技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種用于GGNMOS的電路級建模方法及模型電路，所述模型電路包括三極管、第一電阻、第二電阻和二極管，所述第一電阻的一端與電源地連接、另一端連接二極管的正極，所述二極管的負(fù)極連接電源，所述三極管的基極與二極管和第一電阻之間的連接節(jié)點(diǎn)連接，所述三極管的發(fā)射極接電源地、集電極通過第二電阻與電源連接。一種用于GGNMOS的電路級建模方法，對GGNMOS進(jìn)行建模，運(yùn)用該模型電路可以在短時(shí)間內(nèi)仿真得到GGNMOS對ESD沖擊的箝位能力，結(jié)構(gòu)簡單，易于實(shí)現(xiàn)，與現(xiàn)有的采用提取參數(shù)的方式進(jìn)行物理建模相比，效率更高，設(shè)計(jì)成本低。

技術(shù)研發(fā)人員：賈柱良;何凱;楊君
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市國微電子有限公司
文檔號碼：201710011350
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.06
技術(shù)公布日：2017.05.24