本發(fā)明實(shí)施例涉及移動(dòng)通信技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列天線仿真方法及服務(wù)器。

背景技術(shù)：

目前，國(guó)內(nèi)外均在積極的展開(kāi)5G移動(dòng)通信的相關(guān)研究，其中大規(guī)模陣列天線技術(shù)是5G移動(dòng)通信的關(guān)鍵，隨著陣列天線陣列規(guī)模、射頻通道規(guī)模的急劇增加，其仿真、優(yōu)化、分析評(píng)估難度也迅猛增長(zhǎng)。

現(xiàn)有技術(shù)采用HFSS等電磁仿真軟件，陣列天線單元數(shù)越多，計(jì)算量越大，導(dǎo)致工作站計(jì)算處理速度越慢。雖然可以使用無(wú)限周期結(jié)構(gòu)代替有限單元近似得到陣列的結(jié)果，但這樣忽略了陣列的邊緣截?cái)嘈?yīng)，無(wú)疑增加了仿真與實(shí)際陣列之間差距。

因此，如何提高仿真計(jì)算的速度，并保證較好的仿真評(píng)估效果，成為亟須解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列天線仿真方法及服務(wù)器。

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列天線仿真方法，所述方法包括：

獲取陣列天線基本陣列各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值、以及所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值，所述基本陣列包括一維1×3基本陣列或二維3×3基本陣列；

根據(jù)所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值、所述各單元在坐標(biāo)系中的位置，去除所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量和分量的空間相位差；

選擇與待仿真陣列天線的維數(shù)相同的基本陣列，用所述基本陣列的各單元替代所述待仿真陣列天線的各單元；

根據(jù)所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值、去除空間相位差后的各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值、以及所述待仿真陣列天線各單元的端口饋電預(yù)設(shè)幅度值和預(yù)設(shè)相位值，計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量。

另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列天線仿真服務(wù)器，所述服務(wù)器包括：

獲取模塊，用于獲取陣列天線基本陣列各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值、以及所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值，所述基本陣列包括一維1×3基本陣列或二維3×3基本陣列；

去除模塊，用于根據(jù)所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值、所述各單元在坐標(biāo)系中的位置，去除所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量和分量的空間相位差；

替代模塊，用于選擇與待仿真陣列天線的維數(shù)相同的基本陣列，用所述基本陣列的各單元替代所述待仿真陣列天線的各單元；

計(jì)算模塊，用于根據(jù)所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值、去除空間相位差后的各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值、以及所述待仿真陣列天線各單元的端口饋電預(yù)設(shè)幅度值和預(yù)設(shè)相位值，計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列天線仿真方法及服務(wù)器，提高了大規(guī)模陣列天線仿真計(jì)算的速度，同時(shí)也保證了仿真評(píng)估具有較好的效果。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例陣列天線仿真方法的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例待仿真陣列天線的替代過(guò)程圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例待仿真陣列天線性能評(píng)估效果圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例陣列天線仿真服務(wù)器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的服務(wù)器實(shí)體結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例陣列天線仿真方法的流程示意圖，如圖1所示，本實(shí)施例提供的一種陣列天線仿真方法，包括以下步驟：

S1：獲取陣列天線基本陣列各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值、以及所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值，所述基本陣列包括一維1×3基本陣列或二維3×3基本陣列。

具體的，服務(wù)器獲取陣列天線基本陣列各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值、以及所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值，所述基本陣列包括一維1×3基本陣列或二維3×3基本陣列。需要說(shuō)明的是：可以通過(guò)軟件為該基本陣列，建立數(shù)學(xué)模型，快速實(shí)現(xiàn)陣列天線基本陣列各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值的計(jì)算和各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值的計(jì)算、具體實(shí)現(xiàn)的步驟可以是：程序通過(guò)讀入一個(gè)與各單元HFSS文件相同名稱(chēng)的.cfg配置文件，然后根據(jù)配置文件中的模型的各部分名稱(chēng)、激勵(lì)名稱(chēng)以及用戶在軟件中設(shè)置的陣列參數(shù)(陣列維數(shù)、陣列單元數(shù)以及單元間距)和仿真參數(shù)(中心頻點(diǎn)、掃頻的頻率范圍和頻點(diǎn)個(gè)數(shù)以及掃描類(lèi)型)改寫(xiě)陣列的腳本文件，然后通過(guò)軟件調(diào)用HFSS運(yùn)行腳本文件。在整個(gè)這一過(guò)程中，最為復(fù)雜的步驟均由軟件自動(dòng)完成，用戶只需簡(jiǎn)單的準(zhǔn)備HFSS單元文件，配置文件設(shè)置陣列參數(shù)和仿真參數(shù)即可，然后就只需等待仿真完成查看結(jié)果即可。

S2：根據(jù)所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值、所述各單元在坐標(biāo)系中的位置，去除所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量和分量的空間相位差。

具體的，服務(wù)器根據(jù)所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值、所述各單元在坐標(biāo)系中的位置，去除所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量和分量的空間相位差。需要說(shuō)明的是：計(jì)算完基本陣列后，得到的電場(chǎng)強(qiáng)度已經(jīng)包含了基本陣列各單元間的空間相位差，需要將各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度去除掉空間信息，也就等效于將各單元都被搬移到了單元0的位置。

S3：選擇與待仿真陣列天線的維數(shù)相同的基本陣列，用所述基本陣列的各單元替代所述待仿真陣列天線的各單元。

具體的，服務(wù)器選擇與待仿真陣列天線的維數(shù)相同的基本陣列，用所述基本陣列的各單元替代所述待仿真陣列天線的各單元。需要說(shuō)明的是：待仿真陣列天線可以理解為大規(guī)模陣列天線，這樣替代后便可以考慮到各單元間互耦的影響以及陣列的邊緣效應(yīng)。更加便于編寫(xiě)程序?qū)⑦@些單元的電場(chǎng)強(qiáng)度疊加，并最終計(jì)算出總的電場(chǎng)強(qiáng)度。

S4：根據(jù)所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值、去除空間相位差后的各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值、以及所述待仿真陣列天線各單元的端口饋電預(yù)設(shè)幅度值和預(yù)設(shè)相位值，計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量。

具體的，服務(wù)器根據(jù)所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值、去除空間相位差后的各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值、以及所述待仿真陣列天線各單元的端口饋電預(yù)設(shè)幅度值和預(yù)設(shè)相位值，計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量。需要說(shuō)明的是：計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量的過(guò)程可以等效為通過(guò)軟件對(duì)總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量合成的過(guò)程，對(duì)于一維待仿真陣列天線來(lái)說(shuō)，合成行相當(dāng)于完成了總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量的合成，合成列對(duì)于總電場(chǎng)強(qiáng)度是不改變的。對(duì)于二維待仿真陣列天線來(lái)說(shuō)，合成行相當(dāng)于該二維待仿真陣列天線變成一個(gè)n行的一維陣列，可以通過(guò)軟件的列合成模塊，選擇行文件，即剛計(jì)算出來(lái)存儲(chǔ)的行合成文件。若權(quán)值文件不勾選，則軟件默認(rèn)為等幅同相的權(quán)值。點(diǎn)擊“列合成”按鈕，軟件則根據(jù)行合成后的文件進(jìn)行列合成。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列天線仿真方法，提高了待仿真陣列天線仿真計(jì)算的速度，同時(shí)也保證了仿真評(píng)估具有較好的效果。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，所述方法還包括：

根據(jù)如下公式計(jì)算所述去除所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量和分量的空間相位差，

對(duì)于一維基本陣列：

其中，pha′(rEθ[m])為各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度去除空間相位差后的所述θ分量相位值、pha(rEθ[m])為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值、rEθ[m]為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值、k為波數(shù)，且k＝2π/λ、λ為波長(zhǎng)、m為從0開(kāi)始計(jì)數(shù)的所述各單元的行號(hào)，取值為0～2、dx是所述一維基本陣列各單元在x方向上與坐標(biāo)系原點(diǎn)之間的間距；

為各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度去除空間相位差后的所述分量相位值、為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度分量相位值、為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度分量幅度值；

對(duì)于二維基本陣列：

其中，pha′(rEθ[m][n])為各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度去除空間相位差后的所述θ分量相位值、pha(rEθ[m][n])為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值、rEθ[m][n]為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值、k為波數(shù)，且k＝2π/λ、λ為波長(zhǎng)、m為從0開(kāi)始計(jì)數(shù)的所述各單元的行號(hào)，取值為0～2、n為從0開(kāi)始計(jì)數(shù)的所述各單元的列號(hào)，取值為0～2、相應(yīng)的m＝0、n＝0對(duì)應(yīng)于第0個(gè)單元、m＝1、n＝0對(duì)應(yīng)于第1個(gè)單元、m＝2、n＝0對(duì)應(yīng)于第2個(gè)單元、m＝0、n＝1對(duì)應(yīng)于第3個(gè)單元、m＝1、n＝1對(duì)應(yīng)于第4個(gè)單元、m＝2、n＝1對(duì)應(yīng)于第5個(gè)單元、m＝0、n＝2對(duì)應(yīng)于第6個(gè)單元、m＝1、n＝2對(duì)應(yīng)于第7個(gè)單元、m＝2、n＝2對(duì)應(yīng)于第8個(gè)單元、dx是所述二維基本陣列各單元在x方向上與坐標(biāo)系原點(diǎn)之間的間距、dy是所述二維基本陣列各單元在y方向上與坐標(biāo)系原點(diǎn)之間的間距；

為各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度去除空間相位差后的所述分量相位值、為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度分量相位值、為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度分量幅度值。

具體的，服務(wù)器根據(jù)如下公式計(jì)算所述去除所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量和分量的空間相位差，

對(duì)于一維基本陣列：

其中，pha′(rEθ[m])為各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度去除空間相位差后的所述θ分量相位值、pha(rEθ[m])為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值、rEθ[m]為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值、k為波數(shù)，且k＝2π/λ、λ為波長(zhǎng)、m為從0開(kāi)始計(jì)數(shù)的所述各單元的行號(hào)，取值為0～2、dx是所述一維基本陣列各單元在x方向上與坐標(biāo)系原點(diǎn)之間的間距；

為各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度去除空間相位差后的所述分量相位值、為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度分量相位值、為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度分量幅度值；

對(duì)于二維基本陣列：

其中，pha′(rEθ[m][n])為各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度去除空間相位差后的所述θ分量相位值、pha(rEθ[m][n])為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值、rEθ[m][n]為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值、k為波數(shù)，且k＝2π/λ、λ為波長(zhǎng)、m為從0開(kāi)始計(jì)數(shù)的所述各單元的行號(hào)，取值為0～2、n為從0開(kāi)始計(jì)數(shù)的所述各單元的列號(hào)，取值為0～2、相應(yīng)的m＝0、n＝0對(duì)應(yīng)于第0個(gè)單元、m＝1、n＝0對(duì)應(yīng)于第1個(gè)單元、m＝2、n＝0對(duì)應(yīng)于第2個(gè)單元、m＝0、n＝1對(duì)應(yīng)于第3個(gè)單元、m＝1、n＝1對(duì)應(yīng)于第4個(gè)單元、m＝2、n＝1對(duì)應(yīng)于第5個(gè)單元、m＝0、n＝2對(duì)應(yīng)于第6個(gè)單元、m＝1、n＝2對(duì)應(yīng)于第7個(gè)單元、m＝2、n＝2對(duì)應(yīng)于第8個(gè)單元、dx是所述二維基本陣列各單元在x方向上與坐標(biāo)系原點(diǎn)之間的間距、dy是所述二維基本陣列各單元在y方向上與坐標(biāo)系原點(diǎn)之間的間距；

為各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度去除空間相位差后的所述分量相位值、為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度分量相位值、為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度分量幅度值。需要說(shuō)明的是：待仿真的陣列天線為一維，可以選擇一維基本陣列去除空間相位差的計(jì)算公式計(jì)算；待仿真的陣列天線為二維，可以選擇二維基本陣列去除空間相位差的計(jì)算公式計(jì)算。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列天線仿真方法，通過(guò)去除各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量和分量的空間相位差，保證了待仿真陣列天線仿真計(jì)算的順利進(jìn)行。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，所述選擇與待仿真陣列天線的維數(shù)相同的基本陣列，用所述基本陣列的各單元替代所述待仿真陣列天線的各單元，包括：

若所述待仿真陣列天線的維數(shù)為一維，則用所述一維基本陣列的第0個(gè)單元和第2個(gè)單元分別替代待仿真陣列天線的第0個(gè)單元和第Nx-1個(gè)單元，用所述一維基本陣列的第1個(gè)單元去替代所述待仿真陣列天線的第1～Nx-2個(gè)單元，其中，Nx為所述待仿真陣列天線各單元的總個(gè)數(shù)。

具體的，若服務(wù)器判斷獲知所述待仿真陣列天線的維數(shù)為一維，則用所述一維基本陣列的第0個(gè)單元和第2個(gè)單元分別替代待仿真陣列天線的第0個(gè)單元和第Nx-1個(gè)單元，用所述一維基本陣列的第1個(gè)單元去替代所述待仿真陣列天線的第1～Nx-2個(gè)單元，其中，Nx為所述待仿真陣列天線各單元的總個(gè)數(shù)。需要說(shuō)明的是：圖2為本發(fā)明實(shí)施例待仿真陣列天線的替代過(guò)程圖，從圖2可以較為清晰地看出本發(fā)明實(shí)施例仿真陣列天線各單元被替代過(guò)程。

若所述待仿真陣列天線的維數(shù)為二維，則用所述一維基本陣列的第0個(gè)單元、第2個(gè)單元、第6個(gè)單元和第8個(gè)單元分別替代所述待仿真陣列天線的第0行第0列的單元、第0行第Nx-1列的單元、第Ny-1行第0列的單元和第Ny-1行第Nx-1列的單元，用所述一維基本陣列的第1、3、5、7個(gè)單元分別替代所述待仿真陣列天線的第0行的第1～Nx-2列的Nx-2個(gè)單元、第1～Ny-2行的第0列的Ny-2個(gè)單元、第1～Ny-2行的第Nx-1列的Ny-2個(gè)單元以及第Ny-1行的第1～Nx-2列的Nx-2個(gè)單元，最后再用所述一維基本陣列的第4個(gè)單元替代所述待仿真陣列天線的剩余各單元其中，其中，Nx為所述待仿真陣列天線每一行各單元的總個(gè)數(shù)、Ny為所述待仿真陣列天線每一列各單元的總個(gè)數(shù)。

具體的，服務(wù)器若判斷獲知所述待仿真陣列天線的維數(shù)為二維，則用所述一維基本陣列的第0個(gè)單元、第2個(gè)單元、第6個(gè)單元和第8個(gè)單元分別替代所述待仿真陣列天線的第0行第0列的單元、第0行第Nx-1列的單元、第Ny-1行第0列的單元和第Ny-1行第Nx-1列的單元，用所述一維基本陣列的第1、3、5、7個(gè)單元分別替代所述待仿真陣列天線的第0行的第1～Nx-2列的Nx-2個(gè)單元、第1～Ny-2行的第0列的Ny-2個(gè)單元、第1～Ny-2行的第Nx-1列的Ny-2個(gè)單元以及第Ny-1行的第1～Nx-2列的Nx-2個(gè)單元，最后再用所述一維基本陣列的第4個(gè)單元替代所述待仿真陣列天線的剩余各單元其中，其中，Nx為所述待仿真陣列天線每一行各單元的總個(gè)數(shù)、Ny為所述待仿真陣列天線每一列各單元的總個(gè)數(shù)。需要說(shuō)明的是：從圖2可以較為清晰地看出本發(fā)明實(shí)施例仿真陣列天線各單元被替代過(guò)程。在快速計(jì)算時(shí)，可以首先借助商業(yè)全波電磁仿真軟件(如HFSS、CST等)，仿真計(jì)算出小規(guī)模陣列天線(基本陣列天線)在一維陣列快速計(jì)算時(shí)仿真計(jì)算出3×1單元的基本陣列；在二維陣列快速計(jì)算時(shí)仿真計(jì)算出3×3單元的基本陣列。計(jì)算結(jié)果包含陣列天線單元的電場(chǎng)強(qiáng)度的幅度和相位，即小規(guī)模陣列天線單元分別單獨(dú)激勵(lì)時(shí)陣列的電場(chǎng)強(qiáng)度θ和分量的幅度和相位信息。若為一維陣列，則需要仿真計(jì)算的結(jié)果為|rEθ[m]|、以及m＝0～Nx-1；若為二維陣列，則需要仿真計(jì)算的結(jié)果為|rEθ[m][n]|、pha(rEθ[m][n])以及m＝0～Nx-1，n＝0～Ny-1。需要計(jì)算θ和分量是因?yàn)楹罄m(xù)天線性能評(píng)估時(shí)需要使用。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列天線仿真方法，通過(guò)用基本陣列的各單元替代待仿真陣列天線的各單元，極大地減少了待仿真陣列天線仿真的運(yùn)算量。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，所述根據(jù)所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值、去除空間相位差后的各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值、以及所述待仿真陣列天線各單元的端口饋電預(yù)設(shè)幅度值和預(yù)設(shè)相位值，計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量，包括：

若所述待仿真陣列天線的維數(shù)為一維，根據(jù)如下公式計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量，

其中，rE_θ為所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量、為所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量、Nx為所述待仿真陣列天線各單元的總個(gè)數(shù)、Am為所述待仿真陣列天線第m個(gè)單元端口饋電預(yù)設(shè)幅度值、Pm為所述待仿真陣列天線第m個(gè)單元的端口饋電預(yù)設(shè)相位值。

具體的，服務(wù)器若判斷獲知所述待仿真陣列天線的維數(shù)為一維，根據(jù)如下公式計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量，

其中，rE_θ為所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量、為所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量、Nx為所述待仿真陣列天線各單元的總個(gè)數(shù)、Am為所述待仿真陣列天線第m個(gè)單元端口饋電預(yù)設(shè)幅度值、Pm為所述待仿真陣列天線第m個(gè)單元的端口饋電預(yù)設(shè)相位值。需要說(shuō)明的是：Am和Pm可以直接通過(guò)軟件的輸入框輸入完成，進(jìn)而完成快速的仿真計(jì)算。

若所述待仿真陣列天線的維數(shù)為二維，計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量，包括：

根據(jù)如下公式計(jì)算所述待仿真陣列天線每一行總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和每一行總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量，

其中，rE_θ[n]為第n行總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量、為第n行總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量、Nx為所述待仿真陣列天線每一行中各單元的總個(gè)數(shù)、A_m,n為所述待仿真陣列天線第n行第m列的單元端口饋電預(yù)設(shè)幅度值、p_m,n為所述待仿真陣列天線第n行第m列的單元端口饋電預(yù)設(shè)相位值。

具體的，服務(wù)器若判斷獲知所述待仿真陣列天線的維數(shù)為二維，計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量，包括：

根據(jù)如下公式計(jì)算所述待仿真陣列天線每一行總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和每一行總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量，

其中，rE_θ[n]為第n行總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量、為第n行總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量、Nx為所述待仿真陣列天線每一行中各單元的總個(gè)數(shù)、A_m,n為所述待仿真陣列天線第n行第m列的單元端口饋電預(yù)設(shè)幅度值、p_m,n為所述待仿真陣列天線第n行第m列的單元端口饋電預(yù)設(shè)相位值。需要說(shuō)明的是：A_m,n和p_m,n可以直接通過(guò)軟件的輸入框輸入完成，進(jìn)而完成快速的仿真計(jì)算。

根據(jù)如下公式計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量，

其中，rE_θ為所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量、為所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量、Ny為所述待仿真陣列天線每一列中各單元的總個(gè)數(shù)、A_n′為所述待仿真陣列天線第n行的各單元端口饋電預(yù)設(shè)幅度值的總和、P_n′為所述待仿真陣列天線第n行的各單元端口饋電預(yù)設(shè)相位值的總和。

具體的，服務(wù)器根據(jù)如下公式計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量，

其中，rE_θ為所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量、為所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量、Ny為所述待仿真陣列天線每一列中各單元的總個(gè)數(shù)、A_n′為所述待仿真陣列天線第n行的各單元端口饋電預(yù)設(shè)幅度值的總和、P_n′為所述待仿真陣列天線第n行的各單元端口饋電預(yù)設(shè)相位值的總和。需要說(shuō)明的是：A_n′和P_n′可以直接通過(guò)軟件的輸入框輸入完成，進(jìn)而完成快速的仿真計(jì)算。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列天線仿真方法，通過(guò)獲取到的待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量，能夠進(jìn)行大規(guī)模陣列天線的仿真評(píng)估。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，所述方法還包括：

根據(jù)如下公式計(jì)算出所述待仿真陣列天線第n行總電場(chǎng)強(qiáng)度的遠(yuǎn)場(chǎng)增益：

其中，Gain[n]為所述待仿真陣列天線第n行總電場(chǎng)強(qiáng)度的遠(yuǎn)場(chǎng)增益、Z₀為空氣中的波阻抗，其值為120π、P_in為所述待仿真陣列天線的預(yù)設(shè)總輸入功率。

具體的，服務(wù)器根據(jù)如下公式計(jì)算出所述待仿真陣列天線第n行總電場(chǎng)強(qiáng)度的遠(yuǎn)場(chǎng)增益：

其中，Gain[n]為所述待仿真陣列天線第n行總電場(chǎng)強(qiáng)度的遠(yuǎn)場(chǎng)增益、Z₀為空氣中的波阻抗，其值為120π、P_in為所述待仿真陣列天線的預(yù)設(shè)總輸入功率。需要說(shuō)明的是：預(yù)設(shè)總輸入功率可以根據(jù)實(shí)際情況自主設(shè)定。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列天線仿真方法，通過(guò)獲取到的待仿真陣列天線第n行總電場(chǎng)強(qiáng)度的遠(yuǎn)場(chǎng)增益，能夠進(jìn)行待仿真陣列天線的仿真評(píng)估。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，所述方法還包括：

根據(jù)所述待仿真陣列天線第n行總電場(chǎng)強(qiáng)度的遠(yuǎn)場(chǎng)增益Gain[n]、所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量rE_θ、所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量評(píng)估所述待仿真陣列天線的性能。

具體的，服務(wù)器根據(jù)所述待仿真陣列天線第n行總電場(chǎng)強(qiáng)度的遠(yuǎn)場(chǎng)增益Gain[n]、所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量rE_θ、所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量評(píng)估所述待仿真陣列天線的性能。需要說(shuō)明的是：圖3為本發(fā)明實(shí)施例待仿真陣列天線性能評(píng)估效果圖，如圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例在進(jìn)行待仿真陣列天線的性能評(píng)估時(shí)，需要輸入的數(shù)據(jù)包括第n行總電場(chǎng)強(qiáng)度的遠(yuǎn)場(chǎng)增益Gain[n]、待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量rE_θ、所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量以下數(shù)據(jù)可以通過(guò)之前計(jì)算結(jié)果直接導(dǎo)出，包括：

1)波束增益dB：即陣列天線合成后方向圖的最大增益值。

2)水平面半功率波束寬度(deg)：即陣列天線合成后水平面方向圖增益下降3dB的波束寬度。

3)垂直面半功率波束寬度(deg)：即陣列天線合成后垂直面方向圖增益下降3dB的波束寬度。

4)前后比(dB)：天線最大輻射方向(基站天線為θ＝0°)的增益與最大輻射方向相反的反向?yàn)槟妇€的30°的錐形角域范圍內(nèi)的最大增益的比值。

5)軸向交叉極化比(dB)：即θ＝0°方向的交叉極化比。

6)±60°交叉極化比最差值(dB)：即±60°范圍內(nèi)交叉極化比最差的值。

7)+60°邊緣功率下降(dB)：即0°增益減去+60°的增益值。

8)-60°邊緣功率下降(dB)：即0°增益減去-60°的增益值。

9)水平面副瓣電平(dB)：即副瓣的最大增益與主瓣最大輻射方向的增益的比值。

10)上旁邊抑制(dB)：即第一上旁瓣增益與主瓣最大輻射方向增益的比值。

依據(jù)計(jì)算得到的結(jié)果文件中的值就可以與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較，判斷某個(gè)天線陣列是否合格。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列天線仿真方法，能夠進(jìn)行待仿真陣列天線的仿真評(píng)估，并取得了不錯(cuò)的評(píng)估效果。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例陣列天線仿真服務(wù)器的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，本實(shí)施例提供了一種陣列天線仿真服務(wù)器，包括獲取模塊1、去除模塊2、替代模塊3和計(jì)算模塊4，其中：

獲取模塊1用于獲取陣列天線基本陣列各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值、以及所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值，所述基本陣列包括一維1×3基本陣列或二維3×3基本陣列，去除模塊2用于根據(jù)所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值、所述各單元在坐標(biāo)系中的位置，去除所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量和分量的空間相位差，替代模塊3用于選擇與待仿真陣列天線的維數(shù)相同的基本陣列，用所述基本陣列的各單元替代所述待仿真陣列天線的各單元，計(jì)算模塊4用于根據(jù)所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值、去除空間相位差后的各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值、以及所述待仿真陣列天線各單元的端口饋電預(yù)設(shè)幅度值和預(yù)設(shè)相位值，計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量。

具體的，獲取模塊1用于獲取陣列天線基本陣列各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值、以及所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值，所述基本陣列包括一維1×3基本陣列或二維3×3基本陣列，去除模塊2用于根據(jù)所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值、所述各單元在坐標(biāo)系中的位置，去除所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量和分量的空間相位差，替代模塊3用于選擇與待仿真陣列天線的維數(shù)相同的基本陣列，用所述基本陣列的各單元替代所述待仿真陣列天線的各單元，計(jì)算模塊4用于根據(jù)所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值、去除空間相位差后的各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值、以及所述待仿真陣列天線各單元的端口饋電預(yù)設(shè)幅度值和預(yù)設(shè)相位值，計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列天線仿真服務(wù)器，提高了待仿真陣列天線仿真計(jì)算的速度，同時(shí)也保證了仿真評(píng)估具有較好的效果。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，所述去除模塊2具體用于：根據(jù)如下公式計(jì)算所述去除所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量和分量的空間相位差，

對(duì)于一維基本陣列：

其中，pha′(rEθ[m])為各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度去除空間相位差后的所述θ分量相位值、pha(rEθ[m])為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值、rEθ[m]為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值、k為波數(shù)，且k＝2π/λ、λ為波長(zhǎng)、m為從0開(kāi)始計(jì)數(shù)的所述各單元的行號(hào)，取值為0～2、dx是所述一維基本陣列各單元在x方向上與坐標(biāo)系原點(diǎn)之間的間距；

為各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度去除空間相位差后的所述分量相位值、為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度分量相位值、為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度分量幅度值；

對(duì)于二維基本陣列：

其中，pha′(rEθ[m][n])為各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度去除空間相位差后的所述θ分量相位值、pha(rEθ[m][n])為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值、rEθ[m][n]為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值、k為波數(shù)，且k＝2π/λ、λ為波長(zhǎng)、m為從0開(kāi)始計(jì)數(shù)的所述各單元的行號(hào)，取值為0～2、n為從0開(kāi)始計(jì)數(shù)的所述各單元的列號(hào)，取值為0～2、相應(yīng)的m＝0、n＝0對(duì)應(yīng)于第0個(gè)單元、m＝1、n＝0對(duì)應(yīng)于第1個(gè)單元、m＝2、n＝0對(duì)應(yīng)于第2個(gè)單元、m＝0、n＝1對(duì)應(yīng)于第3個(gè)單元、m＝1、n＝1對(duì)應(yīng)于第4個(gè)單元、m＝2、n＝1對(duì)應(yīng)于第5個(gè)單元、m＝0、n＝2對(duì)應(yīng)于第6個(gè)單元、m＝1、n＝2對(duì)應(yīng)于第7個(gè)單元、m＝2、n＝2對(duì)應(yīng)于第8個(gè)單元、dx是所述二維基本陣列各單元在x方向上與坐標(biāo)系原點(diǎn)之間的間距、dy是所述二維基本陣列各單元在y方向上與坐標(biāo)系原點(diǎn)之間的間距；

為各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度去除空間相位差后的所述分量相位值、為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度分量相位值、為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度分量幅度值。

具體的，所述去除模塊2具體用于，根據(jù)如下公式計(jì)算所述去除所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量和分量的空間相位差，

對(duì)于一維基本陣列：

其中，pha′(rEθ[m])為各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度去除空間相位差后的所述θ分量相位值、pha(rEθ[m])為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值、rEθ[m]為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值、k為波數(shù)，且k＝2π/λ、λ為波長(zhǎng)、m為從0開(kāi)始計(jì)數(shù)的所述各單元的行號(hào)，取值為0～2、dx是所述一維基本陣列各單元在x方向上與坐標(biāo)系原點(diǎn)之間的間距；

為各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度去除空間相位差后的所述分量相位值、為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度分量相位值、為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度分量幅度值；

對(duì)于二維基本陣列：

其中，pha′(rEθ[m][n])為各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度去除空間相位差后的所述θ分量相位值、pha(rEθ[m][n])為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值、rEθ[m][n]為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值、k為波數(shù)，且k＝2π/λ、λ為波長(zhǎng)、m為從0開(kāi)始計(jì)數(shù)的所述各單元的行號(hào)，取值為0～2、n為從0開(kāi)始計(jì)數(shù)的所述各單元的列號(hào)，取值為0～2、相應(yīng)的m＝0、n＝0對(duì)應(yīng)于第0個(gè)單元、m＝1、n＝0對(duì)應(yīng)于第1個(gè)單元、m＝2、n＝0對(duì)應(yīng)于第2個(gè)單元、m＝0、n＝1對(duì)應(yīng)于第3個(gè)單元、m＝1、n＝1對(duì)應(yīng)于第4個(gè)單元、m＝2、n＝1對(duì)應(yīng)于第5個(gè)單元、m＝0、n＝2對(duì)應(yīng)于第6個(gè)單元、m＝1、n＝2對(duì)應(yīng)于第7個(gè)單元、m＝2、n＝2對(duì)應(yīng)于第8個(gè)單元、dx是所述二維基本陣列各單元在x方向上與坐標(biāo)系原點(diǎn)之間的間距、dy是所述二維基本陣列各單元在y方向上與坐標(biāo)系原點(diǎn)之間的間距；

為各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度去除空間相位差后的所述分量相位值、為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度分量相位值、為所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度分量幅度值。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列天線仿真服務(wù)器，通過(guò)去除各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量和分量的空間相位差，保證了待仿真陣列天線仿真計(jì)算的順利進(jìn)行。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，所述替代模塊3具體用于：

若所述待仿真陣列天線的維數(shù)為一維，則用所述一維基本陣列的第0個(gè)單元和第2個(gè)單元分別替代待仿真陣列天線的第0個(gè)單元和第Nx-1個(gè)單元，用所述一維基本陣列的第1個(gè)單元去替代所述待仿真陣列天線的第1～Nx-2個(gè)單元，其中，Nx為所述待仿真陣列天線各單元的總個(gè)數(shù)；

若所述待仿真陣列天線的維數(shù)為二維，則用所述一維基本陣列的第0個(gè)單元、第2個(gè)單元、第6個(gè)單元和第8個(gè)單元分別替代所述待仿真陣列天線的第0行第0列的單元、第0行第Nx-1列的單元、第Ny-1行第0列的單元和第Ny-1行第Nx-1列的單元，用所述一維基本陣列的第1、3、5、7個(gè)單元分別替代所述待仿真陣列天線的第0行的第1～Nx-2列的Nx-2個(gè)單元、第1～Ny-2行的第0列的Ny-2個(gè)單元、第1～Ny-2行的第Nx-1列的Ny-2個(gè)單元以及第Ny-1行的第1～Nx-2列的Nx-2個(gè)單元，最后再用所述一維基本陣列的第4個(gè)單元替代所述待仿真陣列天線的剩余各單元其中，其中，Nx為所述待仿真陣列天線每一行各單元的總個(gè)數(shù)、Ny為所述待仿真陣列天線每一列各單元的總個(gè)數(shù)。

具體的，所述替代模塊3具體用于：

若所述待仿真陣列天線的維數(shù)為一維，則用所述一維基本陣列的第0個(gè)單元和第2個(gè)單元分別替代待仿真陣列天線的第0個(gè)單元和第Nx-1個(gè)單元，用所述一維基本陣列的第1個(gè)單元去替代所述待仿真陣列天線的第1～Nx-2個(gè)單元，其中，Nx為所述待仿真陣列天線各單元的總個(gè)數(shù)；

若所述待仿真陣列天線的維數(shù)為二維，則用所述一維基本陣列的第0個(gè)單元、第2個(gè)單元、第6個(gè)單元和第8個(gè)單元分別替代所述待仿真陣列天線的第0行第0列的單元、第0行第Nx-1列的單元、第Ny-1行第0列的單元和第Ny-1行第Nx-1列的單元，用所述一維基本陣列的第1、3、5、7個(gè)單元分別替代所述待仿真陣列天線的第0行的第1～Nx-2列的Nx-2個(gè)單元、第1～Ny-2行的第0列的Ny-2個(gè)單元、第1～Ny-2行的第Nx-1列的Ny-2個(gè)單元以及第Ny-1行的第1～Nx-2列的Nx-2個(gè)單元，最后再用所述一維基本陣列的第4個(gè)單元替代所述待仿真陣列天線的剩余各單元其中，其中，Nx為所述待仿真陣列天線每一行各單元的總個(gè)數(shù)、Ny為所述待仿真陣列天線每一列各單元的總個(gè)數(shù)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列天線仿真服務(wù)器，通過(guò)用基本陣列的各單元替代待仿真陣列天線的各單元，極大地減少了待仿真陣列天線仿真的運(yùn)算量。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，所述計(jì)算模塊4具體用于：

若所述待仿真陣列天線的維數(shù)為一維，根據(jù)如下公式計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量，

其中，rE_θ為所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量、為所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量、Nx為所述待仿真陣列天線各單元的總個(gè)數(shù)、Am為所述待仿真陣列天線第m個(gè)單元端口饋電預(yù)設(shè)幅度值、Pm為所述待仿真陣列天線第m個(gè)單元的端口饋電預(yù)設(shè)相位值。

若所述待仿真陣列天線的維數(shù)為二維，計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量，包括：

根據(jù)如下公式計(jì)算所述待仿真陣列天線每一行總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和每一行總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量，

其中，rE_θ[n]為第n行總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量、為第n行總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量、Nx為所述待仿真陣列天線每一行中各單元的總個(gè)數(shù)、A_m,n為所述待仿真陣列天線第n行第m列的單元端口饋電預(yù)設(shè)幅度值、p_m,n為所述待仿真陣列天線第n行第m列的單元端口饋電預(yù)設(shè)相位值；

根據(jù)如下公式計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量，

其中，rE_θ為所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量、為所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量、Ny為所述待仿真陣列天線每一列中各單元的總個(gè)數(shù)、A_n′為所述待仿真陣列天線第n行的各單元端口饋電預(yù)設(shè)幅度值的總和、P_n′為所述待仿真陣列天線第n行的各單元端口饋電預(yù)設(shè)相位值的總和。

具體的，所述計(jì)算模塊4具體用于：

若所述待仿真陣列天線的維數(shù)為一維，根據(jù)如下公式計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量，

其中，rE_θ為所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量、為所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量、Nx為所述待仿真陣列天線各單元的總個(gè)數(shù)、Am為所述待仿真陣列天線第m個(gè)單元端口饋電預(yù)設(shè)幅度值、Pm為所述待仿真陣列天線第m個(gè)單元的端口饋電預(yù)設(shè)相位值。

若所述待仿真陣列天線的維數(shù)為二維，計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量，包括：

根據(jù)如下公式計(jì)算所述待仿真陣列天線每一行總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和每一行總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量，

其中，rE_θ[n]為第n行總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量、為第n行總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量、Nx為所述待仿真陣列天線每一行中各單元的總個(gè)數(shù)、A_m,n為所述待仿真陣列天線第n行第m列的單元端口饋電預(yù)設(shè)幅度值、p_m,n為所述待仿真陣列天線第n行第m列的單元端口饋電預(yù)設(shè)相位值；

根據(jù)如下公式計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量，

其中，rE_θ為所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量、為所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的分量、Ny為所述待仿真陣列天線每一列中各單元的總個(gè)數(shù)、A_n′為所述待仿真陣列天線第n行的各單元端口饋電預(yù)設(shè)幅度值的總和、P_n′為所述待仿真陣列天線第n行的各單元端口饋電預(yù)設(shè)相位值的總和。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列天線仿真服務(wù)器，通過(guò)獲取到的待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量，能夠進(jìn)行待仿真陣列天線的仿真評(píng)估。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列天線仿真服務(wù)器具體可以用于執(zhí)行上述各方法實(shí)施例的處理流程，其功能在此不再贅述，可以參照上述方法實(shí)施例的詳細(xì)描述。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的服務(wù)器實(shí)體結(jié)構(gòu)示意圖，如圖5所示，所述服務(wù)器包括：處理器(processor)501、存儲(chǔ)器(memory)502和總線503；

其中，所述處理器501、存儲(chǔ)器502通過(guò)總線503完成相互間的通信；

所述處理器501用于調(diào)用所述存儲(chǔ)器502中的程序指令，以執(zhí)行上述各方法實(shí)施例所提供的方法，例如包括：獲取陣列天線基本陣列各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值、以及所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值，所述基本陣列包括一維1×3基本陣列或二維3×3基本陣列；根據(jù)所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值、所述各單元在坐標(biāo)系中的位置，去除所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量和分量的空間相位差；選擇與待仿真陣列天線的維數(shù)相同的基本陣列，用所述基本陣列的各單元替代所述待仿真陣列天線的各單元；根據(jù)所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值、去除空間相位差后的各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值、以及所述待仿真陣列天線各單元的端口饋電預(yù)設(shè)幅度值和預(yù)設(shè)相位值，計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量。

本實(shí)施例公開(kāi)一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括存儲(chǔ)在非暫態(tài)計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上的計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序包括程序指令，當(dāng)所述程序指令被計(jì)算機(jī)執(zhí)行時(shí)，計(jì)算機(jī)能夠執(zhí)行上述各方法實(shí)施例所提供的方法，例如包括：獲取陣列天線基本陣列各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值、以及所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值，所述基本陣列包括一維1×3基本陣列或二維3×3基本陣列；根據(jù)所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值、所述各單元在坐標(biāo)系中的位置，去除所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量和分量的空間相位差；選擇與待仿真陣列天線的維數(shù)相同的基本陣列，用所述基本陣列的各單元替代所述待仿真陣列天線的各單元；根據(jù)所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值、去除空間相位差后的各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值、以及所述待仿真陣列天線各單元的端口饋電預(yù)設(shè)幅度值和預(yù)設(shè)相位值，計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量。

本實(shí)施例提供一種非暫態(tài)計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述非暫態(tài)計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)指令，所述計(jì)算機(jī)指令使所述計(jì)算機(jī)執(zhí)行上述各方法實(shí)施例所提供的方法，例如包括：獲取陣列天線基本陣列各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值、以及所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值，所述基本陣列包括一維1×3基本陣列或二維3×3基本陣列；根據(jù)所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值、所述各單元在坐標(biāo)系中的位置，去除所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量和分量的空間相位差；選擇與待仿真陣列天線的維數(shù)相同的基本陣列，用所述基本陣列的各單元替代所述待仿真陣列天線的各單元；根據(jù)所述各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量幅度值和分量幅度值、去除空間相位差后的各單元的電場(chǎng)強(qiáng)度θ分量相位值和分量相位值、以及所述待仿真陣列天線各單元的端口饋電預(yù)設(shè)幅度值和預(yù)設(shè)相位值，計(jì)算所述待仿真陣列天線總電場(chǎng)強(qiáng)度的θ分量和分量。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解：實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過(guò)程序指令相關(guān)的硬件來(lái)完成，前述的程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：ROM、RAM、磁碟或者光盤(pán)等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。

以上所描述的服務(wù)器等實(shí)施例僅僅是示意性的，其中所述作為分離部件說(shuō)明的單元可以是或者也可以不是物理上分開(kāi)的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性的勞動(dòng)的情況下，即可以理解并實(shí)施。

通過(guò)以上的實(shí)施方式的描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到各實(shí)施方式可借助軟件加必需的通用硬件平臺(tái)的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，當(dāng)然也可以通過(guò)硬件?；谶@樣的理解，上述技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品可以存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，如ROM/RAM、磁碟、光盤(pán)等，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行各個(gè)實(shí)施例或者實(shí)施例的某些部分所述的方法。

最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明的實(shí)施例各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。