1.一種存儲(chǔ)器的擦除方法，所述存儲(chǔ)器包括多個(gè)扇區(qū)，其特征在于，包括：
S0：對(duì)所述多個(gè)扇區(qū)執(zhí)行擦除校驗(yàn)，以判斷所述多個(gè)扇區(qū)中是否存在有需執(zhí)行擦除操作的扇區(qū)；
S1：對(duì)需執(zhí)行擦除操作的扇區(qū)施加擦除脈沖以對(duì)其進(jìn)行擦除操作，并在擦除操作后對(duì)其進(jìn)行擦除校驗(yàn)，以確認(rèn)是否存在未完全擦除的扇區(qū)；若存在未完全擦除的扇區(qū)，則繼續(xù)對(duì)其施加擦除脈沖并進(jìn)行擦除校驗(yàn)，直至所有的扇區(qū)均為完全擦除的狀態(tài)為止。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，在S0中，所述擦除校驗(yàn)為通過對(duì)扇區(qū)的閾值電壓進(jìn)行檢測(cè)并確認(rèn)是否達(dá)到校驗(yàn)電壓，未達(dá)到校驗(yàn)電壓的扇區(qū)認(rèn)定為需執(zhí)行擦除操作的扇區(qū)。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，在S1中，所述擦除校驗(yàn)為通過對(duì)扇區(qū)的閾值電壓進(jìn)行檢測(cè)并確認(rèn)是否達(dá)到校驗(yàn)電壓，未達(dá)到校驗(yàn)電壓的扇區(qū)認(rèn)定為未完全擦除的扇區(qū)。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，在所述多個(gè)扇區(qū)均為完全擦除的狀態(tài)后，還包括：
S2：對(duì)所述多個(gè)扇區(qū)再次執(zhí)行擦除校驗(yàn)以確認(rèn)是否存在過擦除的扇區(qū)，并對(duì)所述過擦除的扇區(qū)執(zhí)行修復(fù)操作。
5.如權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，所述修復(fù)操作為利用錯(cuò)誤校正碼或冗余陣列進(jìn)行修復(fù)。
6.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)器為非易失閃存存儲(chǔ)器。
7.一種存儲(chǔ)器的擦除方法，所述存儲(chǔ)器包括多個(gè)扇區(qū)，其特征在于，包括：
S1：對(duì)所述多個(gè)扇區(qū)同時(shí)施加一擦除脈沖以對(duì)所述多個(gè)扇區(qū)執(zhí)行擦除操作，并在擦除操作后對(duì)所述多個(gè)扇區(qū)執(zhí)行擦除校驗(yàn)，以確認(rèn)所述多個(gè)扇區(qū)中是否存在未完全擦除的扇區(qū)；若存在未完全擦除的扇區(qū)，則繼續(xù)對(duì)其施加擦除脈沖并進(jìn)行擦除校驗(yàn)，直至所有的扇區(qū)均為完全擦除的狀態(tài)為止。
8.如權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，在執(zhí)行S1之前，還包括：
S0：對(duì)所述多個(gè)扇區(qū)執(zhí)行預(yù)編程操作，以使所述多個(gè)扇區(qū)的電壓均大于一電平值。
9.如權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，在S1中，所述擦除校驗(yàn)為通過對(duì)扇區(qū)的閾值電壓進(jìn)行檢測(cè)并確認(rèn)是否達(dá)到校驗(yàn)電壓，未達(dá)到校驗(yàn)電壓的扇區(qū)認(rèn)定為未完成擦除的扇區(qū)。
10.如權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，在所述多個(gè)扇區(qū)均為完全擦除的狀態(tài)后，還包括：
S2：對(duì)所述多個(gè)扇區(qū)再次執(zhí)行擦除校驗(yàn)以確認(rèn)是否存在過擦除的扇區(qū)，并對(duì)所述過擦除的扇區(qū)執(zhí)行修復(fù)操作。
11.如權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，所述修復(fù)操作為利用錯(cuò)誤校正碼或冗余陣列進(jìn)行修復(fù)。
12.如權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)器為非易失閃存存儲(chǔ)器。