本發(fā)明涉及OGS觸摸屏制作方法領(lǐng)域，具體是一種成品率高的OGS觸摸屏制作方法。

背景技術(shù)：

電容觸摸屏可實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)和準(zhǔn)確的觸摸感應(yīng)，而且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、透光率高，是當(dāng)前顯示觸控技術(shù)發(fā)展的主流方向。而新一代的OGS產(chǎn)品是電容式觸摸屏的新的發(fā)展方向，從技術(shù)層面來(lái)看,OGS技術(shù)較之目前主流的G/G觸控技術(shù)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,輕、薄、透光性好。由于省掉一片玻璃基板以及貼合工序,利于降低生產(chǎn)成本、提高產(chǎn)品良率。

但在實(shí)際的研發(fā)生產(chǎn)過(guò)程中，該技術(shù)又面臨一層玻璃兼做表面玻璃時(shí)該有的強(qiáng)度維持與質(zhì)量穩(wěn)定性、控制芯片的調(diào)校、感應(yīng)線路的制程選擇、FPC設(shè)計(jì)難度大等問(wèn)題。雖然通過(guò)二次強(qiáng)化可大大提高玻璃的強(qiáng)度，而且和上游控制芯片廠家合作可以解決校調(diào)問(wèn)題，但對(duì)于感應(yīng)線路及FPC的設(shè)計(jì)與選擇問(wèn)題一直沒(méi)有得到很好的解決。

同時(shí)現(xiàn)有技術(shù)中OGS觸摸屏制作時(shí)還沒(méi)找到一種很好的測(cè)量短路的方法，在一旦sensor制作形成短路后，一直需要到和FPC熱壓完電測(cè)時(shí)，才能知道有短路點(diǎn)的存在，而在尋找短路點(diǎn)的過(guò)程中，需人工在顯微鏡下慢慢尋找，找到后再通過(guò)激光修補(bǔ)機(jī)進(jìn)行修復(fù)，在這過(guò)程中使用人工較多，且效率低，是生產(chǎn)過(guò)程的瓶頸部分。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是提供一種成品率高的OGS觸摸屏制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)感應(yīng)線路設(shè)計(jì)比較局限，導(dǎo)致FPC設(shè)計(jì)制作難度大，以及后期的FOG良率低、成本大的問(wèn)題，以及現(xiàn)有的sensor感應(yīng)線路設(shè)計(jì)在生產(chǎn)過(guò)程中存在的缺陷。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為：

一種成品率高的OGS觸摸屏制作方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）、在基板上真空濺射ITO薄膜層，真空度為0.01~0.5Pa，溫度為220~350℃，ITO薄膜層的厚度為5nm~25nm；

（2）、涂布光刻膠，并使光刻膠覆蓋真空濺射的ITO薄膜層，光刻膠的厚度為1000~2000nm，均勻性在10%以內(nèi)，然后進(jìn)行預(yù)烘，預(yù)烘溫度為60~100℃；

（3）、在光刻膠上光刻ITO電極圖形，ITO電極圖形的光罩是菲林或走線鉻版，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，即在光刻膠上光刻電極圖形，曝光條件為：采用365nm波長(zhǎng)的紫外光，光通量為60~150mj，光罩距離基板的尺寸20微米~200微米；

（4）、采用濃度1~4%的有機(jī)堿，或者濃度為0.1~0.8%的NaOH對(duì)光刻膠顯影并硬化，形成電極圖形，顯影時(shí)溫度為20~40℃，時(shí)間為20秒~300秒，硬化時(shí)溫度為80~120℃，時(shí)間為20~50分鐘；

（5）、使用HCL與HNO3的混合液蝕刻ITO薄膜層，形成ITO薄膜層電極圖形，其中HCL的濃度為13—17%，HNO3 的濃度為5—7%，蝕刻時(shí)溫度為40~60℃，時(shí)間為300~500秒；

（6）、使用有機(jī)溶液去除光刻膠形成ITO電極，去除過(guò)程時(shí)間在5分鐘內(nèi)，最后用純水漂洗；

（7）、利用絲印網(wǎng)版絲印金屬絕緣保護(hù)膠，其中絲印位置為裸露的ITO走線；

（8）、烘烤固化金屬絕緣保護(hù)膠，烘烤時(shí)溫度為80~120℃，時(shí)間為20~50分鐘；

（9）、絲印納米銀漿，用鋼網(wǎng)網(wǎng)板把銀漿絲印于需搭橋連接位置；

（10）、烘烤固化銀漿，烘烤溫度為200~220℃，時(shí)間為20~50分鐘；

（11）、運(yùn)用激光刻蝕機(jī)對(duì)銀漿進(jìn)行刻蝕，得出所需銀漿搭橋線路；

（12）、將整張大塊基板進(jìn)行切割裂片，并做CNC磨邊得到設(shè)計(jì)需要的成品sensor；

（13）、對(duì)切割裂片好的sensor進(jìn)行ACF貼附，用ACF貼附機(jī)在sensor上均勻的黏上ACF，ACF貼附機(jī)的壓力為0.10~0.13MPa，溫度為80~120℃，時(shí)間為2~3秒；

（14）、將已貼附ACF的sensor運(yùn)用熱壓機(jī)與FPC進(jìn)行熱壓操作，熱壓機(jī)壓力為0.16~0.23MPa，溫度為200~250℃，時(shí)間為10~15秒；

（15）、將熱壓好的成品運(yùn)用電測(cè)軟件和電測(cè)裝置電測(cè)，判斷是否為良品，并將良品進(jìn)行裝飾包裝。

所述的一種成品率高的OGS觸摸屏制作方法，其特征在于：步驟（6）中，使用的有機(jī)溶液為占總質(zhì)量85%的二甘醇丁醚和占總質(zhì)量15%已醇胺構(gòu)成的混合液。

本發(fā)明的一種高成品率OGS電容式觸摸屏的制作方法，整個(gè)方法過(guò)程簡(jiǎn)單，產(chǎn)品良率高，解決了FOG良率低、成本大等問(wèn)題。同時(shí)針對(duì)sensor感應(yīng)線路設(shè)計(jì)在生產(chǎn)過(guò)程中存在的缺陷的問(wèn)題提出了解決方法，通過(guò)本發(fā)明的方法可以在制作ITO圖形時(shí)，不會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)電極之間相互短路的現(xiàn)象。

具體實(shí)施方式

一種成品率高的OGS觸摸屏制作方法，包括以下步驟：

（1）、在基板上真空濺射ITO薄膜層，真空度為0.01~0.5Pa，溫度為220~350℃，ITO薄膜層的厚度為5nm~25nm；

（2）、涂布光刻膠，并使光刻膠覆蓋真空濺射的ITO薄膜層，光刻膠的厚度為1000~2000nm，均勻性在10%以內(nèi)，然后進(jìn)行預(yù)烘，預(yù)烘溫度為60~100℃；

（3）、在光刻膠上光刻ITO電極圖形，ITO電極圖形的光罩是菲林或走線鉻版，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，即在光刻膠上光刻電極圖形，曝光條件為：采用365nm波長(zhǎng)的紫外光，光通量為60~150mj，光罩距離基板的尺寸20微米~200微米；

（4）、采用濃度1~4%的有機(jī)堿，或者濃度為0.1~0.8%的NaOH對(duì)光刻膠顯影并硬化，形成電極圖形，顯影時(shí)溫度為20~40℃，時(shí)間為20秒~300秒，硬化時(shí)溫度為80~120℃，時(shí)間為20~50分鐘；

（5）、使用HCL與HNO3的混合液蝕刻ITO薄膜層，形成ITO薄膜層電極圖形，其中HCL的濃度為13—17%，HNO3 的濃度為5—7%，蝕刻時(shí)溫度為40~60℃，時(shí)間為300~500秒；

（6）、使用有機(jī)溶液去除光刻膠形成ITO電極，去除過(guò)程時(shí)間在5分鐘內(nèi)，最后用純水漂洗；

（7）、利用絲印網(wǎng)版絲印金屬絕緣保護(hù)膠，其中絲印位置為裸露的ITO走線；

（8）、烘烤固化金屬絕緣保護(hù)膠，烘烤時(shí)溫度為80~120℃，時(shí)間為20~50分鐘；

（9）、絲印納米銀漿，用鋼網(wǎng)網(wǎng)板把銀漿絲印于需搭橋連接位置；

（10）、烘烤固化銀漿，烘烤溫度為200~220℃，時(shí)間為20~50分鐘；

（11）、運(yùn)用激光刻蝕機(jī)對(duì)銀漿進(jìn)行刻蝕，得出所需銀漿搭橋線路；

（12）、將整張大塊基板進(jìn)行切割裂片，并做CNC磨邊得到設(shè)計(jì)需要的成品sensor；

（13）、對(duì)切割裂片好的sensor進(jìn)行ACF貼附，用ACF貼附機(jī)在sensor上均勻的黏上ACF，ACF貼附機(jī)的壓力為0.10~0.13MPa，溫度為80~120℃，時(shí)間為2~3秒；

（14）、將已貼附ACF的sensor運(yùn)用熱壓機(jī)與FPC進(jìn)行熱壓操作，熱壓機(jī)壓力為0.16~0.23MPa，溫度為200~250℃，時(shí)間為10~15秒；

（15）、將熱壓好的成品運(yùn)用電測(cè)軟件和電測(cè)裝置電測(cè)，判斷是否為良品，并將良品進(jìn)行裝飾包裝。

步驟（6）中，使用的有機(jī)溶液為占總質(zhì)量85%的二甘醇丁醚和占總質(zhì)量15%已醇胺構(gòu)成的混合液。