本發(fā)明是與觸控面板(Touch panel)有關(guān)，特別是關(guān)于一種能夠具有良好電性(RC loading)的內(nèi)嵌式(In-cell)觸控面板。

背景技術(shù)：

一般而言，電容式觸控面板大致可依照其疊層結(jié)構(gòu)的不同而分為數(shù)種不同型式，例如：內(nèi)嵌式(In-cell)的電容式觸控面板及On-cell的電容式觸控面板。

請參照圖1及圖2，圖1及圖2為內(nèi)嵌式的電容式觸控面板及On-Cell的電容式觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，On-Cell的電容式觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)1由下至上依序是：基板10、薄膜晶體管(TFT)元件層11、液晶層12、彩色濾光層13、玻璃層14、觸控感應(yīng)層15、偏光片16、粘合劑17及上覆透鏡18。如圖2所示，內(nèi)嵌式的電容式觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)2由下至上依序是：基板20、薄膜晶體管(TFT)元件層21、觸控感應(yīng)層22、液晶層23、彩色濾光層24、玻璃層25、偏光片26、粘合劑27及上覆透鏡28。

比較圖1及圖2可知：內(nèi)嵌式的電容式觸控面板是將觸控感應(yīng)層22設(shè)置于液晶層23的下方，亦即設(shè)置于液晶顯示模塊之內(nèi)；On-Cell的電容式觸控面板則是將觸控感應(yīng)層15設(shè)置于玻璃層14的上方，亦即設(shè)置于液晶顯示模塊之外。相較于傳統(tǒng)的單片式玻璃觸控面板(One Glass Solution,OGS)及On-Cell的電容式觸控面板，內(nèi)嵌式的電容式觸控面板可達成最薄化的觸控面板設(shè)計，并可廣泛應(yīng)用于手機、平板電腦及筆記本電腦等可攜式電子產(chǎn)品上。

因此，本發(fā)明提出一種內(nèi)嵌式觸控面板，希望能通過其創(chuàng)新的布局方式 降低阻值及寄生電容的影響，以提升內(nèi)嵌式觸控面板的整體效能。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的一較佳具體實施例為一種內(nèi)嵌式觸控面板。于此實施例中，內(nèi)嵌式觸控面板包含多個像素。每個像素的疊層結(jié)構(gòu)包含基板、薄膜晶體管元件層、液晶層、彩色濾光層及玻璃層。薄膜晶體管元件層設(shè)置于基板上。薄膜晶體管元件層內(nèi)設(shè)置有第一導(dǎo)電層(M3)及共同電壓電極(Common Electrode)。第一導(dǎo)電層是以網(wǎng)格狀(Mesh type)排列。液晶層設(shè)置于薄膜晶體管元件層上方。彩色濾光層設(shè)置于液晶層上方。玻璃層設(shè)置于彩色濾光層上方。

于一實施例中，內(nèi)嵌式觸控面板為一內(nèi)嵌式自電容(self-capacitive)觸控面板，內(nèi)嵌式自電容觸控面板的多個觸控感測電極是由網(wǎng)格狀排列的第一導(dǎo)電層所形成。

于一實施例中，第一導(dǎo)電層與共同電壓電極之間是通過一絕緣層彼此分隔。

于一實施例中，該多個觸控感測電極之間不相連且間隔一特定距離。

于一實施例中，特定距離是以像素(Pixel)或子像素(Sub-pixel)為單位。

于一實施例中，不作為觸控感測電極的部分的第一導(dǎo)電層是通過通孔(Via)與共同電壓電極電性連接。

于一實施例中，第一導(dǎo)電層是形成于共同電壓電極之后。

于一實施例中，第一導(dǎo)電層是形成于共同電壓電極之前。

于一實施例中，彩色濾光層包含彩色濾光片(Color Filter)及黑色矩陣光阻(Black Matrix Resist)，黑色矩陣光阻具有良好的光遮蔽性，第一導(dǎo)電層是位于黑色矩陣光阻的下方。

于一實施例中，第一導(dǎo)電層是與薄膜晶體管元件層內(nèi)的源極線(Source line)重疊。

于一實施例中，內(nèi)嵌式觸控面板的觸控模式與顯示模式是分時驅(qū)動，并 且內(nèi)嵌式觸控面板是利用顯示周期的空白區(qū)間(Blanking interval)運作于觸控模式。

于一實施例中，當(dāng)內(nèi)嵌式觸控面板運作于顯示模式時，共同電壓電極維持于直流(DC)電壓、交流(AC)電壓且該多個觸控感測電極維持于直流電壓、交流電壓、與共同電壓電極相關(guān)的電壓或呈現(xiàn)浮接(Floating)狀態(tài)。

于一實施例中，該共同電壓電極具有單一個共同電壓電極區(qū)域同時與該多個觸控感測電極均重疊，當(dāng)內(nèi)嵌式觸控面板運作于觸控模式時，該多個觸控感測電極施加一觸控感測信號且共同電壓電極施加與觸控感測信號同頻、同幅或同相的觸控相關(guān)信號。

于一實施例中，共同電壓電極具有單一個共同電壓電極區(qū)域同時與該多個觸控感測電極均重疊，當(dāng)內(nèi)嵌式觸控面板運作于觸控模式時，該多個觸控感測電極施加一觸控感測信號且共同電壓電極與信號源斷路或呈現(xiàn)浮接(Floating)狀態(tài)。

于一實施例中，共同電壓電極具有多個共同電壓電極區(qū)域分別與該多個觸控感測電極重疊，當(dāng)內(nèi)嵌式觸控面板運作于觸控模式時，該多個觸控感測電極是依序施加多個觸控感測信號且該多個共同電壓電極系相對應(yīng)地依序施加與該多個觸控感測信號同頻、同幅或同相之多個觸控相關(guān)信號，或該多個共同電壓電極系相對應(yīng)地依序與信號源斷路或呈現(xiàn)浮接(Floating)狀態(tài)。

于一實施例中，共同電壓電極具有單一個共同電壓電極區(qū)域同時與該多個觸控感測電極均重疊，當(dāng)內(nèi)嵌式觸控面板運作于觸控模式時，該多個觸控感測電極施加一觸控感測信號且薄膜晶體管元件層內(nèi)的源極線(Source line)或閘極線(Gate line)施加與觸控感測信號同頻、同幅或同相的觸控相關(guān)信號。

于一實施例中，共同電壓電極具有多個共同電壓電極區(qū)域分別與該多個觸控感測電極重疊，當(dāng)內(nèi)嵌式觸控面板運作于觸控模式時，該多個觸控感測電極依序施加多個觸控感測信號，且薄膜晶體管元件層內(nèi)的源極線(Source line)或閘極線(Gate line)是相對應(yīng)地依序施加與該多個觸控感測信號同頻、同幅或同相的多個觸控相關(guān)信號。

于一實施例中，薄膜晶體管元件層內(nèi)還設(shè)置有一第二導(dǎo)電層(M2)，且第二導(dǎo)電層是與第一導(dǎo)電層電性連接。

于一實施例中，第二導(dǎo)電層是與薄膜晶體管元件層中的源極線及汲極線同時形成。

于一實施例中，第二導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層是彼此重疊且并聯(lián)。

于一實施例中，第二導(dǎo)電層是通過一通孔形成跨橋結(jié)構(gòu)來跨過該第一導(dǎo)電層。

于一實施例中，當(dāng)疊層結(jié)構(gòu)具有半源極驅(qū)動(Half Source Driving,HSD)架構(gòu)時，疊層結(jié)構(gòu)會額外多空出一源極線的空間，并且與第一導(dǎo)電層電性連接的第二導(dǎo)電層是利用額外多空出的源極線的空間作為觸控電極的走線。

于一實施例中，不作為觸控走線或信號線的第二導(dǎo)電層與不作為觸控感測電極使用的第一導(dǎo)電層之間通過通孔(Via)電性連接，再經(jīng)由通孔與共同電壓電極電性連接，以進一步增加共同電壓電極的導(dǎo)電性。

于一實施例中，內(nèi)嵌式觸控面板的觸控模式與顯示模式的驅(qū)動時間至少有部分重疊。

于一實施例中，當(dāng)內(nèi)嵌式觸控面板運作于觸控模式時，該多個觸控感測電極是施加一觸控感測信號，共同電壓電極或源極線可于一部份時間呈現(xiàn)浮接(Floating)狀態(tài)并于另一部份時間施加與觸控感測信號同頻、同幅或同相的一觸控相關(guān)信號。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控面板及其布局具有下列優(yōu)點：

(1)其疊層結(jié)構(gòu)簡單，容易生產(chǎn)并降低成本。

(2)其觸控電極、共同電壓電極及其走線的設(shè)計簡單。

(3)通過新的布局方式有效降低對液晶觸控面板光學(xué)上的影響。

(4)有效降低共同電壓電極本身的電阻電容負載(RC Loading)。

(5)觸控作動時同時控制共同電壓電極以大幅降低觸控面板的整體電阻電容負載。

關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點與精神可以通過以下的發(fā)明詳述及附圖得到進一步的了解。

附圖說明

圖1及圖2為內(nèi)嵌式電容式觸控面板及On-Cell電容式觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3A至圖3D為根據(jù)本發(fā)明的不同具體實施例的內(nèi)嵌式自電容觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4A為內(nèi)嵌式自電容觸控面板的觸控感測電極及其走線的示意圖。

圖4B為不作為觸控感測電極的部分的第一導(dǎo)電層通過通孔與共同電壓電極電性連接的示意圖。

圖5A為共同電壓電極具有單一個共同電壓電極區(qū)域同時與第一觸控感測電極～第三觸控感測電極均重疊的示意圖。

圖5B至圖5D為不同實施例中的內(nèi)嵌式自電容觸控面板的各信號于顯示模式與觸控模式下的時序圖。

圖6A為共同電壓電極具有第一共同電壓電極區(qū)域～第三共同電壓電極區(qū)域分別與第一觸控感測電極～第三觸控感測電極重疊的示意圖。

圖6B為圖6A中的內(nèi)嵌式自電容觸控面板的各信號于顯示模式與觸控模式下的時序圖。

圖7A為于內(nèi)嵌式自電容觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)中的第二導(dǎo)電層通過通孔與第一導(dǎo)電層電性連接的示意圖。

圖7B為于內(nèi)嵌式自電容觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)中的第二導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層之間通過通孔電性連接，再經(jīng)由通孔與共同電壓電極電性連接的示意圖。

圖7C為內(nèi)嵌式自電容觸控面板的像素設(shè)計的一實施例。

圖8為內(nèi)嵌式自電容觸控面板中的第二導(dǎo)電層所形成的觸控走線與信號線彼此間隔排列且不同的感測電極之間通過觸控走線經(jīng)由通孔形成跨橋 連接的示意圖。

圖9A至圖9C為由網(wǎng)格狀排列的第一導(dǎo)電層所形成具有不同形狀的觸控感測電極的示意圖。

主要元件符號說明：

1、2、3A～3D、7A：疊層結(jié)構(gòu)

10、20、30、70：基板

11、21、31、71：薄膜晶體管元件層

12、23、32、72：液晶層

13、24、33、73：彩色濾光層

14、25、34、74：玻璃層

15、22：觸控感應(yīng)層

16、26：偏光片

17、27：粘合劑

18、28：上覆透鏡

CF：彩色濾光片

BM：黑色矩陣光阻

M2、M3：導(dǎo)電層

CITO：共同電壓電極

PITO：像素氧化銦錫

VIA：通孔

LC：液晶單元

ISO：絕緣層

S、S1～S3：源極線

D：汲極線

G、G1～G3：閘極線

TP1、TP2、TP：內(nèi)嵌式自電容觸控面板

TE、TE1～TE3：觸控感測電極

VCOM、VCOM1～VCOM3：共同電壓電極區(qū)域

TS1～TS3：觸控感測信號

具體實施方式

根據(jù)本發(fā)明的一較佳具體實施例為一種內(nèi)嵌式的電容式觸控面板。實際上，由于內(nèi)嵌式的電容式觸控面板可達成最薄化的觸控面板設(shè)計，可廣泛應(yīng)用于智能型手機、平板電腦及筆記本電腦等各種可攜式消費性電子產(chǎn)品上。

于此實施例中，內(nèi)嵌式的電容式觸控面板所適用的顯示器可以是采用橫向電場效應(yīng)顯示技術(shù)(In-Plane-Switching Liquid Crystal，IPS)或由其延伸的邊界電場切換廣視角技術(shù)(Fringe Field Switching，F(xiàn)FS)或高階超廣視角技術(shù)(Advanced Hyper-Viewing Angle，AHVA)的顯示器，但不以此為限。

一般而言，目前市場上的主流電容式觸控感測技術(shù)應(yīng)為投射式電容觸控感測技術(shù)，可分為互電容(Mutual capacitance)及自電容(Self capacitance)兩種?；ル娙萦|控感測技術(shù)就是當(dāng)觸碰發(fā)生時，會在鄰近兩層電極間產(chǎn)生電容耦合的現(xiàn)象，并由電容量變化來確定觸碰動作的發(fā)生；自電容觸控感測技術(shù)就是觸控物與電極間產(chǎn)生電容耦合，并量測電極的電容量變化，以確定觸碰動作的發(fā)生。

需說明的是，此實施例中的內(nèi)嵌式的電容式觸控面板可采用自電容觸控感測技術(shù)，其多個觸控感測電極是由網(wǎng)格狀排列的第一導(dǎo)電層所形成，并通過布局方式降低內(nèi)嵌式觸控元件對LCD在電性及光學(xué)上的影響。

接下來，將就此實施例的內(nèi)嵌式的自電容觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)進行詳細的說明。

如圖3A所示，于一實施例中，內(nèi)嵌式的自電容觸控面板的每個像素的疊層結(jié)構(gòu)3A由下至上可依序包含：基板30、薄膜晶體管元件層31、液晶層32、彩色濾光層33及玻璃層34。

薄膜晶體管元件層31設(shè)置于基板30上。薄膜晶體管元件層31內(nèi)設(shè)置 有第一導(dǎo)電層M3及共同電壓電極CITO。第一導(dǎo)電層31是以網(wǎng)格狀排列。液晶層32包含多個液晶單元LC且是設(shè)置于薄膜晶體管元件層31上方。彩色濾光層33設(shè)置于液晶層32上方。玻璃層34設(shè)置于彩色濾光層33上方。

實際上，第一導(dǎo)電層M3可由金屬或其他任意的導(dǎo)電材料構(gòu)成，共同電壓電極CITO可由氧化銦錫層構(gòu)成，并無特定的限制。

彩色濾光層33包含彩色濾光片(Color Filter)CF及黑色矩陣光阻(Black Matrix Resist)BM兩部分，其中黑色矩陣光阻BM具有良好的光遮蔽性，可應(yīng)用于彩色濾光層33中，作為區(qū)隔紅(R)、綠(G)、藍(B)三種顏色的彩色濾光片的材料。于此實施例中，網(wǎng)格狀排列的第一導(dǎo)電層M3位于黑色矩陣光阻BM的下方并受到黑色矩陣光阻BM的遮蔽。

需說明的是，于圖3A所繪示的疊層結(jié)構(gòu)3A中，第一導(dǎo)電層M3是形成于共同電壓電極CITO之后，并且第一導(dǎo)電層M3與共同電壓電極CITO之間通過絕緣層ISO彼此分隔，使得第一導(dǎo)電層M3不會與位于其下方的共同電壓電極CITO電性相連。

于另一實施例中，于圖3B所繪示的疊層結(jié)構(gòu)3B中，第一導(dǎo)電層M3亦形成于共同電壓電極CITO之后，并且第一導(dǎo)電層M3與共同電壓電極CITO之間通過絕緣層ISO彼此分隔，但第一導(dǎo)電層M3可通過一通孔VIA與位于其下方的共同電壓電極CITO電性相連。

此外，于圖3C所繪示的疊層結(jié)構(gòu)3C中，第一導(dǎo)電層M3系形成于共同電壓電極CITO之前，并且第一導(dǎo)電層M3與共同電壓電極CITO之間通過絕緣層ISO彼此分隔，使得共同電壓電極CITO不會與位于其下方的第一導(dǎo)電層M3電性相連。

于另一實施例中，于圖3D所繪示的疊層結(jié)構(gòu)3D中，第一導(dǎo)電層M3亦形成于共同電壓電極CITO之前，并且第一導(dǎo)電層M3與共同電壓電極CITO之間通過絕緣層ISO彼此分隔，但共同電壓電極CITO可通過一通孔VIA與位于其下方的第一導(dǎo)電層M3電性相連。

接著，如圖4A所示，內(nèi)嵌式的自電容觸控面板TP1上的多個觸控感測 電極TE是由網(wǎng)格狀排列的第一導(dǎo)電層M3所形成，該多個觸控感測電極TE之間不相連且間隔一特定距離。該多個觸控感測電極TE與共同電壓電極CITO并不相連。實際上，上述的特定距離可以像素(Pixel)或子像素(Sub-pixel)為單位，但不以此為限。

此外，如圖4B所示，于內(nèi)嵌式的自電容觸控面板TP2中，不作為觸控感測電極TE的部分的第一導(dǎo)電層M3可通過通孔VIA與共同電壓電極CITO電性連接，以作為共同電壓電極CITO的走線。需說明的是，雖然圖4B中的作為觸控感測電極TE亦由第一導(dǎo)電層M3形成，但作為觸控感測電極TE及其走線的第一導(dǎo)電層M3不與共同電壓電極CITO電性連接，而不作為觸控感測電極TE的部分的第一導(dǎo)電層M3則通過通孔VIA與共同電壓電極CITO電性連接，以作為共同電壓電極CITO的走線。

接著，請參照圖5A，于內(nèi)嵌式的自電容觸控面板TP中，網(wǎng)格狀排列的第一導(dǎo)電層M3分別形成第一觸控感測電極TE1～第三觸控感測電極TE3且共同電壓電極CITP具有單一個共同電壓電極區(qū)域VCOM同時與第一觸控感測電極TE1～第三觸控感測電極TE3均重疊，但第一觸控感測電極TE1～第三觸控感測電極TE3不與共同電壓電極CITO電性連接。不作為觸控感測電極的部分的第一導(dǎo)電層M3則可通過通孔VIA與共同電壓電極CITO電性連接，以作為共同電壓電極CITO的走線并分別位于第一觸控感測電極TE1～第三觸控感測電極TE3之間。

需說明的是，本發(fā)明的內(nèi)嵌式的自電容觸控面板TP的觸控模式與顯示模式可采用分時驅(qū)動的模式且是利用顯示周期的空白區(qū)間(Blanking interval)運作于觸控模式下，但不以此為限。于實際應(yīng)用中，本發(fā)明的內(nèi)嵌式的自電容觸控面板TP的觸控模式與顯示模式的驅(qū)動時間亦可有至少部分重疊的情況。

于一實施例中，如圖5B所示，當(dāng)內(nèi)嵌式的自電容觸控面板TP運作于顯示模式時，單一個共同電壓電極區(qū)域VCOM可維持于直流(DC)電壓或交流(AC)電壓，而第一觸控感測電極TE1～第三觸控感測電極TE3則可維持于 直流電壓、交流電壓、與單一個共同電壓電極區(qū)域VCOM相關(guān)的電壓或呈現(xiàn)浮接(Floating)狀態(tài)。當(dāng)內(nèi)嵌式的自電容觸控面板TP運作于觸控模式時，第一觸控感測電極TE1～第三觸控感測電極TE3分別施加觸控感測信號TS1～TS3且單一個共同電壓電極區(qū)域VCOM施加與觸控感測信號TS1～TS3同頻、同幅或同相的觸控相關(guān)信號。

于另一實施例中，如圖5C所示，當(dāng)內(nèi)嵌式的自電容觸控面板TP運作于觸控模式時，第一觸控感測電極TE1～第三觸控感測電極TE3分別施加觸控感測信號TS1～TS3，但單一個共同電壓電極區(qū)域VCOM與信號源斷路或呈現(xiàn)浮接(Floating)狀態(tài)。

于另一實施例中，如圖5D所示，當(dāng)內(nèi)嵌式的自電容觸控面板TP運作于觸控模式時，第一觸控感測電極TE1～第三觸控感測電極TE3分別施加觸控感測信號TS1～TS3，但薄膜晶體管元件層內(nèi)的源極線S1～S3或閘極線G1～G3施加與觸控感測信號TS1～TS3同頻、同幅或同相的觸控相關(guān)信號。

除了上述實施例之外，共同電壓電極CITO亦可能具有多個共同電壓電極區(qū)域分別與不同的觸控感測電極重疊。

請參照圖6A，共同電壓電極CITO具有第一共同電壓電極區(qū)域VCOM1～第三共同電壓電極區(qū)域VCOM3，并且第一共同電壓電極區(qū)域VCOM1～第三共同電壓電極區(qū)域VCOM3分別與第一觸控感測電極TE1～第三觸控感測電極TE3重疊。

當(dāng)內(nèi)嵌式自電容觸控面板TP運作于觸控模式時，第一觸控感測電極TE1～第三觸控感測電極TE3依序施加第一觸控感測信號TX1～第三觸控感測信號TX3且第一共同電壓電極區(qū)域VCOM1～第三共同電壓電極區(qū)域VCOM3可相對應(yīng)地依序施加與第一觸控感測信號TX1～第三觸控感測信號TX3同頻、同幅或同相的多個觸控相關(guān)信號。于另一實施例中，第一共同電壓電極區(qū)域VCOM1～第三共同電壓電極區(qū)域VCOM3亦可相對應(yīng)地依序與信號源斷路或呈現(xiàn)浮接(Floating)狀態(tài)。

需說明的是，于實際應(yīng)用中，當(dāng)內(nèi)嵌式自電容觸控面板TP運作于觸控 模式時，單一個共同電壓電極區(qū)域VCOM、第一共同電壓電極區(qū)域VCOM1～第三共同電壓電極區(qū)域VCOM3或源極線均可于一部份時間呈現(xiàn)浮接(Floating)狀態(tài)并于另一部份時間施加與觸控感測信號同頻、同幅或同相的一觸控相關(guān)信號，并無特定的限制。

如圖7A所示，于另一實施例中，于內(nèi)嵌式的自電容觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)7A中，薄膜晶體管元件層71內(nèi)還設(shè)置有第二導(dǎo)電層M2，并且第二導(dǎo)電層M2可通過通孔VIA與第一導(dǎo)電層M3電性連接。實際上，第二導(dǎo)電層M2可以與薄膜晶體管元件層71中的源極線S及汲極線D同時形成，并且第一導(dǎo)電層M3可與薄膜晶體管元件層71內(nèi)的源極線S重疊，但不以此為限。圖7C則為內(nèi)嵌式自電容觸控面板的像素設(shè)計的一實施例，但不以此為限。

于實際應(yīng)用中，第二導(dǎo)電層M2與第一導(dǎo)電層M3可彼此重疊且并聯(lián)，并且第二導(dǎo)電層M2可通過通孔VIA形成跨橋結(jié)構(gòu)來跨過第一導(dǎo)電層M3，但不以此為限。

于實際應(yīng)用中，若內(nèi)嵌式的自電容觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)具有半源極驅(qū)動(Half Source Driving,HSD)架構(gòu)時，疊層結(jié)構(gòu)會額外多空出一源極線的空間，并且與第一導(dǎo)電層M3電性連接的第二導(dǎo)電層M2可利用額外多空出的源極線S的空間作為觸控電極TE的走線，但不以此為限。

于此實施例中，如圖8所示，第二導(dǎo)電層M2所形成的觸控走線M2(Touch)與信號線M2(Data)彼此間隔排列，所以第二導(dǎo)電層M2的數(shù)目減少為原來的一半。由于第二導(dǎo)電層M2與第一導(dǎo)電層M3可完全重疊，并且不同的感測電極TE之間可通過觸控走線M2(Touch)經(jīng)由通孔VIA形成跨橋連接，因此，由網(wǎng)格狀排列的第一導(dǎo)電層M3所形成的觸控感測電極TE所涵蓋的面積會變大，因而縮減了觸控感測的盲區(qū)(Dead zone)的面積，使得內(nèi)嵌式的自電容觸控面板TP的有效觸控感測區(qū)域的面積亦隨之變大。

需說明的是，此實施例進行觸控感測時的共同電壓電極CITO與源極線S及閘極線G的信號控制可與前述任一實施例相同，并無特定的限制。此外， 不作為觸控感測電極使用的第一導(dǎo)電層M3亦可如前述實施例一樣通過通孔VIA與共同電壓電極CITO電性連接，以增加共同電壓電極CITO的導(dǎo)電性。另外，如圖7B所示，不作為觸控走線或信號線的第二導(dǎo)電層M2亦可與不作為觸控感測電極使用的第一導(dǎo)電層M3經(jīng)由VIA電性連接，再經(jīng)由通孔VIA與共同電壓電極CITO電性連接，進一步增加共同電壓電極CITO的導(dǎo)電性。

請參照圖9A至圖9C，由網(wǎng)格狀排列的第一導(dǎo)電層M3所形成的觸控感測電極TE的形狀并不以傳統(tǒng)的矩形或四方形為限，于實際應(yīng)用中，觸控感測電極TE的形狀亦可以是三角形(如圖9A所示)、六角形(如圖9B所示)、圓形(如圖9C所示)或其他任意的幾何形狀，并無特定的限制。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)嵌式觸控面板及其布局具有下列優(yōu)點：

(1)其疊層結(jié)構(gòu)簡單，容易生產(chǎn)并降低成本。

(2)其觸控電極、共同電壓電極及其走線的設(shè)計簡單。

(3)通過新的布局方式有效降低對液晶觸控面板光學(xué)上的影響。

(4)有效降低共同電壓電極本身的電阻電容負載(RC Loading)。

(5)觸控作動時同時控制共同電壓電極以大幅降低觸控面板的整體電阻電容負載。

通過以上較佳具體實施例的詳述，是希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神，而并非以上述所公開的較佳具體實施例來對本發(fā)明的范疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明所欲申請的專利范圍的范疇內(nèi)。