一種移動終端的存儲器壞塊處理方法及移動終端的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種移動終端的存儲器壞塊處理方法及移動終端，所述方法包括：當(dāng)某一個應(yīng)用程序被打開時，獲取該應(yīng)用在掉電不易失存儲器中的地址及大小，并拷貝該應(yīng)用程序至掉電易失存儲器中運(yùn)行，同時記錄該應(yīng)用程序在掉電易失存儲器中的地址及大小；當(dāng)該應(yīng)用程序打開失敗，則說明掉電不易失存儲器或掉電易失存儲器中存在壞塊；并再將該應(yīng)用程序拷貝到掉電易失存儲器中另外地址中運(yùn)行，如果該應(yīng)用打開成功則說明掉電易失存儲器中存在壞塊，如果該應(yīng)用打開失敗則說明掉電不易失存儲器中存在壞塊。采用本發(fā)明其很容易區(qū)分出壞塊是在掉電不易失存儲器還是掉電易失存儲器上，可及時屏蔽壞塊，不容易出現(xiàn)文件存儲打開失敗的情況，為用戶提供了方便。
【專利說明】一種移動終端的存儲器壞塊處理方法及移動終端
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及移動終端領(lǐng)域，尤其涉及的是一種移動終端的存儲器壞塊處理方法及移動終端。
【背景技術(shù)】
[0002]移動終端的存儲器包括掉電不易失存儲器和掉電易失存儲器，顧名思義，掉電易不失存儲器在斷電后依然能保存數(shù)據(jù)，而掉電易失存儲器在斷電后數(shù)據(jù)將消失。在移動終端中，掉電不易失存儲器主要包括FLASH (閃存)、EEPR0M (電可擦可編程只讀存儲器)等，掉電易失存儲器主要包括DRAM (動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)、SDRAM (同步動態(tài)隨機(jī)存儲器)等。
[0003]隨著移動終端功能越來越強(qiáng)大，移動終端已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊徊糠郑鎯ζ髯鳛橐苿咏K端最重要的部件之一，其承載著移動終端使用的方方面面。在移動終端日常使用中，人們經(jīng)常會碰到一些功能打開失敗的情況，這很多時候都是由于存儲器有壞塊造成的。但是現(xiàn)有技術(shù)中，不容易區(qū)分是掉電不易失存儲器上有壞塊還是掉電易失存儲器上有壞塊，無法及時屏蔽，經(jīng)常會容易出現(xiàn)文件存儲打開失敗的情況，給用戶造成麻煩。
[0004]因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種移動終端的存儲器壞塊處理方法及移動終端，其很容易區(qū)分出壞塊是在掉電不易失存儲器還是掉電易失存儲器上，可及時屏蔽壞塊，不容易出現(xiàn)文件存儲打開失敗的情況，為用戶提供了方便。
[0006]本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案如下:
一種移動終端的存儲器壞塊處理方法，其中，包括:
A，當(dāng)某一個應(yīng)用程序被打開時，獲取該應(yīng)用在掉電不易失存儲器中的地址及大小，并拷貝該應(yīng)用程序至掉電易失存儲器中運(yùn)行，同時記錄該應(yīng)用程序在掉電易失存儲器中的地址及大?。?br> B，當(dāng)該應(yīng)用程序打開失敗，則說明掉電不易失存儲器或掉電易失存儲器中存在壞塊；并再將該應(yīng)用程序拷貝到掉電易失存儲器中另外地址中運(yùn)行，如果該應(yīng)用打開成功則說明掉電易失存儲器中存在壞塊，如果該應(yīng)用打開失敗則說明掉電不易失存儲器中存在壞塊；
C，根據(jù)上述步驟B的結(jié)論，判斷掉電不易失存儲器或掉電易失存儲器中的壞塊的地址并記錄下來。
[0007]所述移動終端的存儲器壞塊處理方法，其中，所述掉電不易失存儲器包括FLASH、EEPROM,所述掉電易失存儲器包括DRAM、SDRAM。
[0008]所述移動終端的存儲器壞塊處理方法，其中，所述步驟A具體包括:
Al、當(dāng)在移動終端中選擇打開一個應(yīng)用時，移動終端中央處理器在FLASH中獲取該應(yīng)用所在起始地址FLASHAddr及大小FLASHLen ； A2、將該應(yīng)用程序從掉電不易失存儲器FLASH中拷貝到掉電易失存儲器RAM中運(yùn)行，并記錄在RAM中運(yùn)行該應(yīng)用的起始地址RAMAddr及大小RAMLen。
[0009]所述移動終端的存儲器壞塊處理方法，其中，所述步驟B具體包括:
B1、如果應(yīng)用程序打開失敗,則認(rèn)為是FLASH中存放該應(yīng)用的位置有壞塊或RAM中運(yùn)行該用應(yīng)用的位置有壞塊；
B2、中央處理器再次從FLASH中將該應(yīng)用拷貝到RAM另外地址中運(yùn)行；
B3、如果應(yīng)用程序成功打開則判定RAM中存在壞塊，如果應(yīng)用程序仍然打開失敗則判定FLASH中存在壞塊。
[0010]所述移動終端的存儲器壞塊處理方法，其中，所述步驟C具體包括:
Cl、若檢測到FLASH中有壞塊，則依次對FLASHAddr開始大小為FLASHLen的區(qū)域進(jìn)行全部寫OxFF操作，然后依次讀取，如果哪個位讀出來不是OxFF則說明該地址為壞塊；
C2、再依次對FLASHAddr開始大小為FLASHLen的區(qū)域進(jìn)行全部寫0x00操作，然后依次讀取，如果哪個位讀出來不是0x00則說明該地址為壞塊；
C3、將上述電不易失存儲器或掉電易失存儲器中的壞塊的地址記錄并保存。
[0011]—種移動終2而，其中，包括:
存儲器讀寫模塊，用于當(dāng)某一個應(yīng)用程序被打開時，獲取該應(yīng)用在掉電不易失存儲器中的地址及大小，并拷貝該應(yīng)用程序至掉電易失存儲器中運(yùn)行，同時記錄該應(yīng)用程序在掉電易失存儲器中的地址及大??；
壞塊判斷處理模塊，用于當(dāng)該應(yīng)用程序打開失敗，則說明掉電不易失存儲器或掉電易失存儲器中存在壞塊；并再將該應(yīng)用程序拷貝到掉電易失存儲器中另外地址中運(yùn)行，如果該應(yīng)用打開成功則說明掉電易失存儲器中存在壞塊，如果該應(yīng)用打開失敗則說明掉電不易失存儲器中存在壞塊；
壞塊記錄模塊，用于判斷掉電不易失存儲器或掉電易失存儲器中的壞塊的地址并記錄下來。
[0012]所述的移動終端，其中，所述掉電不易失存儲器包括FLASH、EEPR0M，所述掉電易失存儲器包括DRAM、SDRAM。
[0013]本發(fā)明所提供的移動終端的存儲器壞塊處理方法及系統(tǒng)，由于采用了當(dāng)某一個應(yīng)用程序被打開時，獲取該應(yīng)用在掉電不易失存儲器中的地址及大小，然后拷貝該應(yīng)用程序至掉電易失存儲器中運(yùn)行，同時記錄該應(yīng)用程序在掉電易失存儲器中的地址及大??；如果該應(yīng)用程序打開失敗，則說明掉電不易失存儲器或掉電易失存儲器中存在壞塊；然后再將該應(yīng)用程序拷貝到掉電易失存儲器中另外地址中運(yùn)行，如果該應(yīng)用打開成功則說明掉電易失存儲器中存在壞塊，如果該應(yīng)用打開失敗則說明掉電不易失存儲器中存在壞塊，其使移動終端增加了新功能:能區(qū)分出壞塊是在掉電不易失存儲器還是掉電易失存儲器上；可及時屏蔽壞塊，避免出現(xiàn)文件存儲打開失敗的情況，為用戶提供了方便。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是本發(fā)明移動終端的存儲器壞塊處理方法的較佳實(shí)施例的流程圖。
[0015]圖2、圖3和圖4是本發(fā)明移動終端的存儲器壞塊處理方法的具體應(yīng)用實(shí)施例的流程圖。[0016]圖5是本發(fā)明移動終端的硬件連接結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖6是本發(fā)明移動終端的軟件功能原理框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0019]請參見圖1，圖1是本發(fā)明移動終端的存儲器壞塊處理方法的較佳實(shí)施例的流程圖。如圖1所示，所述移動終端的存儲器壞塊處理方法包括:
步驟S100，當(dāng)某一個應(yīng)用程序被打開時，獲取該應(yīng)用在掉電不易失存儲器中的地址及大小，并拷貝該應(yīng)用程序至掉電易失存儲器中運(yùn)行，同時記錄該應(yīng)用程序在掉電易失存儲器中的地址及大小。
[0020]其中，掉電不易失存儲器主要包括FLASH、EEPROM等，掉電易失存儲器主要包括DRAM、SDRAM 等。
[0021]步驟S200，當(dāng)該應(yīng)用程序打開失敗，則說明掉電不易失存儲器或掉電易失存儲器中存在壞塊；并再將該應(yīng)用程序拷貝到掉電易失存儲器中另外地址中運(yùn)行，如果該應(yīng)用打開成功則說明掉電易失存儲器中存在壞塊，如果該應(yīng)用打開失敗則說明掉電不易失存儲器中存在壞塊。
[0022]步驟S300，根據(jù)上述步驟S200的結(jié)論，判斷掉電不易失存儲器或掉電易失存儲器中的壞塊的地址并記錄下來。
[0023]可見，本發(fā)明可以在應(yīng)用程序打開失敗時迅速判斷出是由于掉電易失存儲器中的壞塊造成的，還是掉電不易失存儲器中的壞塊造成的；并對存儲器中的壞塊的地址并記錄下來。利用本發(fā)明可以在移動終端日常使用過程中，及早發(fā)現(xiàn)存儲器中的壞塊并對這些壞塊作記錄，這樣，可及時屏蔽壞塊，避免出現(xiàn)文件存儲打開失敗的情況，為用戶提供了方便。
[0024]以下將通過一具體的應(yīng)用實(shí)施例對本發(fā)明的方法做進(jìn)一步詳細(xì)說明:
本具體應(yīng)用實(shí)施例所提供的一種移動終端的存儲器壞塊處理方法，如圖2、圖3、圖4所示，具體包括如下步驟:
步驟S1、接收用戶的操作指令打開應(yīng)用程序，觸發(fā)移動終端中央處理器在掉電不易失存儲器如FLASH中獲取該應(yīng)用所在起始地址FLASHAddr及大小FLASHLen ;將該應(yīng)用程序從掉電不易失存儲器如FLASH中拷貝到掉電易失存儲器如RAM中運(yùn)行，并記錄RAM中運(yùn)行該應(yīng)用程序的起始地址RAMAddr及大小RAMLen，之后執(zhí)行步驟S2。
[0025]步驟S2、判斷該應(yīng)用程序是否打開失敗？如果該應(yīng)用程序打開失敗，則執(zhí)行步驟S3，否則執(zhí)行步驟S7。
[0026]步驟S3、中央處理器再次從FLASH中將該應(yīng)用拷貝到RAM中的另外地址中運(yùn)行，之后執(zhí)行步驟S4。
[0027]步驟S4、判斷該應(yīng)用程序是否打開成功？如果該應(yīng)用程序打開成功，則執(zhí)行步驟S5，否則執(zhí)行步驟S6。
[0028]步驟S5、RAM存在壞塊，之后執(zhí)行步驟S8。
[0029]步驟S6、FLASH存在壞塊，之后執(zhí)行步驟S17。[0030]步驟S7、不作處理。
[0031]步驟S8、設(shè)置臨時變量n，并置零，之后執(zhí)行步驟S9 ；
步驟S9、判斷η是否小于RAMLen (RAM中運(yùn)行該應(yīng)用程序的大小)，如果是則執(zhí)行步驟S10，否則執(zhí)行步驟S16 ；
步驟S10、對RAM的地址RAMAddr+n寫入OxFF，之后執(zhí)行步驟Sll ;其中，RAMAddr為RAM中運(yùn)行該應(yīng)用程序的起始地址。
[0032]步驟S11、從RAM中讀出地址RAMAddr+n中的值，并判斷該值是否為OxFF，如果是則執(zhí)行步驟S13，否則執(zhí)行步驟S12 ；
步驟S12、記錄RAM地址RAMAddr+n為壞塊，之后執(zhí)行步驟S15 ；
步驟S13、對RAM300的地址RAMAddr+n寫入0x00，之后執(zhí)行步驟S14 ；
步驟S14、從RAM300中讀出地址RAMAddr+n中的值，并判斷該值是否為0x00，如果是則執(zhí)行步驟S15，否則執(zhí)行步驟S12 ；
步驟S15、n = η + 1，之后執(zhí)行步驟S9。
[0033]步驟S16、RAM中的壞塊記錄完畢。
[0034]步驟S17、設(shè)置臨時變量n，并置零，之后執(zhí)行步驟S18 ；
步驟S18、判斷η是否小于FLASHLen，如果是則執(zhí)行步驟S19，否則執(zhí)行步驟S25 ;其中，F(xiàn)LASHLen為該應(yīng)用所在FLASH中占的大小。
[0035]步驟S19 J^FLASH的地址FLASHAddr+n寫入OxFF，之后執(zhí)行步驟S20 ;其中，F(xiàn)LASHAddr為該應(yīng)用所在FLASH中的起始地址。
[0036]步驟S20、從FLASH200中讀出地址FLASHAddr+n中的值，并判斷該值是否為OxFF，如果是則執(zhí)行步驟S22，否則執(zhí)行步驟S21 ；
步驟S21、記錄FLASH200地址FLASHAddr+n為壞塊，之后執(zhí)行步驟S24 ；
步驟S22、對FLASH200的地址FLASHAddr+n寫入0x00，之后執(zhí)行步驟S23 ；
步驟S23、從FLASH200中讀出地址FLASHAddr+n中的值，并判斷該值是否為0x00，如果是則執(zhí)行步驟S24，否則執(zhí)行步驟S21 ；
步驟S24、n = η + 1，之后執(zhí)行步驟S9;
步驟S25、FLASH中的壞塊記錄完畢。
[0037]由上可見，本發(fā)明上述實(shí)施例提供一種移動終端的存儲器壞塊處理方法，其很容易區(qū)分出壞塊是在掉電不易失存儲器還是掉電易失存儲器上，可及時屏蔽壞塊，不容易出現(xiàn)文件存儲打開失敗的情況，為用戶提供了方便。
[0038]基于上述實(shí)施例，本發(fā)明還提供了一種移動終端，如圖5所示，本實(shí)施例所述移動終端包括中央處理器100、FLASH 200、RAM 300，中央處理器100分別與FLASH 200和RAM300相連接。
[0039]中央處理器100包括存儲器讀寫模塊110、壞塊判斷處理模塊111、壞塊記錄模塊120 ；
存儲器讀寫模塊110，伯城當(dāng)某一個應(yīng)用程序被打開時，獲取該應(yīng)用在掉電不易失存儲器中的地址及大小，并拷貝該應(yīng)用程序至掉電易失存儲器中運(yùn)行，同時記錄該應(yīng)用程序在掉電易失存儲器中的地址及大??；具體如上述步驟所述。
[0040]壞塊判斷處理模塊111，用于 當(dāng)該應(yīng)用程序打開失敗，則說明掉電不易失存儲器或掉電易失存儲器中存在壞塊；并再將該應(yīng)用程序拷貝到掉電易失存儲器中另外地址中運(yùn)行，如果該應(yīng)用打開成功則說明掉電易失存儲器中存在壞塊，如果該應(yīng)用打開失敗則說明掉電不易失存儲器中存在壞塊；具體如上述步驟所述。
[0041]壞塊記錄模塊120，用于判斷掉電不易失存儲器或掉電易失存儲器中的壞塊的地址并記錄下來；具體如上述步驟所述。
[0042]本實(shí)施例的移動終端中，當(dāng)用戶在移動終端中選擇打開Iv應(yīng)用時，移動終端中央處理器100在FLASH 200中獲取該應(yīng)用所在起始地址FLASHAddr及大小FLASHLen，將該應(yīng)用程序從掉電不易失存儲器如FLASH 200拷貝到掉電易失存儲器如RAM 300中運(yùn)行，并記錄在RAM300中運(yùn)行該應(yīng)用的起始地址RAMAddr及大小RAMLen。如果應(yīng)用程序打開失敗，有可能是FLASH200中存放該應(yīng)用的位置有壞塊或有可能是RAM 300中運(yùn)行該用應(yīng)用的位置有壞塊。中央處理器100再次從FLASH 200中將該應(yīng)用拷貝到RAM300另外地址中運(yùn)行，如果應(yīng)用程序成功打開則RAM300中存在壞塊，如果應(yīng)用程序仍然打開失敗則FLASH200中存在壞塊。
[0043]接著，完成壞塊檢測并記錄，具體如下:
若以上過程中檢測到FLASH200中有壞塊，則依次對FLASHAddr開始大小為FLASHLen的區(qū)域進(jìn)行全部寫OxFF操作，然后依次讀取，如果哪個位讀出來不是OxFF則說明該地址為壞塊；然后再依次對FLASHAddr開始大小為FLASHLen的區(qū)域進(jìn)行全部寫0x00操作，然后依次讀取，如果哪個位讀出來不是0x00則說明該地址為壞塊；對以上檢測到的FLASH200中的壞塊記錄在壞塊記錄模塊120中。也可以，依次對FLASHAddr開始大小為FLASHLen的區(qū)域內(nèi)的每個地址進(jìn)行寫OxFF再讀出，寫0x00再讀出，如果兩次讀出分別為OxFF，0x00則該地址不是壞塊，否則該地址是壞塊并記錄在塊壞記錄模塊120中。
[0044]若以上過程中檢測到RAM300中有壞塊，則依次對RAMAddr開始大小為RAMLen的區(qū)域進(jìn)行全部寫OxFF操作，然后依次讀取，如果哪個位讀出來不是OxFF則說明該地址為壞塊；然后再依次對RAMAddr開始大小為RAMLen的區(qū)域進(jìn)行全部寫0x00操作，然后依次讀取，如果哪個位讀出來不是0x00則說明該地址為壞塊；對以上檢測到的RAM300中的壞塊記錄在壞塊記錄模塊120中。也可以，依次對RAMAddr開始大小為RAMLen的區(qū)域內(nèi)的每個地址進(jìn)行寫OxFF再讀出，寫0x00再讀出，如果兩次讀出分別為OxFF，0x00則該地址不是壞塊，否則該地址是壞塊并記錄在塊壞記錄模塊120中。
[0045]綜上所述，本發(fā)明所提供的移動終端的存儲器壞塊處理方法及系統(tǒng)，由于采用了當(dāng)某一個應(yīng)用程序被打開時，獲取該應(yīng)用在掉電不易失存儲器中的地址及大小，然后拷貝該應(yīng)用程序至掉電易失存儲器中運(yùn)行，同時記錄該應(yīng)用程序在掉電易失存儲器中的地址及大小；如果該應(yīng)用程序打開失敗，則說明掉電不易失存儲器或掉電易失存儲器中存在壞塊；然后再將該應(yīng)用程序拷貝到掉電易失存儲器中另外地址中運(yùn)行，如果該應(yīng)用打開成功則說明掉電易失存儲器中存在壞塊，如果該應(yīng)用打開失敗則說明掉電不易失存儲器中存在壞塊，其使移動終端增加了新功能:能區(qū)分出壞塊是在掉電不易失存儲器還是掉電易失存儲器上；可及時屏蔽壞塊，避免出現(xiàn)文件存儲打開失敗的情況，為用戶提供了方便。
[0046]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的應(yīng)用不限于上述的舉例，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種移動終端的存儲器壞塊處理方法，其特征在于，包括: A，當(dāng)某一個應(yīng)用程序被打開時，獲取該應(yīng)用在掉電不易失存儲器中的地址及大小，并拷貝該應(yīng)用程序至掉電易失存儲器中運(yùn)行，同時記錄該應(yīng)用程序在掉電易失存儲器中的地址及大?。籅，當(dāng)該應(yīng)用程序打開失敗，則說明掉電不易失存儲器或掉電易失存儲器中存在壞塊；并再將該應(yīng)用程序拷貝到掉電易失存儲器中另外地址中運(yùn)行，如果該應(yīng)用打開成功則說明掉電易失存儲器中存在壞塊，如果該應(yīng)用打開失敗則說明掉電不易失存儲器中存在壞塊；C，根據(jù)上述步驟B的結(jié)論，判斷掉電不易失存儲器或掉電易失存儲器中的壞塊的地址并記錄下來。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述移動終端的存儲器壞塊處理方法，其特征在于，所述掉電不易失存儲器包括FLASH、EEPROM,所述掉電易失存儲器包括DRAM、SDRAM。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述移動終端的存儲器壞塊處理方法，其特征在于，所述步驟A具體包括: Al、當(dāng)在移動終端中選擇打開一個應(yīng)用時，移動終端中央處理器在FLASH中獲取該應(yīng)用所在起始地址FLASHAddr及大小FLASHLen ； A2、將該應(yīng)用程序從掉電不易失存儲器FLASH中拷貝到掉電易失存儲器RAM中運(yùn)行，并記錄在RAM中運(yùn)行該應(yīng)用的起始地址RAMAddr及大小RAMLen。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述移動終端的存儲器壞塊處理方法，其特征在于，所述步驟B具體包括: B1、如果應(yīng)用程序打開失敗,則認(rèn)為是FLASH中存放該應(yīng)用的位置有壞塊或RAM中運(yùn)行該用應(yīng)用的位置有壞塊； B2、中央處理器再次從FLASH中將該應(yīng)用拷貝到RAM另外地址中運(yùn)行； B3、如果應(yīng)用程序成功打開則判定RAM中存在壞塊，如果應(yīng)用程序仍然打開失敗則判定FLASH中存在壞塊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述移動終端的存儲器壞塊處理方法，其特征在于，所述步驟C具體包括 Cl、若檢測到FLASH中有壞塊，則依次對FLASHAddr開始大小為FLASHLen的區(qū)域進(jìn)行全部寫OxFF操作，然后依次讀取，如果哪個位讀出來不是OxFF則說明該地址為壞塊； C2、再依次對FLASHAddr開始大小為FLASHLen的區(qū)域進(jìn)行全部寫0x00操作，然后依次讀取，如果哪個位讀出來不是0x00則說明該地址為壞塊； C3、將上述電不易失存儲器或掉電易失存儲器中的壞塊的地址記錄并保存。
6.一種移動終端，其特征在于，包括: 存儲器讀寫模塊，用于當(dāng)某一個應(yīng)用程序被打開時，獲取該應(yīng)用在掉電不易失存儲器中的地址及大小，并拷貝該應(yīng)用程序至掉電易失存儲器中運(yùn)行，同時記錄該應(yīng)用程序在掉電易失存儲器中的地址及大??； 壞塊判斷處理模塊，用于當(dāng)該應(yīng)用程序打開失敗，則說明掉電不易失存儲器或掉電易失存儲器中存在壞塊；并再將該應(yīng)用程序拷貝到掉電易失存儲器中另外地址中運(yùn)行，如果該應(yīng)用打開成功則說明掉電易失存儲器中存在壞塊，如果該應(yīng)用打開失敗則說明掉電不易失存儲器中存在壞塊；壞塊記錄模塊，用于判斷掉電不易失存儲器或掉電易失存儲器中的壞塊的地址并記錄下來。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的移動終端，其特征在于，所述掉電不易失存儲器包括FLASH、EEPROM,所述掉電易 失存儲器包括DRAM、SDRAM。
【文檔編號】G06F12/02GK103544112SQ201310487188
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年10月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月17日
【發(fā)明者】楊維琴 申請人:Tcl通訊（寧波）有限公司