本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種觸控檢測電路、其驅(qū)動(dòng)方法、內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，觸摸屏(touchpanel)已經(jīng)逐漸遍及人們的生活中。與僅能提供顯示功能的傳統(tǒng)顯示器相比較，使用觸摸屏的顯示器能夠使得使用者與顯示控制主機(jī)之間進(jìn)行信息交互，因此，觸摸屏可以完全或者至少部分取代常用的輸入裝置，使得現(xiàn)有的顯示器不僅能夠顯示還能觸摸控制。常見的觸摸屏分為電阻式觸摸屏、電容式觸摸屏及電磁式觸摸屏等。其中，現(xiàn)有的電磁式觸摸屏，一般是利用特定電磁筆發(fā)射磁場，使電磁式觸控屏上的電磁感應(yīng)線圈產(chǎn)生磁場變化，產(chǎn)生微弱電流，從而根據(jù)產(chǎn)生的微弱電流計(jì)算得到觸控位置，即現(xiàn)有的電磁式觸摸屏僅能簡單識(shí)別觸控位置，而無法識(shí)別磁場方向。

壓力感應(yīng)技術(shù)是指對外部受力能夠?qū)嵤┨綔y的技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)很久前就運(yùn)用在工控，醫(yī)療等領(lǐng)域。目前，本領(lǐng)域技術(shù)人員正在積極研究將壓力感應(yīng)技術(shù)應(yīng)用于手機(jī)或平板等便攜式電子顯示裝置中以提高觸控精度。然而，現(xiàn)有實(shí)現(xiàn)壓力感應(yīng)技術(shù)的顯示裝置是通過在顯示裝置中額外設(shè)置壓力感應(yīng)裝置以及額外集成壓感檢測芯片來檢測壓力感應(yīng)裝置上的電容值的變化，以實(shí)現(xiàn)壓感觸控功能，這樣使得顯示裝置需要額外的空間來設(shè)置壓力感應(yīng)裝置與壓感檢測芯片，導(dǎo)致顯示裝置的復(fù)雜程度增加，成本提高，從而不利于壓力感應(yīng)技術(shù)在顯示領(lǐng)域尤其是便攜式電子顯示裝置中的廣泛應(yīng)用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種觸控檢測電路、其驅(qū)動(dòng)方法、內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置，用以將電磁檢測電路、壓力感應(yīng)裝置以及壓感檢測電路集成在一個(gè)觸控檢測電路中，可以減小壓力感應(yīng)裝置與壓感檢測電路占用顯示裝置中過多的空間。

因此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種觸控檢測電路，包括：電磁感應(yīng)模塊、電壓輸入模塊、電壓存儲(chǔ)模塊、壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)、底柵型的驅(qū)動(dòng)晶體管、數(shù)據(jù)處理模塊；其中，所述壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)位于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層背離所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的一側(cè)，并且所述壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)用于在壓感觸控階段受壓形變時(shí)，沿壓力方向產(chǎn)生用于控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓大小的壓力感應(yīng)電壓；

所述電磁感應(yīng)模塊與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連，用于在電磁觸控階段感應(yīng)到外界磁場時(shí)，產(chǎn)生與所述磁場的方向相關(guān)的電磁感應(yīng)電壓；

所述電壓輸入模塊分別與掃描信號(hào)端、第一參考信號(hào)端以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極相連，用于在所述電磁觸控階段與所述壓感觸控階段，在所述掃描信號(hào)端的控制下將所述第一參考信號(hào)端的信號(hào)提供給所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極；

所述電壓存儲(chǔ)模塊分別與預(yù)充電信號(hào)端、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極以及接地端相連，用于在所述電磁觸控階段與所述壓感觸控階段向所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極提供預(yù)設(shè)電壓；

所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極與所述數(shù)據(jù)處理模塊相連，用于在所述電磁觸控階段輸出與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓相關(guān)的電磁檢測電流；在所述壓感觸控階段輸出與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓相關(guān)的壓感檢測電流；

所述數(shù)據(jù)處理模塊用于在所述電磁觸控階段根據(jù)預(yù)設(shè)電流與接收的所述電磁檢測電流的大小關(guān)系判斷電磁觸控位置，在所述壓感觸控階段根據(jù)所述預(yù)設(shè)電流與接收的所述壓感檢測電流的大小關(guān)系識(shí)別所述壓力。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，所述數(shù)據(jù)處理模塊還用于，在所述電磁觸控階段根據(jù)所述預(yù)設(shè)電流與接收的所述電磁檢測電流的大小關(guān)系判斷所述磁場的方向。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，所述數(shù)據(jù)處理模塊包括：電流鏡電路、恒流源電路、電流比較電路、微處理器；其中，

所述電流鏡電路的輸入端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極相連，所述電流鏡電路的輸出端與所述電流比較電路的第一輸出端相連；所述電流鏡電路用于在所述電磁觸控階段接收所述電磁檢測電流，并將接收的電磁檢測電流根據(jù)預(yù)設(shè)比例復(fù)制到所述電流鏡電路的輸出端，在所述壓感觸控階段接收所述壓感檢測電流，并將接收的壓感檢測電流根據(jù)所述預(yù)設(shè)比例復(fù)制到所述電流鏡電路的輸出端；

所述恒流源電路的輸入端與恒流控制信號(hào)端相連，所述恒流源電路的輸出端與所述電流比較電路的輸入端相連；所述恒流源電路用于分別在所述電磁觸控階段與所述壓感觸控階段，在所述恒流控制信號(hào)端的控制下輸出所述預(yù)設(shè)電流；

所述電流比較電路的第二輸出端與所述微處理器相連，用于在所述電磁觸控階段根據(jù)接收的所述電磁檢測電流與所述預(yù)設(shè)電流的大小關(guān)系，向所述微處理器輸出第一輸出信號(hào)與第二輸出信號(hào)，在所述壓感觸控階段根據(jù)接收的所述壓感檢測電流與所述預(yù)設(shè)電流的大小關(guān)系，向所述微處理器輸出第三輸出信號(hào)與第四輸出信號(hào)；

所述微處理器用于在所述電磁觸控階段根據(jù)接收的所述第一輸出信號(hào)的電平與所述第二輸出信號(hào)的電平，判斷電磁觸控位置以及所述磁場的方向；在所述壓感觸控階段根據(jù)接收的所述第三輸出信號(hào)的電平與所述第四輸出信號(hào)的電平，識(shí)別所述壓力。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，所述電壓輸入模塊包括：第一開關(guān)晶體管；其中，

所述第一開關(guān)晶體管的柵極與所述掃描信號(hào)端相連，所述第一開關(guān)晶體管的第一極與所述第一參考信號(hào)端相連，所述第一開關(guān)晶體管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極相連。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，所述電壓存儲(chǔ)模塊包括：第一電容；其中，

所述第一電容的第一端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極以及所述預(yù)充電信號(hào)端相連，第二端與所述接地端相連。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，所述電磁感應(yīng)模塊包括：磁感應(yīng)片；其中，

所述磁感應(yīng)片的輸出端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，所述壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)包括：層疊設(shè)置的第一電極、壓電材料層以及第二電極；其中，所述壓電材料層在受壓力作用發(fā)生形變時(shí)，使所述第一電極與所述第二電極上分別產(chǎn)生等量異種電荷，且形變越大，產(chǎn)生的電荷越多。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種內(nèi)嵌式觸摸屏，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種觸控檢測電路。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種內(nèi)嵌式觸摸屏。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種觸控檢測電路的驅(qū)動(dòng)方法，包括：電磁觸控階段與壓感觸控階段；其中，

在所述電磁觸控階段，所述電磁感應(yīng)模塊感應(yīng)到外界磁場時(shí)，產(chǎn)生與所述磁場的方向相關(guān)的電磁感應(yīng)電壓；所述電壓輸入模塊在所述掃描信號(hào)端的控制下將所述第一參考信號(hào)端的信號(hào)提供給所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極；所述電壓存儲(chǔ)模塊向所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極提供預(yù)設(shè)電壓；所述驅(qū)動(dòng)晶體管輸出與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓相關(guān)的電磁檢測電流；所述數(shù)據(jù)處理模塊根據(jù)預(yù)設(shè)電流與接收的所述電磁檢測電流的大小關(guān)系判斷電磁觸控位置；

在所述壓感觸控階段，所述壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)受壓形變時(shí)，沿壓力方向產(chǎn)生用于控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓大小的壓力感應(yīng)電壓；所述電壓輸入模塊在所述掃描信號(hào)端的控制下將所述第一參考信號(hào)端的信號(hào)提供給所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極；所述電壓存儲(chǔ)模塊向所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極提供預(yù)設(shè)電壓；所述驅(qū)動(dòng)晶體管輸出與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓相關(guān)的壓感檢測電流；所述數(shù)據(jù)處理模塊根據(jù)所述預(yù)設(shè)電流與接收的所述壓感檢測電流的大小關(guān)系識(shí)別所述壓力。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控檢測電路、其驅(qū)動(dòng)方法、內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置，包括：電磁感應(yīng)模塊、電壓輸入模塊、電壓存儲(chǔ)模塊、壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)、底柵型的驅(qū)動(dòng)晶體管、數(shù)據(jù)處理模塊；其中，壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)位于驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層背離驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的一側(cè)，并且壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)用于在壓感觸控階段受壓形變時(shí)，沿壓力方向產(chǎn)生用于控制驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓大小的壓力感應(yīng)電壓；電磁感應(yīng)模塊用于在電磁觸控階段感應(yīng)到外界磁場時(shí)，產(chǎn)生與磁場的方向相關(guān)的電磁感應(yīng)電壓；電壓輸入模塊用于在電磁觸控階段與壓感觸控階段，在掃描信號(hào)端的控制下將第一參考信號(hào)端的信號(hào)提供給驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極；電壓存儲(chǔ)模塊用于在電磁觸控階段與壓感觸控階段向驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極提供預(yù)設(shè)電壓；驅(qū)動(dòng)晶體管用于在電磁觸控階段輸出與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓相關(guān)的電磁檢測電流；在壓感觸控階段輸出與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓相關(guān)的壓感檢測電流；數(shù)據(jù)處理模塊用于在電磁觸控階段根據(jù)預(yù)設(shè)電流與接收的電磁檢測電流的大小關(guān)系判斷電磁觸控位置，在壓感觸控階段根據(jù)預(yù)設(shè)電流與接收的壓感檢測電流的大小關(guān)系識(shí)別壓力。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控檢測電路、其驅(qū)動(dòng)方法、內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置，通過上述模塊與結(jié)構(gòu)的相互配合，不僅可以支持基于電磁感應(yīng)原理的電磁觸控功能，還可以支持基于壓感技術(shù)的壓感觸控功能，從而可以將電磁觸摸檢測電路與壓力感應(yīng)裝置以及壓感檢測電路集成在一個(gè)觸控檢測電路中，從而可以減小壓力感應(yīng)裝置與壓感檢測電路占用顯示裝置中過多的空間。

附圖說明

圖1a為本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控檢測電路的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖1b為本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控檢測電路的結(jié)構(gòu)示意圖之二；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a為圖1a所示的觸控檢測電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3b為圖1b所示的觸控檢測電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖3a所示的觸控檢測電路的輸入輸出時(shí)序圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的驅(qū)動(dòng)方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的，技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控檢測電路、其驅(qū)動(dòng)方法、內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說明。應(yīng)當(dāng)理解，下面所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。并且在不沖突的情況下，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種觸控檢測電路，如圖1a與圖1b所示，包括：電磁感應(yīng)模塊10、電壓輸入模塊20、電壓存儲(chǔ)模塊30、壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)(圖1a與圖1b中均未示出)、底柵型的驅(qū)動(dòng)晶體管m0、數(shù)據(jù)處理模塊40；其中，壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)位于驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層背離驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的一側(cè)，并且壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)用于在壓感觸控階段受壓形變時(shí)，沿壓力方向產(chǎn)生用于控制驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓大小的壓力感應(yīng)電壓；

電磁感應(yīng)模塊10與驅(qū)動(dòng)晶體管m0的柵極g相連，用于在電磁觸控階段感應(yīng)到外界磁場時(shí)，產(chǎn)生與磁場的方向相關(guān)的電磁感應(yīng)電壓；

電壓輸入模塊20分別與掃描信號(hào)端scan、第一參考信號(hào)端vref1以及驅(qū)動(dòng)晶體管m0的第一極s相連，用于在電磁觸控階段與壓感觸控階段，在掃描信號(hào)端scan的控制下將第一參考信號(hào)端vref1的信號(hào)提供給驅(qū)動(dòng)晶體管m0的第一極s；

電壓存儲(chǔ)模塊30分別與預(yù)充電信號(hào)端cs、驅(qū)動(dòng)晶體管m0的柵極g以及接地端gnd相連，用于在電磁觸控階段與壓感觸控階段向驅(qū)動(dòng)晶體管m0的柵極g提供預(yù)設(shè)電壓；

驅(qū)動(dòng)晶體管m0的第二極d與數(shù)據(jù)處理模塊40相連，用于在電磁觸控階段輸出與驅(qū)動(dòng)晶體管m0的柵極g的電壓相關(guān)的電磁檢測電流；在壓感觸控階段輸出與驅(qū)動(dòng)晶體管m0的閾值電壓相關(guān)的壓感檢測電流；

數(shù)據(jù)處理模塊40用于在電磁觸控階段根據(jù)預(yù)設(shè)電流與接收的電磁檢測電流的大小關(guān)系判斷電磁觸控位置，在壓感觸控階段根據(jù)預(yù)設(shè)電流與接收的壓感檢測電流的大小關(guān)系識(shí)別壓力。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路，包括：電磁感應(yīng)模塊、電壓輸入模塊、電壓存儲(chǔ)模塊、壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)、底柵型的驅(qū)動(dòng)晶體管、數(shù)據(jù)處理模塊；其中，壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)位于驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層背離驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的一側(cè)，并且壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)用于在壓感觸控階段受壓形變時(shí)，沿壓力方向產(chǎn)生用于控制驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓大小的壓力感應(yīng)電壓；電磁感應(yīng)模塊用于在電磁觸控階段感應(yīng)到外界磁場時(shí)，產(chǎn)生與磁場的方向相關(guān)的電磁感應(yīng)電壓；電壓輸入模塊用于在電磁觸控階段與壓感觸控階段，在掃描信號(hào)端的控制下將第一參考信號(hào)端的信號(hào)提供給驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極；電壓存儲(chǔ)模塊用于在電磁觸控階段與壓感觸控階段向驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極提供預(yù)設(shè)電壓；驅(qū)動(dòng)晶體管用于在電磁觸控階段輸出與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓相關(guān)的電磁檢測電流；在壓感觸控階段輸出與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓相關(guān)的壓感檢測電流；數(shù)據(jù)處理模塊用于在電磁觸控階段根據(jù)預(yù)設(shè)電流與接收的電磁檢測電流的大小關(guān)系判斷電磁觸控位置，在壓感觸控階段根據(jù)預(yù)設(shè)電流與接收的壓感檢測電流的大小關(guān)系識(shí)別壓力。因此該觸控檢測電路通過上述模塊與結(jié)構(gòu)的相互配合，不僅可以支持基于電磁感應(yīng)原理的電磁觸控功能，還可以支持基于壓感技術(shù)的壓感觸控功能，從而可以將電磁觸摸檢測電路與壓力感應(yīng)裝置以及壓感檢測電路集成在一個(gè)觸控檢測電路中，從而可以減小壓力感應(yīng)裝置與壓感檢測電路占用顯示裝置中過多的空間。

在實(shí)際制備工藝中，驅(qū)動(dòng)晶體管一般通過多次光刻工藝形成于襯底基板上。在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，如圖2所示，底柵型的驅(qū)動(dòng)晶體管的具體結(jié)構(gòu)可以包括：位于襯底基板100一側(cè)的柵極g，位于柵極g背離襯底基板100一側(cè)的柵絕緣層gi，位于柵絕緣層gi背離襯底基板100一側(cè)的有源層al，位于有源層al背離襯底基板100一側(cè)且同層設(shè)置的第一極s與第二極d。以上僅是舉例說明本發(fā)明實(shí)施例提供的底柵型的驅(qū)動(dòng)晶體管的具體結(jié)構(gòu)，在具體實(shí)施時(shí)，底柵型的驅(qū)動(dòng)晶體管的具體結(jié)構(gòu)不限于本發(fā)明實(shí)施例提供的上述結(jié)構(gòu)，還可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員可知的其他結(jié)構(gòu)，在此不作限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，如圖2所示，壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)200位于驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層al背離驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極g的一側(cè)。具體地，壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)200與驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層al之間一般還設(shè)置有鈍化層pl。并且壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)200可以在壓感觸控階段受壓形變時(shí)，沿壓力f方向產(chǎn)生用于控制驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓大小的壓力感應(yīng)電壓。由于壓力感應(yīng)電壓的作用，驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層al中的電子或空穴會(huì)發(fā)生定向移動(dòng)，從而可以控制驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的大小。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)200可以作為一個(gè)獨(dú)立的結(jié)構(gòu)位于驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層al背離驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極g的一側(cè)。當(dāng)然也可以作為驅(qū)動(dòng)晶體管的頂柵位于有源層al背離驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極g的一側(cè)，在此不作限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)在壓感觸控階段受壓形變時(shí)，使驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓變小。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，如圖2所示，壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)200具體可以包括：層疊設(shè)置的第一電極210、壓電材料層220以及第二電極230；其中，壓電材料層220在受壓力作用發(fā)生形變時(shí)，使第一電極210與第二電極230上分別產(chǎn)生等量異種電荷，且形變越大，產(chǎn)生的電荷越多。其中，壓電材料層具體可以包括：壓電晶體材料、壓電陶瓷材料、壓電聚合物材料或復(fù)合壓電材料，例如，壓電聚合物材料可以為p(vdf-trfe)。當(dāng)然壓電材料層也可以為其它具有壓電功能的壓電材料，在此不作限定。并且附圖中各層薄膜厚度和形狀均不反映驅(qū)動(dòng)晶體管與壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)200在實(shí)際應(yīng)用設(shè)置中的真實(shí)比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，第一電極的材料為透明導(dǎo)電材料；和/或，第二電極的材料為透明導(dǎo)電材料。在具體實(shí)施時(shí)，透明導(dǎo)電材料例如可以是氧化銦錫(ito)材料、氧化銦鋅(izo)材料、納米金、納米銀、碳納米管或石墨烯等，在此不作限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，如圖1a所示，驅(qū)動(dòng)晶體管m0可以為n型晶體管，該n型晶體管的漏極作為驅(qū)動(dòng)晶體管m0第一極s，源極作為驅(qū)動(dòng)晶體管m0的第二極d。并且驅(qū)動(dòng)晶體管m0在其柵極g與其第一極s之間的電壓差vgs(m0)與其閾值電壓vth(m0)之間的關(guān)系滿足公式：vgs(m0)>vth(m0)時(shí)導(dǎo)通并處于飽和狀態(tài)，根據(jù)飽和狀態(tài)電流特性可知，驅(qū)動(dòng)晶體管m0的第二極d流出的電流i滿足公式：i＝k[vgs(m0)-vth(m0)]²；其中，k為結(jié)構(gòu)參數(shù)，相同結(jié)構(gòu)中此數(shù)值相對穩(wěn)定，可以算作常量?；蛘?，如圖1b所示，驅(qū)動(dòng)晶體管m0可以為p型晶體管，該p型晶體管的源極作為驅(qū)動(dòng)晶體管m0第一極s，漏極作為驅(qū)動(dòng)晶體管m0的第二極d。并且，驅(qū)動(dòng)晶體管m0在其柵極g與其第一極s之間的電壓差vgs(m0)與其閾值電壓vth(m0)之間的關(guān)系滿足公式：vgs(m0)<vth(m0)時(shí)導(dǎo)通并處于飽和狀態(tài)，根據(jù)飽和狀態(tài)電流特性可知，驅(qū)動(dòng)晶體管m0的第二極d流出的電流i滿足公式：i＝k[vgs(m0)-vth(m0)]²；其中，k為結(jié)構(gòu)參數(shù)，相同結(jié)構(gòu)中此數(shù)值相對穩(wěn)定，可以算作常量。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，在驅(qū)動(dòng)晶體管為n型晶體管時(shí)，第一參考信號(hào)端的信號(hào)的電壓vref1與預(yù)充電信號(hào)端的電壓vcs滿足公式：vcs-vref1>vth(m0)。在驅(qū)動(dòng)晶體管為p型晶體管時(shí)，第一參考信號(hào)端的信號(hào)的電壓vref1與預(yù)充電信號(hào)端的電壓vcs滿足公式：vcs-vref1<vth(m0)。

一般電磁觸控技術(shù)中常采用電磁筆來產(chǎn)生磁場，并且電磁筆可以通過其內(nèi)部進(jìn)行n極與s極變換來實(shí)現(xiàn)發(fā)射不同方向的磁場的功能。結(jié)合驅(qū)動(dòng)晶體管在飽和狀態(tài)時(shí)滿足的電流公式，在未發(fā)生電磁觸控和壓感觸控時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極流出的電流可以為i＝k[vgs(m0)-vth(m0)]²，其大小與預(yù)設(shè)電流的大小相同。在電磁觸控階段，由于電磁感應(yīng)模塊在感應(yīng)到電磁筆產(chǎn)生的磁場時(shí)，會(huì)產(chǎn)生與該磁場的方向相關(guān)的電磁感應(yīng)電壓，并將該電磁感應(yīng)電壓提供給驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，從而可以改變驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓的大小，進(jìn)而可以改變驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極流出的電流的大小，改變后的驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極流出的電流即為電磁檢測電流，因此可以通過數(shù)據(jù)處理模塊根據(jù)預(yù)設(shè)電流與接收的電磁檢測電流的大小關(guān)系判斷電磁觸控位置?；蛘撸趬焊杏|控階段，在物體按壓發(fā)生壓感觸控時(shí)，由于壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)受壓形變時(shí)，沿壓力方向會(huì)產(chǎn)生壓力感應(yīng)電壓，根據(jù)壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)晶體管設(shè)置的具體結(jié)構(gòu)，產(chǎn)生的壓力感應(yīng)電壓會(huì)對驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層產(chǎn)生作用，從而可以控制驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的大小，進(jìn)而可以改變驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極流出的電流的大小，改變后的驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極流出的電流即為壓感檢測電流，因此可以通過數(shù)據(jù)處理模塊根據(jù)預(yù)設(shè)電流與接收的壓感檢測電流的大小關(guān)系識(shí)別壓力。

在實(shí)際應(yīng)用中，電磁感應(yīng)模塊是設(shè)置在觸摸屏中的，由于電磁筆可以通過其內(nèi)部進(jìn)行n極與s極變換來實(shí)現(xiàn)發(fā)射不同方向的磁場，在電磁筆產(chǎn)生背離其磁力發(fā)射端方向的磁場時(shí)，此時(shí)電磁感應(yīng)模塊感應(yīng)到的磁場方向是垂直于觸摸屏所在平面向內(nèi)的；在電磁筆產(chǎn)生面向其磁力發(fā)射端方向的磁場時(shí)，此時(shí)電磁感應(yīng)模塊感應(yīng)到的磁場方向是垂直于觸摸屏所在平面向外的。由于磁場方向不同，電磁感應(yīng)模塊產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢的方向也不同，因此，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，數(shù)據(jù)處理模塊還可以用于在電磁觸控階段根據(jù)預(yù)設(shè)電流與接收的電磁檢測電流的大小關(guān)系判斷磁場的方向。從而可以判斷出磁場的方向，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)兩種不同的觸控命令。

下面結(jié)合具體實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是，本實(shí)施例中是為了更好的解釋本發(fā)明，但不限制本發(fā)明。

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，如圖3a與圖3b所示，電壓輸入模塊20具體可以包括：第一開關(guān)晶體管m1；其中，

第一開關(guān)晶體管m1的柵極與掃描信號(hào)端scan相連，第一開關(guān)晶體管m0的第一極與第一參考信號(hào)端vref1相連，第一開關(guān)晶體管m1的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管m0的第一極s相連。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，如圖3a所示，第一開關(guān)晶體管m1可以為n型開關(guān)晶體管?；蛘?，如圖3b所示，第一開關(guān)晶體管m1可以為p型開關(guān)晶體管，在此不作限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，第一開關(guān)晶體管在掃描信號(hào)端的控制下處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，將第一參考信號(hào)端的信號(hào)提供給驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極。

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，如圖3a與圖3b所示，電壓存儲(chǔ)模塊30具體可以包括：第一電容c1；其中，

第一電容c1的第一端與驅(qū)動(dòng)晶體管m0的柵極g以及預(yù)充電信號(hào)端cs相連，第二端與接地端gnd相連。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，預(yù)充電信號(hào)端可以在外部控制電路的控制下，在每幀顯示開始時(shí)向第一電容的第一端輸入具有預(yù)設(shè)電壓的電壓信號(hào)，使第一電容充入預(yù)設(shè)電壓，之后使預(yù)充電信號(hào)端無任何電壓信號(hào)輸入，即相當(dāng)于第一電容的第一端與預(yù)充電信號(hào)端斷開，而僅與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連，從而可以使預(yù)充電信號(hào)端向驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極輸入一個(gè)預(yù)設(shè)電壓或使第一電容在電磁觸控階段與壓感觸控階段向驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極輸入一個(gè)預(yù)設(shè)電壓。當(dāng)然也可以在預(yù)充電信號(hào)端與第一電容的第一端之間設(shè)置一個(gè)開關(guān)晶體管控制預(yù)充電信號(hào)端的信號(hào)的輸入，在此不作限定。

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，如圖3a與圖3b所示，電磁感應(yīng)模塊10具體可以包括：磁感應(yīng)片p；其中，

磁感應(yīng)片p的輸出端與驅(qū)動(dòng)晶體管m0的柵極g相連。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，當(dāng)外界磁場方向?yàn)榇怪庇诖鸥袘?yīng)片向內(nèi)時(shí)，磁感應(yīng)片會(huì)產(chǎn)生與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓的方向相反的感應(yīng)電動(dòng)勢，從而使驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓變小，進(jìn)而使驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極輸出的電流變小?；蛘撸?dāng)外界磁場方向?yàn)榇怪庇诖鸥袘?yīng)片向外時(shí)，磁感應(yīng)片會(huì)產(chǎn)生與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓的方向相同的感應(yīng)電動(dòng)勢，從而使驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓變大，進(jìn)而使驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極輸出的電流變大。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，磁感應(yīng)片可以為電磁線圈。在實(shí)際應(yīng)用中，磁感應(yīng)片的具體結(jié)構(gòu)需要根據(jù)具體應(yīng)用環(huán)境來設(shè)計(jì)確定。

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，如圖3a與圖3b所示，數(shù)據(jù)處理模塊40具體可以包括：電流鏡電路41、恒流源電路42、電流比較電路43、微處理器44；其中，

電流鏡電路41的輸入端與驅(qū)動(dòng)晶體管m0的第二極d相連，電流鏡電路41的輸出端與電流比較電路43的第一輸出端相連；電流鏡電路41用于在電磁觸控階段接收電磁檢測電流，并將接收的電磁檢測電流根據(jù)預(yù)設(shè)比例復(fù)制到電流鏡電路41的輸出端，在壓感觸控階段接收壓感檢測電流，并將接收的壓感檢測電流根據(jù)預(yù)設(shè)比例復(fù)制到電流鏡電路41的輸出端；

恒流源電路42的輸入端與恒流控制信號(hào)端cs相連，恒流源電路42的輸出端與電流比較電路43的輸入端相連；恒流源電路42用于分別在電磁觸控階段與壓感觸控階段，在恒流控制信號(hào)端cs的控制下輸出預(yù)設(shè)電流；

電流比較電路43的第二輸出端與微處理器44相連，用于在電磁觸控階段根據(jù)接收的電磁檢測電流與預(yù)設(shè)電流的大小關(guān)系，向微處理器44輸出第一輸出信號(hào)與第二輸出信號(hào)，在壓感觸控階段根據(jù)接收的壓感檢測電流與預(yù)設(shè)電流的大小關(guān)系，向微處理器44輸出第三輸出信號(hào)與第四輸出信號(hào)；

微處理器44用于在電磁觸控階段根據(jù)接收的第一輸出信號(hào)的電平與第二輸出信號(hào)的電平，判斷電磁觸控位置以及磁場的方向；在壓感觸控階段根據(jù)接收的第三輸出信號(hào)的電平與第四輸出信號(hào)的電平，識(shí)別壓力。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，電流鏡電路、恒流源電路、電流比較電路以及微處理器的具體結(jié)構(gòu)與功能可以與現(xiàn)有技術(shù)相同，且為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對本發(fā)明的限制。

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，如圖3a與圖3b所示，電流鏡電路41具體可以包括：第二開關(guān)晶體管m2、第三開關(guān)晶體管m3、第四開關(guān)晶體管m4、第五開關(guān)晶體管m5、第一開關(guān)s1、第二電容c2以及比較器ao；其中，

第二開關(guān)晶體管m2的第一極與驅(qū)動(dòng)晶體管m0的第二極d相連，作為電流鏡電路41的輸入端，第二開關(guān)晶體管m2的柵極與比較器ao的輸出端相連，第二開關(guān)晶體管m2的第二極與第三開關(guān)晶體管m3的柵極及其第一極相連；

第三開關(guān)晶體管m3的第二極與接地端gnd相連；

第四開關(guān)晶體管m4的柵極與比較器ao的輸出端相連，第四開關(guān)晶體管m4的第一極與電流比較電路43的第一輸出端相連，作為電流鏡電路41的輸出端，第四開關(guān)晶體管m4的第二極與第五開關(guān)晶體管m5的第一極相連；

第五開關(guān)晶體管m5的柵極與第三開關(guān)晶體管m3的柵極相連，第五開關(guān)晶體管m5的第二極與接地端gnd相連；

比較器ao的第一輸入端分別與第二開關(guān)晶體管m2的第一極以及第一開關(guān)s1的第一端相連，比較器ao的第二輸入端與第二參考信號(hào)端vref2相連；

第一開關(guān)s1的第二端與第二參考信號(hào)端vref2相連；

第二電容c2的第一端與第二開關(guān)晶體管m2的第一極相連，第二電容c2的第二端與接地端gnd相連。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，如圖3a與圖3b所示，第二開關(guān)晶體管m2、第三開關(guān)晶體管m3、第四開關(guān)晶體管m4以及第五開關(guān)晶體管m5可以為n型晶體管。當(dāng)然，第二開關(guān)晶體管m2、第三開關(guān)晶體管m3、第四開關(guān)晶體管m4以及第五開關(guān)晶體管m5也可以為p型晶體管，在此不作限定。

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，如圖3a與圖3b所示，電流比較電路43具體可以包括：第六開關(guān)晶體管m6、第七開關(guān)晶體管m7、第八開關(guān)晶體管m8、第九開關(guān)晶體管m9、第十開關(guān)晶體管m10、第十一開關(guān)晶體管m11、第十二開關(guān)晶體管m12、第十三開關(guān)晶體管m13、第三電容c3、第四電容c4、第二開關(guān)s2、第三開關(guān)s3、第四開關(guān)s4、第五開關(guān)s5、第一反相器n1以及第二反相器n2；其中，

第二開關(guān)s2的第一端與電流鏡電路41相連，用于接收電磁檢測電流，第二開關(guān)s2的第二端分別與第三開關(guān)s3的第一端以及第三電容c3的第一端相連，第三電容的第二端與接地端gnd相連，第三開關(guān)的第二端與第二參考信號(hào)端vref2相連；

第六開關(guān)晶體管m6的柵極與第一控制信號(hào)端en1相連，第六開關(guān)晶體管m6的第一極與第三參考信號(hào)端vref3相連，第六開關(guān)晶體管m6的第二極與第七開關(guān)晶體管m7的第一極以及第九開關(guān)晶體管m9的第一極相連；

第七開關(guān)晶體管m7的柵極分別與第八開關(guān)晶體管m8的柵極以及第五開關(guān)s5的第一端相連，第七開關(guān)晶體管m7的第二極分別與第八開關(guān)晶體管m8的第一極以及第一反相器n1的輸入端相連；

第五開關(guān)的第二端分別與第四開關(guān)s4的第一端以及第四電容c4的第一端相連，第四開關(guān)s4的第二端與第二參考信號(hào)端vref2相連，第四電容的第二端與接地端gnd相連；

第八開關(guān)晶體管m8的第二極與第十開關(guān)晶體管m10的第二極相連；

第九開關(guān)晶體管m9的柵極分別與第十開關(guān)晶體管m10的柵極以及第三電容c3的第一端相連，第九開關(guān)晶體管m9的第二極分別與第十開關(guān)晶體管m10的第一極以及第二反相器n2的輸入端相連；

第十一開關(guān)晶體管m11的柵極分別與復(fù)位信號(hào)端reset以及第十二開關(guān)晶體管m12的柵極相連，第十一開關(guān)晶體管m11的第一極與第一反相器n1的輸入端相連，第十一開關(guān)晶體管m11的第二極與接地端gnd相連；

第十二開關(guān)晶體管m12的第一極與第二反相器n2的輸入端相連，第十二開關(guān)晶體管m12的第二極與接地端gnd相連；

第十三開關(guān)晶體管m13的柵極與第二控制信號(hào)端en2相連，第十三開關(guān)晶體管m13的第一極與第八開關(guān)晶體管m8的第二極相連，第十三開關(guān)晶體管m13的第二極與接地端gnd相連；

第一反相器n1的輸出端與微處理器44相連，用于輸出第一輸出信號(hào)與第三輸出信號(hào)；

第二反相器n2的輸出端與微處理器44相連，用于輸出第二輸出信號(hào)與第四輸出信號(hào)。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，電流比較電路43具體還可以包括：第十四開關(guān)晶體管m14；其中第十四開關(guān)晶體管m14的柵極與復(fù)位信號(hào)端reset相連，第十四開關(guān)晶體管m14的第一極與第十一開關(guān)晶體管m11的第二極相連，第十四開關(guān)晶體管m14的第二極與第十二開關(guān)晶體管m12的第二極相連。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，如圖3a與圖3b所示，第六開關(guān)晶體管m6、第七開關(guān)晶體管m7以及第九開關(guān)晶體管m9可以為p型晶體管，第八開關(guān)晶體管m8、第十開關(guān)晶體管m10、第十一開關(guān)晶體管m11、第十二開關(guān)晶體管m12、第十三開關(guān)晶體管m13以及第十四開關(guān)晶體管m14可以為n型晶體管。當(dāng)然第六開關(guān)晶體管m6也可以為n型晶體管，第十一開關(guān)晶體管m11、第十二開關(guān)晶體管m12、第十三開關(guān)晶體管m13以及第十四開關(guān)晶體管m14也可以為p型晶體管，在此不作限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，第一控制信號(hào)端的信號(hào)與第二控制信號(hào)端的信號(hào)相位相反。當(dāng)然，在第六開關(guān)晶體管與第十三開關(guān)晶體管均為n型晶體管或均為p型晶體管時(shí)，第一控制信號(hào)端與第二控制信號(hào)端可以為同一信號(hào)端，在此不作限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，第一開關(guān)、第三開關(guān)以及第四開關(guān)在同一信號(hào)的控制下導(dǎo)通。第二開關(guān)與第五開關(guān)在同一信號(hào)的控制下導(dǎo)通。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，第一參考信號(hào)端與第三參考信號(hào)端可以為同一信號(hào)端。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路中，各開關(guān)晶體管在其柵極的信號(hào)的作用下處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，將其第一極的信號(hào)提供給其第二極。并且，各開關(guān)晶體管均可以采用相同材質(zhì)的晶體管。

具體地，在具體實(shí)施時(shí)，n型晶體管在高電平作用下導(dǎo)通，在低電平作用下截止；p型晶體管在高電平作用下截止，在低電平作用下導(dǎo)通。

需要說明的是，本發(fā)明提供的上述實(shí)施例中提到的驅(qū)動(dòng)晶體管與開關(guān)晶體管可以是薄膜晶體管(tft，thinfilmtransistor)，也可以是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(mos，metaloxidescmiconductor)，在此不作限定。在具體實(shí)施中，這些開關(guān)晶體管的第一極和第二極根據(jù)開關(guān)晶體管類型以及信號(hào)端的信號(hào)的不同，可以將第一極作為開關(guān)晶體管的源極或漏極，以及將第二極作為開關(guān)晶體管的漏極或源極，在此不作限定。

本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控檢測電路的工作過程為：在電磁觸控階段，電磁感應(yīng)模塊感應(yīng)到外界磁場時(shí)，產(chǎn)生與磁場的方向相關(guān)的電磁感應(yīng)電壓；電壓輸入模塊在掃描信號(hào)端的控制下將第一參考信號(hào)端的信號(hào)提供給驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極；電壓存儲(chǔ)模塊向驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極提供預(yù)設(shè)電壓；驅(qū)動(dòng)晶體管輸出與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓相關(guān)的電磁檢測電流；數(shù)據(jù)處理模塊根據(jù)預(yù)設(shè)電流與接收的電磁檢測電流的大小關(guān)系判斷電磁觸控位置；

在壓感觸控階段，壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)受壓形變時(shí)，沿壓力方向產(chǎn)生用于控制驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓大小的壓力感應(yīng)電壓；電壓輸入模塊在掃描信號(hào)端的控制下將第一參考信號(hào)端的信號(hào)提供給驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極；電壓存儲(chǔ)模塊向驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極提供預(yù)設(shè)電壓；驅(qū)動(dòng)晶體管輸出與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓相關(guān)的壓感檢測電流；數(shù)據(jù)處理模塊根據(jù)預(yù)設(shè)電流與接收的壓感檢測電流的大小關(guān)系識(shí)別壓力。

下面結(jié)合電路時(shí)序圖對本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路的工作過程作以描述；其中，以第一參考信號(hào)端vref1與第三參考信號(hào)端vref3為同一信號(hào)端為例。下述描述中以1表示高電平信號(hào)，0表示低電平信號(hào)，其中，1和0代表其邏輯電平，僅是為了更好的解釋本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路的工作過程，而不是在具體實(shí)施時(shí)施加在各開關(guān)晶體管的柵極上的具體電平。

以圖3a所示的觸控檢測電路的結(jié)構(gòu)為例，對應(yīng)的輸入輸出時(shí)序圖如圖4所示，具體地，選取圖4中的電磁觸控階段t1中的t11、t12以及t13三個(gè)階段，以及壓感觸控階段t2中的t21、t22以及t23三個(gè)階段；其中，sm1信號(hào)用于控制第一開關(guān)s1、第三開關(guān)s3以及第四開關(guān)s4；sm2信號(hào)用于控制第二開關(guān)s2與第五開關(guān)s5。

在電磁觸控階段t1中的t11階段，scan＝0，cm＝0，sm1＝1，sm2＝0，reset＝1，en1＝1，en2＝0，此時(shí)預(yù)充電信號(hào)端cs為具有預(yù)設(shè)電壓v0的電壓信號(hào)。

由于scan＝0，因此第一開關(guān)晶體管m1截止。由于預(yù)充電信號(hào)端cs為具有預(yù)設(shè)電壓v0的電壓信號(hào)，因此第一電容c1的第一端與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極g均被充入預(yù)設(shè)電壓v0。由于sm2＝0，因此第二開關(guān)s2與第五開關(guān)s5斷開。由于sm1＝1，因此第一開關(guān)s1、第三開關(guān)s3以及第四開關(guān)s4均閉合，第二電容c2、第三電容c3以及第四電容c4均充入第二參考信號(hào)端vref2的電壓vref2，從而對第二電容c2、第三電容c3以及第四電容c4中的電壓進(jìn)行復(fù)位，以及使第三電容c3的電壓vc3與第四電容c4的電壓vc4相等。由于en1＝1，因此第六開關(guān)晶體管m6截止。由于en2＝0，因此第十三開關(guān)晶體管m13截止。由于reset＝1，因此第十一開關(guān)晶體管m11、第十二開關(guān)晶體管m12以及第十四開關(guān)晶體管m14均導(dǎo)通，分別將接地端gnd的低電平信號(hào)提供給第一反相器n1與第二反相器n2的輸入端，從而使第一反相器n1的輸出端輸出高電平的第一輸出信號(hào)vout1，使第二反相器n2的輸出端輸出高電平的第二輸出信號(hào)vout2。

在t12階段，scan＝1，cm＝1，sm1＝0，sm2＝1，reset＝1，en1＝1，en2＝0，此時(shí)預(yù)充電信號(hào)端cs無信號(hào)。

由于sm2＝1，因此第二開關(guān)s2與第五開關(guān)s5均閉合。由于sm1＝0，因此第一開關(guān)s1、第三開關(guān)s3以及第四開關(guān)s4均斷開。由于scan＝1，因此第一開關(guān)晶體管m1導(dǎo)通并將第一參考信號(hào)端vref1的信號(hào)提供給驅(qū)動(dòng)晶體管m0的第一極s，驅(qū)動(dòng)晶體管m0的第一極s的電壓為vref1，第一電容c1向驅(qū)動(dòng)晶體管m0的柵極g提供預(yù)設(shè)電壓v0，使驅(qū)動(dòng)晶體管m0導(dǎo)通并向電流鏡電路41輸出電流i0，其中，i0＝k[vgs(m0)-vth(m0)]²＝k[v0-vref1-vth(m0)]²，電流鏡電路41的輸出端輸出與i0大小相同且方向相反的電流i0’，即電流比較電路43向電流鏡電路41流出電流i0’。由于cm＝1，因此恒流源電路42向電流比較電路43輸入預(yù)設(shè)電流iref，此時(shí)第三電容c3的電壓其中，t代表充電時(shí)間，c3代表第三電容c3的電容值。由于i0’與iref的大小相同，方向相反，因此第三電容c3的電壓不變，vc3＝vc4。由于en1＝1，因此第六開關(guān)晶體管m6截止。由于en2＝0，因此第十三開關(guān)晶體管m13截止。由于reset＝1，因此第十一開關(guān)晶體管m11、第十二開關(guān)晶體管m12以及第十四開關(guān)晶體管m14均導(dǎo)通，分別將接地端gnd的低電平信號(hào)提供給第一反相器n1與第二反相器n2的輸入端，從而使第一反相器n1的輸出端輸出高電平的第一輸出信號(hào)vout1，使第二反相器n2的輸出端輸出高電平的第二輸出信號(hào)vout2。

在t3階段，scan＝1，cm＝1，sm1＝0，sm2＝1，reset＝0，en1＝0，en2＝1，此時(shí)預(yù)充電信號(hào)端cs無信號(hào)。

由于sm2＝1，因此第二開關(guān)s2與第五開關(guān)s5均閉合。由于sm1＝0，因此第一開關(guān)s1、第三開關(guān)s3以及第四開關(guān)s4均斷開。由于en1＝0，因此第六開關(guān)晶體管m6導(dǎo)通，并將第三參考信號(hào)端vref3分別與第七開關(guān)晶體管m7以及第九開關(guān)晶體管m9導(dǎo)通。由于en2＝1，因此第十三開關(guān)晶體管m13導(dǎo)通，并將接地端gnd與第八開關(guān)晶體管m8以及第十開關(guān)晶體管m10導(dǎo)通。由于reset＝0，因此第十一開關(guān)晶體管m11、第十二開關(guān)晶體管m12以及第十四開關(guān)晶體管m14均截止。由于scan＝1，因此第一開關(guān)晶體管m1導(dǎo)通并將第一參考信號(hào)端vref1的信號(hào)提供給驅(qū)動(dòng)晶體管m0的第一極s，驅(qū)動(dòng)晶體管m0的第一極s的電壓為vref1，第一電容c1向驅(qū)動(dòng)晶體管m0的柵極g提供預(yù)設(shè)電壓v0，磁感應(yīng)片p感應(yīng)到的外界磁場的方向是垂直于磁感應(yīng)片p向外，磁感應(yīng)片p產(chǎn)生與驅(qū)動(dòng)晶體管m0的柵極電壓方向相同的感應(yīng)電動(dòng)勢ve，并將產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢ve提供給驅(qū)動(dòng)晶體管m0的柵極g，使驅(qū)動(dòng)晶體管m0的柵極電壓為v0+ve。驅(qū)動(dòng)晶體管m0導(dǎo)通并且向電流鏡電路41的輸入端輸出電流i1＝k[vgs(m0)-vth(m0)]²＝k[v0+ve-vref1-vth(m0)]²，電流鏡電路41的輸出端輸出與i1相同大小且方向相反的電流i1’，即電流比較電路43向電流鏡電路41流出電流i1’。由于cm＝1，因此恒流源電路42向電流比較電路43輸入預(yù)設(shè)電流iref，此時(shí)第三電容c3的電壓其中，t代表充電時(shí)間，c3代表第三電容c3的電容值。由于i1’>iref，因此第三電容c3的電壓增加，使得vc3>vc4。因此第九開關(guān)晶體管m9與第十開關(guān)晶體管m10的下拉速度大于第七開關(guān)晶體管m7與第八開關(guān)晶體管m8的下拉速度，使第二反相器n2的輸出端輸出高電平的第二輸出信號(hào)vout2，使得第一反相器n1的輸出端輸出低電平的第一輸出信號(hào)vout1。

當(dāng)然，在電磁觸控階段t1中的t13階段，磁感應(yīng)片p感應(yīng)到的外界磁場的方向是垂直于磁感應(yīng)片p向內(nèi)，磁感應(yīng)片p產(chǎn)生與驅(qū)動(dòng)晶體管m0的柵極電壓方向相反的感應(yīng)電動(dòng)勢ve’，并將產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢ve’提供給驅(qū)動(dòng)晶體管m0的柵極g，驅(qū)動(dòng)晶體管m0的柵極電壓為v0-ve’。驅(qū)動(dòng)晶體管m0向電流鏡電路41輸出電流i3，其中，i3＝k[vgs(m0)-vth(m0)]²＝k[v0-ve'-vref1-vth(m0)]²，電流鏡電路41的輸出端輸出與i3相同大小且方向相反的電流i3’，即電流比較電路43向電流鏡電路41流出電流i3’。由于cm＝1，因此恒流源電路42向電流比較電路43輸入預(yù)設(shè)電流iref，此時(shí)第三電容c3的電壓其中，t代表充電時(shí)間，c3代表第三電容c3的電容值。由于i3’<iref，因此第三電容c3的電壓降低，使得vc3<vc4。因此第七開關(guān)晶體管m7與第八開關(guān)晶體管m8的下拉速度大于第九開關(guān)晶體管m9與第十開關(guān)晶體管m10的下拉速度，使得第一反相器n1的輸出端輸出高電平的第一輸出信號(hào)，使第二反相器n2的輸出端輸出低電平的第二輸出信號(hào)。

因此，微處理器44在電磁觸控階段，在第一輸出信號(hào)vout1為低電平且第二輸出信號(hào)vout2為高電平時(shí)，可以判斷出磁場方向?yàn)榇怪庇诖鸥袘?yīng)片向外；在第一輸出信號(hào)vout1為高電平且第二輸出信號(hào)vout2為低電平時(shí)，可以判斷出磁場方向?yàn)榇怪庇诖鸥袘?yīng)片向內(nèi)，從而判斷出磁場的方向，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)兩種觸控指令。

在壓感觸控階段t2中的t21階段，由于scan＝0，cm＝0，sm1＝1，sm2＝0，reset＝1，en1＝1，en2＝0，此時(shí)預(yù)充電信號(hào)端cs為具有預(yù)設(shè)電壓v0的電壓信號(hào)。因此本階段的工作過程與電磁觸控階段t1中的t11階段基本相同，在此不作詳述。

在t22階段，由于scan＝1，cm＝1，sm1＝0，sm2＝1，reset＝1，en1＝1，en2＝0，此時(shí)預(yù)充電信號(hào)端cs無信號(hào)。因此本階段的工作過程與電磁觸控階段t1中的t12階段基本相同，在此不作詳述。

在t23階段，scan＝1，cm＝1，sm1＝0，sm2＝1，reset＝0，en1＝0，en2＝1，此時(shí)預(yù)充電信號(hào)端cs無信號(hào)。

由于sm2＝1，因此第二開關(guān)s2與第五開關(guān)s5均閉合。由于sm1＝0，因此第一開關(guān)s1、第三開關(guān)s3以及第四開關(guān)s4均斷開。由于en1＝0，因此第六開關(guān)晶體管m6導(dǎo)通，并將第三參考信號(hào)端vref3分別與第七開關(guān)晶體管m7以及第九開關(guān)晶體管m9導(dǎo)通。由于en2＝1，因此第十三開關(guān)晶體管m13導(dǎo)通，并將接地端gnd與第八開關(guān)晶體管m8以及第十開關(guān)晶體管m10導(dǎo)通。由于reset＝0，因此第十一開關(guān)晶體管m11、第十二開關(guān)晶體管m12以及第十四開關(guān)晶體管m14均截止。由于scan＝1，因此第一開關(guān)晶體管m1導(dǎo)通并將第一參考信號(hào)端vref1的信號(hào)提供給驅(qū)動(dòng)晶體管m0的第一極s，驅(qū)動(dòng)晶體管m0的第一極s的電壓為vref1，第一電容c1向驅(qū)動(dòng)晶體管m0的柵極g提供預(yù)設(shè)電壓v0，在壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)受到壓力作用時(shí)發(fā)生形變，從而使驅(qū)動(dòng)晶體管m0的閾值電壓vth(m0)變小為vth’(m0)。因此驅(qū)動(dòng)晶體管m0向電流鏡電路41的輸入端輸出電流i2＝k[vgs(m0)-vth'(m0)]²＝k[v0-vref1-vth'(m0)]²，電流鏡電路41的輸出端輸出與i2大小相同且方向相反的電流i2’，即電流比較電路43向電流鏡電路41流出電流i2’。由于cm＝1，因此恒流源電路42向電流比較電路43輸入預(yù)設(shè)電流iref，此時(shí)第三電容c3的電壓其中，t代表充電時(shí)間，c3代表第三電容c3的電容值。由于i2’>iref，因此第三電容c3的電壓增加，使得vc3>vc4。因此第九開關(guān)晶體管m9與第十開關(guān)晶體管m10的下拉速度大于第七開關(guān)晶體管m7與第八開關(guān)晶體管m8的下拉速度，使得第一反相器n1的輸出端輸出低電平的第三輸出信號(hào)vout3，使第二反相器n2的輸出端輸出高電平的第四輸出信號(hào)vout4。

因此，微處理器44在壓感觸控階段，在第三輸出信號(hào)vout3為低電平且第四輸出信號(hào)vout4為高電平時(shí)，可以識(shí)別到壓力，從而實(shí)現(xiàn)壓感觸控功能。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控檢測電路不僅可以支持基于電磁感應(yīng)原理的電磁觸控功能，還可以支持基于壓感技術(shù)的壓感觸控功能，從而可以將電磁觸摸檢測電路與壓力感應(yīng)裝置以及壓感檢測電路集成在一個(gè)觸控檢測電路中，從而可以減小壓力感應(yīng)裝置與壓感檢測電路占用顯示裝置中過多的空間。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種觸控檢測電路的驅(qū)動(dòng)方法，如圖5所示，包括：電磁觸控階段與壓感觸控階段；其中，

s501、在電磁觸控階段，電磁感應(yīng)模塊感應(yīng)到外界磁場時(shí)，產(chǎn)生與磁場的方向相關(guān)的電磁感應(yīng)電壓；電壓輸入模塊在掃描信號(hào)端的控制下將第一參考信號(hào)端的信號(hào)提供給驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極；電壓存儲(chǔ)模塊向驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極提供預(yù)設(shè)電壓；驅(qū)動(dòng)晶體管輸出與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓相關(guān)的電磁檢測電流；數(shù)據(jù)處理模塊根據(jù)預(yù)設(shè)電流與接收的電磁檢測電流的大小關(guān)系判斷電磁觸控位置；

s502、在壓感觸控階段，壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)受壓形變時(shí)，沿壓力方向產(chǎn)生用于控制驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓大小的壓力感應(yīng)電壓；電壓輸入模塊在掃描信號(hào)端的控制下將第一參考信號(hào)端的信號(hào)提供給驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極；電壓存儲(chǔ)模塊向驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極提供預(yù)設(shè)電壓；驅(qū)動(dòng)晶體管輸出與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓相關(guān)的壓感檢測電流；數(shù)據(jù)處理模塊根據(jù)預(yù)設(shè)電流與接收的壓感檢測電流的大小關(guān)系識(shí)別壓力。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述驅(qū)動(dòng)方法，不僅可以支持基于電磁感應(yīng)原理的電磁觸控功能，還可以支持基于壓感技術(shù)的壓感觸控功能，從而可以將電磁觸摸檢測電路與壓力感應(yīng)裝置以及壓感檢測電路集成在一個(gè)觸控檢測電路中，從而可以減小壓力感應(yīng)裝置與壓感檢測電路占用顯示裝置中過多的空間。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種內(nèi)嵌式觸摸屏，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種觸控檢測電路。該內(nèi)嵌式觸摸屏解決問題的原理與前述觸控檢測電路相似，因此該內(nèi)嵌式觸摸屏的實(shí)施可以參見前述觸控檢測電路的實(shí)施，重復(fù)之處在此不再贅述。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述內(nèi)嵌式觸摸屏。該顯示裝置可以為：手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。對于該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對本發(fā)明的限制。該顯示裝置的實(shí)施可以參見上述觸控檢測電路的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控檢測電路、其驅(qū)動(dòng)方法、內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置，包括：電磁感應(yīng)模塊、電壓輸入模塊、電壓存儲(chǔ)模塊、壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)、底柵型的驅(qū)動(dòng)晶體管、數(shù)據(jù)處理模塊；其中，壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)位于驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層背離驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的一側(cè)，并且壓電感應(yīng)結(jié)構(gòu)用于在壓感觸控階段受壓形變時(shí)，沿壓力方向產(chǎn)生用于控制驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓大小的壓力感應(yīng)電壓；電磁感應(yīng)模塊用于在電磁觸控階段感應(yīng)到外界磁場時(shí)，產(chǎn)生與磁場的方向相關(guān)的電磁感應(yīng)電壓；電壓輸入模塊用于在電磁觸控階段與壓感觸控階段，在掃描信號(hào)端的控制下將第一參考信號(hào)端的信號(hào)提供給驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極；電壓存儲(chǔ)模塊用于在電磁觸控階段與壓感觸控階段向驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極提供預(yù)設(shè)電壓；驅(qū)動(dòng)晶體管用于在電磁觸控階段輸出與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的電壓相關(guān)的電磁檢測電流；在壓感觸控階段輸出與驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓相關(guān)的壓感檢測電流；數(shù)據(jù)處理模塊用于在電磁觸控階段根據(jù)預(yù)設(shè)電流與接收的電磁檢測電流的大小關(guān)系判斷電磁觸控位置，在壓感觸控階段根據(jù)預(yù)設(shè)電流與接收的壓感檢測電流的大小關(guān)系識(shí)別壓力。因此,本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控檢測電路、其驅(qū)動(dòng)方法、內(nèi)嵌式觸摸屏及顯示裝置，通過上述模塊與結(jié)構(gòu)的相互配合，不僅可以支持基于電磁感應(yīng)原理的電磁觸控功能，還可以支持基于壓感技術(shù)的壓感觸控功能，從而可以將電磁觸摸檢測電路與壓力感應(yīng)裝置以及壓感檢測電路集成在一個(gè)觸控檢測電路中，從而可以減小壓力感應(yīng)裝置與壓感檢測電路占用顯示裝置中過多的空間。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。