1.一種限時存儲器，其特征在于，包括：第一開關(guān)、第二開關(guān)、第一電容、受控電流發(fā)生器和比較器；
其中，所述第一開關(guān)和所述第二開關(guān)串聯(lián)連接的公共端連接至所述第一電容的正極、所述受控電流發(fā)生器的輸出端和所述比較器的輸入端，所述第一開關(guān)的除所述公共端外的另一端連接至充電電源，所述第二開關(guān)的除所述公共端外的另一端接地以及所述第一電容的負極接地；以及
所述第一電容在所述第一開關(guān)閉合時處于充電狀態(tài)，在所述第二開關(guān)閉合時處于放電狀態(tài)；
所述第一電容在所述第一開關(guān)和所述第二開關(guān)均斷開時均處于放電狀態(tài)，所述第一電容的放電電流受寄生泄露電流和所述受控電流發(fā)生器輸出的受控放電電流控制，且所述受控電流發(fā)生器輸出所述受控放電電流的維持時間大于所述第一電容的放電時間；
所述比較器用于在所述第一電容的電壓值大于預(yù)設(shè)電壓閾值時輸出高電平信號，以及在所述第一電容的電壓值小于或等于所述預(yù)設(shè)電壓閾值時輸出低電平信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的限時存儲器，其特征在于，所述受控電流發(fā)生器包括：第三開關(guān)、第二電容、第一晶體管、第二晶體管和參考電流發(fā)生器；
其中，所述第一晶體管的柵極與所述第二晶體管的柵極相連，所述第一晶體管的源極接地、漏極連接至所述參考電流發(fā)生器，所述參考電流發(fā)生器用于輸出參考電流，所述第二晶體管的源極接地、漏極作為所述受控電流發(fā)生器的輸出端，以及所述第三開關(guān)的一端連接至所述參考電流發(fā)生器、另一端連接至所述第一晶體管和所述第二晶體管的柵極公共端，所述第二電容的正極連接至所述柵極公共端、負極接地；以及
當(dāng)所述第三開關(guān)閉合時，所述第二電容充電；
當(dāng)所述第三開關(guān)斷開時，所述第二電容在寄生泄漏電流的作用下完成放電之前，輸出所述受控放電電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的限時存儲器，其特征在于，所述參考電流發(fā)生器包括至少一級鏡像電流器，所述至少一級鏡像電流器輸出的鏡像電流作為所述參考電流輸入所述第一晶體管的漏極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的限時存儲器，其特征在于，所述至少一級鏡像電流器包括第一級鏡像電流器和第二級鏡像電流器；
其中，所述第一級鏡像電流器用于對所述輸入電流進行鏡像輸出第一鏡像電流，以及所述第二級鏡像電流器用于對所述第一鏡像電流進行鏡像輸出第二鏡像電流。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的限時存儲器，其特征在于，所述第一電容以電流源的方式進行放電和充電。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的限時存儲器，其特征在于，
當(dāng)所述第一電容有多個時，所述受控電流發(fā)生器中對應(yīng)的包括多個所述第二晶體管，以及所述第一晶體管與每個所述第二晶體管構(gòu)成一個鏡像電流器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的限時存儲器，其特征在于，
所述第一開關(guān)包括第一與非門和第五晶體管，所述第一與非門的輸出端連接至所述第五晶體管的柵極，當(dāng)所述第一與非門輸出高電平信號時所述第五晶體管導(dǎo)通，以及當(dāng)所述第一與非門輸出低電平信號時所述第五晶體管斷開；
所述第二開關(guān)包括第二與非門和第六晶體管，所述第二與非門的輸出端連接至所述第六晶體管的柵極，當(dāng)所述第二與非門輸出高電平信號時所述第六晶體管導(dǎo)通，以及當(dāng)所述第二與非門輸出低電平信號時所述第六晶體管斷開。
8.根據(jù)權(quán)利要求2至6中任一項所述的限時存儲器，其特征在于，
所述第三開關(guān)包括連接至上電復(fù)位電路的第七晶體管，所述上電復(fù)位電路的輸出端連接至所述第七晶體管的柵極，當(dāng)所述上電復(fù)位電路輸出高電平信號時所述第七晶體管導(dǎo)通，以及當(dāng)所述上電復(fù)位電路輸出低電平信號時所述第七晶體管斷開。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的限時存儲器，其特征在于，所述預(yù)設(shè)電壓閾值的取值范圍為0V～1V。
10.一種RFID電子標(biāo)簽，其特征在于，包括：如權(quán)利要求1至9中任一項所述的限時存儲器。