技術(shù)特征：

1.一種集總參數(shù)射頻電感模型，由串聯(lián)電感(1)、串聯(lián)導(dǎo)體等效電阻(2)、引出電容(3)、氧化物層電容(4)、襯底電容(5)及襯底電阻(6)構(gòu)成，其特征在于，串聯(lián)電感(1)一端接串聯(lián)導(dǎo)體等效電阻(2)，另一端為輸出負(fù)極；串聯(lián)導(dǎo)體等效電阻(2)另一端為輸出正極；引出電容(3)一端接輸出正極另一端接輸出負(fù)極；氧化物層電容(4)一端接輸出正極另一端接襯底電容(5)和襯底電阻(6)；襯底電容和襯底電阻另一端接輸出負(fù)極；

所述串聯(lián)電感(1)為片上電感的電感值，采用帶校正因子的公式對(duì)其進(jìn)行計(jì)算獲?。?/p>

其中b＝(n-1)(w+s)+w,d_m＝d_in+b,K為校正因子，n為線圈的圈數(shù)，w為金屬導(dǎo)體的寬度，S為線圈之間的間距，d_in金屬導(dǎo)體的內(nèi)徑，t金屬導(dǎo)體的厚度；

所述串聯(lián)導(dǎo)體等效電阻2由金屬導(dǎo)體的趨膚效應(yīng)形成，其值的計(jì)算公式如下：

其中w為金屬導(dǎo)體的寬度，ρ為金屬的電阻率，δ為金屬的導(dǎo)體的趨膚厚度，t為金屬導(dǎo)體的厚度，f為電感的工作頻率；當(dāng)δ大于t時(shí)，其取值為t。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集總參數(shù)射頻電感模型，其特征在于，所述引出電容3由下層終端引出結(jié)點(diǎn)與上層金屬之間的電勢(shì)差形成，其計(jì)算公式如下：

其中ε_ox和t_。xM1-M2分別為電感層和終端引出層間介質(zhì)的介電常數(shù)、厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集總參數(shù)射頻電感模型，其特征在于，所述氧化物層電容電感層與襯底層之間電容由于絕緣介質(zhì)的存在而形成的,其計(jì)算公式如下：

其中l(wèi)和t_ox分別為電感的長(zhǎng)度、電感層與襯底層間絕緣介質(zhì)的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集總參數(shù)射頻電感模型，其特征在于，所述襯底電容及襯底電阻由襯底的寄生參量構(gòu)成，模擬了襯底的損耗，其計(jì)算公式如下：

C_si＝1/2·l·w·C_sub

其中Csub、Gsub是硅襯底的單位電容、電導(dǎo)，它們的值由測(cè)量數(shù)據(jù)獲得。

5.一種集總參數(shù)射頻電感模型優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，采用權(quán)利要求1所述的電感模型確定優(yōu)化電感結(jié)構(gòu)，包含如下的設(shè)計(jì)步驟：

A.設(shè)置優(yōu)化目標(biāo)函數(shù):電感的優(yōu)化目標(biāo)函數(shù)是電感值L和品質(zhì)因數(shù)Q；

L＝Im[Z₁₁]/ω,Q＝Im[Z₁₁]/Re[Z₁₁]

阻抗Z11可以從物理電路模型獲得；如果應(yīng)用電路設(shè)計(jì)軟件如ADS，則Z11可以簡(jiǎn)單地從S11獲得：

B.在上物理電路模型中，由測(cè)量數(shù)據(jù)或其他方法獲取硅襯底的單位電容Csub和單位電導(dǎo)Gsub；取校正因子的初始值，根據(jù)優(yōu)化目標(biāo)函數(shù)得到初始優(yōu)化電感結(jié)構(gòu)；

C.用格林豪斯算法獲得準(zhǔn)確的電感值，最后與模型值比較，得到實(shí)際校正因子的值；

D.利用上一步得到的校正因子的值進(jìn)行優(yōu)化，確定最終幾何結(jié)構(gòu)尺寸。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集總參數(shù)射頻電感模型優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述校正因子的初始值取0.8。