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基于RBF的函數(shù)逼近器的制作方法

文檔序號(hào):11988608閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種基于RBF的函數(shù)逼近器,其特征在于:包括第一RBF神經(jīng)元電路模塊、第二RBF神經(jīng)元電路模塊以及第一至第三Gilbert 乘法器;所述第一RBF神經(jīng)元電路模塊包括依次連接的第四Gilbert 乘法器、第一開(kāi)平方根電路和第一類高斯電路,所述第一開(kāi)平方根電路與第一類高斯電路的連接處經(jīng)第一電阻連接至GND,所述第二RBF神經(jīng)元電路模塊包括依次連接的第五Gilbert 乘法器、第二開(kāi)平方根電路和第二類高斯電路,所述第二開(kāi)平方根電路與第二類高斯電路的連接處經(jīng)第二電阻連接至GND,所述第一Gilbert 乘法器的第一輸入端與第一類高斯電路的輸出端、第三電阻的一端連接,所述第一Gilbert 乘法器的第二輸入端與第三電阻的另一端連接至GND,所述第三Gilbert 乘法器的第一輸入端與第二類高斯電路的輸出端、第四電阻的一端連接,所述第三Gilbert 乘法器的第二輸入端與第四電阻的另一端連接至GND;所述第四Gilbert 乘法器的第一輸入端、第四Gilbert 乘法器的第一控制端、第五Gilbert 乘法器的第一輸入端、第五Gilbert 乘法器的第一控制端相連接作為所述函數(shù)逼近器的輸入端,所述第四Gilbert 乘法器的第二輸入端及第四Gilbert 乘法器的第二控制端、第五Gilbert 乘法器的第二輸入端及第五Gilbert 乘法器的第二控制端、第一類高斯電路的第一控制端及第二類高斯電路的第一控制端、第一類高斯電路的第二控制端及第二類高斯電路的第二控制端、第一Gilbert 乘法器的第一控制端、第一Gilbert 乘法器的第二控制端、第二Gilbert 乘法器的第一控制端、第二Gilbert 乘法器的第二控制端、第三Gilbert 乘法器的第一控制端、第三Gilbert 乘法器的第二控制端、第二Gilbert 乘法器的第一輸入端分別作為所述函數(shù)逼近器的第一至第十一控制端,所述第二Gilbert 乘法器的第二輸入端連接至GND,所述第一Gilbert 乘法器的輸出端、第二Gilbert 乘法器的輸出端及第三Gilbert 乘法器的輸出端相連接作為所述函數(shù)逼近器的輸出端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于RBF的函數(shù)逼近器,其特征在于:所述函數(shù)逼近器的第一控制端、函數(shù)逼近器的第二控制端分別表示兩個(gè)類高斯函數(shù)的中心,即控制輸入-隱含層權(quán)值;所述函數(shù)逼近器的第三控制端、函數(shù)逼近器的第四控制端分別用來(lái)控制兩個(gè)類高斯函數(shù)的形狀,即控制輸入-隱含層閾值;所述函數(shù)逼近器的第五控制端及第六控制端、函數(shù)逼近器的第七控制端及第八控制端、函數(shù)逼近器的第九控制端及第十控制端分別用來(lái)控制三個(gè)隱含-輸出層權(quán)值;所述函數(shù)逼近器的第十一控制端用來(lái)控制隱含-輸出層閾值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于RBF的函數(shù)逼近器,其特征在于:所述第一Gilbert 乘法器包括第一至第十七晶體管,所述第一至第六晶體管的發(fā)射極連接至電源端,所述第一晶體管的基極、第二晶體管的基極、第二晶體管的集電極與第七晶體管的集電極連接,所述第一晶體管的集電極、第九晶體管的發(fā)射極、第十晶體管的發(fā)射極相連接,所述第三晶體管的基極、第三晶體管的集電極、第四晶體管的基極與第八晶體管的集電極連接,所述第四晶體管的集電極、第十一晶體管的發(fā)射極、第十二晶體管的發(fā)射極相連接,所述第五晶體管的基極、第五晶體管的集電極、第六晶體管的基極與第十四晶體管的集電極連接,所述第六晶體管的集電極與第十七晶體管的集電極相連接并作為所述第一Gilbert 乘法器的輸出端,所述第七晶體管的基極作為所述第一Gilbert 乘法器的第一控制端,所述第七晶體管的發(fā)射極、第八晶體管的發(fā)射極、第十三晶體管的集電極連接,所述第八晶體管的基極作為所述第一Gilbert 乘法器的第二控制端,所述第九晶體管的基極、第十二晶體管的基極相連接作為所述第一Gilbert 乘法器的第一輸入端,所述第九晶體管的集電極、第十一晶體管的集電極、第十四晶體管的基極、第十五晶體管的基極、第十五晶體管的集電極相連接,所述第十晶體管的基極、第十一晶體管的基極相連接作為所述第一Gilbert 乘法器的第二輸入端,所述第十晶體管的集電極、第十二晶體管的集電極、第十六晶體管的集電極、第十六晶體管的基極、第十七晶體管的基極相連接,所述第十三晶體管的基極作為Vbias端,所述第十三晶體管的發(fā)射極、第十四晶體管的發(fā)射極、第十五晶體管的發(fā)射極、第十六晶體管的發(fā)射極、第十七晶體管的發(fā)射極相連接至GND;所述第二至第五Gilbert 乘法器的電路結(jié)構(gòu)與所述第一Gilbert 乘法器電路結(jié)構(gòu)相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于RBF的函數(shù)逼近器,其特征在于:所述第一開(kāi)平方根電路包括第十八至第二十六晶體管,所述第十八晶體管的集電極、第十九晶體管的基極、第二十一晶體管的基極相連接作為所述第一開(kāi)平方根電路的輸入端,所述第十八晶體管的基極、第十九晶體管的發(fā)射極、第二十四晶體管的集電極、第二十六晶體管的基極相連接,所述第十八晶體管的發(fā)射極、第二十晶體管的發(fā)射極、第二十四晶體管的發(fā)射極、第二十五晶體管的發(fā)射極、第二十六晶體管的發(fā)射極相連接至GND,所述第十九晶體管的集電極、第二十二晶體管的發(fā)射極、第二十三晶體管的發(fā)射極相連接至電源端,所述第二十晶體管的基極、第二十晶體管的集電極與第二十一晶體管的發(fā)射極連接,所述第二十一晶體管的集電極與第二十二晶體管的集電極連接,所述第二十二晶體管的基極與第二十三晶體管的基極連接,所述第二十三晶體管的集電極、第二十五晶體管的集電極、第二十六晶體管的集電極相連接作為所述第一開(kāi)平方根電路的輸出端,所述二十四晶體管的基極與第二十五晶體管的基極相連接作為所述第一開(kāi)平方根電路的Vb端;所述第二開(kāi)平方根電路的電路結(jié)構(gòu)與所述第一開(kāi)平方根電路的電路結(jié)構(gòu)相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于RBF的函數(shù)逼近器,其特征在于:所述第一類高斯函數(shù)電路包括第二十七至第五十二晶體管,所述第二十七晶體管的發(fā)射極、第二十八晶體管的發(fā)射極、第三十五晶體管的發(fā)射極、第三十六晶體管的發(fā)射極、第三十七晶體管的發(fā)射極、第三十八晶體管的發(fā)射極、第三十九晶體管的發(fā)射極、第四十晶體管的發(fā)射極、第四十一晶體管的發(fā)射極、第四十二晶體管的發(fā)射極相連接至電源端,第二十七晶體管的基極、第二十七晶體管的集電極、第二十八晶體管的基極、第二十九晶體管的發(fā)射極相連接,所述第二十八晶體管的集電極與第三十晶體管的發(fā)射極連接,所述第二十九晶體管的基極、第二十九晶體管的集電極、第三十晶體管的基極、第三十一晶體管的集電極、第三十一晶體管的基極、第三十二晶體管的基極相連接,所述第三十晶體管的集電極、第四十七晶體管的集電極、第四十七晶體管的基極、第四十八晶體管的基極、第四十九晶體管的基極相連接,所述第三十一晶體管的發(fā)射極、第三十三晶體管的集電極、第三十三晶體管的基極、第三十四晶體管的基極相連接,所述第三十二晶體管的集電極、第三十五晶體管的基極、第三十五晶體管的集電極、第三十六晶體管的基極、第四十一晶體管的基極、第四十二晶體管的基極相連接,所述第三十二晶體管的發(fā)射極與第三十四晶體管的集電極連接,所述第三十三晶體管的發(fā)射極、第三十四晶體管的發(fā)射極、第五十晶體管的發(fā)射極、第五十一晶體管的發(fā)射極、第五十二晶體管的發(fā)射極相連接至GND,所述第三十六晶體管的集電極、第三十七晶體管的基極、第三十八晶體管的基極相連接,所述第三十七晶體管的集電極、第四十三晶體管的集電極、第四十五晶體管的集電極相連接,所述第三十八晶體管的集電極、第三十九晶體管的集電極、第四十二晶體管的集電極相連接作為所述第一類高斯函數(shù)電路的輸出端,所述第三十九晶體管的基極、第四十晶體管的基極、第四十一晶體管的集電極相連接,所述第四十晶體管的集電極、第四十四晶體管的集電極、第四十六晶體管的集電極相連接,所述第四十三晶體管的基極、第四十六晶體管的基極相連接作為所述第一類高斯函數(shù)電路的輸入端,所述第四十三晶體管的發(fā)射極、第四十四晶體管的發(fā)射極、第四十八晶體管的集電極相連接,所述第四十四晶體管的基極作為所述第一類高斯函數(shù)電路的第一控制端,所述第四十五晶體管的基極作為所述第一類高斯函數(shù)電路的第二控制端,所述第四十五晶體管的發(fā)射極、第四十六晶體管的發(fā)射極、第四十九晶體管的集電極相連接,所述四十七晶體管的發(fā)射極、第五十晶體管的集電極、第五十晶體管的基極、第五十一晶體管的基極、第五十二晶體管的基極相連接,所述第四十八晶體管的發(fā)射極與第五十一晶體管的集電極連接,所述第四十九晶體管的發(fā)射極與第五十二晶體管的集電極連接;所述第一類高斯函數(shù)電路的電路結(jié)構(gòu)與所述第一類高斯函數(shù)電路的電路結(jié)構(gòu)相同。

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