本實用新型涉及人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及神經(jīng)元電路。

背景技術(shù)：

隨著人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的研究深入，傳統(tǒng)的采用數(shù)字電路實現(xiàn)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的缺點越來越明顯，用以實現(xiàn)所需的乘法和加法運算和非線性變換所需的神經(jīng)元突觸電路規(guī)模龐大，功耗和體積巨大，難以適應(yīng)發(fā)展的需要。而模擬電路結(jié)構(gòu)簡單、功耗低、運算速度快，能顯著提高神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的運算效率。模擬神經(jīng)元電路是模擬神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的基本單元之一。

Izhikevich模型是一種神經(jīng)元的數(shù)學(xué)模型，由Izhikevich提出，相關(guān)參考文獻：Izhikevich E M.Simple model of spiking neurons.[J].IEEE Transactions on Neural Networks，2010，14(6):1569-1572。這種數(shù)學(xué)模型可以描述出神經(jīng)元的多種放電形式，其基本公式如下：

當ν≥30mV，則有

其中，ν代表神經(jīng)元膜電位，u代表神經(jīng)元膜電位調(diào)整變量，a、b、c、d是無量綱參數(shù)，t表示時間，I代表神經(jīng)元受到的刺激電流。該模型模擬的生理過程如下：神經(jīng)元受到神經(jīng)突觸的刺激電流以后，產(chǎn)生動作脈沖(spike)，膜電位ν開始上升，上升到一定程度(大約30mV)后，由于調(diào)整變量u的作用，ν又恢復(fù)到設(shè)定值c所表示的電位，同時u恢復(fù)到u+d。由于其參數(shù)a、b、c、d可以靈活設(shè)置，因此可以模擬多種神經(jīng)元的放電模式。

由于該模型中含有乘積和平方項，用傳統(tǒng)的模擬CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導(dǎo)體)電路實現(xiàn)起來較為復(fù)雜，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中實現(xiàn)該模型一般用數(shù)字或軟件算法方式實現(xiàn)。然而，使用數(shù)字或軟件算法方式實現(xiàn)該模型的神經(jīng)元，功耗大，尤其是在大規(guī)模集成的時候，難以適應(yīng)未來發(fā)展的需要；同時，在模擬神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中，需要將神經(jīng)元信號在數(shù)字和模擬之間不斷地轉(zhuǎn)換，需要大量的D/A和A/D轉(zhuǎn)換器，極大地增加電路的功耗和面積。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型實施例提供一種神經(jīng)元電路，用以降低神經(jīng)元電路的功耗，減小神經(jīng)元電路的占用面積，該神經(jīng)元電路包括：

脈沖產(chǎn)生電路，通過第一Tau-cell電路結(jié)構(gòu)和第二Tau-cell電路結(jié)構(gòu)，被構(gòu)造為用于模擬神經(jīng)脈沖振蕩；第一Tau-cell電路結(jié)構(gòu)中包括用于模擬神經(jīng)元膜電位ν的第一電容C_v；第二Tau-cell電路結(jié)構(gòu)中包括用于模擬神經(jīng)元膜電位調(diào)整變量u的第二電容C_u；

與脈沖產(chǎn)生電路連接的調(diào)整電路，用于對神經(jīng)元膜電位ν重賦值；

與脈沖產(chǎn)生電路連接的比較電路，用于對神經(jīng)元膜電位調(diào)整變量u重賦值。

本實用新型實施例的神經(jīng)元電路通過包括第一Tau-cell電路結(jié)構(gòu)和第二Tau-cell電路結(jié)構(gòu)的脈沖產(chǎn)生電路，與脈沖產(chǎn)生電路連接的調(diào)整電路和比較電路，可以實現(xiàn)基于Izhikevich模型的神經(jīng)元多種放電模式，相對于傳統(tǒng)模擬CMOS電路，該神經(jīng)元電路結(jié)構(gòu)簡單；相對于使用數(shù)字或軟件算法方式實現(xiàn)，功耗更低，無需大量的D/A和A/D轉(zhuǎn)換器，最大程度地減小了電路功耗和面積。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。在附圖中：

圖1為本實用新型實施例中Tau-cell電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型實施例中神經(jīng)元電路的一個具體實例圖。

具體實施方式

為使本實用新型實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，下面結(jié)合附圖對本實用新型實施例做進一步詳細說明。在此，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，但并不作為對本實用新型的限定。

本實用新型實施例提出一種實現(xiàn)Izhikevich模型的神經(jīng)元電路，該神經(jīng)元電路是基于Tau-cell電路結(jié)構(gòu)，利用Tau-cell電路結(jié)構(gòu)的運算特性，實現(xiàn)基于Izhikevich模型的神經(jīng)元多種放電模式，該神經(jīng)元電路功耗低，占用面積小。

下面先介紹Tau-cell電路結(jié)構(gòu)，本實用新型實施例中的神經(jīng)元電路采用了Tau-cell電路結(jié)構(gòu)。圖1為本實用新型實施例中Tau-cell電路結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，在該Tau-cell電路結(jié)構(gòu)中，M1、M2、M3、M4是NMOS器件，VDD是電源，GND為地，V_ref表示某一電壓。I_c為電容上的電流，V_c為節(jié)點電壓。在該Tau-cell電路結(jié)構(gòu)中，M1、M2、M3、M4都工作在亞閾值區(qū)域，此時該Tau-cell電路結(jié)構(gòu)滿足跨導(dǎo)線性原理，可以得出如下關(guān)系式：

I_in·I_τ＝I₁·I_out

以上關(guān)于Tau-cell電路結(jié)構(gòu)的介紹來自參考文獻：Chicca E,Stefanini F,Bartolozzi C,et al.Neuromorphic electronic circuits for building autonomous cognitive systems[J].Proceedings of the IEEE,2014,102(9):1367-1388。

本實用新型實施例中的神經(jīng)元電路包括：脈沖產(chǎn)生電路，通過第一Tau-cell電路結(jié)構(gòu)和第二Tau-cell電路結(jié)構(gòu)，被構(gòu)造為用于模擬神經(jīng)脈沖振蕩；第一Tau-cell電路結(jié)構(gòu)中包括用于模擬神經(jīng)元膜電位ν的第一電容C_v；第二Tau-cell電路結(jié)構(gòu)中包括用于模擬神經(jīng)元膜電位調(diào)整變量u的第二電容C_u；與脈沖產(chǎn)生電路連接的調(diào)整電路，用于對神經(jīng)元膜電位ν重賦值；與脈沖產(chǎn)生電路連接的比較電路，用于對神經(jīng)元膜電位調(diào)整變量u重賦值。

下面結(jié)合圖2的示例說明本實用新型實施例的神經(jīng)元電路的具體實施。當然，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解，圖2所示的具體電路結(jié)構(gòu)僅為實現(xiàn)本實用新型實施例神經(jīng)元電路的一個具體實例，在具體實施時完全可以將電路中的部分或全部結(jié)構(gòu)單元進行變形，例如可以通過增加或增少晶體管來實現(xiàn)相同的功能，進一步的，比如對于第一Tau-cell電路結(jié)構(gòu)或第二Tau-cell電路結(jié)構(gòu)中的晶體管、電容，調(diào)整電路或比較電路進行結(jié)構(gòu)上的重新設(shè)計，而保持電路各部分的實現(xiàn)原理相同。

如圖2所示，本例的神經(jīng)元電路中，第二Tau-cell電路結(jié)構(gòu)還包括第一NMOS器件M1，第二NMOS器件M2，第三NMOS器件M3，第四NMOS器件M4；

第一NMOS器件M1漏極與柵極短接；第一NMOS器件M1柵極連接第二NMOS器件M2柵極；第一NMOS器件M1源極接地；第二NMOS器件M2漏極接電源VDD；第二NMOS器件M2源極連接第二電容C_u正極和第三NMOS器件M3源極；第二電容C_u負極接地；第三NMOS器件M3漏極與柵極短接，并連接第一恒流源I_1u輸出端；第一恒流源I_1u輸入端接電源VDD；第三NMOS器件M3柵極連接第四NMOS器件M4柵極；第三NMOS器件M3源極連接第二恒流源I_2u輸入端；第二恒流源I_2u輸出端接地；第四NMOS器件M4源極接地；第四NMOS器件M4漏極接第三恒流源I_in輸出端和第四恒流源I_dc輸出端；第三恒流源I_in輸出端連接第四恒流源I_dc輸出端；第三恒流源I_in輸入端和第四恒流源I_dc輸入端接電源VDD；

第一Tau-cell電路結(jié)構(gòu)還包括：第七NMOS器件M7，第八NMOS器件M8，第九NMOS器件M9，第十NMOS器件M10；

第七NMOS器件M7漏極與柵極短接，并連接第三恒流源I_in輸出端和第四恒流源I_dc輸出端；第七NMOS器件M7柵極連接第八NMOS器件M8柵極；第七NMOS器件M7源極接地；第八NMOS器件M8漏極接電源VDD；第八NMOS器件M8源極連接第五恒流源I_2v輸入端和第九NMOS器件M9源極；第五恒流源I_2v輸出端接地；第九NMOS器件M3漏極與柵極短接，并連接第六恒流源I_1v輸出端；第六恒流源I_1v輸入端接電源VDD；第九NMOS器件M9柵極連接第十NMOS器件M10柵極；第九NMOS器件M9源極連接第一電容C_v正極；第一電容C_v負極接地；第十NMOS器件M10源極接地；

脈沖產(chǎn)生電路還包括：第五PMOS器件M5，第六PMOS器件M6，第十一PMOS器件M11，第十二PMOS器件M12，第十三PMOS器件M13，第七恒流源I_d；

第五PMOS器件M5源極接電源VDD；第五PMOS器件M5漏極連接第一NMOS器件M1漏極；第五PMOS器件M5柵極連接比較電路輸入端；第六PMOS器件M6漏極連接第七恒流源I_d輸出端；第七恒流源I_d輸入端接電源VDD；第六PMOS器件M6源極連接第二電容C_u正極；第六PMOS器件M6柵極連接比較電路輸出端；第十一PMOS器件M11源極接電源VDD；第十一PMOS器件M11柵極連接第十二PMOS器件M12柵極和比較電路輸入端；第十一PMOS器件M11漏極連接第一電容C_v正極；第十二PMOS器件M12漏極與柵極短接，并連接第十NMOS器件M10漏極；第十二PMOS器件M12源極接電源VDD；第十三PMOS器件M13柵極連接比較電路輸出端；第十三PMOS器件M13源極連接第一電容C_v正極；第十三PMOS器件M13漏極連接調(diào)整電路輸出端。

具體實施時本實用新型實施例的神經(jīng)元電路工作在亞閾值區(qū)域。神經(jīng)元電路中的晶體管工作在亞閾值區(qū)，工作在該區(qū)域的晶體管工作電流小，工作電壓也小，實驗中神經(jīng)元電路的工作電壓可以低到1V以下，可以極大地減小功耗。

下面以圖2為例，詳細說明本實用新型實施例的神經(jīng)元電路是如何實現(xiàn)基于Izhikevich模型的神經(jīng)元多種放電模式的。

為了可以更簡化地實現(xiàn)Izhikevich模型的數(shù)學(xué)公式，我們將u和ν用電流的方式表達，令：

v＝I_v-100 (4)

u＝I_u-100b (5)

將(4)式和(5)式帶入(1)式中，我們可以將(1)式簡化為：

如圖2所示，在包括第七NMOS器件M7，第八NMOS器件M8，第九NMOS器件M9，第十NMOS器件M10的第一Tau-cell電路結(jié)構(gòu)中，由Tau-cell電路結(jié)構(gòu)的特點可以得到下面的關(guān)系式：

(I_in+I_dc-I_u)·I_1v＝(I_2v+I_Cv-I_1v-I_v)·I_v (7)

其中I_Cv為第一電容C_v電流。(7)式兩邊同時除以I_1v可以得到：

又由于本實用新型實施例的神經(jīng)元電路中MOS管工作在亞閾值區(qū)，工作在該狀態(tài)的MOS管柵源電壓V_GS與漏源電流I_D之間的關(guān)系式為：

其中I_S、n、V_t均是MOS管的本身的固有參數(shù)。

從電路的對稱性可以看出來，M8的柵源電壓就等于第一電容C_v兩端的電壓，由(9)式可以得到：

V_GS10表示M10的柵源電壓，將(10)式帶入(8)式，經(jīng)整理可得：

可見，(11)式的形式與(1)式和(6)式相同。

類似地，在包括第一NMOS器件M1，第二NMOS器件M2，第三NMOS器件M3，第四NMOS器件M4的第二Tau-cell電路結(jié)構(gòu)中，由Tau-cell電路結(jié)構(gòu)的特點可以得到下面的關(guān)系式：

(I_Cu+I_2u-I_1u)·I_u＝I_1u·I_v (12)

其中I_Cu為第二電容C_u電流。(12)式移項可得：

I_Cu·I_u＝I_1u·I_v-(I_2u-I_1u)·I_u (13)

同樣地，由電路的對稱性可以看出，第二電容C_u兩端的電壓與M1的柵源電壓相同，因此有

經(jīng)過整理后，可以得到

可見，(15)式的形式與(2)式相同。

上面介紹了本實用新型實施例的神經(jīng)元電路結(jié)構(gòu)是如何利用Tau-cell電路結(jié)構(gòu)去實現(xiàn)Izhikevich模型的基本表達式即(1)式和(2)式的。下面介紹本實用新型實施例的神經(jīng)元電路結(jié)構(gòu)是如何實現(xiàn)模型中的其他功能的，即實現(xiàn)即(3)式。

從圖2中可以看出，本實用新型實施例的神經(jīng)元電路結(jié)構(gòu)還包括一個比較電路和調(diào)整電路。在具體的實施例中，比較電路可以具體用于檢測第五PMOS器件M5和第十二PMOS器件M12柵極電壓的改變，在改變的幅度超過設(shè)定值時，輸出重賦值電壓V_reset，使第六PMOS器件M6和第十三PMOS器件M13導(dǎo)通，重置第二電容C_u電流，通過調(diào)整電路重置第一電容C_v電流。電流I_v變化使得M5和M12的柵極電壓發(fā)生改變，比較電路通過檢測該柵極電壓的改變，產(chǎn)生相對應(yīng)的輸出，一旦比較改變的幅度超過某一設(shè)定值，比較電路輸出V_reset，使晶體管M6和M13導(dǎo)通，電流I_d注入到第二電容C_u上，重置第二電容C_u上的電流，進而改變I_Cu。調(diào)整電路的輸出電流注入到第一電容C_v上，改變第一電容C_v上電流，進而改變I_Cv。

在具體的實施例中，調(diào)整電路包括第八恒流源I_1v和第九恒流源I_c；第八恒流源I_1v與第六恒流源I_1v輸出電流大小相等；調(diào)整電路具體可以用于通過對第八恒流源I_1v和第九恒流源I_c輸出電流的運算比較，提供用于重置第一電容C_v電流的輸出電流。調(diào)整電路通過兩個電流之間的運算比較，可以使得注入到第一電容C_v中的電流大小是合適的。

最后，通過改變參數(shù)I_c和I_d的變化，就可以使代表神經(jīng)元動作的I_Cv產(chǎn)生類似神經(jīng)元動作電位的各種不同放電模式，使本實用新型實施例的神經(jīng)元電路可以模擬Izhikevich模型。

綜上所述，本實用新型實施例的神經(jīng)元電路通過包括第一Tau-cell電路結(jié)構(gòu)和第二Tau-cell電路結(jié)構(gòu)的脈沖產(chǎn)生電路，與脈沖產(chǎn)生電路連接的調(diào)整電路和比較電路，可以實現(xiàn)基于Izhikevich模型的神經(jīng)元多種放電模式，相對于傳統(tǒng)模擬CMOS電路，該神經(jīng)元電路結(jié)構(gòu)簡單；相對于使用數(shù)字或軟件算法方式實現(xiàn)，功耗更低，無需大量的D/A和A/D轉(zhuǎn)換器，最大程度地減小了電路功耗和面積。

進一步的，在功耗方面，本實用新型實施例的神經(jīng)元電路中晶體管工作在亞閾值區(qū)，工作在該區(qū)域的晶體管工作電流小，工作電壓也小，神經(jīng)元電路的工作電壓可以低到1V以下，可以極大地減小功耗。在集成度方面，本實用新型實施例的神經(jīng)元電路所用的晶體管數(shù)量少，可以提高集成度，應(yīng)用于超大規(guī)模的集成中。

以上所述的具體實施例，對本實用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實用新型的具體實施例而已，并不用于限定本實用新型的保護范圍，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。