本實用新型涉及標簽技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種具有信息收集功能的RFID標簽。

背景技術(shù)：

目前，市場上存在的RFID標簽芯片，由模擬射頻單元、數(shù)據(jù)控制單元和存儲單元組成。所述模擬射頻單元、數(shù)據(jù)控制單元和存儲單元依次連接，其中，所述模擬射頻單元包括供電模塊、射頻檢波模塊、解調(diào)模塊和調(diào)制模塊，所述供電模塊、射頻檢波模塊、解調(diào)模塊和調(diào)制模塊均連接至數(shù)據(jù)控制模塊。主要的缺陷是：所述RFID標簽芯片的尺寸較大，制成的RFID標簽的尺寸也比較大，而且當應(yīng)用于移動通信領(lǐng)域時，因射頻原因易受干擾，無法正常工作，因此適用范圍受到限制。

另外，由于信息傳遞過程，廠家們無法分辨用戶身份信息，造成無法提前對產(chǎn)品進行維護，并且?guī)Ыo廠家們對信息管理的難度。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種用戶的信息收集通過RFID標簽芯片發(fā)送到指定的信息接收終端上，能便于日常維護及管理的一種具有信息收集功能的RFID標簽。

本實用新型的發(fā)明目的是這樣實現(xiàn)的：一種具有信息收集功能的RFID標簽，包括RFID標簽芯片和天線，所述RFID標簽芯片包括：模擬射頻單元、數(shù)據(jù)控制單元和存儲單元，所述模擬射頻單元、數(shù)據(jù)控制單元和存儲單元依次連接；所述模擬射頻單元包括供電模塊、射頻檢波模塊、解調(diào)模塊和調(diào)制模塊，所述供電模塊、射頻檢波模塊、解調(diào)模塊和調(diào)制模塊均連接至數(shù)據(jù)控制模塊；其特征在于：所述RFID標簽還包括一濾波器，其連接于所述天線和所述供電模塊之間，所述RFID標簽芯片中的射頻檢波模塊直接連接所述天線；數(shù)據(jù)控制模塊還連接有圖像信息收集模塊及指紋掃描收集模塊。

進一步說，所述RFID標簽芯片的長度為0.3CM-0.5CM，寬度為0.2CM -0.5CM。

進一步說，所述RFID標簽芯片的長度為0.4CM，寬度為0.4 CM。

進一步說，所述濾波器的LC電路中的無源電感采用的是金屬層在硅片上繞制電感形成的平面螺旋電感。

進一步說，所述圖像信息收集模塊的感應(yīng)端位于RFID標簽芯片的表面上。

進一步說，所述指紋掃描收集模塊位于RFID標簽芯片的表面上。

本實用新型的一種具有信息收集功能的RFID標簽優(yōu)點如下：

1、本實用新型通過利用數(shù)據(jù)控制模塊還連接有圖像信息收集模塊及指紋掃描收集模塊，將用戶的信息收集通過RFID標簽芯片發(fā)送到指定的信息接收終端上，方便廠家們對用戶信息進行管理，便于提前對產(chǎn)品進行維護。

2、本實用新型之微型的RFID標簽芯片尺寸較目前市場上所有的RFID標簽芯片的尺寸都小，可適用于各種移動通信設(shè)備上，例如：智能手機、支付卡以及各種微型的無線檢測工具上，拓寬了RFID標簽芯片的應(yīng)用范圍，為移動設(shè)備的發(fā)展做出了貢獻。

附圖說明

附圖1為本實用新型最佳實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本實用新型作進一步的描述。

根據(jù)附圖1所示，本實用新型公開了一種具有信息收集功能的RFID標簽，包括RFID標簽芯片（如圖1所示）和天線，所述RFID標簽芯片包括：模擬射頻單元、數(shù)據(jù)控制單元1和存儲單元2，所述模擬射頻單元、數(shù)據(jù)控制單元1和存儲單元2依次連接；所述模擬射頻單元包括供電模塊3、射頻檢波模塊4、解調(diào)模塊5和調(diào)制模塊6，所述供電模塊3、射頻檢波模塊4、解調(diào)模塊5和調(diào)制模塊6均連接至數(shù)據(jù)控制模塊；所述RFID標簽還包括濾波器，其連接于所述天線和所述供電模塊3之間，所述RFID標簽芯片中的射頻檢波模塊4直接連接所述天線；數(shù)據(jù)控制模塊還連接有圖像信息收集模塊7及指紋掃描收集模塊8。所述RFID標簽芯片的長度為0.3CM-0.5CM，寬度為0.2 CM -0.5 CM。 優(yōu)選的，所述RFID標簽芯片的長度為0.4CM，寬度為0.4 CM。 所述濾波器的LC電路中的無源電感采用的是金屬層在硅片上繞制電感形成的平面螺旋電感。 事實上，所述濾波器可以集成于所述RFID標簽芯片內(nèi)，也可以設(shè)置于所述RFID標簽芯片和所述天線之間。具體的，需要視濾波器的工作頻率而定。另外，所述圖像信息收集模塊7的感應(yīng)端位于RFID標簽芯片的表面上。進一步說，所述指紋掃描收集模塊8位于RFID標簽芯片的表面上。其中圖像信息收集模塊與指紋掃描收集模塊8將使用狀態(tài)發(fā)送到指定的接收終端處，方便廠家們對用戶信息進行管理，便于提前對產(chǎn)品進行維護。

具體的，所述濾波器的LC電路設(shè)計是本設(shè)計的重點?？紤]到生產(chǎn)的一致性和可靠性，無源電感采用了平面螺旋電感形式，即用金屬層在硅片上繞制電感。為了克服它存在的許多寄生效應(yīng)，在標準CMOS工藝中制作平面螺旋的幾個基本原則如下：(1)限制金屬導線的寬度：由于趨膚效應(yīng)，寬導體的中部沒有電流流過，所以采用寬金屬線是不劃算的；(2)不要在線圈中央填充電感：由于高頻的渦流效應(yīng)內(nèi)圈的電阻增大，而電感值減小。導致品質(zhì)因數(shù)下降；(3)限制線圈所占的面積：高頻時磁場貫通線圈電感在襯底中產(chǎn)生電流，這將導致額外的阻性損耗，電感值減小。而小線圈的磁場貫穿襯底不深，影響較小。

片上集成電感的Q值一般在10以下，為了有效濾波，需要Q值增強電路。其基本原理是在電感旁并聯(lián)一個負電導以補償電感的電阻損耗。負電導可以通過正反饋網(wǎng)絡(luò)來產(chǎn)生，比如圖1所示電路，其負電導為：-Gn=-(gm1·gm2)/(gm1+gm2)，其中g(shù)m1、gm2為別是M1和M2管的跨導，M3管主要用來調(diào)節(jié)gm1和gm2。

片上電容設(shè)計的基本目標是使串聯(lián)電阻盡可能地小，保證Q值最大；使單位面積的電容量大，并減小寄生電容。薄絕緣層電容的基本原理是利用金屬層邊緣間的橫向電場來實現(xiàn)電容，而通過分形圖案實現(xiàn)大的單位面積電容量。與傳統(tǒng)集成電容相比，薄絕緣層電容具有以下一些優(yōu)點：隨著工藝尺寸的減小，單位面積的電容量增加。將氧化層厚度的匹配轉(zhuǎn)化為版圖間的一致性，而由于分形圖案的偽隨機特性，版圖間的偏差很小。隨著縱向電場的減小，底板與襯底間的寄生電容也相應(yīng)減小。通過對LC濾波電路的芯片工藝技術(shù)的攻克，本設(shè)計實現(xiàn)了微型化的目標。

上述具體實施例僅為本實用新型效果較好的具體實施方式，凡與本實用新型的一種具有信息收集功能的RFID標簽相同或等同的結(jié)構(gòu)，均在本實用新型的保護范圍內(nèi)。