述方形元胞替換成尺寸數(shù)據(jù)相對(duì)相等的圓形元胞；

6、s103、經(jīng)所述圓形元胞的圓心對(duì)所述溝槽mos進(jìn)行裁切，得到裁切區(qū)域；

7、s104、將所述裁切區(qū)域進(jìn)行二維仿真處理，得到二維仿真結(jié)果；

8、s105、將所述裁切區(qū)域以所述圓形元胞的圓心為軸進(jìn)行指定角度的旋轉(zhuǎn)，得到三維仿真結(jié)構(gòu)；

9、s106、將所述三維仿真結(jié)構(gòu)進(jìn)行電性仿真處理，得到電性仿真結(jié)果。

10、可選的，在本發(fā)明第一方面的第二種實(shí)現(xiàn)方式中，所述方形元胞的形狀為正方環(huán)形。

11、可選的，在本發(fā)明第一方面的第三種實(shí)現(xiàn)方式中，所述溝槽mos包括溝槽，所述方形元胞的外邊長(zhǎng)尺寸小于所述溝槽mos的邊長(zhǎng)尺寸的一個(gè)所述溝槽的寬度，所述方形元胞的內(nèi)邊長(zhǎng)尺寸等同于所述溝槽所圍合的區(qū)域的邊長(zhǎng)尺寸。

12、可選的，在本發(fā)明第一方面的第四種實(shí)現(xiàn)方式中，所述溝槽mos包括nplus、pbody以及外延部，其中，所述nplus與所述pbody之間的區(qū)域?yàn)闇系啦糠?，所述nplus與所述pbody的深度差為所述溝道部分的長(zhǎng)度，所述s102包括：

13、s1021、根據(jù)所述方形元胞以構(gòu)建出方胞立體模型，并計(jì)算出所述方胞立體模型中所述外延部的體積、所述外延部的橫截面積以及所述溝道部分的表面積；

14、s1022、預(yù)設(shè)圓形元胞，并根據(jù)所述圓形元胞以構(gòu)建出圓胞立體模型；

15、s1023、令所述圓胞立體模型中所述外延部的體積、所述外延部的橫截面積以及所述溝道部分的表面積均與所述方胞立體模型中所對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)相同，以計(jì)算出所述圓形元胞的尺寸數(shù)據(jù)；

16、s1024、將所述圓形元胞替換所述方形元胞。

17、可選的，在本發(fā)明第一方面的第五種實(shí)現(xiàn)方式中，所述圓形元胞的形狀為圓環(huán)。

18、可選的，在本發(fā)明第一方面的第六種實(shí)現(xiàn)方式中，所述計(jì)算出所述圓形元胞的尺寸數(shù)據(jù)包括所述圓形元胞的外圓半徑以及內(nèi)圓半徑，其中，所述圓形元胞的內(nèi)圓周長(zhǎng)等同于所述方形元胞的四個(gè)內(nèi)邊長(zhǎng)之和。

19、可選的，在本發(fā)明第一方面的第七種實(shí)現(xiàn)方式中，在所述s106之后，還包括：

20、s107、獲取所述有源區(qū)的面積，并結(jié)合所述外延部的橫截面積以及所述裁切區(qū)域的旋轉(zhuǎn)角度，計(jì)算出面積因子，其中所述面積因子的計(jì)算公式為：

21、k＝(s/n)*(360°/旋轉(zhuǎn)角度)；

22、其中，所述k為面積因子，所述s為所述有源區(qū)的面積，所述n為所述外延部的橫截面積。

23、本發(fā)明第三方面的第一種實(shí)現(xiàn)方式提供了一種溝槽mos仿真系統(tǒng)，其包括：

24、元胞構(gòu)建模塊，用于在所述溝槽mos的有源區(qū)上構(gòu)建多個(gè)指定尺寸的方形元胞；

25、替換模塊，用于將所述方形元胞替換成尺寸數(shù)據(jù)相對(duì)相等的圓形元胞；

26、裁切模塊，用于經(jīng)所述圓形元胞的圓心對(duì)所述溝槽mos進(jìn)行裁切，得到裁切區(qū)域；

27、第一仿真模塊，用于將所述裁切區(qū)域進(jìn)行二維仿真處理，得到二維仿真結(jié)果；

28、三維構(gòu)建模塊，用于將所述裁切區(qū)域以所述圓形元胞的圓心為軸進(jìn)行指定角度的旋轉(zhuǎn)，得到三維仿真結(jié)構(gòu)；

29、第二仿真模塊，用于將所述三維仿真結(jié)構(gòu)進(jìn)行電性仿真處理，得到電性仿真結(jié)果。

30、本發(fā)明第三方面的第一種實(shí)現(xiàn)方式提供了一種溝槽mos仿真設(shè)備，所述溝槽mos仿真設(shè)備包括：存儲(chǔ)器和至少一個(gè)處理器，所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)有指令，所述存儲(chǔ)器和所述至少一個(gè)處理器通過(guò)線路互連；

31、所述至少一個(gè)處理器調(diào)用所述存儲(chǔ)器中的所述指令，以使得所述溝槽mos仿真設(shè)備執(zhí)行如本發(fā)明第一方面中任一項(xiàng)所述的溝槽mos仿真方法。

32、本發(fā)明第四方面的第一種實(shí)現(xiàn)方式提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如上述本發(fā)明第一方面中任一項(xiàng)所述的溝槽mos仿真方法。

33、本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下有益技術(shù)效果：通過(guò)采用圓形元胞尺寸數(shù)據(jù)相對(duì)相等的方形元胞，并經(jīng)所述圓形元胞的圓心對(duì)所述溝槽mos進(jìn)行裁切，得到裁切區(qū)域，將所述裁切區(qū)域進(jìn)行二維仿真處理，得到二維仿真結(jié)果再將所述裁切區(qū)域以所述圓形元胞的圓心為軸進(jìn)行指定角度的旋轉(zhuǎn)，得到三維仿真結(jié)構(gòu)，最后將所述三維仿真結(jié)構(gòu)進(jìn)行電性仿真處理，得到電性仿真結(jié)果，有效降低對(duì)計(jì)算機(jī)資源的消耗，簡(jiǎn)化了仿真流程，提高仿真效率。

技術(shù)特征：

1.一種溝槽mos仿真方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溝槽mos仿真方法，其特征在于，所述方形元胞的形狀為正方環(huán)形。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種溝槽mos仿真方法，所述溝槽mos包括溝槽，其特征在于，所述方形元胞的外邊長(zhǎng)尺寸小于所述溝槽mos的邊長(zhǎng)尺寸的一個(gè)所述溝槽的寬度，所述方形元胞的內(nèi)邊長(zhǎng)尺寸等同于所述溝槽所圍合的區(qū)域的邊長(zhǎng)尺寸。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種溝槽mos仿真方法，所述溝槽mos包括nplus、pbody以及外延部，其中，所述nplus與所述pbody之間的區(qū)域?yàn)闇系啦糠?，所述nplus與所述pbody的深度差為所述溝道部分的長(zhǎng)度，其特征在于，所述s102包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種溝槽mos仿真方法，其特征在于，所述圓形元胞的形狀為圓環(huán)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種溝槽mos仿真方法，其特征在于，所述計(jì)算出所述圓形元胞的尺寸數(shù)據(jù)包括所述圓形元胞的外圓半徑以及內(nèi)圓半徑，其中，所述圓形元胞的內(nèi)圓周長(zhǎng)等同于所述方形元胞的四個(gè)內(nèi)邊長(zhǎng)之和。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種溝槽mos仿真方法，其特征在于，在所述s106之后，還包括：

8.一種溝槽mos仿真系統(tǒng)，其特征在于，包括：

9.一種溝槽mos仿真設(shè)備，其特征在于，所述溝槽mos仿真設(shè)備包括：存儲(chǔ)器和至少一個(gè)處理器，所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)有指令，所述存儲(chǔ)器和所述至少一個(gè)處理器通過(guò)線路互連；

10.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的溝槽mos仿真方法。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種溝槽MOS仿真方法系統(tǒng)、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法通過(guò)采用圓形元胞尺寸數(shù)據(jù)相對(duì)相等的方形元胞，并經(jīng)所述圓形元胞的圓心對(duì)所述溝槽MOS進(jìn)行裁切，得到裁切區(qū)域，將所述裁切區(qū)域進(jìn)行二維仿真處理，得到二維仿真結(jié)果再將所述裁切區(qū)域以所述圓形元胞的圓心為軸進(jìn)行指定角度的旋轉(zhuǎn)，得到三維仿真結(jié)構(gòu)，最后將所述三維仿真結(jié)構(gòu)進(jìn)行電性仿真處理，得到電性仿真結(jié)果，有效降低對(duì)計(jì)算機(jī)資源的消耗，簡(jiǎn)化了仿真流程，提高仿真效率。

技術(shù)研發(fā)人員：何昌,張光亞,楊勇,朱勇華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23