觸控顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種觸控顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，解決了現(xiàn)有的電容式觸控屏的厚度較大的技術(shù)問題。該觸控顯示裝置，包括由若干柵線和若干數(shù)據(jù)線劃分成的子像素單元陣列，每個(gè)所述子像素單元中設(shè)置有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管與所述像素電極之間設(shè)置有第一絕緣層和第二絕緣層；還包括設(shè)置于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間的公共電極陣列和若干尋址線，每個(gè)所述公共電極各自通過一條尋址線連接至驅(qū)動(dòng)電路。本發(fā)明可用于手機(jī)、平板電腦等電子設(shè)備中。
【專利說明】觸控顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地說，涉及一種觸控顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器已經(jīng)成為最為常見的顯示裝置。
[0003]另一方面，隨著智能電子產(chǎn)品的普及，電容式觸控屏也被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦等各種電子產(chǎn)品中。目前較為多見的電容式觸控屏有OGS(One glass solut1n)、on-cell和in-cell三種技術(shù)。其中，in-cell技術(shù)由于其制作工藝上的優(yōu)勢(shì),能夠比OGS技術(shù)和on-cell技術(shù)更加輕薄、透光性更好。
[0004]本發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下技術(shù)問題:現(xiàn)有的電容式觸控屏中，需要制作發(fā)射(Tx)線路和接收(Rx)線路共兩層電極，導(dǎo)致電容式觸控屏的厚度較大的技術(shù)問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種觸控顯示裝置，以解決現(xiàn)有的電容式觸控屏的厚度較大的技術(shù)問題。
[0006]本發(fā)明提供一種觸控顯示裝置，包括由若干柵線和若干數(shù)據(jù)線劃分成的子像素單元陣列，每個(gè)所述子像素單元中設(shè)置有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管與所述像素電極之間設(shè)置有第一絕緣層和第二絕緣層；
[0007]還包括設(shè)置于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間的公共電極陣列和若干尋址線，每個(gè)所述公共電極各自通過一條尋址線連接至驅(qū)動(dòng)電路；
[0008]在顯示圖像時(shí)，所述公共電極通過所述尋址線連接至所述驅(qū)動(dòng)電路中的公共電壓輸出端；
[0009]在觸控掃描時(shí)，所述公共電極通過所述尋址線連接至所述驅(qū)動(dòng)電路中的觸控信號(hào)處理器。
[0010]其中，一個(gè)所述公共電極對(duì)應(yīng)一個(gè)或多個(gè)所述子像素單元。
[0011]優(yōu)選的是，所述公共電極與所述尋址線之間設(shè)置有第三絕緣層；
[0012]所述第三絕緣層上開設(shè)有第一過孔，所述公共電極與所述尋址線通過所述第一過孔連接。
[0013]在一種實(shí)施方式中，所述公共電極位于所述第三絕緣層上方，所述尋址線位于所述第三絕緣層下方。
[0014]在另一種實(shí)施方式中，所述公共電極位于所述第三絕緣層下方，所述尋址線位于所述第三絕緣層上方。
[0015]進(jìn)一步的是，所述第一絕緣層、所述第二絕緣層、所述第三絕緣層上開設(shè)有第二過孔，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極通過所述第二過孔連接。
[0016]優(yōu)選的是，所述尋址線的正投影與所述數(shù)據(jù)線重合。
[0017]優(yōu)選的是，所述尋址線為金屬材料或透明導(dǎo)體材料。
[0018]本發(fā)明帶來了以下有益效果:本發(fā)明提供的觸控顯示裝置中，采用顯示與觸控分時(shí)掃描。在顯示圖像時(shí)，公共電極通過尋址線連接至驅(qū)動(dòng)電路中的公共電壓輸出端，公共電極與像素電極之間形成電場；在觸控掃描時(shí)，公共電極通過尋址線連接至驅(qū)動(dòng)電路中的觸控信號(hào)處理器，以接收觸控信號(hào)。因?yàn)槊總€(gè)公共電極各自通過一條尋址線連接至驅(qū)動(dòng)電路，即公共電極陣列中的每個(gè)公共電極都是獨(dú)立連接至驅(qū)動(dòng)電路的，所以本發(fā)明提供的觸控顯示裝置僅利用公共電極陣列就能夠?qū)崿F(xiàn)觸控信號(hào)的傳感，從而降低了電容式觸控屏的厚度。
[0019]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要的附圖做簡單的介紹:
[0021]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的觸控顯示裝置的示意圖；
[0022]圖2是本發(fā)明實(shí)施例一提供的觸控顯示裝置中陣列基板的平面示意圖；
[0023]圖3是圖2中延A-A線的剖面示意圖；
[0024]圖4是本發(fā)明實(shí)施例二提供的觸控顯示裝置中陣列基板的剖面示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0025]以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0026]實(shí)施例一:
[0027]如圖1、圖2和圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種電容式觸控顯示裝置，由陣列基板、彩膜基板、驅(qū)動(dòng)電路100等部分組成。其中，陣列基板包括由若干柵線(圖中未示出)和若干數(shù)據(jù)線102劃分成的子像素單元陣列，每個(gè)子像素單元中設(shè)置有薄膜晶體管101(ThinFilm Transistor，簡稱TFT)和像素電極103，薄膜晶體管101 (包括柵極1011、源極1012、漏極1013)與像素電極103之間設(shè)置有第一絕緣層111和第二絕緣層112。該陣列基板還包括公共電極104陣列和若干尋址線105，每個(gè)公共電極104各自通過一條尋址線105連接至驅(qū)動(dòng)電路100，公共電極104陣列和尋址線105均設(shè)置于第一絕緣層111與第二絕緣層112之間。其中，一個(gè)公共電極104可以對(duì)應(yīng)一個(gè)子像素單元，也可以對(duì)應(yīng)多個(gè)子像素單
J Li ο
[0028]該觸控顯示裝置采用顯示與觸控分時(shí)掃描:在顯示圖像時(shí)，公共電極104通過尋址線105連接至驅(qū)動(dòng)電路100中的公共電壓輸出端，公共電極104與像素電極103之間形成電場；在觸控掃描時(shí)，公共電極104通過尋址線105連接至驅(qū)動(dòng)電路100中的觸控信號(hào)處理器，以接收觸控信號(hào)。
[0029]因?yàn)槊總€(gè)公共電極104各自通過一條尋址線105連接至驅(qū)動(dòng)電路100，即公共電極104陣列中的每個(gè)公共電極104都是獨(dú)立連接至驅(qū)動(dòng)電路100的，所以本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示裝置僅利用公共電極104陣列就能夠?qū)崿F(xiàn)觸控信號(hào)的傳感，從而降低了電容式觸控屏的厚度。
[0030]此外，本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示裝置采用自電容觸控技術(shù)，可以利用同模、同相、同頻的信號(hào)對(duì)每個(gè)傳感器(公共電極104)進(jìn)行同時(shí)掃描、同時(shí)接收，減少了觸控掃描所需的時(shí)間，所以增加了顯示時(shí)掃描的時(shí)間，為更高解析度的顯示提供了有利條件。本實(shí)施例中采用自電容觸控技術(shù)，不會(huì)產(chǎn)生誤報(bào)點(diǎn)，在屏幕沾有水霧或水滴的情況下也可以正常報(bào)點(diǎn)，并提高了報(bào)點(diǎn)率、信噪比等觸控性能。
[0031 ] 如圖3所示，本實(shí)施例中，公共電極104與尋址線105之間設(shè)置有第三絕緣層113，且公共電極104位于第三絕緣層113下方，尋址線105位于第三絕緣層113上方。第三絕緣層113上開設(shè)有第一過孔114，公共電極104與尋址線105通過第一過孔114連接。此外，第一絕緣層111、第二絕緣層112、第三絕緣層113上還開設(shè)有第二過孔115，像素電極103與薄膜晶體管101的漏極1013通過第二過孔115連接。
[0032]作為一個(gè)優(yōu)選方案，尋址線105可選用金屬材料制成，并且尋址線105可以設(shè)置在數(shù)據(jù)線102的正上方，即尋址線105的正投影與數(shù)據(jù)線102重合。這樣可以使尋址線105和數(shù)據(jù)線102被彩膜基板上的同一條黑矩陣遮擋，而不會(huì)因?yàn)閷ぶ肪€105影響觸控顯示裝置的開口率。
[0033]本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示裝置能夠僅利用公共電極104陣列實(shí)現(xiàn)觸控信號(hào)的傳感，從而降低了電容式觸控屏的厚度，并且提高了報(bào)點(diǎn)率、信噪比等觸控性能，也增加了顯示時(shí)掃描的時(shí)間，為更高解析度的顯示提供了有利條件。并且，本實(shí)施例中的陣列基板，采用已有的構(gòu)圖工藝即可完成觸控傳感電極的制程，無需對(duì)生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行改進(jìn)。
[0034]另外，相比于on-cell技術(shù)等現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明實(shí)施例采用in-cell技術(shù),不需要在陣列基板和彩膜基板的外側(cè)增加膜層結(jié)構(gòu)。因此，可以在構(gòu)圖工藝完成之后，對(duì)陣列基板和彩膜基板進(jìn)行薄化工藝，從而進(jìn)一步降低電容式觸控屏的厚度。
[0035]應(yīng)當(dāng)說明的是，在其他實(shí)施方式中，尋址線105也可以采用氧化銦錫(ΙΤ0)、石墨烯、金屬網(wǎng)(metal mesh)等透明導(dǎo)體材料，使尋址線105可以設(shè)置于黑矩陣以外的顯示區(qū)域。
[0036]實(shí)施例二:
[0037]如圖4所示，本實(shí)施例提供一種觸控顯示裝置，與實(shí)施例一基本相同，其不同點(diǎn)在于:本實(shí)施例中，公共電極104位于第三絕緣層113上方，尋址線105位于第三絕緣層113下方。在制造過程中，也是先通過構(gòu)圖工藝形成尋址線105，再通過另一次構(gòu)圖工藝形成公共電極104。
[0038]這樣可以使尋址線105與像素電極103之間的距離更遠(yuǎn)，在顯示圖像階段，可以降低尋址線105對(duì)電場的影響，從而達(dá)到更好的顯示效果。在觸控掃描時(shí)，也能夠減少尋址線105對(duì)觸控信號(hào)的屏蔽作用，增加觸控信號(hào)的接收強(qiáng)度，提高所接收到的觸控信號(hào)的信噪比。
[0039]雖然本發(fā)明所公開的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種觸控顯示裝置，包括由若干柵線和若干數(shù)據(jù)線劃分成的子像素單元陣列，每個(gè)所述子像素單元中設(shè)置有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管與所述像素電極之間設(shè)置有第一絕緣層和第二絕緣層； 還包括設(shè)置于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間的公共電極陣列和若干尋址線，每個(gè)所述公共電極各自通過一條尋址線連接至驅(qū)動(dòng)電路； 在顯示圖像時(shí)，所述公共電極通過所述尋址線連接至所述驅(qū)動(dòng)電路中的公共電壓輸出端; 在觸控掃描時(shí)，所述公共電極通過所述尋址線連接至所述驅(qū)動(dòng)電路中的觸控信號(hào)處理器。
2.如權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置，其特征在于，一個(gè)所述公共電極對(duì)應(yīng)一個(gè)或多個(gè)所述子像素單元。
3.如權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置，其特征在于，所述公共電極與所述尋址線之間設(shè)置有第三絕緣層； 所述第三絕緣層上開設(shè)有第一過孔，所述公共電極與所述尋址線通過所述第一過孔連接。
4.如權(quán)利要求3所述的觸控顯示裝置，其特征在于，所述公共電極位于所述第三絕緣層上方，所述尋址線位于所述第三絕緣層下方。
5.如權(quán)利要求3所述的觸控顯示裝置，其特征在于，所述公共電極位于所述第三絕緣層下方，所述尋址線位于所述第三絕緣層上方。
6.如權(quán)利要求4或5所述的觸控顯示裝置，其特征在于，所述第一絕緣層、所述第二絕緣層、所述第三絕緣層上開設(shè)有第二過孔，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極通過所述第二過孔連接。
7.如權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置，其特征在于，所述尋址線的正投影與所述數(shù)據(jù)線重合。
8.如權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置，其特征在于，所述尋址線為金屬材料或透明導(dǎo)體材料。
【文檔編號(hào)】G06F3/044GK104407757SQ201410733662
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年12月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月4日
【發(fā)明者】黃耀立, 夏軍, 謝劍星 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司