一種無源雙端口uhf rfid標(biāo)簽的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種無源雙端口UHF RFID標(biāo)簽，包括：兩套天線，每套天線都有配套的匹配網(wǎng)絡(luò)，還包括：射頻模擬前端模塊以及數(shù)字基帶與存儲(chǔ)模塊；其中，射頻模擬前端模塊包括：比較電路和開關(guān)電路；其中，兩套天線分別接收閱讀器發(fā)送的空間電磁波，并分別通過匹配網(wǎng)絡(luò)送入比較電路；比較電路用于比較兩套天線接收到的射頻能量的高低，將比較結(jié)果送入數(shù)字基帶與存儲(chǔ)模塊，數(shù)字基帶與存儲(chǔ)模塊對比較結(jié)果進(jìn)行判決，幅值大的天線僅作為供電天線，另一套天線即作為供電天線又參與反向散射通信。本實(shí)用新型提出的雙端口標(biāo)簽設(shè)計(jì)方案可有效提高標(biāo)簽芯片接收的射頻能量，擴(kuò)展閱讀器與標(biāo)簽芯片之間的工作距離。
【專利說明】_種無源雙端口UHFRFID標(biāo)簽

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及射頻識(shí)別領(lǐng)域，尤其涉及一種在無源工作狀態(tài)下，通過雙端口標(biāo) 簽天線來提高射頻識(shí)別系統(tǒng)工作距離的具體實(shí)現(xiàn)方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 超高頻射頻識(shí)別（UHFRFID)是一種非接觸式的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，它通過射頻信號(hào)自 動(dòng)識(shí)別目標(biāo)對象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù)。與傳統(tǒng)的條碼識(shí)別技術(shù)相比，UHFRFID的讀取距離遠(yuǎn)， 非視距，讀寫速度快，無需人工干預(yù)，可同時(shí)識(shí)別多個(gè)高速移動(dòng)物體，更重要的是，UHFRFID 芯片可存儲(chǔ)大量信息?；谏鲜鰞?yōu)點(diǎn)，UHFRFID技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)制造、物流倉儲(chǔ)、 資產(chǎn)管理、交通運(yùn)輸、醫(yī)療衛(wèi)生和公共安全等領(lǐng)域。近年來，隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)和應(yīng)用的不斷 發(fā)展，作為其關(guān)鍵技術(shù)之一的RFID再次引起人們的極大關(guān)注。因此，深入挖掘RFID技術(shù)的 潛能，并與物聯(lián)網(wǎng)、無線傳感網(wǎng)絡(luò)等新興技術(shù)相結(jié)合，必將對推動(dòng)社會(huì)進(jìn)步和國家經(jīng)濟(jì)建設(shè) 作出重大貢獻(xiàn)。
[0003] UHFRFID系統(tǒng)最基本的構(gòu)成包括閱讀器（Reader)和電子標(biāo)簽（Tag)兩部分。其 中，電子標(biāo)簽可分為無源標(biāo)簽、有源標(biāo)簽和半有源標(biāo)簽三種。由于無源標(biāo)簽從閱讀器發(fā)出的 電磁波中獲取能量，無需內(nèi)置電源，所以具有體積小、重量輕、成本低，使用壽命不受限等優(yōu) 點(diǎn)。然而無源標(biāo)簽所需的全部能量均源于閱讀器發(fā)射的空間電磁波，因此，工作距離受限， 穿透能力差。目前，絕大多數(shù)無源標(biāo)簽都采用單端口設(shè)計(jì)，即每個(gè)無源標(biāo)簽裝配一套天線。 無源標(biāo)簽通過天線接收射頻能量的一部分用于芯片供電，另一部分參與反向散射通信。當(dāng) 無源標(biāo)簽與閱讀器之間的通信距離較遠(yuǎn)時(shí)，天線接收能量不足以提供無源標(biāo)簽電路所需的 最小工作電壓，因而限制了RFID系統(tǒng)的識(shí)別距離。
[0004] 為實(shí)現(xiàn)無源標(biāo)簽與閱讀器之間的遠(yuǎn)距離通信，目前多采用降低電路功耗的 方法。例如，喬舒亞·κ·霍伊特等人申請了"睡眠模式"無源標(biāo)簽的專利（申請?zhí)?200980106434. 7)，即在讀取RFID標(biāo)簽信息后，存儲(chǔ)器進(jìn)入"睡眠"模式，從而降低無源RFID 標(biāo)簽的功耗，然而"睡眠"電路重啟時(shí)，不可避免地引入時(shí)延，造成標(biāo)簽信息的傳輸延誤。 茹紀(jì)軍也申請了無源低功耗超高頻電子標(biāo)簽芯片與低功耗控制方法的相關(guān)專利（申請?zhí)?201310113390)，他在傳統(tǒng)標(biāo)簽電路的基礎(chǔ)上引入了電源關(guān)斷控制模塊和開關(guān)矩陣電路，通 過實(shí)時(shí)檢測各模塊的工作狀態(tài)來啟斷相應(yīng)模塊的供電電源，從而有效提升標(biāo)簽芯片的整體 性能，然而這種芯片的整體結(jié)構(gòu)復(fù)雜，占用面積大，與無源RFID的低成本相矛盾。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0005] 本實(shí)用新型提供了一種無源雙端口UHFRFID標(biāo)簽，本實(shí)用新型提高了無源標(biāo)簽接 收的射頻能量，改善了RFID系統(tǒng)的整體性能，詳見下文描述：
[0006] -種無源雙端口UHFRFID標(biāo)簽，包括：兩套天線，每套天線都有配套的匹配網(wǎng)絡(luò)， 還包括：射頻模擬前端模塊以及數(shù)字基帶與存儲(chǔ)模塊；其中，所述射頻模擬前端模塊包括： 比較電路和開關(guān)電路；
[0007] 其中，兩套天線分別接收閱讀器發(fā)送的空間電磁波，并分別通過匹配網(wǎng)絡(luò)送入所 述比較電路；所述比較電路用于比較兩套天線接收到的射頻能量的高低，將比較結(jié)果送入 數(shù)字基帶與存儲(chǔ)模塊，所述數(shù)字基帶與存儲(chǔ)模塊通過開關(guān)電路切換兩套天線的工作模式， 幅值大的天線僅作為供電天線，另一套天線即作為供電天線又參與反向散射通信。
[0008] 其中，所述比較電路包括：第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管及第八PMOS管，
[0009] 所述第五PMOS管、所述第六PMOS管、所述第七PMOS管及所述第八PMOS管的源極 均接電源；所述第七PMOS管的漏極連接第三NMOS管和所述第五PMOS管的漏極，并與所述 第六PMOS管和第四NMOS管的柵極相連，作為第一輸出端；
[0010] 所述第八PMOS管的漏極連接第四NMOS管和第六NMOS管的漏極，并與所述第五 PMOS管和第三NMOS管的柵極相連，作為第二輸出端；所述第七PMOS管和第八PMOS管的柵 極均接時(shí)鐘信號(hào)；
[0011] 所述第三NMOS管的源極與第一NMOS管的漏極相連，所述第四NMOS管的源極與第 二NMOS管的漏極相連；所述第一NMOS管的柵極接第一輸入端，所述第二NMOS管的柵極接 第二輸入端；
[0012] 所述第一NMOS管的源極與所述第二NMOS管的源極相連，并連接第九NMOS管的漏 極；所述第九NMOS管的柵極接時(shí)鐘信號(hào)，源極接地。
[0013] 其中，所述開關(guān)電路包括：第十NMOS管，
[0014] 所述第十NMOS管的漏極與第十二NMOS管的漏極相連，并接開關(guān)的第一輸入信 號(hào)；所述第十NMOS管的源極與第^ NMOS管的源極相連，作為開關(guān)的輸出端；所述第^ NMOS管的漏極與第十三NMOS管的漏極相連，并接開關(guān)的第二輸入信號(hào)；所述第十二NMOS管的源極和所述第十三NMOS管的源極接地；所述第十NMOS管的柵極與所述第十三NMOS管 的柵極接控制信號(hào)；所述第十一NMOS管的柵極與所述第十二NMOS管的柵極接反相控制信 號(hào)。
[0015] 本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案的有益效果是：
[0016] 1、射頻標(biāo)簽采用兩套天線：一套天線專門接收射頻能量，提供芯片所需工作電壓； 另一套天線既為芯片供電，又參與反向散射通信，與單端口標(biāo)簽芯片相比，本實(shí)用新型提出 的雙端口標(biāo)簽設(shè)計(jì)方案可有效提高標(biāo)簽芯片接收的射頻能量，擴(kuò)展閱讀器與標(biāo)簽芯片之間 的工作距離。
[0017] 2、通過開關(guān)控制電路，實(shí)現(xiàn)雙天線工作模式的自動(dòng)切換，即哪套天線參與反向散 射通信，哪套天線作為標(biāo)簽芯片電路供電的專用天線，完全由系統(tǒng)自動(dòng)判決，實(shí)現(xiàn)了天線工 作模式的智能化。
[0018] 3、本實(shí)用新型所采用比較電路的輸入與輸出端之間的屏蔽性能好，時(shí)間常數(shù)小， 工作速度快。
[0019] 4、利用NMOS開關(guān)特性實(shí)現(xiàn)的開關(guān)控制電路具有結(jié)構(gòu)簡單、易實(shí)現(xiàn)、功耗低、切換 速度快等優(yōu)點(diǎn)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020] 圖1是本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的無源雙端口UHFRFID芯片的結(jié)構(gòu)框圖；
[0021] 圖2是本實(shí)用新型所采用比較電路的原理圖；
[0022] 圖3是開關(guān)控制電路簡單實(shí)現(xiàn)電路圖。
[0023] 附圖中，各部件的列表如下：
[0024] 1 :第一天線； 2:第二天線；
[0025] 3 :第一匹配網(wǎng)絡(luò)； 4 :第二匹配網(wǎng)絡(luò)；
[0026] 5 :射頻模擬前端模塊； 6 :數(shù)字基帶與存儲(chǔ)模塊；
[0027] 51:整流電路； 52:比較電路；
[0028] 53:振蕩器； 54:上電復(fù)位電路；
[0029] 55:穩(wěn)壓電路； 56:解調(diào)電路；
[0030] 57 :調(diào)制電路； 58 :開關(guān)電路；
[0031]Ml:第一NMOS管； M2 :第二NMOS管；
[0032]M3:第三NMOS管； M4:第四NMOS管；
[0033]M5:第五PMOS管； M6 :第六PMOS管；
[0034]M7:第七PMOS管； M8 :第八PMOS管；
[0035] M9 :第九NMOS管； MlO :第十NMOS管；
[0036]Mll:第^-一NMOS管； M12 :第十二NMOS管；
[0037]Ml3:第十三NMOS管； Vdd :電源；
[0038] Clk:時(shí)鐘信號(hào)； GND^;
[0039]S:控制信號(hào)； 友:反相控制信號(hào)；
[0040] Inl :比較器的第一輸入端； In2 :比較器的第二輸入端；
[0041] Outl :比較器第一輸出端； 0ut2 :比較器的第二輸出端；
[0042]Rfl:開關(guān)的第一輸入信號(hào)； Rf2:開關(guān)的第二輸入信號(hào)；
[0043]Rfo:開關(guān)的輸出端； Vpor:復(fù)位信號(hào)。

【具體實(shí)施方式】
[0044] 為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面對本實(shí)用新型實(shí)施方式 作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0045] 如圖1所示，一種無源雙端口UHFRFID標(biāo)簽包括：兩套天線（第一天線1和第二 天線2,每套天線都有配套的匹配網(wǎng)絡(luò)，即第一匹配網(wǎng)絡(luò)3和第二匹配網(wǎng)絡(luò)4)、射頻模擬前 端模塊5以及數(shù)字基帶與存儲(chǔ)模塊6三部分。其中，第一天線1和第二天線2分別接收閱 讀器發(fā)送的空間電磁波，并分別通過第一匹配網(wǎng)絡(luò)3和第二匹配網(wǎng)絡(luò)4送入射頻模擬前端 模塊5。射頻模擬前端模塊5包括：整流電路51、比較電路52、振蕩器53、上電復(fù)位電路54、 穩(wěn)壓電路55、解調(diào)電路56、調(diào)制電路57和開關(guān)電路58。
[0046] 整流電路51對第一天線1和第二天線2接收的射頻能量進(jìn)行疊加，并將該射頻信 號(hào)轉(zhuǎn)換成直流電壓，經(jīng)穩(wěn)壓電路55處理后，為射頻模擬前端模塊5 (具體為：振蕩器53、上 電復(fù)位電路54、解調(diào)電路56和調(diào)制電路57)和數(shù)字基帶與存儲(chǔ)模塊6提供穩(wěn)定的工作電 壓。振蕩器53為比較電路52和數(shù)字基帶與存儲(chǔ)模塊6提供所需的2MHz系統(tǒng)時(shí)鐘Clk。
[0047] 其中，上電復(fù)位電路54的主要作用是當(dāng)標(biāo)簽芯片進(jìn)入有效工作區(qū)，且穩(wěn)壓電路55 提供的電源電壓超過芯片工作電壓的下限時(shí)，產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)Vpor;而當(dāng)電源電壓低至工作 電壓下限時(shí)，上電復(fù)位模塊54可防止數(shù)字基帶與存儲(chǔ)模塊6出現(xiàn)功能邏輯錯(cuò)誤。比較電路 52采用差分結(jié)構(gòu)，它可對兩套天線接收的射頻能量幅值進(jìn)行比較，數(shù)字基帶與存儲(chǔ)模塊6 對比較結(jié)果進(jìn)行判決，并發(fā)送相應(yīng)的控制信號(hào)給開關(guān)電路58,自動(dòng)切換兩套天線的工作模 式，即控制信號(hào)通過切換單刀雙擲開關(guān)來選擇天線1或者天線2,使其參與反向散射通信。 因此，兩套天線與標(biāo)簽芯片內(nèi)部電路所構(gòu)成的射頻標(biāo)簽具有高度的智能化，即標(biāo)簽芯片可 根據(jù)兩套天線接收射頻能量的大小，自動(dòng)地選擇場強(qiáng)較大的天線作為芯片專用供電天線， 其僅參與能量供給，而另一套天線即用作射頻能量接收，又參與反向散射通信，實(shí)現(xiàn)了根據(jù) 兩套天線的射頻能量的大小，及時(shí)對兩天線的工作方式進(jìn)行切換、控制，而在不影響芯片通 信過程的同時(shí)，大大地增強(qiáng)標(biāo)簽的接收能量，進(jìn)而提高標(biāo)簽的工作距離。
[0048] 本實(shí)用新型所提供的標(biāo)簽的工作過程如下：標(biāo)簽天線接收閱讀器發(fā)送的空間電磁 波，并通過匹配網(wǎng)絡(luò)送入射頻模擬前端模塊5。整流電路51首先對兩套天線接收的射頻能 量進(jìn)行疊加，并將該射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換成直流電壓，經(jīng)穩(wěn)壓電路55處理后，為無源RFID芯片的 射頻模擬前端模塊5和數(shù)字基帶與存儲(chǔ)模塊6提供穩(wěn)定的工作電壓，使標(biāo)簽進(jìn)入工作狀態(tài)。 然后，比較電路52對兩套天線接收的射頻能量強(qiáng)度進(jìn)行比較，并將比較結(jié)果送入數(shù)字基帶 與存儲(chǔ)模塊6進(jìn)行判決，利用判決結(jié)果控制開關(guān)電路58,選擇出專用供電天線和反向散射 天線。此時(shí)，參與反向散射天線接收的部分射頻信號(hào)送入解調(diào)電路56進(jìn)行解調(diào)，將解調(diào)后 的信息送入數(shù)字基帶與存儲(chǔ)模塊6進(jìn)行處理。需要返回的數(shù)據(jù)信息經(jīng)數(shù)字基帶與存儲(chǔ)模塊 6處理后，通過調(diào)制電路57將該數(shù)據(jù)信息加載到射頻載波上，最后通過天線將返回?cái)?shù)據(jù)信 息發(fā)回閱讀器，從而完成UHFRFID系統(tǒng)的工作過程。
[0049] 圖2所示為本實(shí)用新型中所采用的比較電路52的原理圖。比較電路52包括：第 五PMOS管M5、第六PMOS管M6、第七PMOS管M7及第八PMOS管M8的源極均接電源Vdd;第 七PMOS管M7的漏極連接第三NMOS管M3和第五PMOS管M5的漏極，并與第六PMOS管M6和 第四NMOS管M4的柵極相連，作為第一輸出端Outl;第八PMOS管M8的漏極連接第四NMOS 管M4和第六NMOS管M6的漏極，并與第五PMOS管M5和第三NMOS管M3的柵極相連，作為第 二輸出端0ut2 ;第七PMOS管M7和第八PMOS管M8的柵極均接時(shí)鐘信號(hào)Clk;第三NMOS管 M3的源極與第一NMOS管Ml的漏極相連，第四NMOS管M4的源極與第二NMOS管M2的漏極 相連；第一NMOS管Ml的柵極接第一輸入端Inl，第二NMOS管M2的柵極接第二輸入端In2 ; 第一NMOS管Ml的源極與第二NMOS管M2的源極相連，并連接第九NMOS管M9的漏極；第九 NMOS管M9的柵極接時(shí)鐘信號(hào)Clk，源極接地。
[0050] 其工作過程為：在復(fù)位周期內(nèi)，Clk= 0,此時(shí)作為尾電流源的第九NMOS管M9截 止，而第七PMOS管M7和第八PMOS管M8導(dǎo)通，第一輸出端Outl和第二輸出端0ut2端的輸 出電壓均被上拉至Vdd，初始化電平為高；在比較周期內(nèi)，Clk= 1，此時(shí)第七PMOS管M7和 第八PMOS管M8截止，而作為尾電流源的第九NMOS管M9導(dǎo)通，進(jìn)入工作狀態(tài)。
[0051] 上拉至Vdd的Outl和0ut2端開始通過第一NMOS管Ml和第二NMOS管M2的漏 電流進(jìn)行放電，放電速度取決于對應(yīng)的輸入信號(hào)Inl和In2的大小。若輸入信號(hào)Inl>In2， 則第一NMOS管Ml管的漏電流大于第二NMOS管M2管的漏電流，因此Outl端的放電速度比 0ut2端的放電速度快。Outl端的電平值比0ut2端先到達(dá)Vdd-1VthpI(其中，|Vthp|為PMOS 管的閾值電壓），使對應(yīng)的第五PMOS管M5導(dǎo)通，通過交叉耦合反相器結(jié)構(gòu)（由M3、M5及M4、 M6構(gòu)成）將Outl端電壓上拉至Vdd，0UT2端放電至GND，即Outl端表現(xiàn)為高電平1，0ut2 端表現(xiàn)為低電平0。若輸入信號(hào)Inl〈In2時(shí)，情況則正好相反，即Outl端表現(xiàn)為低電平0， Out2端表現(xiàn)為高電平I.
[0052] 圖3所示為單刀雙擲開關(guān)電路結(jié)構(gòu)。開關(guān)電路58包括：第十NMOS管MlO的漏極 與第十二NMOS管M12的漏極相連，并接開關(guān)的第一輸入信號(hào)Rf1 ;第十NMOS管MlO的源極 與第^^一 NMOS管Mll的源極相連，作為開關(guān)的輸出端Rfo;第^^一 NMOS管Mll的漏極與第 十三NMOS管M13的漏極相連，并接開關(guān)的第二輸入信號(hào)RF2 ;第十二NMOS管M12的源極和 第十三NMOS管M13的源極接地；第十NMOS管MlO的柵極與第十三NMOS管M13的柵極接控 制信號(hào)；第i^一 NMOS管Mll的柵極與第十二NMOS管M12的柵極接反相控制信號(hào)。
[0053] 當(dāng)控制信號(hào)S為高電平時(shí)，第十NMOS管MlO導(dǎo)通，以此選通第一輸入信號(hào)Rfl到 輸出端Rfo的通路，此時(shí)第一天線1參與反向散射通信，第二天線2為專用供電天線。當(dāng)控 制信號(hào)S為低電平時(shí)，第^^一 NMOS管Mll導(dǎo)通，第二輸入信號(hào)Rf2到輸出端Rfo之間的通 道導(dǎo)通，第二天線2參與反向散射通信，第一天線1為專用供電天線，從而實(shí)現(xiàn)雙天線工作 模式的選擇控制。第十二NMOS管M12和第十三NMOS管M13的作用是在各自所屬的通道導(dǎo) 通時(shí)關(guān)閉，進(jìn)而增加通道的隔離度，其狀態(tài)與對應(yīng)導(dǎo)通管第十NMOS管MlO和第^^一 NMOS管 的狀態(tài)相反。
[0054]本實(shí)用新型實(shí)施例對各器件的型號(hào)除做特殊說明的以外，其他器件的型號(hào)不做限 制，只要能完成上述功能的器件均可。
[0055] 本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解附圖只是一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的示意圖，上述本實(shí)用新型實(shí) 施例序號(hào)僅僅為了描述，不代表實(shí)施例的優(yōu)劣。
[0056] 以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用 新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保 護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種無源雙端口 UHF RFID標(biāo)簽，其特征在于，包括：兩套天線，每套天線都有配套的 匹配網(wǎng)絡(luò)，還包括：射頻模擬前端模塊以及數(shù)字基帶與存儲(chǔ)模塊；其中，所述射頻模擬前端 模塊包括：比較電路和開關(guān)電路； 其中，兩套天線分別接收閱讀器發(fā)送的空間電磁波，并分別通過匹配網(wǎng)絡(luò)送入所述比 較電路；所述比較電路用于比較兩套天線接收到的射頻能量的高低，將比較結(jié)果送入數(shù)字 基帶與存儲(chǔ)模塊，所述數(shù)字基帶與存儲(chǔ)模塊通過開關(guān)電路切換兩套天線的工作模式，幅值 大的天線僅作為供電天線，另一套天線即作為供電天線又參與反向散射通信。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無源雙端口 UHF RFID標(biāo)簽，其特征在于，所述比較電路 包括：第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管及第八PMOS管， 所述第五PMOS管、所述第六PMOS管、所述第七PMOS管及所述第八PMOS管的源極均接 電源；所述第七PMOS管的漏極連接第三NMOS管和所述第五PMOS管的漏極，并與所述第六 PMOS管和第四NM0S管的柵極相連，作為第一輸出端； 所述第八PMOS管的漏極連接第四NM0S管和第六NM0S管的漏極，并與所述第五PMOS 管和第三NMOS管的柵極相連，作為第二輸出端；所述第七PMOS管和第八PMOS管的柵極均 接時(shí)鐘信號(hào)； 所述第三NMOS管的源極與第一 NMOS管的漏極相連，所述第四NMOS管的源極與第二 NMOS管的漏極相連；所述第一 NMOS管的柵極接第一輸入端，所述第二NMOS管的柵極接第 二輸入端； 所述第一 NMOS管的源極與所述第二NMOS管的源極相連，并連接第九NMOS管的漏極； 所述第九NMOS管的柵極接時(shí)鐘信號(hào)，源極接地。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無源雙端口 UHF RFID標(biāo)簽，其特征在于，所述開關(guān)電路 包括：第十NMOS管， 所述第十NMOS管的漏極與第十二NMOS管的漏極相連，并接開關(guān)的第一輸入信號(hào)；所述 第十NMOS管的源極與第^^一 NMOS管的源極相連，作為開關(guān)的輸出端；所述第^^一 NMOS管 的漏極與第十三NMOS管的漏極相連，并接開關(guān)的第二輸入信號(hào)；所述第十二匪0S管的源極 和所述第十三NMOS管的源極接地；所述第十NMOS管的柵極與所述第十三NMOS管的柵極接 控制信號(hào)；所述第十一 NMOS管的柵極與所述第十二NMOS管的柵極接反相控制信號(hào)。
【文檔編號(hào)】G06K19/077GK204256772SQ201420748314
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年12月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月2日
【發(fā)明者】謝生, 李美苓, 毛陸虹, 董穎惠, 李志才 申請人:天津大學(xué)