本發(fā)明是有關(guān)于一種電子裝置及其制造方法。特別是有關(guān)于一種觸控模塊及其制造方法。

背景技術(shù)：

隨著電子科技的快速進(jìn)展，觸控模塊已被廣泛地應(yīng)用在各式電子裝置中，如移動(dòng)電話、平板電腦等。

典型的觸控模塊例如可設(shè)置于顯示屏幕上，包括多個(gè)觸控電極。在物體(手指或觸碰筆等)接近或觸碰顯示屏幕時(shí)，相應(yīng)的觸控電極產(chǎn)生電信號(hào)，借此達(dá)成觸控感測(cè)。

在制造過程中，一般是利用蝕刻方式將觸控電極之間的導(dǎo)電物質(zhì)移除，以圖案化觸控電極，并使觸控電極間彼此絕緣。然而，將部分導(dǎo)電物質(zhì)移除的做法，以及僅移除部分導(dǎo)電物質(zhì)所形成的結(jié)構(gòu)，將導(dǎo)致觸控模塊的光折射率不均勻，而影響觸控模塊外觀的光學(xué)一致性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

是以，為避免觸控模塊的光折射率不均勻，本發(fā)明的一方面提供一種觸控模塊。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，該觸控模塊包括一基板、至少二第一觸控電極、至少二第二觸控電極、一絕緣區(qū)塊、至少一電極通道、以及至少一架橋。所述第一觸控電極形成于該基板上。所述第二觸控電極形成于該基板上。該絕緣區(qū)塊嵌入形成于該基板中，并位于該第一觸控電極以及該第二觸控電極之間。該電極通道形成于該基板上，用以電性連接所述第二觸控電極。該架橋設(shè)置于該基板上，用以電性連接所述第一觸控電極。所述第一觸控電極電性絕緣于所述第二觸控電極。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述第一觸控電極、所述第二觸控電極、該電極通道與該絕緣區(qū)塊是由同一導(dǎo)電材料層所形成而具有相同的導(dǎo)電物質(zhì)，并且該絕 緣區(qū)塊是經(jīng)一分散導(dǎo)電物質(zhì)的絕緣化處理而具有分離的導(dǎo)電物質(zhì)。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，該絕緣區(qū)塊更位于所述第一觸控電極以及所述第二觸控電極的周圍。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，該絕緣區(qū)塊在該基板的一表面上的正投影位于所述第一觸控電極與所述第二觸控電極在該基板的該表面上的正投影之間。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述第一觸控電極、所述第二觸控電極、該電極通道、與該絕緣區(qū)塊在該基板的一表面上的正投影之間不重疊。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，該觸控模塊還包括多個(gè)遮罩，分別設(shè)置于所述第一觸控電極、所述第二觸控電極、以及該電極通道之上。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，設(shè)置于所述第一觸控電極上的所述遮罩還包括多個(gè)接觸孔。該架橋透過所述接觸孔電性連接所述第一觸控電極。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，設(shè)置于所述第一觸控電極上的所述遮罩還包括多個(gè)導(dǎo)電件，分別位于所述接觸孔中。該架橋透過所述導(dǎo)電件電性連接所述第一觸控電極。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，該架橋通過設(shè)置于該電極通道上的所述遮罩來與該電極通道電性絕緣。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，該觸控模塊還包括多條導(dǎo)線，電性連接該第一觸控電極以及該第二觸控電極。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，該觸控模塊還包括多條輔助導(dǎo)線，分別位于所述導(dǎo)線之下，并分別電性連接所述導(dǎo)線。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，該觸控模塊還包括多個(gè)接觸墊以及多條導(dǎo)線。所述接觸墊分別設(shè)置于部分的該第一觸控電極以及部分的該第二觸控電極之上。所述導(dǎo)線分別電性連接所述接觸墊。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述第一觸控電極是沿一第一方向設(shè)置，所述第二觸控電極是沿一第二方向設(shè)置，且該第一方向不同于該第二方向。

此外，本發(fā)明的另一方面提供一種觸控模塊的制造方法。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，該制造方法包括：形成至少二第一觸控電極、至少二第二觸控電極、以及至少一電極通道于一基板上，并同步嵌入形成一絕緣區(qū)塊于該基板中，其中該絕緣區(qū)塊位于所述第一觸控電極以及所述第二觸控電極之間，且該電極通道用以電性連接所述第二觸控電極；以及設(shè)置至少一架橋于該基板上，其中該架 橋用以電性連接所述第一觸控電極。所述第一觸控電極電性絕緣于所述第二觸控電極。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，形成所述第一觸控電極、所述第二觸控電極、該電極通道于該基板上，并同步嵌入形成該絕緣區(qū)塊于該基板中的步驟包括：提供一導(dǎo)電材料層于該基板上；提供多個(gè)遮罩于該導(dǎo)電材料層上；以及絕緣化該導(dǎo)電材料層的一部分，以形成所述第一觸控電極、所述第二觸控電極、該電極通道以及該絕緣區(qū)塊。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，該制造方法還包括：在絕緣化該導(dǎo)電材料層的一部分，以形成所述第一觸控電極、所述第二觸控電極、該電極通道、以及該絕緣區(qū)塊之前，提供多條導(dǎo)線于該導(dǎo)電材料層上。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，絕緣化該導(dǎo)電材料層的一部分，以形成所述第一觸控電極、所述第二觸控電極、該電極通道以及該絕緣區(qū)塊的步驟還包括：分散該導(dǎo)電材料層中暴露在所述遮罩以及所述導(dǎo)線之外的一第一部分中的導(dǎo)電物質(zhì)，以絕緣化該導(dǎo)電材料層的該第一部分，以形成該絕緣區(qū)塊，并使該導(dǎo)電材料層中位于所述遮罩之下的多個(gè)第二部分分別形成所述第一觸控電極、所述第二觸控電極、以及該電極通道。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，分散該導(dǎo)電材料層中暴露在所述遮罩以及所述導(dǎo)線之外的一第一部分中的導(dǎo)電物質(zhì)的步驟包括：提供一嵌入液于該導(dǎo)電材料層中暴露在所述遮罩之外以及所述導(dǎo)線之外的該第一部分上，以分散該導(dǎo)電材料層中的該第一部分中的導(dǎo)電物質(zhì)。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，絕緣化該導(dǎo)電材料層的一部分，以形成所述第一觸控電極、所述第二觸控電極、該電極通道以及該絕緣區(qū)塊的步驟還包括：使該導(dǎo)電材料層中位于所述導(dǎo)線之下的多個(gè)第三部分形成多條輔助導(dǎo)線。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，該制造方法還包括：在絕緣化該導(dǎo)電材料層的一部分，以形成該第一觸控電極、該第二觸控電極、該電極通道、以及該絕緣區(qū)塊之前，提供多個(gè)接觸墊于該導(dǎo)電材料層上。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，絕緣化該導(dǎo)電材料層的一部分，以形成所述第一觸控電極、所述第二觸控電極、該電極通道以及該絕緣區(qū)塊的步驟還包括：分散該導(dǎo)電材料層中暴露在所述遮罩以及所述接觸墊之外的一第一部分中的導(dǎo)電物質(zhì)，以絕緣化該導(dǎo)電材料層的該第一部分，以形成該絕緣區(qū)塊，并使該導(dǎo)電 材料層中位于所述遮罩之下的多個(gè)第二部分分別形成所述第一觸控電極、所述第二觸控電極、以及該電極通道。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，該制造方法還包括：提供多條導(dǎo)線于該導(dǎo)電材料層上，并分別電性連接所述接觸墊。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述遮罩上存在多個(gè)對(duì)應(yīng)所述第一觸控電極的接觸孔，且該架橋透過所述接觸孔電性連接所述第一觸控電極。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，該制造方法還包括：形成多個(gè)導(dǎo)電件，其中所述導(dǎo)電件分別位于所述接觸孔中，且該架橋透過所述導(dǎo)電件電性連接所述第一觸控電極。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，該絕緣區(qū)塊在該基板的一表面上的正投影位于所述第一觸控電極與所述第二觸控電極在該基板的該表面上的正投影之間。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述第一觸控電極、所述第二觸控電極、該電極通道、與該絕緣區(qū)塊在該基板的一表面上的正投影之間不重疊。

綜上所述，透過應(yīng)用上述一實(shí)施例，可實(shí)現(xiàn)一種觸控模塊。通過于基板中形成絕緣區(qū)塊，可使觸控電極間彼此絕緣。如此一來，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極，并避免造成觸控模塊的光折射率不均勻，而影響觸控模塊外觀的光學(xué)一致性。

附圖說明

圖1a、圖2a、圖3a、圖4a、圖5a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法的示意圖；

圖1b、圖2b、圖3b、圖4b、圖5b分別為圖1a、圖2a、圖3a、圖4a、圖5a中的觸控模塊沿線段a-a方向所繪示的剖面圖；

圖6為根據(jù)本發(fā)明比較例所繪示的形成觸控電極與絕緣區(qū)塊的剖面圖；

圖7a、圖8a、圖9a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法的示意圖；

圖7b、圖8b、圖9b分別為圖7a、圖8a、圖9a中的觸控模塊沿線段a-a方向所繪示的剖面圖；

圖10a、圖11a、圖12a、圖13a、圖14a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法的示意圖；

圖10b、圖11b、圖12b、圖13b、圖14b分別為圖10a、圖11a、圖12a、圖13a、圖14a中的觸控模塊沿線段a-a方向所繪示的剖面圖；

圖15a、圖16a、圖17a、圖18a、圖19a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法的示意圖；

圖15b、圖16b、圖17b、圖18b、圖19b分別為圖15a、圖16a、圖17a、圖18a、圖19a中的觸控模塊沿線段a-a方向所繪示的剖面圖；

圖20a、圖21a、圖22a、圖23a分別為根據(jù)本發(fā)明一變化的實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法中的一個(gè)步驟的示意圖；

圖20b、圖21b、圖22b、圖23b分別為圖20a、圖21a、圖22a、圖23a中的觸控模塊沿線段a-a方向所繪示的剖面圖；

圖24a、圖25a、圖26a、圖27a、圖28a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法的示意圖；

圖24b、圖25b、圖26b、圖27b、圖28b分別為圖24a、圖25a、圖26a、圖27a、圖28a中的觸控模塊沿線段a-a方向所繪示的剖面圖；

圖29a、圖30a、圖31a、圖32a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法的示意圖；

圖29b、圖30b、圖31b、圖32b分別為圖29a、圖30a、圖31a、圖32a中的觸控模塊沿線段a-a方向所繪示的剖面圖；

圖33a、圖34a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法的示意圖；

圖33b、圖34b分別為圖33a、圖34a中的觸控模塊沿線段a-a方向所繪示的剖面圖；

圖35a、圖36a、圖37a、圖38a、圖39a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法的示意圖；

圖35b、圖36b、圖37b、圖38b、圖39b分別為圖35a、圖36a、圖37a、圖38a、圖39a中的觸控模塊沿線段a-a方向所繪示的剖面圖；

圖40a、圖41a、圖42a、圖43a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法的示意圖；

圖40b、圖41b、圖42b、圖43b分別為圖40a、圖41a、圖42a、圖43a中的觸控模塊沿線段a-a方向所繪示的剖面圖；

圖44a、圖45a、圖46a、圖47a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法的示意圖；

圖44b、圖45b、圖46b、圖47b分別為圖44a、圖45a、圖46a、圖47a中的觸控模塊沿線段a-a方向所繪示的剖面圖；

圖48a、圖49a、圖50a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法的示意圖；

圖48b、圖49b、圖50b分別為圖48a、圖49a、圖50a中的觸控模塊沿線段a-a方向所繪示的剖面圖；

圖51a、圖52a、圖53a、圖54a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法的示意圖；

圖51b、圖52b、圖53b、圖54b分別為圖51a、圖52a、圖53a、圖54a中的觸控模塊沿線段a-a方向所繪示的剖面圖；

圖55a、圖56a、圖57a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法的示意圖；

圖55b、圖56b、圖57b分別為圖56a、圖57a中的觸控模塊沿線段a-a方向所繪示的剖面圖；以及

圖58為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

以下將以附圖及詳細(xì)敘述清楚說明本發(fā)明的精神，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在了解本發(fā)明的較佳實(shí)施例后，當(dāng)可由本發(fā)明所教示的技術(shù)，加以改變及修飾，其并不脫離本發(fā)明的精神與范圍。

關(guān)于本文中所使用的“第一”、“第二”、…等，并非特別指稱次序或順位的意思，亦非用以限定本發(fā)明，其僅為了區(qū)別以相同技術(shù)用語描述的元件或操作。

關(guān)于本文中所使用的方向用語，例如：上、下、左、右、前或后等，僅是參考附加附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明并非用來限制本創(chuàng)作。

關(guān)于本文中所使用的“包含”、“包括”、“具有”、“含有”等等，均為開放性的用語，即意指包含但不限于。

關(guān)于本文中所使用的“及/或”，是包括所述事物的任一或全部組合。

關(guān)于本文中所使用的用詞(terms)，除有特別注明外，通常具有每個(gè)用詞使用在此領(lǐng)域中、在此揭露的內(nèi)容中與特殊內(nèi)容中的平常意義。某些用以描述本揭露的用詞將于下或在此說明書的別處討論，以提供本領(lǐng)域技術(shù)人員在有關(guān)本揭露的描述上額外的引導(dǎo)。

本發(fā)明的一實(shí)施方式為一種觸控模塊的制造方法。在以下段落中，本發(fā)明將用以下第一實(shí)施例至第十四實(shí)施例為例說明本發(fā)明細(xì)節(jié)，然而本發(fā)明不以下述實(shí)施例中的細(xì)節(jié)為限，其它的實(shí)施方式亦在本發(fā)明范圍之中。

第一實(shí)施例

圖1a、圖2a、圖3a、圖4a、圖5a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊100的制造方法的示意圖。圖1b、圖2b、圖3b、圖4b、圖5b分別為圖1a、圖2a、圖3a、圖4a、圖5a中的觸控模塊100沿線段a-a方向所繪示的剖面圖。

首先，特別參照?qǐng)D1a及圖1b，在一第一步驟中，提供導(dǎo)電材料層120于基板110的上表面sf1上。接著，在一第二步驟中，提供多個(gè)第一遮罩msk1與第二遮罩msk2于導(dǎo)電材料層120上。

在一實(shí)施例中，是通過提供含導(dǎo)電添加物(conductingadditive)的嵌入液(embeddingsolvent)于基板110的上表面sf1上，以令導(dǎo)電添加物部分嵌入基板110中，形成導(dǎo)電材料層120。亦即，導(dǎo)電材料層120是部分嵌入于基板110的上表面sf1上。

在一實(shí)施例中，基板110例如是由聚酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate，pet)、環(huán)狀烯烴單體共聚合物(cycloolefinpolymer，cop)等適當(dāng)高分子材料實(shí)現(xiàn)。在一實(shí)施例中，含導(dǎo)電添加物的嵌入液例如是通過將導(dǎo)電添加物溶解于特定溶劑中所實(shí)現(xiàn)，其中所述的特定溶劑的溶解參數(shù)(solubilityparameter)接近于基板110的材料的溶解參數(shù)，以使溶解于所述的特定溶劑中的導(dǎo)電添加物滲透進(jìn)入基板110之中，以達(dá)成嵌入的效果。在一實(shí)施例中，上述導(dǎo)電添加物例如是納米碳管、納米金屬線、導(dǎo)電膠、導(dǎo)電高分子、石墨稀、納米金屬等適當(dāng)導(dǎo)電物質(zhì)。

通過提供含導(dǎo)電添加物的嵌入液于以高分子材料形成的基板110的上表面sf1上，可使基板110中鄰近上表面sf1的部分膨脹，以使部分導(dǎo)電添加 物滲透到基板110之中，以達(dá)到部分嵌入的效果。

為使敘述清楚，在以下的段落中，前述導(dǎo)電添加物將以納米銀線為例進(jìn)行說明，然而本發(fā)明不以此為限。

在一實(shí)施例中，第一遮罩msk1是用以在而后的步驟中圖形化第一觸控電極e1，第二遮罩msk2是用以在而后的步驟中圖形化第二觸控電極e2。

在一實(shí)施例中，是先形成一透明材料層于導(dǎo)電材料層120上，而后再以移除此一透明材料層中的一部分，以形成第一遮罩msk1與第二遮罩msk2。在一實(shí)施例中，此一移除程序可用黃光蝕刻或干式蝕刻實(shí)現(xiàn)，然本發(fā)明不以此為限。

在一實(shí)施例中，第一遮罩msk1與第二遮罩msk2例如可用光阻材料或其它透明的導(dǎo)電、非導(dǎo)電材料實(shí)現(xiàn)，然本發(fā)明不以此為限。

在一實(shí)施例中，第一遮罩msk1上存在多個(gè)接觸孔t，這些接觸孔t暴露出部分導(dǎo)電材料層120。

接著，特別參照?qǐng)D2a及圖2b，在一第三步驟中，提供多個(gè)透明導(dǎo)電件cd于接觸孔t中以及導(dǎo)電材料層120上。

在一實(shí)施例中，透明導(dǎo)電件cd與接觸孔t在俯視面上的尺寸相同。在一實(shí)施例中，透明導(dǎo)電件cd在俯視面上的尺寸可大于或小于接觸孔t在俯視面上的尺寸。

在一實(shí)施例中，透明導(dǎo)電件cd可用透明導(dǎo)電材料所形成。

接著，特別參照?qǐng)D3a及圖3b，在一第四步驟中，提供多條金屬導(dǎo)線mt于導(dǎo)電材料層120與第一遮罩msk1與第二遮罩msk2上。

此時(shí)，導(dǎo)電材料層120包括暴露在遮罩msk1、msk2及金屬導(dǎo)線mt之外的第一部分p；位于遮罩msk1、msk2及透明導(dǎo)電件cd下的第二部分q；以及位于金屬導(dǎo)線mt下并接觸金屬導(dǎo)線mt的第三部分r。

接著，特別參照?qǐng)D4a及圖4b，在一第五步驟中，絕緣化導(dǎo)電材料層120的第一部分p，以形成第一觸控電極e1、第二觸控電極e2、電極通道c、輔助導(dǎo)線x、以及絕緣區(qū)塊i。

進(jìn)一步來說，在第五步驟中，是分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、及透明導(dǎo)電件cd、以及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)(如納米銀線)，并使這些導(dǎo)電物質(zhì)進(jìn)一步下沉及分散至基板110之中以形 成絕緣區(qū)塊i，并使導(dǎo)電材料層120中位于第一遮罩msk1及透明導(dǎo)電件cd之下并接觸第一遮罩msk1及透明導(dǎo)電件cd的第二部分q形成第一觸控電極e1、使導(dǎo)電材料層120中位于第二遮罩msk2之下并接觸第二遮罩msk2的第二部分q形成第二觸控電極e2及位于第二觸控電極e2之間的電極通道c，并使導(dǎo)電材料層120中位于金屬導(dǎo)線mt下并接觸金屬導(dǎo)線mt的第三部分r形成輔助導(dǎo)線x。

在一實(shí)施例中，是通過提供不含導(dǎo)電添加物的嵌入液于導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2及金屬導(dǎo)線mt之外的第一部分p上，以分散導(dǎo)電材料層120中的第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)，并使這些導(dǎo)電物質(zhì)進(jìn)一步下沉及分散至基板110之中，以在基板110中形成嵌入的絕緣區(qū)塊i。

舉例而言，特別參照?qǐng)D6。如圖6所示，在第一遮罩msk1下的多個(gè)納米銀線snw是彼此連接，以形成具導(dǎo)電性的第一觸控電極e1，此外，暴露在第一遮罩msk1、第一遮罩msk1所對(duì)應(yīng)的透明導(dǎo)電件cd與金屬導(dǎo)線mt外的納米銀線snw，因被不含導(dǎo)電添加物的嵌入液分散，故彼此不連接，以形成不具導(dǎo)電性的絕緣區(qū)塊i。換言之，觸控電極e1、e2、電極通道c與輔助導(dǎo)線x具有彼此電性連接的導(dǎo)電物質(zhì)，絕緣區(qū)塊i具有彼此分散且電性隔離的導(dǎo)電物質(zhì)。

在一實(shí)施例中，不含導(dǎo)電添加物的嵌入液例如是由前述的具有特定溶解參數(shù)的特定溶劑所實(shí)現(xiàn)。

在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i是形成于觸控電極e1、e2之間，以使觸控電極e1、e2彼此絕緣。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i亦形成于觸控電極e1、e2的周圍。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i是暴露于基板110的上表面sf1。

接著，特別參照?qǐng)D5a及圖5b，在一第六步驟中，提供至少一架橋bg，其中架橋bg是跨越電極通道c設(shè)置，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。在一實(shí)施例中，架橋bg是透過接觸孔t電性接觸兩個(gè)相鄰的透明導(dǎo)電件cd，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。在一實(shí)施例中，架橋bg通過設(shè)置于電極通道c上的遮罩msk2來與電極通道c電性絕緣。

透過上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊100。于基板110中形成絕緣區(qū)塊i，可使觸控電極e1絕緣于觸控電極e2及電極通道c。如此一來，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極e1、e2，并避免造成觸控模塊100的光折射 率不均勻，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

換言之，通過前述分散導(dǎo)電材料層120的導(dǎo)電物質(zhì)以于基板110中形成絕緣區(qū)塊i的方法，可使觸控電極e1、e2、電極通道c、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。亦即，觸控電極e1、e2、電極通道c、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來，即可避免因折射率不均，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

當(dāng)注意到，在本發(fā)明中的用語“大致”，是用以修飾可些微變化的數(shù)量以及因制造過程所造成的些微誤差，但這種些微變化及些微誤差并不會(huì)改變其本質(zhì)。舉例而言，在形成絕緣區(qū)塊i的過程中，可能產(chǎn)生誤差，使得觸控電極e1、e2、金屬導(dǎo)線mt以及絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影之間存在些微間隙或些微重疊。然而，這些因制造過程所造成的些微誤差，亦在本發(fā)明范圍之中。

在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影位于觸控電極e1、e2與電極通道c在基板110的上表面sf1上的正投影之間。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影位于觸控電極e1、e2與電極通道c在基板110的上表面sf1上的正投影的周圍。

在本實(shí)施例中，第一觸控電極e1例如是沿圖5a中x軸方向設(shè)置。相鄰的兩個(gè)第一觸控電極e1之間是透過架橋bg彼此電性連接。架橋bg橫跨于電極通道c上。架橋bg與電極通道c通過遮罩msk2所阻隔，故彼此不電性接觸。在一實(shí)施例中，第一觸控電極e1位于遮罩msk1下，且架橋bg位于遮罩msk1上。

此外，第二觸控電極e2例如是沿圖5a中y軸方向(垂直于x軸方向)設(shè)置。相鄰的兩個(gè)第二觸控電極e2之間是透過電極通道c彼此電性連接。在一實(shí)施例中，觸控電極e2與電極通道c皆位于遮罩msk2下。

再者，于本實(shí)施例中，第一觸控電極e1與第二觸控電極e2皆大致為菱形。應(yīng)注意到，上述實(shí)施例僅為例示，其它形狀的觸控電極e1、e2亦在本發(fā)明范疇之中，故本發(fā)明并不以此為限。

在一實(shí)施例中，遮罩msk1例如是沿圖5a中x軸方向設(shè)置，且遮罩msk2例如是沿圖5a中y軸方向設(shè)置。在一實(shí)施例中，遮罩msk1、msk2皆大致 為菱形。應(yīng)注意到，上述實(shí)施例僅為例示，其它形狀的遮罩msk1、msk2亦在本發(fā)明范疇之中，故本發(fā)明并不以此為限。

在一實(shí)施例中，遮罩msk1、msk2彼此分離。在一實(shí)施例中，遮罩msk1、msk2在基板110的上表面sf1上的正投影之間彼此不重疊。

在一實(shí)施例中，遮罩msk1與遮罩msk2的至少一部分可在形成觸控電極e1、e2后選擇性移除，故本發(fā)明不以上述實(shí)施例為限。

在一實(shí)施例中，輔助導(dǎo)線x位于金屬導(dǎo)線mt之下。在一實(shí)施例中，輔助導(dǎo)線x電性連接金屬導(dǎo)線mt，并分別電性連接觸控電極e1、e2。在一實(shí)施例中，輔助導(dǎo)線x可協(xié)助金屬導(dǎo)線mt傳遞觸控信號(hào)。

在一實(shí)施例中，輔助導(dǎo)線x、電極通道c、絕緣區(qū)塊i、與觸控電極e1、e2具有相同的導(dǎo)電物質(zhì)。

應(yīng)注意到，雖然在上述實(shí)施例中，觸控電極e1、e2是形成于同一基板110上，然而在不同實(shí)施例中，觸控電極e1、e2亦可先分別形成于不同基板上，而后再將這些基板疊合，以形成觸控模塊100。因此，本發(fā)明不以前述實(shí)施例為限。

另一方面，應(yīng)注意到，在本發(fā)明的一變化的實(shí)施例中，基板110可包括活化層(未繪示)以及底層(未繪示)?；罨瘜釉O(shè)置于底層之上，且前述的觸控電極e1、e2、電極通道c、及輔助導(dǎo)線x皆部分嵌入于基板110的活化層上，且前述的絕緣區(qū)塊i是形成于基板110的活化層之中。

在一實(shí)施例中，底層可以是剛性或軟性材質(zhì)，例如可用玻璃、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，pet)及/或聚碳酸酯(polycarbonate，pc)所制作?；罨瘜永缈捎镁鬯峒柞?、聚氯乙烯(polyvinylchloride，pvc)及/或聚苯乙烯(polystyrene)等適當(dāng)高分子材料實(shí)現(xiàn)。

在一實(shí)施例中，由于第一觸控電極e1、第二觸控電極e2、電極通道c、與絕緣區(qū)塊i是由同一導(dǎo)電材料層120所形成，故具有相同的導(dǎo)電物質(zhì)。絕緣區(qū)塊i是經(jīng)一分散導(dǎo)電材料層120中的導(dǎo)電物質(zhì)的絕緣化處理(即前述的嵌入處理)而具有從導(dǎo)電材料層120中分離出的導(dǎo)電物質(zhì)。

第二實(shí)施例

以下將透過第二實(shí)施例，提供另一種觸控模塊100的制造方法。此一制造方法與第一實(shí)施例中的制造方法大致相同，差異之處僅在以金屬導(dǎo)電件md 取代透明導(dǎo)電件，以使得提供金屬導(dǎo)電件md的步驟與提供金屬導(dǎo)線mt的步驟得以整合。因此，在以下說明中，重復(fù)的部分將不贅述。

本實(shí)施例的第一步驟、第二步驟與第一實(shí)施例的第一步驟、第二步驟大致相同(可參照?qǐng)D1a、1b)，故在此不贅述。

參照?qǐng)D7a及圖7b，在一第三步驟中，可提供多個(gè)金屬導(dǎo)電件md于接觸孔t中以及導(dǎo)電材料層120上，并提供金屬導(dǎo)線mt于遮罩msk1、msk2與導(dǎo)電材料層120上。在一實(shí)施例中，金屬導(dǎo)電件md可填滿接觸孔t。

在一實(shí)施例中，提供金屬導(dǎo)電件md與金屬導(dǎo)線mt的步驟可整合為單一制程。在不同實(shí)施例中，金屬導(dǎo)電件md與金屬導(dǎo)線mt是在不同制程中提供。

在一實(shí)施例中，金屬導(dǎo)電件md與金屬導(dǎo)線mt可用相同金屬材料實(shí)現(xiàn)。在不同實(shí)施例中，金屬導(dǎo)電件md與金屬導(dǎo)線mt可用不同金屬材料實(shí)現(xiàn)。

此時(shí)，導(dǎo)電材料層120包括暴露在遮罩msk1、msk2、金屬導(dǎo)電件md、及金屬導(dǎo)線mt之外的第一部分p；位于遮罩msk1、msk2、金屬導(dǎo)電件md下的第二部分q；以及位于金屬導(dǎo)線mt下并接觸金屬導(dǎo)線mt的第三部分r。

接著，參照?qǐng)D8a及圖8b，在一第四步驟中，絕緣化導(dǎo)電材料層120的第一部分p，以形成第一觸控電極e1、第二觸控電極e2、電極通道c、輔助導(dǎo)線x、以及絕緣區(qū)塊i。

進(jìn)一步來說，在第四步驟中，是分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、金屬導(dǎo)電件md、以及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)(如納米銀線)，并使這些導(dǎo)電物質(zhì)進(jìn)一步下沉及分散至基板110之中以形成絕緣區(qū)塊i，并使導(dǎo)電材料層120中位于第一遮罩msk1及金屬導(dǎo)電件md之下并接觸第一遮罩msk1及金屬導(dǎo)電件md的第二部分q形成第一觸控電極e1、使導(dǎo)電材料層120中位于第二遮罩msk2之下并接觸第二遮罩msk2的第二部分q形成第二觸控電極e2及位于第二觸控電極e2之間的電極通道c，并使導(dǎo)電材料層120中位于金屬導(dǎo)線mt下并接觸金屬導(dǎo)線mt的第三部分r形成輔助導(dǎo)線x。

在本實(shí)施例中，分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、金屬導(dǎo)電件md、以及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分是形成于觸控電極e1、e2之 間，以使觸控電極e1、e2彼此絕緣。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分形成于觸控電極e1、e2的周圍。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i是暴露于基板110的上表面sf1。

接著，特別參照?qǐng)D9a及圖9b，在一第五步驟中，提供至少一架橋bg，其中架橋bg是跨越電極通道c設(shè)置，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。在一實(shí)施例中，架橋bg是透過接觸孔t電性接觸兩個(gè)相鄰的金屬導(dǎo)電件md，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。

透過上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊100。于基板110中形成絕緣區(qū)塊i，可使觸控電極e1絕緣于觸控電極e2及電極通道c。如此一來，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極e1、e2，并避免造成觸控模塊100的光折射率不均勻，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

換言之，通過前述分散導(dǎo)電材料層120的導(dǎo)電物質(zhì)以于基板110中形成絕緣區(qū)塊i的方法，可使觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。亦即，觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來，即可避免因折射率不均，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

在本實(shí)施例中，基板110、絕緣區(qū)塊i、觸控電極e1、e2、電極通道c、遮罩msk1、msk2、架橋bg、輔助導(dǎo)線x的細(xì)節(jié)與其間的相應(yīng)關(guān)系大致可參照前述實(shí)施例，故在此不贅述。

第三實(shí)施例

以下將透過第三實(shí)施例，提供另一種觸控模塊100的制造方法。此一制造方法與第一實(shí)施例中的制造方法大致相同，差異之處僅在于透明導(dǎo)電件cd與遮罩msk1、msk2的形成順序。故在以下說明中，重復(fù)的部分將不贅述。

圖10a、圖11a、圖12a、圖13a、圖14a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊100的制造方法的示意圖。圖10b、圖11b、圖12b、圖13b、圖14b分別為圖10a、圖11a、圖12a、圖13a、圖14a中的觸控模塊100沿線段a-a方向所繪示的剖面圖。

特別參照?qǐng)D10a及圖10b，在一第一步驟中，提供導(dǎo)電材料層120于基板110的上表面sf1上。接著，在一第二步驟中，提供多個(gè)透明導(dǎo)電件cd導(dǎo) 電材料層120上。

在本實(shí)施例中，基板110、導(dǎo)電材料層120與透明導(dǎo)電件cd的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

接著，特別參照?qǐng)D11a及圖11b，在一第三步驟中，提供多個(gè)第一遮罩msk1與第二遮罩msk2于導(dǎo)電材料層120上。

在本實(shí)施例中，遮罩msk1、msk2存在接觸孔t，以暴露出透明導(dǎo)電件cd。

在本實(shí)施例中，遮罩msk1、msk2的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

接著，特別參照?qǐng)D12a及圖12b，在一第四步驟中，提供多條金屬導(dǎo)線mt于導(dǎo)電材料層120與第一遮罩msk1與第二遮罩msk2上。

此時(shí)，導(dǎo)電材料層120包括暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、及金屬導(dǎo)線mt之外的第一部分p；位于遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd下的第二部分q；以及位于金屬導(dǎo)線mt下并接觸金屬導(dǎo)線mt的第三部分r。

接著，參照?qǐng)D13a及圖13b，在一第五步驟中，絕緣化導(dǎo)電材料層120的第一部分p，以形成第一觸控電極e1、第二觸控電極e2、電極通道c、輔助導(dǎo)線x、以及絕緣區(qū)塊i。

進(jìn)一步來說，在第五步驟中，是分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、以及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)(如納米銀線)，并使這些導(dǎo)電物質(zhì)進(jìn)一步下沉及分散至基板110之中以形成絕緣區(qū)塊i，并使導(dǎo)電材料層120中位于第一遮罩msk1及透明導(dǎo)電件cd之下并接觸第一遮罩msk1及透明導(dǎo)電件cd的第二部分q形成第一觸控電極e1、使導(dǎo)電材料層120中位于第二遮罩msk2之下并接觸第二遮罩msk2的第二部分q形成第二觸控電極e2及位于第二觸控電極e2之間的電極通道c，并使導(dǎo)電材料層120中位于金屬導(dǎo)線mt下并接觸金屬導(dǎo)線mt的第三部分r形成輔助導(dǎo)線x。

在本實(shí)施例中，分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、以及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分是形成于觸控電極e1、e2之 間，以使觸控電極e1、e2彼此絕緣。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分形成于觸控電極e1、e2的周圍。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i是暴露于基板110的上表面sf1。

接著，特別參照?qǐng)D14a及圖14b，在一第六步驟中，提供至少一架橋bg，其中架橋bg是跨越電極通道c設(shè)置，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。在一實(shí)施例中，架橋bg是透過接觸孔t電性接觸兩個(gè)相鄰的透明導(dǎo)電件cd，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。

透過上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊100。于基板110中形成絕緣區(qū)塊i，可使觸控電極e1絕緣于觸控電極e2及電極通道c。如此一來，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極e1、e2，并避免造成觸控模塊100的光折射率不均勻，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

換言之，通過前述分散導(dǎo)電材料層120的導(dǎo)電物質(zhì)以于基板110中形成絕緣區(qū)塊i的方法，可使觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。亦即，觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來，即可避免因折射率不均，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

在本實(shí)施例中，基板110、絕緣區(qū)塊i、觸控電極e1、e2、電極通道c、遮罩msk1、msk2、架橋bg、輔助導(dǎo)線x的細(xì)節(jié)與其間的相應(yīng)關(guān)系大致可參照前述實(shí)施例，故在此不贅述。

第四實(shí)施例

以下將透過第四實(shí)施例，提供另一種觸控模塊100的制造方法。此一制造方法與第三實(shí)施例中的制造方法大致相同，差異之處僅在于金屬導(dǎo)線mt與遮罩msk1、msk2的形成順序。故在以下說明中，重復(fù)的部分將不贅述。

圖15a、圖16a、圖17a、圖18a、圖19a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊100的制造方法的示意圖。圖15b、圖16b、圖17b、圖18b、圖19b分別為圖15a、圖16a、圖17a、圖18a、圖19a中的觸控模塊100沿線段a-a方向所繪示的剖面圖。

特別參照?qǐng)D15a及圖15b，在一第一步驟中，提供導(dǎo)電材料層120于基板110的上表面sf1上。接著，在一第二步驟中，提供多個(gè)透明導(dǎo)電件cd于 導(dǎo)電材料層120上。

在本實(shí)施例中，基板110、導(dǎo)電材料層120與透明導(dǎo)電件cd的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

接著，特別參照?qǐng)D16a及圖16b，在一第三步驟中，提供多條金屬導(dǎo)線mt于導(dǎo)電材料層120上。

接著，特別參照?qǐng)D17a及圖17b，在一第四步驟中，提供多個(gè)第一遮罩msk1與第二遮罩msk2于導(dǎo)電材料層120與金屬導(dǎo)線mt上。

在一實(shí)施例中，第一遮罩msk1上存在多個(gè)接觸孔t，這些接觸孔t暴露出透明導(dǎo)電件cd。

在本實(shí)施例中，遮罩msk1、msk2的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

此時(shí)，導(dǎo)電材料層120包括暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、及金屬導(dǎo)線mt之外的第一部分p；位于遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd下的第二部分q；以及位于金屬導(dǎo)線mt下并接觸金屬導(dǎo)線mt的第三部分r。

接著，參照?qǐng)D18a及圖18b，在一第五步驟中，絕緣化導(dǎo)電材料層120的第一部分p，以形成第一觸控電極e1、第二觸控電極e2、電極通道c、輔助導(dǎo)線x、以及絕緣區(qū)塊i。

進(jìn)一步來說，在第五步驟中，是分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、以及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)(如納米銀線)，并使這些導(dǎo)電物質(zhì)進(jìn)一步下沉及分散至基板110之中以形成絕緣區(qū)塊i，并使導(dǎo)電材料層120中位于第一遮罩msk1及透明導(dǎo)電件cd之下并接觸第一遮罩msk1及透明導(dǎo)電件cd的第二部分q形成第一觸控電極e1、使導(dǎo)電材料層120中位于第二遮罩msk2之下并接觸第二遮罩msk2的第二部分q形成第二觸控電極e2及位于第二觸控電極e2之間的電極通道c，并使導(dǎo)電材料層120中位于金屬導(dǎo)線mt下并接觸金屬導(dǎo)線mt的第三部分r形成輔助導(dǎo)線x。

在本實(shí)施例中，分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、以及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分是形成于觸控電極e1、e2之 間，以使觸控電極e1、e2彼此絕緣。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分形成于觸控電極e1、e2的周圍。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i是暴露于基板110的上表面sf1。

接著，特別參照?qǐng)D15a及圖15b，在一第六步驟中，提供至少一架橋bg，其中架橋bg是跨越電極通道c設(shè)置，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。在一實(shí)施例中，架橋bg是透過接觸孔t電性接觸兩個(gè)相鄰的透明導(dǎo)電件cd，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。

透過上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊100。于基板110中形成絕緣區(qū)塊i，可使觸控電極e1絕緣于觸控電極e2及電極通道c。如此一來，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極e1、e2，并避免造成觸控模塊100的光折射率不均勻，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

換言之，通過前述分散導(dǎo)電材料層120的導(dǎo)電物質(zhì)以于基板110中形成絕緣區(qū)塊i的方法，可使觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。亦即，觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來，即可避免因折射率不均，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

在本實(shí)施例中，基板110、絕緣區(qū)塊i、觸控電極e1、e2、電極通道c、遮罩msk1、msk2、架橋bg、輔助導(dǎo)線x的細(xì)節(jié)與其間的相應(yīng)關(guān)系大致可參照前述實(shí)施例，故在此不贅述。

第五實(shí)施例

以下將透過第五實(shí)施例，提供另一種觸控模塊100的制造方法。此一制造方法與第二實(shí)施例中的制造方法大致相同，差異之處僅在于金屬導(dǎo)線mt與遮罩msk1、msk2的形成順序。故在以下說明中，重復(fù)的部分將不贅述。

圖20a、圖21a、圖22a、圖23a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊100的制造方法的示意圖。圖20b、圖21b、圖22b、圖23b分別為圖20a、圖21a、圖22a、圖23a中的觸控模塊100沿線段a-a方向所繪示的剖面圖。

特別參照?qǐng)D20a及圖20b，在一第一步驟中，提供導(dǎo)電材料層120于基板110的上表面sf1上。接著，在一第二步驟中，提供多條金屬導(dǎo)線mt與多 個(gè)金屬導(dǎo)電件md于導(dǎo)電材料層120上。

在一實(shí)施例中，提供金屬導(dǎo)電件md與金屬導(dǎo)線mt的步驟可整合為單一制程。在不同實(shí)施例中，金屬導(dǎo)電件md與金屬導(dǎo)線mt是在不同制程中提供。

在本實(shí)施例中，基板110、導(dǎo)電材料層120、金屬導(dǎo)電件md與金屬導(dǎo)線mt的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

接著，特別參照?qǐng)D21a及圖21b，在一第三步驟中，提供多個(gè)第一遮罩msk1與第二遮罩msk2于導(dǎo)電材料層120與金屬導(dǎo)電件md上。

在一實(shí)施例中，第一遮罩msk1上存在多個(gè)接觸孔t，這些接觸孔t暴露出金屬導(dǎo)電件md。

在本實(shí)施例中，遮罩msk1、msk2的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

此時(shí)，導(dǎo)電材料層120包括暴露在遮罩msk1、msk2、金屬導(dǎo)電件md、及金屬導(dǎo)線mt之外的第一部分p；位于遮罩msk1、msk2、金屬導(dǎo)電件md下的第二部分q；以及位于金屬導(dǎo)線mt下并接觸金屬導(dǎo)線mt的第三部分r。

接著，特別參照?qǐng)D22a及圖22b，在一第四步驟中，絕緣化導(dǎo)電材料層120的第一部分p，以形成第一觸控電極e1、第二觸控電極e2、電極通道c、輔助導(dǎo)線x、以及絕緣區(qū)塊i。

進(jìn)一步來說，在第四步驟中，是分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、金屬導(dǎo)電件md、以及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)(如納米銀線)，并使這些導(dǎo)電物質(zhì)進(jìn)一步下沉及分散至基板110之中以形成絕緣區(qū)塊i，并使導(dǎo)電材料層120中位于第一遮罩msk1及金屬導(dǎo)電件md之下并接觸第一遮罩msk1及金屬導(dǎo)電件md的第二部分q形成第一觸控電極e1、使導(dǎo)電材料層120中位于第二遮罩msk2之下并接觸第二遮罩msk2的第二部分q形成第二觸控電極e2及位于第二觸控電極e2之間的電極通道c，并使導(dǎo)電材料層120中位于金屬導(dǎo)線mt下并接觸金屬導(dǎo)線mt的第三部分r形成輔助導(dǎo)線x。

在本實(shí)施例中，分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、金屬導(dǎo)電件md、以及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分是形成于觸控電極e1、e2之 間，以使觸控電極e1、e2彼此絕緣。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分形成于觸控電極e1、e2的周圍。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i是暴露于基板110的上表面sf1。

接著，特別參照?qǐng)D23a及圖23b，在一第五步驟中，提供至少一架橋bg，其中架橋bg是跨越電極通道c設(shè)置，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。在一實(shí)施例中，架橋bg是透過接觸孔t電性接觸兩個(gè)相鄰的金屬導(dǎo)電件md，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。

透過上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊100。于基板110中形成絕緣區(qū)塊i，可使觸控電極e1絕緣于觸控電極e2及電極通道c。如此一來，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極e1、e2，并避免造成觸控模塊100的光折射率不均勻，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

換言之，通過前述分散導(dǎo)電材料層120的導(dǎo)電物質(zhì)以于基板110中形成絕緣區(qū)塊i的方法，可使觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。亦即，觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來，即可避免因折射率不均，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

在本實(shí)施例中，基板110、絕緣區(qū)塊i、觸控電極e1、e2、電極通道c、遮罩msk1、msk2、架橋bg、輔助導(dǎo)線x的細(xì)節(jié)與其間的相應(yīng)關(guān)系大致可參照前述實(shí)施例，故在此不贅述。

第六實(shí)施例

以下將透過第六實(shí)施例，提供另一種觸控模塊100的制造方法。此一制造方法與第四實(shí)施例中的制造方法大致相同，差異之處僅在于第六實(shí)施例增加透明導(dǎo)線tr。故在以下說明中，重復(fù)的部分將不贅述。

圖24a、圖25a、圖26a、圖27a、圖28a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊100的制造方法的示意圖。圖24b、圖25b、圖26b、圖27b、圖28b分別為圖24a、圖25a、圖26a、圖27a、圖28a中的觸控模塊100沿線段a-a方向所繪示的剖面圖。

特別參照?qǐng)D24a及圖24b，在一第一步驟中，提供導(dǎo)電材料層120于基板110的上表面sf1上。接著，在一第二步驟中，提供多個(gè)透明導(dǎo)電件cd與 多條透明導(dǎo)線tr于導(dǎo)電材料層120上。

在一實(shí)施例中，提供透明導(dǎo)電件cd與透明導(dǎo)線tr的步驟可整合為單一制程。在不同實(shí)施例中，透明導(dǎo)電件cd與透明導(dǎo)線tr是在不同制程中提供。

在本實(shí)施例中，基板110、導(dǎo)電材料層120與透明導(dǎo)電件cd的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

在一實(shí)施例中，透明導(dǎo)線tr可用相同于透明導(dǎo)電件cd的透明導(dǎo)電材料實(shí)現(xiàn)。在不同實(shí)施例中，透明導(dǎo)線tr可用不同于透明導(dǎo)電件cd的透明導(dǎo)電材料實(shí)現(xiàn)。

接著，特別參照?qǐng)D25a及圖25b，在一第三步驟中，提供多條金屬導(dǎo)線mt于透明導(dǎo)線tr上。

接著，特別參照?qǐng)D26a及圖26b，在一第四步驟中，提供多個(gè)第一遮罩msk1與第二遮罩msk2于導(dǎo)電材料層120與金屬導(dǎo)線mt上。

在本實(shí)施例中，遮罩msk1、msk2的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

此時(shí)，導(dǎo)電材料層120包括暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、透明導(dǎo)線tr、及金屬導(dǎo)線mt之外的第一部分p；位于遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd下的第二部分q；以及位于透明導(dǎo)線tr下并接觸透明導(dǎo)線tr的第三部分r。

接著，參照?qǐng)D27a及圖27b，在一第五步驟中，絕緣化導(dǎo)電材料層120的第一部分p，以形成第一觸控電極e1、第二觸控電極e2、電極通道c、輔助導(dǎo)線x、以及絕緣區(qū)塊i。

進(jìn)一步來說，在第五步驟中，是分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、透明導(dǎo)線tr、以及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)(如納米銀線)，并使這些導(dǎo)電物質(zhì)進(jìn)一步下沉及分散至基板110之中以形成絕緣區(qū)塊i，并使導(dǎo)電材料層120中位于第一遮罩msk1及透明導(dǎo)電件cd之下并接觸第一遮罩msk1及透明導(dǎo)電件cd的第二部分q形成第一觸控電極e1、使導(dǎo)電材料層120中位于第二遮罩msk2之下并接觸第二遮罩msk2的第二部分q形成第二觸控電極e2及位于第二觸控電極e2之間的電極通道c，并使導(dǎo)電材料層120中位于透明導(dǎo)線tr下并接觸透明導(dǎo)線tr的第三部分r形成輔助導(dǎo)線x。

在本實(shí)施例中，分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、透明導(dǎo)線tr、以及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分是形成于觸控電極e1、e2之間，以使觸控電極e1、e2彼此絕緣。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分形成于觸控電極e1、e2的周圍。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i是暴露于基板110的上表面sf1。

接著，特別參照?qǐng)D28a及圖28b，在一第六步驟中，提供至少一架橋bg，其中架橋bg是跨越電極通道c設(shè)置，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。在一實(shí)施例中，架橋bg是透過接觸孔t電性接觸兩個(gè)相鄰的透明導(dǎo)電件cd，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。

透過上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊100。于基板110中形成絕緣區(qū)塊i，可使觸控電極e1絕緣于觸控電極e2及電極通道c。如此一來，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極e1、e2，并避免造成觸控模塊100的光折射率不均勻，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

換言之，通過前述分散導(dǎo)電材料層120的導(dǎo)電物質(zhì)以于基板110中形成絕緣區(qū)塊i的方法，可使觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。亦即，觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來，即可避免因折射率不均，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

在本實(shí)施例中，透明導(dǎo)線tr位于輔助導(dǎo)線x與金屬導(dǎo)線mt之間，并電性連接觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x、與金屬導(dǎo)線mt。在一實(shí)施例中，透明導(dǎo)線tr可協(xié)助金屬導(dǎo)線mt傳遞觸控信號(hào)。

在本實(shí)施例中，基板110、絕緣區(qū)塊i、觸控電極e1、e2、電極通道c、遮罩msk1、msk2、架橋bg、輔助導(dǎo)線x的細(xì)節(jié)與其間的相應(yīng)關(guān)系大致可參照前述實(shí)施例，故在此不贅述。

第七實(shí)施例

以下將透過第七實(shí)施例，提供另一種觸控模塊100的制造方法。此一制造方法與第六實(shí)施例中的制造方法大致相同，差異之處僅在于金屬導(dǎo)線mt與遮 罩msk1、msk2的形成順序。因此，在以下說明中，重復(fù)的部分將不贅述。

本實(shí)施例的第一步驟、第二步驟與第六實(shí)施例的第一步驟、第二步驟大致相同(可參照?qǐng)D24a、圖24b)，故在此不贅述。

參照?qǐng)D29a及圖29b，在一第三步驟中，提供多個(gè)第一遮罩msk1與第二遮罩msk2于導(dǎo)電材料層120上。

在一實(shí)施例中，第一遮罩msk1上存在多個(gè)接觸孔t，這些接觸孔t暴露出透明導(dǎo)電件cd。

在本實(shí)施例中，遮罩msk1、msk2的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

接著，參照?qǐng)D30a及圖30b，在一第四步驟中，提供多條金屬導(dǎo)線mt于透明導(dǎo)線tr及遮罩msk1、msk2上。

此時(shí)，導(dǎo)電材料層120包括暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、透明導(dǎo)線tr、及金屬導(dǎo)線mt之外的第一部分p、位于遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd下的第二部分q、以及位于透明導(dǎo)線tr下并接觸透明導(dǎo)線tr的第三部分r。

接著，特別參照?qǐng)D31a及圖31b，在一第五步驟中，絕緣化導(dǎo)電材料層120的第一部分p，以形成第一觸控電極e1、第二觸控電極e2、電極通道c、輔助導(dǎo)線x、以及絕緣區(qū)塊i。

進(jìn)一步來說，在第五步驟中，是分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、透明導(dǎo)線tr、以及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)(如納米銀線)，并使這些導(dǎo)電物質(zhì)進(jìn)一步下沉及分散至基板110之中以形成絕緣區(qū)塊i，并使導(dǎo)電材料層120中位于第一遮罩msk1及透明導(dǎo)電件cd之下并接觸第一遮罩msk1及透明導(dǎo)電件cd的第二部分q形成第一觸控電極e1、使導(dǎo)電材料層120中位于第二遮罩msk2之下并接觸第二遮罩msk2的第二部分q形成第二觸控電極e2及位于第二觸控電極e2之間的電極通道c，并使導(dǎo)電材料層120中位于透明導(dǎo)線tr下并接觸透明導(dǎo)線tr的第三部分r形成輔助導(dǎo)線x。

在本實(shí)施例中，分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、透明導(dǎo)線tr、以及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分是形成于觸控電極e1、e2之間，以使觸控電極e1、e2彼此絕緣。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分形成于觸控電極e1、e2的周圍。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i是暴露于基板110的上表面sf1。

接著，特別參照?qǐng)D32a及圖32b，在一第六步驟中，提供至少一架橋bg，其中架橋bg是跨越電極通道c設(shè)置，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。在一實(shí)施例中，架橋bg是透過接觸孔t電性接觸兩個(gè)相鄰的透明導(dǎo)電件cd，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。

透過上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊100。于基板110中形成絕緣區(qū)塊i，可使觸控電極e1絕緣于觸控電極e2及電極通道c。如此一來，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極e1、e2，并避免造成觸控模塊100的光折射率不均勻，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

換言之，通過前述分散導(dǎo)電材料層120的導(dǎo)電物質(zhì)以于基板110中形成絕緣區(qū)塊i的方法，可使觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。亦即，觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來，即可避免因折射率不均，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

在本實(shí)施例中，基板110、絕緣區(qū)塊i、觸控電極e1、e2、電極通道c、遮罩msk1、msk2、架橋bg、輔助導(dǎo)線x、金屬導(dǎo)線mt、與透明導(dǎo)線tr的細(xì)節(jié)與其間的相應(yīng)關(guān)系大致可參照前述實(shí)施例，故在此不贅述。

第八實(shí)施例

以下將透過第八實(shí)施例，提供另一種觸控模塊100的制造方法。此一制造方法與第七實(shí)施例中的制造方法大致相同，差異之處僅在于金屬導(dǎo)線mt與絕緣化導(dǎo)電材料層120的制程順序，故在以下說明中，重復(fù)的部分將不贅述。

本實(shí)施例的第一步驟、第二步驟、第三步驟與第六實(shí)施例的第一步驟、第二步驟、第三步驟大致相同(可參照?qǐng)D24a、圖24b、圖29a、圖29b)，故在此不贅述。

參照?qǐng)D33a及圖33b，在一第四步驟中，絕緣化導(dǎo)電材料層120的第一部分p，以形成第一觸控電極e1、第二觸控電極e2、電極通道c、輔助導(dǎo)線 x、以及絕緣區(qū)塊i。

進(jìn)一步來說，在第四步驟中，是分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、透明導(dǎo)線tr、以及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)(如納米銀線)，并使這些導(dǎo)電物質(zhì)進(jìn)一步下沉及分散至基板110之中以形成絕緣區(qū)塊i，并使導(dǎo)電材料層120中位于第一遮罩msk1及透明導(dǎo)電件cd之下并接觸第一遮罩msk1及透明導(dǎo)電件cd的第二部分q形成第一觸控電極e1、使導(dǎo)電材料層120中位于第二遮罩msk2之下并接觸第二遮罩msk2的第二部分q形成第二觸控電極e2及位于第二觸控電極e2之間的電極通道c，并使導(dǎo)電材料層120中位于透明導(dǎo)線tr下并接觸透明導(dǎo)線tr的第三部分r形成輔助導(dǎo)線x。

在本實(shí)施例中，分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、及透明導(dǎo)線tr之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分是形成于觸控電極e1、e2之間，以使觸控電極e1、e2彼此絕緣。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分形成于觸控電極e1、e2的周圍。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i是暴露于基板110的上表面sf1。

接著，特別參照?qǐng)D34a及圖34b，在一第六步驟中，提供至少一架橋bg，其中架橋bg是跨越電極通道c設(shè)置，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。在一實(shí)施例中，架橋bg是透過接觸孔t電性接觸兩個(gè)相鄰的透明導(dǎo)電件cd，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。

此外，在第六步驟中，亦提供多條金屬導(dǎo)線mt于透明導(dǎo)線tr上。

在一實(shí)施例中，提供架橋bg與金屬導(dǎo)線mt的步驟可整合為單一制程。在不同實(shí)施例中，架橋bg與金屬導(dǎo)線mt是在不同制程中提供。

在一實(shí)施例中，架橋bg與金屬導(dǎo)線mt可用相同金屬材料實(shí)現(xiàn)。在不同實(shí)施例中，架橋bg與金屬導(dǎo)線mt可用不同金屬材料實(shí)現(xiàn)。

透過上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊100。于基板110中形成絕緣區(qū)塊i，可使觸控電極e1絕緣于觸控電極e2及電極通道c。如此一來，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極e1、e2，并避免造成觸控模塊100的光折射率不均勻，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

換言之，通過前述分散導(dǎo)電材料層120的導(dǎo)電物質(zhì)以于基板110中形成絕緣區(qū)塊i的方法，可使觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。亦即，觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來，即可避免因折射率不均，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

在本實(shí)施例中，基板110、絕緣區(qū)塊i、觸控電極e1、e2、電極通道c、遮罩msk1、msk2、架橋bg、輔助導(dǎo)線x、金屬導(dǎo)線mt、與透明導(dǎo)線tr的細(xì)節(jié)與其間的相應(yīng)關(guān)系大致可參照前述實(shí)施例，故在此不贅述。

第九實(shí)施例

以下將透過第九實(shí)施例，提供另一種觸控模塊100的制造方法。此一制造方法與前述實(shí)施例中的制造方法大致相同，故在以下說明中，重復(fù)的部分將不贅述。

圖35a、圖36a、圖37a、圖38a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊100的制造方法的示意圖。圖35b、圖36b、圖37b、圖38b分別為圖35a、圖36a、圖37a、圖38a中的觸控模塊100沿線段a-a方向所繪示的剖面圖。

特別參照?qǐng)D35a及圖35b，在一第一步驟中，提供導(dǎo)電材料層120于基板110的上表面sf1上。接著，在一第二步驟中，提供多條透明導(dǎo)線tr于導(dǎo)電材料層120上。

在本實(shí)施例中，基板110、導(dǎo)電材料層120與透明導(dǎo)線tr的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

接著，特別參照?qǐng)D36a及圖36b，在一第三步驟中，提供多個(gè)第一遮罩msk1與第二遮罩msk2于導(dǎo)電材料層120與透明導(dǎo)線tr上。

在一實(shí)施例中，第一遮罩msk1上存在多個(gè)接觸孔t，這些接觸孔t暴露出部分導(dǎo)電材料層120。

在本實(shí)施例中，遮罩msk1、msk2的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

接著，特別參照?qǐng)D37a及圖37b，在一第四步驟中，提供多個(gè)金屬導(dǎo)電件md于遮罩msk1的接觸孔t中以及導(dǎo)電材料層120上。

此外，在第四步驟中，亦提供多條金屬導(dǎo)線mt于透明導(dǎo)線tr及遮罩msk1、msk2上。

在一實(shí)施例中，提供金屬導(dǎo)電件md與金屬導(dǎo)線mt的步驟可整合為單一制程。在不同實(shí)施例中，金屬導(dǎo)電件md與金屬導(dǎo)線mt是在不同制程中提供。

在本實(shí)施例中，金屬導(dǎo)電件md與金屬導(dǎo)線mt的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

此時(shí)，導(dǎo)電材料層120包括暴露在遮罩msk1、msk2、金屬導(dǎo)電件md、透明導(dǎo)線tr及金屬導(dǎo)線mt之外的第一部分p；位于遮罩msk1、msk2及其對(duì)應(yīng)的透明導(dǎo)電件cd下的第二部分q；以及位于透明導(dǎo)線tr下并接觸透明導(dǎo)線tr的第三部分r。

接著，參照?qǐng)D38a及圖38b，在一第五步驟中，絕緣化導(dǎo)電材料層120的第一部分p，以形成第一觸控電極e1、第二觸控電極e2、電極通道c、輔助導(dǎo)線x、以及絕緣區(qū)塊i。

進(jìn)一步來說，在第五步驟中，是分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、金屬導(dǎo)電件md、透明導(dǎo)線tr、以及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)(如納米銀線)，并使這些導(dǎo)電物質(zhì)進(jìn)一步下沉及分散至基板110之中以形成絕緣區(qū)塊i，并使導(dǎo)電材料層120中位于第一遮罩msk1及金屬導(dǎo)電件md之下并接觸第一遮罩msk1及金屬導(dǎo)電件md的第二部分q形成第一觸控電極e1、使導(dǎo)電材料層120中位于第二遮罩msk2之下并接觸第二遮罩msk2的第二部分q形成第二觸控電極e2及位于第二觸控電極e2之間的電極通道c，并使導(dǎo)電材料層120中位于透明導(dǎo)線tr下并接觸透明導(dǎo)線tr的第三部分r形成輔助導(dǎo)線x。

在本實(shí)施例中，分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、金屬導(dǎo)電件md、透明導(dǎo)線tr、以及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分是形成于觸控電極e1、e2之間，以使觸控電極e1、e2彼此絕緣。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分形成于觸控電極e1、e2的周圍。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i是暴露于基板110的上表面sf1。

接著，特別參照?qǐng)D39a及圖39b，在一第六步驟中，提供至少一架橋bg， 其中架橋bg是跨越電極通道c設(shè)置，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。在一實(shí)施例中，架橋bg是透過接觸孔t電性接觸兩個(gè)相鄰的金屬導(dǎo)電件md，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。

透過上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊100。于基板110中形成絕緣區(qū)塊i，可使觸控電極e1絕緣于觸控電極e2及電極通道c。如此一來，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極e1、e2，并避免造成觸控模塊100的光折射率不均勻，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

換言之，通過前述分散導(dǎo)電材料層120的導(dǎo)電物質(zhì)以于基板110中形成絕緣區(qū)塊i的方法，可使觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。亦即，觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來，即可避免因折射率不均，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

在本實(shí)施例中，基板110、絕緣區(qū)塊i、觸控電極e1、e2、電極通道c、遮罩msk1、msk2、架橋bg、輔助導(dǎo)線x、金屬導(dǎo)線mt與透明導(dǎo)線tr的細(xì)節(jié)與其間的相應(yīng)關(guān)系大致可參照前述實(shí)施例，故在此不贅述。

第十實(shí)施例

以下將透過第十實(shí)施例，提供另一種觸控模塊100的制造方法。此一制造方法與第九實(shí)施例中的制造方法大致相同，差異之處僅在于遮罩msk1、msk2與金屬導(dǎo)電件md及金屬導(dǎo)線mt的形成順序，故在以下說明中，重復(fù)的部分將不贅述。

本實(shí)施例的第一步驟、第二步驟與第九實(shí)施例的第一步驟、第二步驟大致相同(可參照?qǐng)D35a、圖35b)，故在此不贅述。

參照?qǐng)D40a及圖40b，在一第三步驟中，可提供多個(gè)金屬導(dǎo)電件md于導(dǎo)電材料層120上。

此外，在第三步驟中，亦可提供多條金屬導(dǎo)線mt于透明導(dǎo)線tr上。

在一實(shí)施例中，提供金屬導(dǎo)電件md與金屬導(dǎo)線mt的步驟可整合為單一制程。在不同實(shí)施例中，金屬導(dǎo)電件md與金屬導(dǎo)線mt是在不同制程中提供。

在本實(shí)施例中，金屬導(dǎo)電件md與金屬導(dǎo)線mt的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

接著，參照?qǐng)D41a及圖41b，在一第四步驟中，提供多個(gè)第一遮罩msk1與第二遮罩msk2于導(dǎo)電材料層120與金屬導(dǎo)線mt上。

在一實(shí)施例中，第一遮罩msk1上存在多個(gè)接觸孔t，這些接觸孔t暴露出金屬導(dǎo)電件md。

在本實(shí)施例中，遮罩msk1、msk2的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

此時(shí)，導(dǎo)電材料層120包括暴露在遮罩msk1、msk2、金屬導(dǎo)電件md、透明導(dǎo)線tr及金屬導(dǎo)線mt之外的第一部分p；位于遮罩msk1、msk2及金屬導(dǎo)電件md下的第二部分q；以及位于透明導(dǎo)線tr下并接觸透明導(dǎo)線tr的第三部分r。

接著，參照?qǐng)D42a及圖42b，在一第五步驟中，絕緣化導(dǎo)電材料層120的第一部分p，以形成第一觸控電極e1、第二觸控電極e2、電極通道c、輔助導(dǎo)線x、以及絕緣區(qū)塊i。

進(jìn)一步來說，在第五步驟中，是分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、金屬導(dǎo)電件md、透明導(dǎo)線tr、以及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)(如納米銀線)，并使這些導(dǎo)電物質(zhì)進(jìn)一步下沉及分散至基板110之中以形成絕緣區(qū)塊i，并使導(dǎo)電材料層120中位于第一遮罩msk1及金屬導(dǎo)電件md之下并接觸第一遮罩msk1及金屬導(dǎo)電件md的第二部分q形成第一觸控電極e1、使導(dǎo)電材料層120中位于第二遮罩msk2之下并接觸第二遮罩msk2的第二部分q形成第二觸控電極e2及位于第二觸控電極e2之間的電極通道c，并使導(dǎo)電材料層120中位于透明導(dǎo)線tr下并接觸透明導(dǎo)線tr的第三部分r形成輔助導(dǎo)線x。

在本實(shí)施例中，分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、金屬導(dǎo)電件md、透明導(dǎo)線tr、以及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分是形成于觸控電極e1、e2之間，以使觸控電極e1、e2彼此絕緣。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分形成于觸控電極e1、e2的周圍。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i是暴露于基板110的上表面sf1。

接著，特別參照?qǐng)D43a及圖43b，在一第六步驟中，提供至少一架橋bg， 其中架橋bg是跨越電極通道c設(shè)置，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。在一實(shí)施例中，架橋bg是透過接觸孔t電性接觸兩個(gè)相鄰的金屬導(dǎo)電件md，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。

透過上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊100。于基板110中形成絕緣區(qū)塊i，可使觸控電極e1絕緣于觸控電極e2及電極通道c。如此一來，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極e1、e2，并避免造成觸控模塊100的光折射率不均勻，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

換言之，通過前述分散導(dǎo)電材料層120的導(dǎo)電物質(zhì)以于基板110中形成絕緣區(qū)塊i的方法，可使觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。亦即，觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來，即可避免因折射率不均，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

在本實(shí)施例中，基板110、絕緣區(qū)塊i、觸控電極e1、e2、電極通道c、遮罩msk1、msk2、架橋bg、輔助導(dǎo)線x、金屬導(dǎo)線mt、與透明導(dǎo)線tr的細(xì)節(jié)與其間的相應(yīng)關(guān)系大致可參照前述實(shí)施例，故在此不贅述。

第十一實(shí)施例

以下將透過第十一實(shí)施例，提供另一種觸控模塊100的制造方法。此一制造方法與前述實(shí)施例中的制造方法大致相同，故在以下說明中，重復(fù)的部分將不贅述。

圖44a、圖45a、圖46a、圖47a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊100的制造方法的示意圖。圖44b、圖45b、圖46b、圖47b分別為圖44a、圖45a、圖46a、圖47a中的觸控模塊100沿線段a-a方向所繪示的剖面圖。

特別參照?qǐng)D44a及圖44b，在一第一步驟中，提供導(dǎo)電材料層120于基板110的上表面sf1上。接著，在一第二步驟中，提供多個(gè)透明導(dǎo)電件cd于導(dǎo)電材料層120上。

此外，在第二步驟中，亦可提供多個(gè)透明接觸墊pd于導(dǎo)電材料層120上。

在一實(shí)施例中，提供透明導(dǎo)電件cd與透明接觸墊pd的步驟可整合為單一制程。在不同實(shí)施例中，透明導(dǎo)電件cd與透明接觸墊pd是在不同制程中 提供。

在本實(shí)施例中，導(dǎo)電材料層120與透明導(dǎo)電件cd的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

在一實(shí)施例中，透明接觸墊pd可用相同于透明導(dǎo)電件cd的透明導(dǎo)電材料實(shí)現(xiàn)。在不同實(shí)施例中，透明接觸墊pd亦可用不同于透明導(dǎo)電件cd的透明導(dǎo)電材料實(shí)現(xiàn)。

接著，特別參照?qǐng)D45a及圖45b，在一第三步驟中，提供多個(gè)第一遮罩msk1與第二遮罩msk2于導(dǎo)電材料層120上。

在一實(shí)施例中，第一遮罩msk1上存在多個(gè)接觸孔t，這些接觸孔t暴露出透明導(dǎo)電件cd。

在本實(shí)施例中，遮罩msk1、msk2的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

此時(shí)，導(dǎo)電材料層120包括暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、及透明接觸墊pd之外的第一部分p；以及位于遮罩msk1、msk2及其對(duì)應(yīng)的透明導(dǎo)電件cd與透明接觸墊pd下的第二部分q。

接著，特別參照?qǐng)D46a及圖46b，在一第四步驟中，絕緣化導(dǎo)電材料層120的第一部分p，以形成第一觸控電極e1、第二觸控電極e2、電極通道c、以及絕緣區(qū)塊i。

進(jìn)一步來說，在第四步驟中，是分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、及透明接觸墊pd之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)(如納米銀線)，并使這些導(dǎo)電物質(zhì)進(jìn)一步下沉及分散至基板110之中以形成絕緣區(qū)塊i，并使導(dǎo)電材料層120中位于第一遮罩msk1、透明導(dǎo)電件cd、及透明接觸墊pd之下并接觸第一遮罩msk1、透明導(dǎo)電件cd、及透明接觸墊pd的第二部分q形成第一觸控電極e1、使導(dǎo)電材料層120中位于第二遮罩msk2之下并接觸第二遮罩msk2的第二部分q形成第二觸控電極e2及位于第二觸控電極e2之間的電極通道c。

在本實(shí)施例中，分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、及透明接觸墊pd之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分是形成于觸控電極e1、e2之 間，以使觸控電極e1、e2彼此絕緣。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分形成于觸控電極e1、e2的周圍。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i是暴露于基板110的上表面sf1。

接著，特別參照?qǐng)D47a及圖47b，在一第五步驟中，提供至少一架橋bg，其中架橋bg是跨越電極通道c設(shè)置，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。在一實(shí)施例中，架橋bg是透過接觸孔t電性接觸兩個(gè)相鄰的透明導(dǎo)電件cd，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。

此外，在第五步驟中，亦提供多條金屬導(dǎo)線mt于透明接觸墊pd與絕緣區(qū)塊i上。如此一來，可避免金屬導(dǎo)線mt因接觸基板110中的導(dǎo)電物質(zhì)而造成短路。

在一實(shí)施例中，提供架橋bg與金屬導(dǎo)線mt的步驟可整合為單一制程。在不同實(shí)施例中，架橋bg與金屬導(dǎo)線mt是在不同制程中提供。

在一實(shí)施例中，架橋bg與金屬導(dǎo)線mt可用相同金屬材料實(shí)現(xiàn)。在不同實(shí)施例中，架橋bg與金屬導(dǎo)線mt可用不同金屬材料實(shí)現(xiàn)。

透過上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊100。于基板110中形成絕緣區(qū)塊i，可使觸控電極e1絕緣于觸控電極e2及電極通道c。如此一來，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極e1、e2，并避免造成觸控模塊100的光折射率不均勻，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

換言之，通過前述分散導(dǎo)電材料層120的導(dǎo)電物質(zhì)以于基板110中形成絕緣區(qū)塊i的方法，可使觸控電極e1、e2、與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。亦即，觸控電極e1、e2、與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來，即可避免因折射率不均，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

在本實(shí)施例中，透明接觸墊pd位于金屬導(dǎo)線mt與第一觸控電極e1之間，并用以電性連接金屬導(dǎo)線mt與第一觸控電極e1。

在本實(shí)施例中，基板110、絕緣區(qū)塊i、觸控電極e1、e2、電極通道c、遮罩msk1、msk2、架橋bg、與金屬導(dǎo)線mt的細(xì)節(jié)與其間的相應(yīng)關(guān)系大致可參照前述實(shí)施例，故在此不贅述。

第十二實(shí)施例

以下將透過第十二實(shí)施例，提供另一種觸控模塊100的制造方法。此一制 造方法與第十一實(shí)施例中的制造方法大致相同，差異之處僅在于金屬導(dǎo)線mt的形成順序，故在以下說明中，重復(fù)的部分將不贅述。

本實(shí)施例的第一步驟、第二步驟、第三步驟與第十一實(shí)施例的第一步驟、第二步驟、第三步驟大致相同(可參照?qǐng)D44a和45a、圖44b和45b)，故在此不贅述。

參照?qǐng)D48a及圖48b，在一第四步驟中，可提供多條金屬導(dǎo)線mt于透明接觸墊pd與上導(dǎo)電材料層120上。

此時(shí)，導(dǎo)電材料層120包括暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、透明接觸墊pd及金屬導(dǎo)線mt之外的第一部分p、位于遮罩msk1、msk2及其對(duì)應(yīng)的透明導(dǎo)電件cd下的第二部分q、以及位于金屬導(dǎo)線mt下并接觸金屬導(dǎo)線mt的第三部分r。

接著，參照?qǐng)D49a及圖49b，在一第五步驟中，絕緣化導(dǎo)電材料層120的第一部分p，以形成第一觸控電極e1、第二觸控電極e2、電極通道c、輔助導(dǎo)線x、以及絕緣區(qū)塊i。

進(jìn)一步來說，在第五步驟中，是分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、透明接觸墊pd及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)(如納米銀線)，并使這些導(dǎo)電物質(zhì)進(jìn)一步下沉及分散至基板110之中以形成絕緣區(qū)塊i，并使導(dǎo)電材料層120中位于第一遮罩msk1、透明導(dǎo)電件cd及透明接觸墊pd之下并接觸第一遮罩msk1、透明導(dǎo)電件cd及透明接觸墊pd的第二部分q形成第一觸控電極e1、使導(dǎo)電材料層120中位于第二遮罩msk2之下并接觸第二遮罩msk2的第二部分q形成第二觸控電極e2及位于第二觸控電極e2之間的電極通道c，并使導(dǎo)電材料層120中位于金屬導(dǎo)線mt下并接觸金屬導(dǎo)線mt的第三部分r形成輔助導(dǎo)線x。

在本實(shí)施例中，分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、透明接觸墊pd及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分是形成于觸控電極e1、e2之間，以使觸控電極e1、e2彼此絕緣。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分形成于觸控電極e1、e2的周圍。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i是暴露于基板110的上表面sf1。

接著，特別參照?qǐng)D50a及圖50b，在一第六步驟中，提供至少一架橋bg，其中架橋bg是跨越電極通道c設(shè)置，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。在一實(shí)施例中，架橋bg是透過接觸孔t電性接觸兩個(gè)相鄰的透明導(dǎo)電件cd，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。

透過上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊100。于基板110中形成絕緣區(qū)塊i，可使觸控電極e1絕緣于觸控電極e2及電極通道c。如此一來，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極e1、e2，并避免造成觸控模塊100的光折射率不均勻，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

換言之，通過前述分散導(dǎo)電材料層120的導(dǎo)電物質(zhì)以于基板110中形成絕緣區(qū)塊i的方法，可使觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。亦即，觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來，即可避免因折射率不均，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

在本實(shí)施例中，基板110、絕緣區(qū)塊i、觸控電極e1、e2、電極通道c、遮罩msk1、msk2、架橋bg、輔助導(dǎo)線x、透明接觸墊pd、與金屬導(dǎo)線mt的細(xì)節(jié)與其間的相應(yīng)關(guān)系大致可參照前述實(shí)施例，故在此不贅述。

第十三實(shí)施例

以下將透過第十三實(shí)施例，提供另一種觸控模塊100的制造方法。此一制造方法與第十一實(shí)施例中的制造方法大致相同，差異之處僅在于遮罩msk1、msk2與透明導(dǎo)電件cd、透明接觸墊pd的形成順序，故在以下說明中，重復(fù)的部分將不贅述。

圖51a、圖52a、圖53a、圖54a分別為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊100的制造方法的示意圖。圖51b、圖52b、圖53b、圖54b分別為圖51a、圖52a、圖53a、圖54a中的觸控模塊100沿線段a-a方向所繪示的剖面圖。

特別參照?qǐng)D51a及圖51b，在一第一步驟中，提供導(dǎo)電材料層120于基板110的上表面sf1上。接著，在一第二步驟中，提供多個(gè)第一遮罩msk1與第二遮罩msk2于導(dǎo)電材料層120上。

在一實(shí)施例中，第一遮罩msk1上存在多個(gè)接觸孔t，這些接觸孔t暴 露出部分導(dǎo)電材料層120。

在本實(shí)施例中，基板110、導(dǎo)電材料層120、遮罩msk1、msk2的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

接著，特別參照?qǐng)D52a及圖52b，在一第三步驟中，提供多個(gè)透明導(dǎo)電件cd于遮罩msk1的接觸孔t中。

此外，在第三步驟中，亦可提供多個(gè)透明接觸墊pd于導(dǎo)電材料層120上。

在一實(shí)施例中，提供透明導(dǎo)電件cd與透明接觸墊pd的步驟可整合為單一制程。在不同實(shí)施例中，透明導(dǎo)電件cd與透明接觸墊pd是在不同制程中提供。

在本實(shí)施例中，透明導(dǎo)電件cd與透明接觸墊pd的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

此時(shí)，導(dǎo)電材料層120包括暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、及透明接觸墊pd之外的第一部分p；以及位于遮罩msk1、msk2及其對(duì)應(yīng)的透明導(dǎo)電件cd與透明接觸墊pd下的第二部分q。

接著，特別參照?qǐng)D53a及圖53b，在一第四步驟中，絕緣化導(dǎo)電材料層120的第一部分p，以形成第一觸控電極e1、第二觸控電極e2、電極通道c、以及絕緣區(qū)塊i。

進(jìn)一步來說，在第四步驟中，是分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、及透明接觸墊pd之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)(如納米銀線)，并使這些導(dǎo)電物質(zhì)進(jìn)一步下沉及分散至基板110之中以形成絕緣區(qū)塊i，并使導(dǎo)電材料層120中位于第一遮罩msk1、透明導(dǎo)電件cd、及透明接觸墊pd之下并接觸第一遮罩msk1、透明導(dǎo)電件cd、及透明接觸墊pd的第二部分q形成第一觸控電極e1、使導(dǎo)電材料層120中位于第二遮罩msk2之下并接觸第二遮罩msk2的第二部分q形成第二觸控電極e2及位于第二觸控電極e2之間的電極通道c。

在本實(shí)施例中，分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、及透明接觸墊pd之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分是形成于觸控電極e1、e2之間，以使觸控電極e1、e2彼此絕緣。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一 部分形成于觸控電極e1、e2的周圍。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i是暴露于基板110的上表面sf1。

接著，特別參照?qǐng)D54a及圖54b，在一第五步驟中，提供至少一架橋bg，其中架橋bg是跨越電極通道c設(shè)置，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。在一實(shí)施例中，架橋bg是透過接觸孔t電性接觸兩個(gè)相鄰的透明導(dǎo)電件cd，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。

此外，在第五步驟中，亦提供多條金屬導(dǎo)線mt于透明接觸墊pd與絕緣區(qū)塊i上。如此一來，可避免金屬導(dǎo)線mt因接觸基板110中的導(dǎo)電物質(zhì)而造成短路。

在一實(shí)施例中，提供架橋bg與金屬導(dǎo)線mt的步驟可整合為單一制程。在不同實(shí)施例中，架橋bg與金屬導(dǎo)線mt是在不同制程中提供。

在一實(shí)施例中，架橋bg與金屬導(dǎo)線mt可用相同金屬材料實(shí)現(xiàn)。在不同實(shí)施例中，架橋bg與金屬導(dǎo)線mt可用不同金屬材料實(shí)現(xiàn)。

透過上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊100。于基板110中形成絕緣區(qū)塊i，可使觸控電極e1絕緣于觸控電極e2及電極通道c。如此一來，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極e1、e2，并避免造成觸控模塊100的光折射率不均勻，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

換言之，通過前述分散導(dǎo)電材料層120的導(dǎo)電物質(zhì)以于基板110中形成絕緣區(qū)塊i的方法，可使觸控電極e1、e2與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。亦即，觸控電極e1、e2與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來，即可避免因折射率不均，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

在本實(shí)施例中，基板110、絕緣區(qū)塊i、觸控電極e1、e2、電極通道c、遮罩msk1、msk2、架橋bg、透明接觸墊pd、與金屬導(dǎo)線mt的細(xì)節(jié)與其間的相應(yīng)關(guān)系大致可參照前述實(shí)施例，故在此不贅述。

第十四實(shí)施例

以下將透過第十四實(shí)施例，提供另一種觸控模塊100的制造方法。此一制造方法與第十三實(shí)施例中的制造方法大致相同，差異之處僅在于金屬導(dǎo)線mt的形成順序，故在以下說明中，重復(fù)的部分將不贅述。

本實(shí)施例的第一步驟、第二步驟、第三步驟與第十三實(shí)施例的第一步驟、 第二步驟、第三步驟大致相同(可參照?qǐng)D51a和52a、圖51b和52b)，故在此不贅述。

參照?qǐng)D55a及圖55b，在一第四步驟中，可提供多條金屬導(dǎo)線mt于透明接觸墊pd與上導(dǎo)電材料層120上。

此時(shí)，導(dǎo)電材料層120包括暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、透明接觸墊pd及金屬導(dǎo)線mt之外的第一部分p、位于遮罩msk1、msk2及其對(duì)應(yīng)的透明導(dǎo)電件cd下的第二部分q、以及位于金屬導(dǎo)線mt下并接觸金屬導(dǎo)線mt的第三部分r。

接著，參照?qǐng)D56a及圖56b，在一第五步驟中，絕緣化導(dǎo)電材料層120的第一部分p，以形成第一觸控電極e1、第二觸控電極e2、電極通道c、輔助導(dǎo)線x、以及絕緣區(qū)塊i。

進(jìn)一步來說，在第五步驟中，是分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、透明接觸墊pd及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)(如納米銀線)，并使這些導(dǎo)電物質(zhì)進(jìn)一步下沉及分散至基板110之中以形成絕緣區(qū)塊i，并使導(dǎo)電材料層120中位于第一遮罩msk1、透明導(dǎo)電件cd及透明接觸墊pd之下并接觸第一遮罩msk1、透明導(dǎo)電件cd及透明接觸墊pd的第二部分q形成第一觸控電極e1、使導(dǎo)電材料層120中位于第二遮罩msk2之下并接觸第二遮罩msk2的第二部分q形成第二觸控電極e2及位于第二觸控電極e2之間的電極通道c，并使導(dǎo)電材料層120中位于金屬導(dǎo)線mt下并接觸金屬導(dǎo)線mt的第三部分r形成輔助導(dǎo)線x。

在本實(shí)施例中，分散導(dǎo)電材料層120中暴露在遮罩msk1、msk2、透明導(dǎo)電件cd、透明接觸墊pd及金屬導(dǎo)線mt之外的一第一部分p中的導(dǎo)電物質(zhì)的細(xì)節(jié)可參照前述段落，故在此不贅述。

在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分是形成于觸控電極e1、e2之間，以使觸控電極e1、e2彼此絕緣。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i中的至少一部分形成于觸控電極e1、e2的周圍。在一實(shí)施例中，絕緣區(qū)塊i是暴露于基板110的上表面sf1。

接著，特別參照?qǐng)D57a及圖57b，在一第六步驟中，提供至少一架橋bg，其中架橋bg是跨越電極通道c設(shè)置，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。在一實(shí)施例中，架橋bg是透過接觸孔t電性接觸兩個(gè)相鄰的透明導(dǎo)電件 cd，以電性連接兩個(gè)相鄰的第一觸控電極e1。

透過上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊100。于基板110中形成絕緣區(qū)塊i，可使觸控電極e1絕緣于觸控電極e2及電極通道c。如此一來，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極e1、e2，并避免造成觸控模塊100的光折射率不均勻，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

換言之，通過前述分散導(dǎo)電材料層120的導(dǎo)電物質(zhì)以于基板110中形成絕緣區(qū)塊i的方法，可使觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。亦即，觸控電極e1、e2、輔助導(dǎo)線x與絕緣區(qū)塊i在基板110的上表面sf1上的正投影可形成一完整的平面。如此一來，即可避免因折射率不均，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

在本實(shí)施例中，基板110、絕緣區(qū)塊i、觸控電極e1、e2、電極通道c、遮罩msk1、msk2、架橋bg、輔助導(dǎo)線x、透明接觸墊pd、與金屬導(dǎo)線mt的細(xì)節(jié)與其間的相應(yīng)關(guān)系大致可參照前述實(shí)施例，故在此不贅述。

圖58為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例繪示的一種觸控模塊的制造方法200的流程圖。制造方法200可用以制作上述第一實(shí)施例至第十四實(shí)施例中的觸控模塊100，然不以此為限。在以下段落，將用第一實(shí)施例中的觸控模塊100為例進(jìn)行制造方法200的說明，然本發(fā)明不以此為限。制造方法200包括以下步驟。

在步驟s1中，形成至少二第一觸控電極e1、至少二第一觸控電極e2、以及至少一電極通道c于一基板110上，并同步嵌入形成一絕緣區(qū)塊i于基板110中，其中絕緣區(qū)塊i位于第一觸控電極e1以及第二觸控電極e2之間用以電性連接第二觸控電極e2。

在步驟s2中，設(shè)置至少一架橋bg于基板110上，其中架橋bg用以電性連接第一觸控電極e1。其中，第一觸控電極e1電性絕緣于第二觸控電極e2。

透過上述的制造方法，即可實(shí)現(xiàn)觸控模塊100。于基板110中形成絕緣區(qū)塊i，可使觸控電極e1、e2間彼此絕緣。如此一來，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極e1、e2，并避免造成觸控模塊100的光折射率不均勻，而影響觸控模塊100外觀的光學(xué)一致性。

綜上所述，本發(fā)明的一實(shí)施例揭露一種觸控模塊。觸控模塊包括一基板、 至少二第一觸控電極、至少二第二觸控電極、一絕緣區(qū)塊、至少一電極通道、以及至少一架橋。第一觸控電極形成于基板上。第二觸控電極形成于基板上。絕緣區(qū)塊嵌入形成于基板中，并位于第一觸控電極以及第二觸控電極之間。電極通道形成于基板上用以電性連接第二觸控電極。架橋設(shè)置于基板上，用以電性連接第一觸控電極。第一觸控電極電性絕緣于第二觸控電極。

本發(fā)明的另一實(shí)施例揭露一種觸控模塊的制造方法。制造方法包括：形成至少二第一觸控電極、至少二第二觸控電極、以及至少一電極通道于基板上，并同步嵌入形成絕緣區(qū)塊于基板中，其中絕緣區(qū)塊位于第一觸控電極以及第二觸控電極之間，且電極通道用以電性連接第二觸控電極；以及設(shè)置至少一架橋于基板上，其中架橋用以電性連接第一觸控電極。第一觸控電極電性絕緣于第二觸控電極。

雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。