本發(fā)明屬于USB存儲系統(tǒng)供電技術領域，具體涉及一種USB存儲系統(tǒng)雙電源供電電路。

背景技術：

目前，在一些USB存儲系統(tǒng)應用時，USB存儲系統(tǒng)是存在于一個多外設的大系統(tǒng)中，大系統(tǒng)為所有單板供電，而USB存儲系統(tǒng)往往還需要工作在單獨USB供電狀態(tài)，以便離線讀取USB存儲系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)。但有時USB存儲系統(tǒng)無法單獨從大系統(tǒng)中取出，如果直接連接PC計算機等設備的USB端口或無法滿足整個大系統(tǒng)的供電要求，從而USB存儲系統(tǒng)也無法正常工作，導致讀取失敗。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于解決上述的技術問題而提供一種USB存儲系統(tǒng)雙電源供電電路，該供電電路不但可以使USB存儲系統(tǒng)使用外部供電電源工作，而且也可以離線使用具有USB端口讀取功能的設備供電工作。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案：

一種USB存儲系統(tǒng)雙電源供電電路，包括系統(tǒng)供電5V電源、USB供電5V電源、第一NPN型MOS管、第二NPN型MOS管、第一PNP型MOS管、第二PNP型MOS管以及第一電阻、第二電阻；其中，系統(tǒng)供電5V電源連接第一NPN型MOS管的D極，USB供電5V電源連接第二NPN型MOS管的D極，第一電阻的一端連接第一NPN型MOS管的D極，第一電阻的另一端連接第一PNP型MOS管的G極，第二電阻的一端連接第二NPN型MOS管的D極，第二電阻的另一端連接第二PNP型MOS管的G極，第一PNP型MOS管的G極連接第二NPN型MOS管的G極，第一PNP型MOS管的D極連接第一NPN型MOS管的G極，第一PNP型MOS管的S極接地，第二PNP型MOS管的G極連接第一NPN型MOS管的G極，第二PNP型MOS管的D極連接第二NPN型MOS管的G極，第二PNP型MOS管的S極接地，第一NPN型MOS管的S極并聯(lián)第二NPN型MOS管的S極后連接USB存儲系統(tǒng)供電電源輸入端。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，由于采用了兩個NPN型MOS管組成互鎖電路，因而能夠根據(jù)不同電源供電方式，控制選擇輸出方式，從而實現(xiàn)USB存儲系統(tǒng)在即可使用外部供電電源工作，也可離線使用具有USB端口讀取功能的設備供電工作，克服了現(xiàn)有技術在系統(tǒng)中無法適應的不足，并具有結構簡單，工作可靠，適用性強等特點。

附圖說明

圖1出示了本發(fā)明的USB存儲系統(tǒng)雙電源供電電路的示意圖。

具體實施方式

下面，結合實例對本發(fā)明的實質(zhì)性特點和優(yōu)勢作進一步的說明，但本發(fā)明并不局限于所列的實施例。

參見圖1所示，一種USB存儲系統(tǒng)雙電源供電電路, 其為一種互鎖式電源管理電路，包括：

系統(tǒng)供電5V電源1、USB供電5V電源2、第一NPN型MOS管4、第二NPN型MOS管5、第一PNP型MOS管6、第二PNP型MOS管7以及第一電阻8、第二電阻9；

其中，系統(tǒng)供電5V電源1連接第一NPN型MOS管4的D極，USB供電5V電源2連接第二NPN型MOS管5的D極，第一電阻8的一端連接第一NPN型MOS管4的D極，第一電阻8的另一端連接第一PNP型MOS管6的G極，第二電阻9的一端連接第二NPN型MOS管5的D極，第二電阻9的另一端連接第二PNP型MOS管7的G極，第一PNP型MOS管6的G極連接第二NPN型MOS管5的G極，第一PNP型MOS管6的D極連接第一NPN型MOS管4的G極，第一PNP型MOS管6的S極接地，第二PNP型MOS管7的G極連接第一NPN型MOS管4的G極，第二PNP型MOS管7的D極連接第二NPN型MOS管5的G極，第二PNP型MOS管7的S極接地，第一NPN型MOS管4的S極并聯(lián)第二NPN型MOS管5的S極后連接USB存儲系統(tǒng)供電電源輸入端3。

所述第一NPN型MOS管4，用于導通系統(tǒng)供電5V電源1到USB存儲系統(tǒng)供電電源輸入端3。第二NPN型MOS管5，用于導通USB供電5V電源2到USB存儲系統(tǒng)供電電源輸入端3。

所述第一PNP型MOS管6，用于控制第一NPN型MOS管4的打開與關閉，第二PNP型MOS管7用于控制第一NPN型MOS管6的打開與關閉。

所述第一電阻8，用于控制第一PNP型MOS管6的打開與關閉，第二電阻9用于控制第二PNP型MOS管7的打開與關閉。

當系統(tǒng)供電5V電源1提供電源，而USB供電5V電源2不提供時，通過第一電阻8拉高第一PNP型MOS管6的G極，使第一PNP型MOS管6導通，使得第一NPN型MOS管4導通，系統(tǒng)供電5V電源1通過第一NPN型MOS管4傳送給USB存儲系統(tǒng)供電電源輸入端3。同時由于第一PNP型MOS管6導通，使得第二PNP型MOS管7的G極被拉低，關斷了第二PNP型MOS管7，也關斷了第二NPN型MOS管5，使得USB存儲系統(tǒng)供電電源輸入端3不會影響到USB供電5V電源2，USB存儲系統(tǒng)可以正常工作。

當USB供電5V電源2提供電源，而系統(tǒng)供電5V電源1不提供時，通過第二電阻9拉高第二PNP型MOS管7的G極使第二PNP型MOS管7導通，使得第二NPN型MOS管5導通，USB供電5V電源2通過第二NPN型MOS管5傳送給USB存儲系統(tǒng)供電電源輸入端3。同時由于第二PNP型MOS管7導通，使得第一PNP型MOS管6的G極被拉低，關斷了第一PNP型MOS管6，也關斷了第一NPN型MOS管4，使得USB存儲系統(tǒng)供電電源輸入端3不會輸出到系統(tǒng)供電5V電源1，USB存儲系統(tǒng)可以正常工作，USB供電5V電源2不會為外部系統(tǒng)供電，保證了提供USB供電的設備（如PC電腦等）不會受到影響。

本發(fā)明電路主要用于USB存儲系統(tǒng)需要離線工作的系統(tǒng)中，尤其是系統(tǒng)中其他功能模塊與USB存儲系統(tǒng)使用同一電源時。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。