一種觸摸屏的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍的獲取方法和裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種觸摸屏的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍的獲取方法和裝置，該方法包括：獲取N片觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值，其中每一片觸摸屏具有M個(gè)像素點(diǎn)，M為大于0的整數(shù)，N為正整數(shù)；計(jì)算N片觸摸屏上相同的第i個(gè)位置的像素點(diǎn)的電容值均值和方差，以獲取第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍，其中i＝1，2，…，M-1，M；判斷N片觸摸屏上的N*M個(gè)像素點(diǎn)的電容值是否在其對(duì)應(yīng)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍內(nèi)；當(dāng)判定任意1片觸摸屏上的任意1個(gè)像素點(diǎn)的電容值均在其對(duì)應(yīng)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍內(nèi)，設(shè)置第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍作為對(duì)應(yīng)位置的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中電容值檢測(cè)存在的漏判、過判問題。
【專利說明】一種觸摸屏的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍的獲取方法和裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及觸摸屏檢測(cè)技術(shù)，尤其涉及一種觸摸屏的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍的獲 取方法和裝置，以及根據(jù)觸摸屏的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍對(duì)觸摸屏進(jìn)行檢測(cè)的觸摸屏檢測(cè) 方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著數(shù)字時(shí)代來臨，觸摸屏已廣泛應(yīng)用于手持電子產(chǎn)品中，越來越多的手機(jī)、平板 電腦等產(chǎn)品采用電容式觸摸屏作為顯示屏幕。電容式觸摸屏是利用人體的電流感應(yīng)進(jìn)行工 作，當(dāng)手指接觸電容式觸摸屏?xí)r，通過觸摸屏上電流的變化，得出觸摸點(diǎn)位置。在電容式觸 摸屏的生產(chǎn)制造過程中，需要對(duì)所制造的電容式觸摸屏進(jìn)行檢測(cè)，從而甄選出合格的觸摸 屏，其中，合格的觸摸屏是指該觸摸屏上每個(gè)像素（pixel)點(diǎn)的電容值均在正常范圍內(nèi)，因 此檢測(cè)觸摸屏是否合格的過程即是對(duì)觸摸屏每個(gè)像素點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)的過程。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 現(xiàn)有技術(shù)提供的互電容觸摸屏的檢測(cè)方法，首先通過查看電容值三維圖隨機(jī)收集 至少30片合格觸摸屏的電容值數(shù)據(jù)，其次針對(duì)每一個(gè)像素點(diǎn)計(jì)算出該像素點(diǎn)的30片觸摸 屏電容平均值，最后根據(jù)經(jīng)驗(yàn)或芯片供應(yīng)商建議，將整片觸摸屏每個(gè)像素點(diǎn)的電容上下限 值（limit)設(shè)定為某一相同值，通常設(shè)定該limit為像素點(diǎn)電容平均值的±20%，由此整片 觸摸屏每個(gè)像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍設(shè)定完成。根據(jù)設(shè)定的limit值，對(duì)任意一片觸摸屏進(jìn) 行檢測(cè)，當(dāng)整片觸摸屏任意一個(gè)像素點(diǎn)的電容值均在其對(duì)應(yīng)的像素點(diǎn)電容平均值的±20% 波動(dòng)范圍之內(nèi)，則判定該觸摸屏為合格觸摸屏，若整片觸摸屏的至少一個(gè)像素點(diǎn)的電容值 超出其像素點(diǎn)電容平均值的± 20 %波動(dòng)范圍，則判定該觸摸屏為不合格觸摸屏。
[0004] 可以看出，首先，觸摸屏每個(gè)像素點(diǎn)實(shí)際的電容值波動(dòng)范圍并不完全相同，因此 當(dāng)對(duì)每個(gè)pixel以相同的limit進(jìn)行檢測(cè)時(shí)會(huì)產(chǎn)生過判或漏判現(xiàn)象。以M0T04. 3qHD在 上海模組段的Limit為例，該limit被設(shè)定為±25%，某片T3R8處檢測(cè)到的容值波動(dòng) 為-24. 816%，該像素點(diǎn)視為合格點(diǎn)，然而如圖1所示為該觸摸屏的實(shí)際容值三維圖，由圖 可知此點(diǎn)應(yīng)視為壞點(diǎn)（NG)點(diǎn)，由此說明預(yù)先設(shè)定的Limit為25%會(huì)導(dǎo)致漏判；其次，通過 查看電容值三維圖確定某觸摸屏為合格品或次品時(shí)，由于帶有較大的主觀性，因此并不能 確保每個(gè)人的判定結(jié)果相同；最后，現(xiàn)有技術(shù)中準(zhǔn)確的觸摸屏容值Limit需要經(jīng)過復(fù)雜的 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證才能確定,耗費(fèi)人力物力較大。
[0005] 有鑒于此，本發(fā)明提供一種觸摸屏的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍的獲取方法和裝置， 以解決現(xiàn)有技術(shù)的問題。
[0006] 第一方面，本發(fā)明提供的一種觸摸屏的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍的獲取方法，該方 法包括：
[0007] 步驟一、獲取N片所述觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值，其中，每一片所述觸摸屏 具有M個(gè)所述像素點(diǎn)，M為大于0的整數(shù)，N為正整數(shù)；
[0008] 步驟二、計(jì)算N片所述觸摸屏上相同的第i個(gè)位置的所述像素點(diǎn)的電容值均值和 方差，以獲取第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍，其中，i = 1，2,…，M-l, M ;
[0009] 步驟三、判斷N片所述觸摸屏上的N*M個(gè)所述像素點(diǎn)的電容值是否在其對(duì)應(yīng)位置 的像素點(diǎn)電容值參考范圍內(nèi)；
[0010] 步驟四、當(dāng)判定任意1片所述觸摸屏上的任意1個(gè)所述像素點(diǎn)的電容值均在其對(duì) 應(yīng)位置的所述像素點(diǎn)電容值參考范圍內(nèi)，設(shè)置所述第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍作 為對(duì)應(yīng)位置的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍。
[0011] 進(jìn)一步地，計(jì)算N片所述觸摸屏上相同的第i個(gè)位置的所述像素點(diǎn)的電容值均值 和方差，以獲取第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍，具體包括：
[0012] 根據(jù)N片所述觸摸屏上相同的第i個(gè)位置的所述像素點(diǎn)的電容值，計(jì)算第i個(gè)位 置像素點(diǎn)的電容值均值和方差；
[0013] 根據(jù)所述第i個(gè)位置像素點(diǎn)的電容值均值和方差，按照如下公式計(jì)算第i個(gè)位置 的像素點(diǎn)電容值參考范圍：
[0014] LimitD_i = u _i_cpk*3* 8 _i
[0015] LimitU_i = u _i+cpk*3* 8 _i
[0016] 其中，limitD_i為所述第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍的下限，limitU_i為 所述第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍的上限，U」為所述第i個(gè)位置像素點(diǎn)的電容值 均值，S」為所述第i個(gè)位置像素點(diǎn)的電容值方差，cpk為制程能力參數(shù)。
[0017] 進(jìn)一步地，所述制程能力參數(shù)cpk具體為：2彡cpk彡1. 67。
[0018] 進(jìn)一步地，當(dāng)步驟三判定N片所述觸摸屏上的N*M個(gè)所述像素點(diǎn)中至少一個(gè)所述 像素點(diǎn)的電容值不在其對(duì)應(yīng)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍內(nèi)時(shí)，該方法還包括：
[0019]當(dāng)判定L片所述觸摸屏中的任意1片所述觸摸屏上的1個(gè)或多個(gè)所述像素點(diǎn)的電 容值超出其對(duì)應(yīng)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍，從獲取的N片所述觸摸屏的像素點(diǎn)的電容 值中去除該L片所述觸摸屏的像素點(diǎn)的電容值，其中，L為整數(shù)且NS L>0 ;
[0020] 返回步驟一，當(dāng)N>L>0時(shí)該步驟一當(dāng)前獲取的電容值為剩余N-L片所述觸摸屏的 每一個(gè)所述像素點(diǎn)的電容值，當(dāng)N = L時(shí)該步驟一重新獲取X片觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的 電容值并且當(dāng)前獲取的X片所述觸摸屏為N片所述觸摸屏之外的其他X片所述觸摸屏，并 依次執(zhí)行步驟一至步驟四。
[0021] 進(jìn)一步地，所述獲取N片所述觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值具體為至少獲取30 片所述觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值。
[0022] 第二方面，本發(fā)明提供的一種觸摸屏的檢測(cè)方法，該方法包括：
[0023] 采用第一方面所述的獲取方法獲取所述觸摸屏的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍；
[0024] 獲取所述觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值，其中，所述觸摸屏具有K個(gè)像素點(diǎn)，K 為大于〇的整數(shù)；
[0025] 判斷所述觸摸屏的第j個(gè)像素點(diǎn)的電容值是否在其對(duì)應(yīng)位置像素點(diǎn)電容值檢測(cè) 范圍內(nèi)，其中，j = 1，2，…，K_1，K;
[0026] 當(dāng)所述觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值均在其對(duì)應(yīng)位置像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍 內(nèi)，判定所述觸摸屏為合格觸摸屏，或者
[0027] 當(dāng)所述觸摸屏的至少一個(gè)像素點(diǎn)的電容值不在其對(duì)應(yīng)位置像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范 圍內(nèi)，判定所述觸摸屏為不合格觸摸屏。
[0028] 第三方面，本發(fā)明提供了一種觸摸屏的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍的獲取裝置，該裝 置包括：
[0029] 電容值獲取模塊，用于獲取N片所述觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值，其中，每一 片所述觸摸屏具有M個(gè)所述像素點(diǎn)，M為大于0的整數(shù)，N為正整數(shù)；
[0030] 計(jì)算模塊，用于計(jì)算N片所述觸摸屏上相同的第i個(gè)位置的所述像素點(diǎn)的電容值 均值和方差，以獲取第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍，其中，i = 1，2，…，M-l，M ;
[0031] 判斷模塊，用于判斷N片所述觸摸屏上的N*M個(gè)所述像素點(diǎn)的電容值是否在其對(duì) 應(yīng)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍內(nèi)；
[0032] 設(shè)置模塊，用于當(dāng)判定任意1片所述觸摸屏上的任意1個(gè)所述像素點(diǎn)的電容值均 在其對(duì)應(yīng)位置的所述像素點(diǎn)電容值參考范圍內(nèi)，設(shè)置所述第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考 范圍作為對(duì)應(yīng)位置的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍。
[0033] 進(jìn)一步地，所述計(jì)算模塊包括：
[0034] 第一計(jì)算單元，用于根據(jù)N片所述觸摸屏上相同的第i個(gè)位置的所述像素點(diǎn)的電 容值，計(jì)算第i個(gè)位置像素點(diǎn)的電容值均值和方差；
[0035] 第二計(jì)算單元，用于根據(jù)所述第i個(gè)位置像素點(diǎn)的電容值均值和方差，按照如下 公式計(jì)算第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍：
[0036] LimitD_i = U _i_cpk*3* 3 _i
[0037] LimitU_i = u _i+cpk*3* 8 _i
[0038] 其中，limitD_i為所述第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍的下限，limitU_i為 所述第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍的上限，U」為所述第i個(gè)位置像素點(diǎn)的電容值 均值，S」為所述第i個(gè)位置像素點(diǎn)的電容值方差，cpk為制程能力參數(shù)。
[0039] 進(jìn)一步地，所述制程能力參數(shù)cpk具體為：2彡cpk彡1. 67。
[0040] 進(jìn)一步地，當(dāng)所述判斷模塊判定N片所述觸摸屏上的N*M個(gè)所述像素點(diǎn)中至少一 個(gè)所述像素點(diǎn)的電容值不在其對(duì)應(yīng)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍內(nèi)時(shí)，該裝置還包括：
[0041] 去除模塊，用于當(dāng)判定L片所述觸摸屏中的任意1片所述觸摸屏上的1個(gè)或多個(gè) 所述像素點(diǎn)的電容值超出其對(duì)應(yīng)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍，從獲取的N片所述觸摸屏 的像素點(diǎn)的電容值中去除該L片所述觸摸屏的像素點(diǎn)的電容值，其中，L為整數(shù)且N > L>0 ;
[0042] 返回模塊，用于返回所述電容值獲取模塊，當(dāng)N>L>0時(shí)所述電容值獲取模塊當(dāng)前 獲取的電容值為剩余N-L片所述觸摸屏的每一個(gè)所述像素點(diǎn)的電容值，當(dāng)N = L時(shí)所述電 容值獲取模塊重新獲取X片觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值并且當(dāng)前獲取的X片所述觸摸 屏為N片所述觸摸屏之外的其他X片所述觸摸屏，并依次執(zhí)行計(jì)算模塊、判斷模塊和設(shè)置模 塊。
[0043] 進(jìn)一步地，所述電容值獲取模塊具體為至少獲取30片所述觸摸屏的每一個(gè)像素 點(diǎn)的電容值。
[0044] 本發(fā)明提供的一種觸摸屏的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍的獲取方法和裝置，根據(jù)獲取 的觸摸屏像素點(diǎn)的電容值，計(jì)算均值和方差，以得出像素點(diǎn)電容值參考范圍，并將像素點(diǎn)電 容值與對(duì)應(yīng)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍進(jìn)行比較，以此獲知該像素點(diǎn)是否為合格品，只 有當(dāng)所獲取觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值均在其對(duì)應(yīng)位置像素點(diǎn)電容值參考范圍內(nèi)，才 將對(duì)應(yīng)位置像素點(diǎn)電容值參考范圍設(shè)置為對(duì)應(yīng)位置像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍,通過像素點(diǎn)電 容值檢測(cè)范圍對(duì)其他任意觸摸屏進(jìn)行檢測(cè)。本發(fā)明無需通過查看三維圖確定觸摸屏是否為 合格品，解決了不同人之間判斷主觀性的問題，其次針對(duì)每個(gè)像素點(diǎn)單獨(dú)設(shè)定檢測(cè)范圍，解 決了不同像素點(diǎn)電容值波動(dòng)不一樣的問題，最后當(dāng)工藝參數(shù)發(fā)生變化時(shí)無需經(jīng)過復(fù)雜實(shí)驗(yàn) 確定相應(yīng)電容值波動(dòng)上下限，只需收集當(dāng)前觸摸屏的電容值數(shù)據(jù)，采用本發(fā)明提供的方法 和/或裝置即可計(jì)算得出，本發(fā)明計(jì)算方法簡(jiǎn)單，不會(huì)造成漏判或過判，解決了現(xiàn)有技術(shù)像 素點(diǎn)電容值檢測(cè)上下限存在的漏判、過判問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0045] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖做一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā) 明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根 據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0046] 圖1為M0T04. 3qHD觸摸屏的實(shí)際容值三維圖；
[0047] 圖2為本發(fā)明提供的102片合格觸摸屏的像素點(diǎn)電容值的分布圖；
[0048] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種觸摸屏的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍的獲取方法 的流程圖；
[0049] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種觸摸屏的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍的獲取裝置 的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0050] 為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下將參照本發(fā)明實(shí)施例中的附 圖，通過實(shí)施方式清楚、完整地描述本發(fā)明的技術(shù)方案，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一 部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做 出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0051] 參考圖2,為本發(fā)明提供的102片合格觸摸屏的像素點(diǎn)電容值的分布圖，在提出 本發(fā)明的技術(shù)方案之前，工作人員統(tǒng)計(jì)了至少102片合格觸摸屏的電容值數(shù)據(jù)，經(jīng)驗(yàn)證觸 摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)電容值均服從正態(tài)分布，圖2為擬合之后每一個(gè)像素點(diǎn)電容值的分布 規(guī)律，其中，縱軸代表概率密度，橫軸代表像素點(diǎn)電容值，由此可知，合格觸摸屏的各像素點(diǎn) 的電容值應(yīng)分布在以中心值（0.36)為基準(zhǔn)的某一范圍內(nèi)，因此基于制程能力參數(shù)（CPK， Complex Process Capability index)對(duì)每一個(gè)像素點(diǎn)設(shè)置不完全相同的limit才能不會(huì) 對(duì)任意觸摸屏造成過判、漏判問題。CPK用于表示制程能力，反映了制程合格率的高低，CPK 越大，制程能力才能更強(qiáng)，可生產(chǎn)出質(zhì)量?jī)?yōu)異、可靠性高的產(chǎn)品。
[0052] 實(shí)施例一
[0053] 參考圖3,為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種觸摸屏的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍的獲取 方法的流程圖。本實(shí)施例的技術(shù)方案適用于基于循環(huán)算法獲取觸摸屏每個(gè)像素點(diǎn)的容值檢 測(cè)范圍，以對(duì)相同的任意一片觸摸屏進(jìn)行檢測(cè)的情況。該基于循環(huán)算法的像素點(diǎn)容值檢測(cè) 范圍獲取方法是利用計(jì)算機(jī)運(yùn)算速度快、適合做重復(fù)性操作的特點(diǎn)，對(duì)一定步驟（或一組 指令）進(jìn)行重復(fù)執(zhí)行，在每次執(zhí)行這些步驟（或這組指令）時(shí)，都從變量的原值推出它的一 個(gè)新值。該方法可以通過觸摸屏的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍的獲取裝置來執(zhí)行，該裝置可以 采用軟件和/或硬件的方式實(shí)現(xiàn)，配置在計(jì)算機(jī)中執(zhí)行。
[0054] 如圖3所示，該方法包括以下步驟：
[0055] 步驟110、獲取N片所述觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值，其中，每一片所述觸摸 屏具有M個(gè)所述像素點(diǎn)，M為大于0的整數(shù)，N為正整數(shù)。
[0056] 如上所述，像素點(diǎn)英文為Pixel,又叫Picture element,像素點(diǎn)具有存儲(chǔ)電容，當(dāng) 像素點(diǎn)輸出數(shù)據(jù)時(shí)，首先會(huì)需要將數(shù)據(jù)先寫入像素點(diǎn)的存儲(chǔ)電容中，等到寫入周期結(jié)束，亦 即數(shù)據(jù)以電荷形式對(duì)存儲(chǔ)電容充電后，像素點(diǎn)開始呈現(xiàn)圖像數(shù)據(jù)，從計(jì)算機(jī)技術(shù)的角度來 解釋，像素是指顯示屏的畫面上表示出來的最小單位。每一個(gè)觸摸屏具有多個(gè)像素點(diǎn)，獲取 觸摸屏的電容值即是獲取觸摸屏上每一個(gè)像素點(diǎn)的存儲(chǔ)電容中的電容值，在此，設(shè)定觸摸 屏具有以陣列形式排列的M個(gè)像素點(diǎn)。
[0057] 優(yōu)選地，所述獲取N片所述觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值具體為至少獲取30片 所述觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值。
[0058] 如上所述，N片觸摸屏中任意一片觸摸屏的像素點(diǎn)總數(shù)為M，且觸摸屏上相同位置 均各自具有一個(gè)像素點(diǎn)。當(dāng)設(shè)定N至少為30時(shí)，隨機(jī)收集至少30片觸摸屏的每一個(gè)像素 點(diǎn)的電容值，相應(yīng)的，即獲取了 30*M個(gè)像素點(diǎn)的電容值，在此，不需要考慮各像素點(diǎn)的電容 值是否異常，也不需要考慮觸摸屏是否為合格品，而故障、短路或未燒錄等質(zhì)量不合格品觸 摸屏或非同類觸摸屏則不應(yīng)作為目標(biāo)觸摸屏。
[0059] 本步驟110僅需隨機(jī)獲取至少N片正常觸摸屏的電容值數(shù)據(jù)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，不 需要通過查看容值三維圖確定像素點(diǎn)電容值分布合格與否，由此確保了不會(huì)根據(jù)個(gè)人主觀 性出現(xiàn)不同的判定檢測(cè)結(jié)果，使后續(xù)獲取的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍準(zhǔn)確。
[0060] 步驟120、計(jì)算N片所述觸摸屏上相同的第i個(gè)位置的所述像素點(diǎn)的電容值均值和 方差，以獲取第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍，其中，i = 1，2,…，M-l, M。
[0061] 如上所述，均值（平均數(shù)）是表示一組數(shù)據(jù)集中趨勢(shì)的量數(shù)，為一組數(shù)據(jù)的和除以 這組數(shù)據(jù)的個(gè)數(shù)所得的商，在統(tǒng)計(jì)工作中，均值描述了數(shù)據(jù)資料集中趨勢(shì)和離散程度，也描 述了數(shù)據(jù)集中位置的一個(gè)統(tǒng)計(jì)量。方差是各個(gè)數(shù)據(jù)分別與其均值之差的平方的和的平均 數(shù)，用來度量隨機(jī)變量和其數(shù)學(xué)期望（均值）之間的偏離程度，在統(tǒng)計(jì)工作中，方差描述了 數(shù)據(jù)偏離中心的程度，衡量了數(shù)據(jù)的波動(dòng)大小，方差越大，說明數(shù)據(jù)波動(dòng)越大，越不穩(wěn)定。
[0062] 在此，計(jì)算N片觸摸屏上相同位置的像素點(diǎn)電容值的均值和方差，則可相應(yīng)了解 觸摸屏相同位置的像素點(diǎn)的電容值波動(dòng)大小和穩(wěn)定性。本步驟中需要依次獲取觸摸屏上每 一個(gè)相同位置的像素點(diǎn)的均值和方法，在此，每一個(gè)相同位置對(duì)應(yīng)的像素點(diǎn)個(gè)數(shù)為N，相應(yīng) 可獲取N個(gè)電容值數(shù)據(jù)。
[0063] 對(duì)于步驟120,在此優(yōu)選的一個(gè)實(shí)施方式具體包括：
[0064] 步驟121、根據(jù)N片所述觸摸屏上相同的第i個(gè)位置的所述像素點(diǎn)的電容值，計(jì)算 第i個(gè)位置像素點(diǎn)的電容值均值和方差。
[0065] 已知在步驟110中，獲取了 N片觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值，本步驟中需要針 對(duì)N片觸摸屏上相同的第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值計(jì)算對(duì)應(yīng)的均值和方差，在此，以N片觸 摸屏上相同的第1個(gè)位置為例，從獲取的N*M個(gè)像素點(diǎn)電容值數(shù)據(jù)中提取出N片觸摸屏的 相同的第1個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值，由此可提取出N個(gè)像素點(diǎn)電容值。
[0066] 在此將提取出的N片觸摸屏上相同的第1個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值依次標(biāo)記為Xl、 義2、13、"*、11^2、11^ 1、11^第1個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值均值標(biāo)記為11_1,方差標(biāo)記為5_1，貝1] N片觸摸屏上相同的第1個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值均值和方差根據(jù)以下公式（1)和（2)計(jì)算 得出：

【權(quán)利要求】
1. 一種觸摸屏的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍的獲取方法，其特征在于，包括： 步驟一、獲取N片所述觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值，其中，每一片所述觸摸屏具有 M個(gè)所述像素點(diǎn)，M為大于0的整數(shù)，N為正整數(shù)； 步驟二、計(jì)算N片所述觸摸屏上相同的第i個(gè)位置的所述像素點(diǎn)的電容值均值和方差， 以獲取第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍，其中，i = 1，2，…，M-1，M; 步驟三、判斷N片所述觸摸屏上的N*M個(gè)所述像素點(diǎn)的電容值是否在其對(duì)應(yīng)位置的像 素點(diǎn)電容值參考范圍內(nèi)； 步驟四、當(dāng)判定任意1片所述觸摸屏上的任意1個(gè)所述像素點(diǎn)的電容值均在其對(duì)應(yīng)位 置的所述像素點(diǎn)電容值參考范圍內(nèi)，設(shè)置所述第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍作為對(duì) 應(yīng)位置的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的獲取方法，其特征在于，計(jì)算N片所述觸摸屏上相同的第i個(gè) 位置的所述像素點(diǎn)的電容值均值和方差，以獲取第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍，具 體包括： 根據(jù)N片所述觸摸屏上相同的第i個(gè)位置的所述像素點(diǎn)的電容值，計(jì)算第i個(gè)位置像 素點(diǎn)的電容值均值和方差； 根據(jù)所述第i個(gè)位置像素點(diǎn)的電容值均值和方差，按照如下公式計(jì)算第i個(gè)位置的像 素點(diǎn)電容值參考范圍： LimitD_i = u _i-cpk>!<3>!< 8 _i LimitU-i = u_i+cpk*3*5_i 其中，limitD_i為所述第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍的下限，limitU_i為所述 第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍的上限，u」為所述第i個(gè)位置像素點(diǎn)的電容值均值， S」為所述第i個(gè)位置像素點(diǎn)的電容值方差，cpk為制程能力參數(shù)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的獲取方法，其特征在于，所述制程能力參數(shù)cpk具體為： 2 彡 cpk 彡 1. 67。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的獲取方法，其特征在于，當(dāng)步驟三判定N片所述觸摸屏上的 N*M個(gè)所述像素點(diǎn)中至少一個(gè)所述像素點(diǎn)的電容值不在其對(duì)應(yīng)位置的像素點(diǎn)電容值參考范 圍內(nèi)時(shí)，該方法還包括： 當(dāng)判定L片所述觸摸屏中的任意1片所述觸摸屏上的1個(gè)或多個(gè)所述像素點(diǎn)的電容值 超出其對(duì)應(yīng)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍，從獲取的N片所述觸摸屏的像素點(diǎn)的電容值中 去除該L片所述觸摸屏的像素點(diǎn)的電容值，其中，L為整數(shù)且N > L>0 ; 返回步驟一，當(dāng)N>L>0時(shí)該步驟一當(dāng)前獲取的電容值為剩余N-L片所述觸摸屏的每一 個(gè)所述像素點(diǎn)的電容值，當(dāng)N = L時(shí)該步驟一重新獲取X片觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容 值并且當(dāng)前獲取的X片所述觸摸屏為N片所述觸摸屏之外的其他X片所述觸摸屏，并依次 執(zhí)行步驟一至步驟四。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的獲取方法，其特征在于，所述獲取N片所述觸摸屏的每一個(gè)像 素點(diǎn)的電容值具體為至少獲取30片所述觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值。
6. -種觸摸屏的檢測(cè)方法，其特征在于，包括： 采用權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的獲取方法獲取所述觸摸屏的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍； 獲取所述觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值，其中，所述觸摸屏具有K個(gè)像素點(diǎn)，K為大 于0的整數(shù)； 判斷所述觸摸屏的第j個(gè)像素點(diǎn)的電容值是否在其對(duì)應(yīng)位置像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍 內(nèi)，其中，j = 1，2，…，K-1，K; 當(dāng)所述觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值均在其對(duì)應(yīng)位置像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍內(nèi)，判 定所述觸摸屏為合格觸摸屏，或者 當(dāng)所述觸摸屏的至少一個(gè)像素點(diǎn)的電容值不在其對(duì)應(yīng)位置像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍內(nèi)， 判定所述觸摸屏為不合格觸摸屏。
7. -種觸摸屏的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍的獲取裝置，其特征在于，包括： 電容值獲取模塊，用于獲取N片所述觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值，其中，每一片所 述觸摸屏具有M個(gè)所述像素點(diǎn)，M為大于0的整數(shù)，N為正整數(shù)； 計(jì)算模塊，用于計(jì)算N片所述觸摸屏上相同的第i個(gè)位置的所述像素點(diǎn)的電容值均值 和方差，以獲取第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍，其中，i = 1，2,…，M-l, M ; 判斷模塊，用于判斷N片所述觸摸屏上的N*M個(gè)所述像素點(diǎn)的電容值是否在其對(duì)應(yīng)位 置的像素點(diǎn)電容值參考范圍內(nèi)； 設(shè)置模塊，用于當(dāng)判定任意1片所述觸摸屏上的任意1個(gè)所述像素點(diǎn)的電容值均在其 對(duì)應(yīng)位置的所述像素點(diǎn)電容值參考范圍內(nèi)，設(shè)置所述第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍 作為對(duì)應(yīng)位置的像素點(diǎn)電容值檢測(cè)范圍。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的獲取裝置，其特征在于，所述計(jì)算模塊包括： 第一計(jì)算單元，用于根據(jù)N片所述觸摸屏上相同的第i個(gè)位置的所述像素點(diǎn)的電容值， 計(jì)算第i個(gè)位置像素點(diǎn)的電容值均值和方差； 第二計(jì)算單元，用于根據(jù)所述第i個(gè)位置像素點(diǎn)的電容值均值和方差，按照如下公式 計(jì)算第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍： LimitD」=u _i-cpk*3* 8 _i LimitU」=u _i+cpk*3* 8 _i 其中，limitD_i為所述第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍的下限，limitU_i為所述 第i個(gè)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍的上限，U」為所述第i個(gè)位置像素點(diǎn)的電容值均值， S」為所述第i個(gè)位置像素點(diǎn)的電容值方差，cpk為制程能力參數(shù)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的獲取裝置，其特征在于，所述制程能力參數(shù)cpk具體為： 2 彡 cpk 彡 1. 67。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的獲取裝置，其特征在于，當(dāng)所述判斷模塊判定N片所述觸摸 屏上的N*M個(gè)所述像素點(diǎn)中至少一個(gè)所述像素點(diǎn)的電容值不在其對(duì)應(yīng)位置的像素點(diǎn)電容 值參考范圍內(nèi)時(shí)，該裝置還包括： 去除模塊，用于當(dāng)判定L片所述觸摸屏中的任意1片所述觸摸屏上的1個(gè)或多個(gè)所述 像素點(diǎn)的電容值超出其對(duì)應(yīng)位置的像素點(diǎn)電容值參考范圍，從獲取的N片所述觸摸屏的像 素點(diǎn)的電容值中去除該L片所述觸摸屏的像素點(diǎn)的電容值，其中，L為整數(shù)且L>0 ; 返回模塊，用于返回所述電容值獲取模塊，當(dāng)N>L>0時(shí)所述電容值獲取模塊當(dāng)前獲取 的電容值為剩余N-L片所述觸摸屏的每一個(gè)所述像素點(diǎn)的電容值，當(dāng)N = L時(shí)所述電容值 獲取模塊重新獲取X片觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值并且當(dāng)前獲取的X片所述觸摸屏為 N片所述觸摸屏之外的其他X片所述觸摸屏，并依次執(zhí)行計(jì)算模塊、判斷模塊和設(shè)置模塊。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的獲取裝置，其特征在于，所述電容值獲取模塊具體為至少獲 取30片所述觸摸屏的每一個(gè)像素點(diǎn)的電容值。
【文檔編號(hào)】G06F3/044GK104391616SQ201410707089
【公開日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2014年11月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月27日
【發(fā)明者】王佳仁, 楊圣潔, 李曉宇 申請(qǐng)人:上海天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司