用于可植入刺激設(shè)備的芯片間通信的制作方法
【專利摘要】一種設(shè)備，包括：第一集成電路（IC）；第二IC，被配置為基于接收的數(shù)據(jù)向第一IC提供指令，其中第一IC是高電壓IC，而第二IC是低電壓IC；以及在第一IC和第二IC之間的通信接口，包括并行數(shù)據(jù)線路的數(shù)據(jù)總線。第二IC被配置為基于所接收的數(shù)據(jù)選擇多種不同的通信模式中的一種通信模式，以經(jīng)由通信接口向第一IC提供指令，其中每種模式由被用來(lái)向第一IC提供指令的地址數(shù)據(jù)的數(shù)量和配置數(shù)據(jù)的數(shù)量來(lái)定義。
【專利說(shuō)明】用于可植入刺激設(shè)備的芯片間通信
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2011年4月20日提交的美國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?3/090，833的優(yōu)先權(quán)?！炯夹g(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明總體上涉及可植入刺激設(shè)備，并且尤其涉及用于可植入刺激設(shè)備的芯片間通信。
【背景技術(shù)】
[0004]具有一個(gè)或多個(gè)可植入組件的可植入刺激設(shè)備在各種應(yīng)用中被用來(lái)向受者提供電刺激。示例性的可植入刺激設(shè)備包括聽(tīng)覺(jué)假體(hearing prostheses)、心臟設(shè)備(cardiac device)、失禁設(shè)備(incontinence device)以及其它治療和診斷設(shè)備。
[0005]對(duì)于可植入刺激設(shè)備而言，功耗是關(guān)鍵的設(shè)計(jì)考慮。在一些可植入刺激設(shè)備中，使用外部設(shè)備經(jīng)由經(jīng)皮感應(yīng)鏈路或另外的布置而通過(guò)皮膚向可植入刺激設(shè)備提供功率。例如，像在許多耳蝸植入體中那樣，鏈路可以被操作為向可植入刺激設(shè)備連續(xù)提供功率，或者可以被周期性地操作，以便向可植入功率存儲(chǔ)設(shè)備(或“電源”)提供功率。對(duì)于一些可植入刺激設(shè)備而言，一種替換方式是使用可以通過(guò)小型手術(shù)進(jìn)行更換的可植入電源。然而，在這些替換方式中的每一種替換方式中，可在可植入刺激設(shè)備內(nèi)獲取的功率是非常有限的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種設(shè)備，其包括第一集成電路(IC);第二 IC,被配置為基于接收的數(shù)據(jù)向第一 IC提供指令，其中第一 IC是高電壓1C，而第二 IC是低電壓IC;以及在第一 IC和第二 IC之間的通信接口，包括并行數(shù)據(jù)線路的數(shù)據(jù)總線。第二 IC被配置為基于所接收的數(shù)據(jù)選擇多種不同的通信模式中的一種通信模式，以經(jīng)由通信接口向第一IC提供指令，其中每種模式由被用來(lái)向第一 IC提供指令的地址數(shù)據(jù)的數(shù)量和配置數(shù)據(jù)的數(shù)量來(lái)定義。
[0007]在本發(fā)明的另一方面，提供了一種刺激醫(yī)療設(shè)備。該刺激醫(yī)療設(shè)備包括刺激器集成電路(1C)，其被配置為響應(yīng)于刺激指令經(jīng)由多個(gè)電極輸出電刺激；處理器1C，其被配置為基于接收的數(shù)據(jù)向刺激器IC提供刺激指令；以及在刺激器IC和處理器IC之間的通信接口，包括并行數(shù)據(jù)線路的數(shù)據(jù)總線，其中處理器IC被配置為基于所接收的數(shù)據(jù)選擇多種不同的通信模式中的一種通信模式，以經(jīng)由通信接口向刺激器IC提供指令，其中每種模式由被用來(lái)向刺激器IC提供指令的地址數(shù)據(jù)的數(shù)量和配置數(shù)據(jù)的數(shù)量來(lái)定義。
[0008]在本發(fā)明的又另一方面，提供了一種用于操作醫(yī)療設(shè)備的方法。該設(shè)備包括刺激器集成電路(1C)，其被配置為響應(yīng)于刺激指令經(jīng)由多個(gè)電極輸出電刺激；處理器1C，其被配置為經(jīng)由具有并行數(shù)據(jù)線路的數(shù)據(jù)總線的通信接口向刺激器IC提供刺激指令；以及多個(gè)可尋址組件。該方法包括:基于由處理器IC接收的數(shù)據(jù)選擇多種通信模式中的一種通信模式，其中每種模式由被用來(lái)向刺激器IC提供指令的地址數(shù)據(jù)的數(shù)量和配置數(shù)據(jù)的數(shù)量來(lái)定義；并且使用所選擇的通信模式經(jīng)由通信接口基于所接收的數(shù)據(jù)向刺激器IC提供指令。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]現(xiàn)在將參考附圖對(duì)本發(fā)明的說(shuō)明性實(shí)施例進(jìn)行描述，其中:
[0010]圖1是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有雙芯片實(shí)施方式的可植入聽(tīng)覺(jué)假體的結(jié)構(gòu)框圖；
[0011]圖2是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的可植入系統(tǒng)的各部分的功能框圖；
[0012]圖3是圖示依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于從信號(hào)處理器IC向刺激器IC傳輸配置數(shù)據(jù)的過(guò)程的流程圖；
[0013]圖4是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的IC之間的通信接口的一種物理實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)框圖；
[0014]圖5是圖示依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的通過(guò)通信接口提供的信號(hào)的時(shí)序的時(shí)序圖；
[0015]圖6是圖示依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在使用通信接口的數(shù)據(jù)傳輸期間的若干信號(hào)的時(shí)序的時(shí)序圖；
[0016]圖7是圖示依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在通信接口的返回信道上提供的數(shù)據(jù)相對(duì)于刺激器集成電路(IC)的內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)序的時(shí)序圖；
[0017]圖8是圖示依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在事件線路上提供的數(shù)據(jù)相對(duì)于刺激器IC的內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)序的時(shí)序圖；
[0018]圖9是示出依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的刺激事件的時(shí)序的時(shí)序圖；
[0019]圖10是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于對(duì)電極進(jìn)行重新配置的第一模式的數(shù)據(jù)格式的圖示；
[0020]圖11是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于對(duì)電極進(jìn)行重新配置的第二模式的數(shù)據(jù)格式的圖示；
[0021]圖12是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于對(duì)電極進(jìn)行重新配置的第三模式的數(shù)據(jù)格式的圖示；
[0022]圖13是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于對(duì)電極進(jìn)行重新配置的第四模式的數(shù)據(jù)格式的圖示；
[0023]圖14是圖示依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的針對(duì)操作通信接口的不同模式的數(shù)據(jù)要求的曲線圖；
[0024]圖15A圖示了依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于向刺激器IC寫(xiě)入數(shù)據(jù)的寫(xiě)入消息幀；
[0025]圖15B是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在向刺激器IC的寫(xiě)入操作期間的若干信號(hào)的時(shí)序圖；
[0026]圖16A圖示了依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于從刺激器IC讀取數(shù)據(jù)的讀取消息幀；以及
[0027]圖16B是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在從刺激器IC的讀取操作期間的若干信號(hào)的時(shí)序圖。
【具體實(shí)施方式】[0028]本發(fā)明的各方面可以在具有兩個(gè)或更多集成電路(IC)的設(shè)備中實(shí)施，其中一個(gè)IC為混合信號(hào)IC而另一個(gè)IC為數(shù)字1C。本發(fā)明的實(shí)施例可以在諸如醫(yī)療設(shè)備(諸如包括與諸如電極之類的多個(gè)可尋址組件進(jìn)行通信的高電壓刺激器IC和低電壓處理器IC的刺激醫(yī)療設(shè)備)之類的設(shè)備中應(yīng)用。更具體地，本發(fā)明的實(shí)施例可以在具有低電壓數(shù)字IC和高功率混合信號(hào)刺激器IC的耳蝸植入體中實(shí)施，該混合信號(hào)刺激器IC被配置為經(jīng)由電極陣列的多個(gè)電極輸出電刺激。
[0029]一種類型的可植入刺激設(shè)備是可植入聽(tīng)覺(jué)假體。常規(guī)而言，可植入聽(tīng)覺(jué)假體可以使用單個(gè)芯片來(lái)實(shí)施，以使得聽(tīng)覺(jué)假體內(nèi)的所有處理都在單個(gè)IC上執(zhí)行。作為導(dǎo)致了進(jìn)一步小型化的IC的IC制造技術(shù)中的技術(shù)發(fā)展的結(jié)果，存在朝著將不斷增加的數(shù)量的數(shù)字邏輯包括在聽(tīng)覺(jué)假體的IC上以提高IC的處理能力的趨勢(shì)。增加IC的處理能力預(yù)計(jì)會(huì)提供聽(tīng)覺(jué)假體的改進(jìn)的性能和功能。
[0030]諸如以上所描述的可植入聽(tīng)覺(jué)假體之類的可植入刺激設(shè)備經(jīng)常經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)電極向受者提供電刺激。IC和電極之間的接口經(jīng)常需要使用通常在6-20V左右的高電壓晶體管。這樣的高電壓技術(shù)擴(kuò)展通常針對(duì)較陳舊的、較大尺寸的IC技術(shù)而設(shè)計(jì)。因此，隨著IC尺寸的減小，將變得越來(lái)越難以為可植入聽(tīng)覺(jué)假體提供單個(gè)芯片，因?yàn)檩^新的制造技術(shù)將不能提供適用于刺激的高電壓晶體管。在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，假體可以作為替代使用兩個(gè)芯片:一個(gè)用于處理的低電壓芯片(諸如數(shù)字芯片)以及一個(gè)用于提供高電壓晶體管的高電壓芯片。在某些實(shí)施例中，使用兩個(gè)這樣的芯片的假體還可以包括用于在兩個(gè)芯片之間進(jìn)行通信的接口。
[0031 ] 在某些實(shí)施例中，低電壓芯片(其在這里可以被稱作低電壓IC)是其中該IC所采用的最大電壓明顯低于高電壓芯片(其在這里可以被稱作高電壓IC)所采用的最大電壓的1C。例如，在某些實(shí)施例中，高電壓IC所采用的最大電壓可以高于低電壓IC所采用的最大電壓五倍至十倍。在一些實(shí)施例中，高電壓刺激器IC所采用的最高電壓至少為低電壓處理器IC所采用的最高電壓的兩倍。此外，該差異可以隨著技術(shù)發(fā)展而增大。在一些實(shí)施例中，低電壓芯片是其中所采用的最大電壓在1.8伏和3.3伏之間的1C。在某些實(shí)施例中，低電壓IC可以采用在1.4伏和1.8伏之間的最大電壓以與高電壓芯片進(jìn)行通信，并且可以在與諸如存儲(chǔ)器設(shè)備之類的另一種設(shè)備的接口處采用高達(dá)3.3伏的最大電壓。在某些實(shí)施例中，低電壓IC是其中該IC所采用的最大電壓低于5伏的1C。在一些實(shí)施例中，高電壓IC是其中該IC所采用的最大電壓為至少5伏的1C。在某些實(shí)施例中，高電壓IC可以采用在大約6伏和20伏之間的最大電壓。
[0032]在本發(fā)明的具有高電壓IC和低電壓IC的實(shí)施例中，使得在低電壓IC上實(shí)施的功能的數(shù)量最大化而使得在高電壓IC上實(shí)施的功能的數(shù)量最小化以降低設(shè)備的功耗可能是有利的。在某些實(shí)施例(具有高電壓混合信號(hào)刺激器IC和低電壓數(shù)字處理器IC的設(shè)備)中，僅在刺激器IC上執(zhí)行刺激信號(hào)的生成而在處理器IC上或設(shè)備的另一部分中執(zhí)行其它功能可能是有利的。在某些實(shí)施例中，這樣的功能劃分可以提供設(shè)備功耗的降低，因?yàn)樵诟唠妷捍碳て鱅C上實(shí)施很少的功能，而相反地在低電壓數(shù)字IC上或者由設(shè)備的另一組件實(shí)施。在一些實(shí)施例中，這樣的功能劃分還可以提供設(shè)備尺寸的減小，因?yàn)榭梢砸暂^新的數(shù)字技術(shù)以比以諸如刺激器IC之類的混合信號(hào)IC的模擬技術(shù)小得多的尺寸來(lái)實(shí)施功能。在某些實(shí)施例中，混合信號(hào)刺激器IC可以超過(guò)50%是模擬的。在這樣的實(shí)施例中，混合信號(hào)刺激器IC的數(shù)字電路可以僅用來(lái)與處理器IC進(jìn)行接口。
[0033]在多芯片實(shí)施方式中，芯片間的信令遠(yuǎn)不如芯片內(nèi)的信令高效。在兩個(gè)芯片之間采用與之前在單個(gè)芯片內(nèi)使用的相同處理和通信協(xié)議，將導(dǎo)致功耗的非常明顯的增加。
[0034]將參考特定說(shuō)明性示例對(duì)本發(fā)明的各方面進(jìn)行描述，該特定說(shuō)明性示例是意在用于耳蝸植入體之中的設(shè)備。然而，將要意識(shí)到的是，本發(fā)明的實(shí)施例可應(yīng)用于可以使用兩個(gè)IC在可植入刺激設(shè)備內(nèi)傳輸刺激數(shù)據(jù)的任何情形。例如，本發(fā)明的實(shí)施例可以在諸如耳蝸植入體、腦干植入體、混合電/聲系統(tǒng)、聽(tīng)力輔助系統(tǒng)之類的可植入聽(tīng)覺(jué)假體或者任意其它適當(dāng)?shù)穆?tīng)覺(jué)假體中實(shí)施。如這里所使用的，“可植入”設(shè)備包括可整體植入的設(shè)備以及具有至少一個(gè)可植入組件的可部分植入的設(shè)備。某些實(shí)施例可以在可整體植入的系統(tǒng)中實(shí)施，或者針對(duì)可部分植入的系統(tǒng)來(lái)實(shí)施。本發(fā)明的實(shí)施例還可以在例如心臟設(shè)備、失禁設(shè)備以及其它肌肉和神經(jīng)刺激器的提供電刺激的任意其它可植入設(shè)備中實(shí)施。
[0035]現(xiàn)有的可植入聽(tīng)覺(jué)假體通常以單個(gè)芯片來(lái)實(shí)施。如以上所提到的，由于IC技術(shù)的小型化，存在朝著將更多數(shù)字邏輯包括到可植入刺激設(shè)備中以便提供改進(jìn)的功能和性能的趨勢(shì)。然而，如以上所提到的，IC小型化可能使得難以在刺激設(shè)備的IC和電極之間提供高電壓接口。因此，本發(fā)明的某些實(shí)施例針對(duì)利用兩個(gè)芯片的可植入刺激設(shè)備:使用深亞微米技術(shù)制造的一個(gè)芯片，以及提供高電壓晶體管以提供與電極的接口的一個(gè)芯片。
[0036]圖1是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有雙芯片實(shí)施方式的可植入聽(tīng)覺(jué)假體100的結(jié)構(gòu)框圖。聽(tīng)覺(jué)假體100包括外部系統(tǒng)10和可植入系統(tǒng)50。可植入系統(tǒng)50適于提供所需治療(在這種情況下是電刺激)，其在某些實(shí)施例中可以向聽(tīng)力受損的受者提供聽(tīng)力方案(hearing precept).,外部系統(tǒng)10包括外部聲音處理器20，其包括信號(hào)處理器IC21和無(wú)線收發(fā)器IC22。聲音處理器20進(jìn)行操作以捕獲從麥克風(fēng)(未示出)接收的音頻信號(hào)，在信號(hào)處理器IC21中對(duì)所捕獲的音頻信號(hào)進(jìn)行調(diào)理和編碼，并且使用無(wú)線鏈路61經(jīng)由無(wú)線收發(fā)器22向可植入系統(tǒng)50傳輸輸出。外部系統(tǒng)10還包括無(wú)線遙控器15，其在該實(shí)施方式中經(jīng)由無(wú)線鏈路62與聲音處理器20以及一個(gè)或多個(gè)麥克風(fēng)或其它聲音拾取設(shè)備(未圖示)進(jìn)行通信。遙控器15包括微控制器IC17和無(wú)線收發(fā)器IC16。外部系統(tǒng)10通常還經(jīng)由傳導(dǎo)鏈路(例如，無(wú)線鏈路61)提供功率以對(duì)可植入系統(tǒng)50的可植入電池54進(jìn)行充電。在一些實(shí)施方式中，外部供應(yīng)的功率可以被連續(xù)地提供至可植入系統(tǒng)50。在其它實(shí)施方式中，外部供應(yīng)的功率可以被周期性地提供。
[0037]可植入系統(tǒng)50包括數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)IC70、無(wú)線收發(fā)器IC52 (用于與外部系統(tǒng)10進(jìn)行通信)、刺激器IC71、通信接口 80和可植入電池54。外部系統(tǒng)和可植入系統(tǒng)的功能可以是完全常規(guī)的，并且對(duì)于治療本質(zhì)的細(xì)節(jié)以及耳蝸植入體的構(gòu)造細(xì)節(jié)，讀者參考當(dāng)前市售的產(chǎn)品(例如Cochlear Limited的產(chǎn)品)并且參考本領(lǐng)域的許多參考文獻(xiàn)。這里將不對(duì)具體治療進(jìn)行詳細(xì)描述，相反，這里將描述與如以上所討論的各種可植入刺激設(shè)備中的任意之一中的多個(gè)IC之間的通信接口的操作有關(guān)的實(shí)施例。此外，本發(fā)明的實(shí)施例并不局限于刺激器IC和DSP IC之間的處理中的任意特定劃分。相反，這里描述的實(shí)施方式僅是一種可能性。
[0038]在圖1中圖示的實(shí)施例中，雙芯片的實(shí)施方式包括通常以深亞微米技術(shù)實(shí)施的數(shù)字信號(hào)處理(DSPHC70，以及提供到電極75 (或其它實(shí)施方式中的其它組件)的接口的刺激器IC71。刺激器IC71可以被實(shí)施為使得其僅使用模擬信號(hào)或者使用數(shù)字信號(hào)和模擬信號(hào)兩者。DSP IC70和刺激器IC71經(jīng)由芯片間通信接口 80進(jìn)行通信。通信接口 80 (其可以被稱作“芯片間”通信接口或“芯片外”通信接口)優(yōu)選地為高速接口，其在兩個(gè)IC之間提供協(xié)議透明的通信。通信接口 80上的數(shù)據(jù)通信速率(即，帶寬)優(yōu)選地是靈活的，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高數(shù)據(jù)通信速率。通信接口 80優(yōu)選地還提供可預(yù)測(cè)的延時(shí)、用于傳輸數(shù)據(jù)的并行總線以及低功耗。最后，通信接口 80優(yōu)選地是非常魯棒的。
[0039]在圖1中圖示的實(shí)施例中，在植入的DSP IC70上對(duì)音頻數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，以便產(chǎn)生刺激指令，同時(shí)由刺激器IC71執(zhí)行實(shí)際的刺激，該刺激器IC71包括刺激器IC71能夠通過(guò)其對(duì)電極75進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的高電壓晶體管。因此，通過(guò)通信接口 80傳輸實(shí)時(shí)的等步刺激指令。DSP IC70確定要由設(shè)備施加的刺激的確切時(shí)序，而刺激器IC71包含用于創(chuàng)建這樣的時(shí)序的適當(dāng)電路(例如，晶體振蕩器)。DSP IC70可以在低功率時(shí)鐘信號(hào)上運(yùn)行(例如，由自激振蕩器或FRO生成的時(shí)鐘信號(hào))。
[0040]通常，IC之間的通信比芯片內(nèi)的通信消耗更多功率。因此，本發(fā)明的各個(gè)方面針對(duì)降低IC之間的通信接口所消耗的功率量。
[0041]圖4是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的IC之間的通信接口的一種物理實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)框圖。通信接口 80連接DSP IC70和刺激器IC71，并且包括圖4中圖示的若干線路。通信接口 80是分別為DSP IC70和刺激器IC71的高速互連75和76之間的同步雙向接口。通信接口 80包括數(shù)據(jù)選擇線路82、η比特芯片間總線81 (其在這里可以被稱作數(shù)據(jù)總線81)、事件線路83、反向信道84、接口時(shí)鐘線路85和接口時(shí)鐘使能線路86。數(shù)據(jù)總線81由η比特并行總線組成并且因此大量數(shù)據(jù)可以通過(guò)該接口移動(dòng)。數(shù)據(jù)總線81和選擇線路82形成物理正向數(shù)據(jù)連接(其在這里可以被稱作“正向數(shù)據(jù)信道”)，并且事件線路83是物理事件連接。在圖4中所示的實(shí)施例中，反向信道84提供物理返回連接，并且是被DSP IC70用來(lái)從刺激器IC71讀取數(shù)值的單條線路。
[0042]圖5是圖示依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的通過(guò)通信接口 80提供的信號(hào)的時(shí)序的時(shí)序圖。正向信道從DSP IC70向刺激器IC71同步傳輸數(shù)據(jù)。圖5示出了數(shù)據(jù)總線81上的信號(hào)(標(biāo)記為“數(shù)據(jù)”)和數(shù)據(jù)選擇線路82上的信號(hào)(標(biāo)記為“數(shù)據(jù)選擇”)相對(duì)于在接口時(shí)鐘線路85上提供的接口時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)序。正向信道向刺激器IC71提供來(lái)自DSP IC70的刺激指令和
一般配置數(shù)據(jù)兩者。
[0043]圖6是圖示依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的使用通信接口 80的數(shù)據(jù)傳輸期間的若干信號(hào)的時(shí)序的時(shí)序圖。圖6示出了包括刺激IC的內(nèi)部時(shí)鐘、時(shí)間基準(zhǔn)信號(hào)、接口時(shí)鐘信號(hào)、時(shí)鐘使能線路86上所提供的信號(hào)(標(biāo)記為“時(shí)鐘開(kāi)”)以及數(shù)據(jù)總線81上的信號(hào)(標(biāo)記為“正向數(shù)據(jù)”)在內(nèi)的信號(hào)的時(shí)序。如圖5中所指出的，數(shù)據(jù)總線81上的每次傳輸開(kāi)始于數(shù)據(jù)選擇線路在數(shù)據(jù)的第一字節(jié)出現(xiàn)在接口上時(shí)變?yōu)楦唠娖?。?shù)據(jù)選擇線路保持為高電平直至所傳輸?shù)淖詈笞止?jié)的最后傳輸周期的開(kāi)始。在該最后傳輸周期期間，數(shù)據(jù)選擇線路已經(jīng)為低電平，以使得其在當(dāng)前周期結(jié)束之后的第一周期準(zhǔn)備好可能的新傳輸。
[0044]對(duì)于反向信道84而言，提供一條單向線路以使得整個(gè)接口是全雙工的。這允許DSP IC70在正經(jīng)由反向信道84接收數(shù)據(jù)的同時(shí)傳輸新的刺激指令。刺激器IC71在正向數(shù)據(jù)信道上請(qǐng)求數(shù)據(jù)時(shí)使用反向信道84來(lái)提供響應(yīng)。圖7是圖示在反向信道84上提供的數(shù)據(jù)相對(duì)于刺激器IC71的內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)序的時(shí)序圖。如圖7中圖示的，通過(guò)反向信道84提供的數(shù)據(jù)被格式化為開(kāi)始周期、奇偶校驗(yàn)周期和η比特?cái)?shù)據(jù)周期。通過(guò)反向信道84提供的數(shù)據(jù)始終通過(guò)相同數(shù)量的時(shí)鐘周期。在可替換實(shí)施方式中，反向信道84可以是多信道總線。不優(yōu)選三態(tài)接口，因?yàn)檫@由于方向切換而增加了復(fù)雜度，其自身還由于短路電流的可能性而增加了功耗。
[0045]事件線路83 (其在這里可以被稱作“事件指示線路”)被用來(lái)為刺激器IC進(jìn)行刺激事件的精確計(jì)時(shí)。因此，DSP IC70在事件時(shí)間網(wǎng)格上激活該線路。事件通知是非常嚴(yán)格要求時(shí)間的并且在某些實(shí)施例中通常優(yōu)先于所有其它通信。為了降低該通信的復(fù)雜度，可以使用單獨(dú)線路用于事件通知。圖8是圖示依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在事件線路83上提供的數(shù)據(jù)相對(duì)于刺激器IC71的內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)序的時(shí)序圖。在圖8中圖示的實(shí)施例中，通過(guò)事件線路83提供的數(shù)據(jù)被格式化為開(kāi)始周期和奇偶校驗(yàn)周期，其后跟隨用于指示和定義事件的η個(gè)I比特周期。
[0046]因?yàn)閱为?dú)IC之間的通信需要比單個(gè)IC內(nèi)的通信更多的功率，所以在某些實(shí)施例中，優(yōu)選總線通過(guò)概念和設(shè)計(jì)是低功率的。數(shù)字電路的功耗取決于其內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的開(kāi)關(guān)活動(dòng)。在本文中，活動(dòng)因數(shù)α被定義為每個(gè)數(shù)據(jù)周期的預(yù)期轉(zhuǎn)變數(shù)。如果將該活動(dòng)因數(shù)α耦合至通常等于同步系統(tǒng)中的時(shí)鐘頻率的平均數(shù)據(jù)速率f，則節(jié)點(diǎn)的充電/放電的有效頻率由活動(dòng)因數(shù)和數(shù)據(jù)速率的乘積a*f給出。正因如此，可以針對(duì)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)數(shù)字電路的平均功耗提供以下公式:
[0047]Pdyn= a *f*C*VDD2
[0048]在以上公式中，VDD表示供電電壓，而C表示電路的總開(kāi)關(guān)容量，其與電路的面積(以及與電路的復(fù)雜度)相關(guān)。
[0049]在圖1中圖示的實(shí)施例中，通信接口 80是刺激器IC71在其中生成接口時(shí)鐘信號(hào)的同步接口。刺激器IC71優(yōu)選地生成接口時(shí)鐘信號(hào)，因?yàn)槠溥€生成系統(tǒng)時(shí)間基準(zhǔn)，并且因?yàn)樵谀承?shí)施例中最仔細(xì)地被定時(shí)的正是刺激。在一些實(shí)施例中，IC70和IC71兩者優(yōu)選地在共用的時(shí)間基準(zhǔn)(或基準(zhǔn)時(shí)鐘)上運(yùn)行。圖6中圖示的接口時(shí)鐘信號(hào)能夠被用作DSP IC70的基準(zhǔn)時(shí)鐘和接口時(shí)鐘兩者。然而，為了在需要傳輸大量數(shù)據(jù)時(shí)提供所期望的高帶寬(即，數(shù)據(jù)速率)接口，在數(shù)據(jù)通信期間的時(shí)鐘頻率應(yīng)當(dāng)遠(yuǎn)高于生成可靠基準(zhǔn)時(shí)鐘所需的時(shí)鐘頻率。因此，依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，接口時(shí)鐘線路85以兩種模式進(jìn)行操作:一種模式在數(shù)據(jù)通信期間，當(dāng)接口時(shí)鐘線路85上提供相對(duì)快(B卩，高頻率)的時(shí)鐘信號(hào)時(shí)；以及在數(shù)據(jù)未正在被傳輸并且在時(shí)鐘線路85上為DSP IC70提供較慢(即，較低頻率)的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)間期間的第二模式。雖然由刺激器IC71生成，但是時(shí)鐘信號(hào)被由DSP IC70生成并且通過(guò)Clock ON線路86提供的時(shí)鐘使能信號(hào)控制。
[0050]以上所描述的第一模式和第二模式在圖6的時(shí)序圖中進(jìn)行圖示。在沒(méi)有數(shù)據(jù)正在被傳輸時(shí)，時(shí)間基準(zhǔn)(即，基準(zhǔn)時(shí)鐘)可以具有降低的頻率，例如1MHz。為了與刺激器IC71進(jìn)行通信，DSP IC70在時(shí)鐘開(kāi)線路86上致能(assert) “時(shí)鐘開(kāi)”信號(hào)。響應(yīng)于該時(shí)鐘開(kāi)信號(hào)，刺激器IC71生成例如IOMHz的較快時(shí)鐘信號(hào)，直至該時(shí)鐘開(kāi)信號(hào)被禁能(de-assert)。通過(guò)控制時(shí)鐘開(kāi)線路86，與在較慢的基準(zhǔn)時(shí)鐘階段期間相比，DSP IC70可以使得通信接口80以高得多的時(shí)鐘速度并且因此高得多的用于數(shù)據(jù)傳輸?shù)膸掃M(jìn)行操作。
[0051]在某些實(shí)施例中，通信接口 80的一個(gè)功能是傳輸用于刺激電極75的刺激指令。刺激指令先于每個(gè)刺激事件提供，并且因此每次一個(gè)或多個(gè)電極的狀態(tài)需要變化時(shí)發(fā)送刺激指令。如這里所使用的，“刺激指令”包括一個(gè)或多個(gè)電極的配置數(shù)據(jù)。此外，在某些實(shí)施例中，刺激指令可以包括一個(gè)或多個(gè)電極的地址信息以及對(duì)應(yīng)于該配置數(shù)據(jù)的時(shí)序信息。如這里所使用的，“配置數(shù)據(jù)”包括要在刺激事件期間在指定電極輸送的電刺激的任意參數(shù)。在某些實(shí)施例中，電極的配置數(shù)據(jù)包括該電極的電刺激的量級(jí)。在一些實(shí)施例中，對(duì)應(yīng)于刺激量級(jí)的時(shí)序信息獨(dú)立于配置數(shù)據(jù)。在其它實(shí)施例中，該配置數(shù)據(jù)可以包括時(shí)序信息。在某些實(shí)施例中，如以下進(jìn)一步描述的，配置數(shù)據(jù)可以等于由DSP IC響應(yīng)于所接收的音頻數(shù)據(jù)而生成的刺激數(shù)據(jù)的一部分或者從該刺激數(shù)據(jù)得出。如這里所使用的，“刺激事件”是指一個(gè)或多個(gè)電極的一個(gè)或多個(gè)刺激參數(shù)的變化。在圖9中圖示的示例中，每個(gè)箭頭指示刺激事件。在每個(gè)所圖示的刺激事件，電刺激的量級(jí)針對(duì)一個(gè)或多個(gè)電極而變化。在某些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)電極中的任意電極處的相應(yīng)量級(jí)可以在給定的刺激事件發(fā)生變化。
[0052]圖9圖示了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的刺激事件的時(shí)序。將要意識(shí)到的是，本發(fā)明的實(shí)施例在應(yīng)用中并不局限于任何特定的刺激模式。參考圖9，對(duì)于要被刺激的每個(gè)電極而言，在第一刺激階段期間施加具有第一量級(jí)的電刺激。隨后，在暫停之后，在第二刺激階段期間施加具有相等且相反量級(jí)的第二電刺激。在實(shí)施例中，第二刺激階段優(yōu)選地輸送與第一階段相同數(shù)量的電荷，這通常通過(guò)在與第一階段期間所施加的刺激相同的持續(xù)時(shí)間內(nèi)為電流輸送具有相等但相反量級(jí)的刺激而實(shí)現(xiàn)。
[0053]在某些實(shí)施例中，可以使用四種不同模式之一將刺激指令從DSP IC70提供至刺激器IC71。在這樣的實(shí)施例中，能夠使用四種不同模式之一來(lái)傳輸由刺激器IC71控制的電極的刺激參數(shù)的變化。四種模式可以被概括為重新配置所有電極、重新配置由地址指定的個(gè)別電極、重新配置由位圖指定的選擇的電極組以及使用相同配置數(shù)據(jù)重新配置所有電極。此外，在某些實(shí)施例中，每種不同模式由用來(lái)向刺激器IC71提供指令的地址數(shù)據(jù)的數(shù)量和配置數(shù)據(jù)的數(shù)量來(lái)定義。更一般地，在某些實(shí)施例中，這些模式可以被用來(lái)提供與設(shè)備的一個(gè)或多個(gè)可尋址組件相關(guān)的指令。如這里所使用的，“可尋址組件”是指設(shè)備的可以被指定或者以其它方式由對(duì)應(yīng)于該組件的標(biāo)識(shí)符(諸如地址、編號(hào)、ID等)所標(biāo)識(shí)的任意組件。在某些實(shí)施例中，可尋址組件是諸如聽(tīng)覺(jué)假體之類的刺激醫(yī)療設(shè)備的電極。
[0054]以下將更為詳細(xì)地對(duì)以上所提到的每種模式進(jìn)行討論。在一些實(shí)施例中，使用不同模式可以允許使用能夠?qū)崿F(xiàn)所需變化的最小功率密集模式。在某些實(shí)施例中，該模式選擇將提高刺激設(shè)備的功率使用效率。通常，所需要的通信越多，功耗就越高。
[0055]重新配置所有電極
[0056]圖10是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于重新配置電極的第一模式的數(shù)據(jù)格式的圖示。在第一模式(其在這里可以被稱作“完全重新配置模式”)中，DSP IC70針對(duì)刺激事件重新配置所有電極。該方法需要很多通信，并且因此在大多數(shù)或所有電極75的配置數(shù)據(jù)需要同時(shí)變化時(shí)是有利的。如圖10中圖示的，針對(duì)每個(gè)電極75，單獨(dú)提供配置數(shù)據(jù)的完整集合。因?yàn)橐怨潭樞驗(yàn)槊總€(gè)電極提供配置數(shù)據(jù)，所以在該模式中并不提供電極地址。在這樣的實(shí)施例中，刺激器IC71將基于接收配置數(shù)據(jù)的順序而知道哪些配置數(shù)據(jù)應(yīng)用到哪個(gè)電極。
[0057]尋址個(gè)別電極
[0058]圖11是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于重新配置電極的第二模式的數(shù)據(jù)格式的圖示。在第二模式(其在這里可以被稱作“個(gè)別尋址模式”)中，針對(duì)刺激事件改變幾個(gè)電極的配置數(shù)據(jù)。在該模式中，配置數(shù)據(jù)與被重新配置的每個(gè)電極的電極地址(或編號(hào))一起提供。更具體地，對(duì)于要重新配置的每個(gè)電極，提供要重新配置的具體電極的地址，隨后是指定電極的配置數(shù)據(jù)。在某些實(shí)施例中，每個(gè)電極的地址數(shù)據(jù)大于I比特。在一些實(shí)施例中，例如，每個(gè)電極具有I字節(jié)的電極地址(或ID)。
[0059]重新配置選擇的電極組
[0060]圖12是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于重新配置電極的第三模式的數(shù)據(jù)格式的圖示。該第三模式(其在這里可以被稱作“位圖尋址模式”)可以在少于全部電極的配置數(shù)據(jù)要針對(duì)刺激事件變化時(shí)使用。通過(guò)向刺激器IC70提供指示哪些電極要被重新配置的位圖來(lái)指定被重新配置的電極。在提供該位圖之后，提供每個(gè)指定電極的新的配置數(shù)據(jù)。由于從位圖獲知了選擇的電極，并且數(shù)據(jù)傳輸?shù)捻樞蚴枪潭ǖ模阅軌蛟诓惶峁┙邮招屡渲脭?shù)據(jù)的每個(gè)電極的明確電極地址的情況下完成傳輸。第三模式當(dāng)在第二模式中提供的個(gè)別電極的地址比特之和超過(guò)位圖中的比特的數(shù)量時(shí)是有利的。在某些實(shí)施例中，每個(gè)電極由位圖中的一個(gè)比特來(lái)指定。在這樣的實(shí)施例中，位圖中具體比特的數(shù)值可以指示對(duì)應(yīng)于該比特的電極是否要被重新配置。在一些實(shí)施例中，可以使用具有表示每個(gè)電極的一個(gè)比特的四字節(jié)位圖。
[0061]使用相同配置重新配置所有電極:廣播消息
[0062]圖13是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于重新配置電極的第四模式的數(shù)據(jù)格式的圖示。該第四模式在所有電極都要使用相同數(shù)據(jù)重新配置時(shí)可以是有用的。例如，在某些實(shí)施例中，所有電極優(yōu)選地被切換到刺激脈沖之間的相同狀態(tài)。該第四模式(其在這里可以被稱作“廣播尋址模式”或“廣播模式”)允許向所有電極寫(xiě)入一種配置。在這樣的實(shí)施例中，響應(yīng)于接收到與足以對(duì)僅一個(gè)單個(gè)電極進(jìn)行配置的配置數(shù)據(jù)的數(shù)量基本上相等的配置數(shù)據(jù)的數(shù)量，一個(gè)刺激器IC71可以將所接收的配置數(shù)據(jù)應(yīng)用到每個(gè)電極。
[0063]在某些實(shí)施例中，在選擇了重新配置電極的模式之后，可以使用常規(guī)的數(shù)據(jù)格式?？商鎿Q地，可以選擇刺激數(shù)據(jù)格式以使得實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例的好處最大化。
[0064]在某些實(shí)施例中，不同模式需要不同的數(shù)據(jù)量并且因此需要不同的通信帶寬來(lái)實(shí)施。
[0065]在一些實(shí)施例中，第一模式(即，完全重新配置模式)需要I字節(jié)的報(bào)頭以及每個(gè)電極2字節(jié)的配置數(shù)據(jù)。因此，表示該模式所需數(shù)據(jù)量的公式為l+2*Nmax，其中Nmax為最大電極數(shù)。
[0066]在一些實(shí)施例中，第二模式(B卩，個(gè)別尋址模式)需要I字節(jié)的報(bào)頭、每個(gè)電極I字節(jié)的電極ID以及每個(gè)電極2字節(jié)的數(shù)據(jù)。表示該模式所需數(shù)據(jù)量的公式相應(yīng)地為1+3*N。
[0067]在一些實(shí)施例中，第三模式(B卩，位圖尋址模式)需要I字節(jié)的報(bào)頭(其包括位圖的一部分)、4字節(jié)的位圖以及每個(gè)電極2字節(jié)的數(shù)據(jù)，總的數(shù)據(jù)需求為5+2N，其中N是被重新配置的電極數(shù)。
[0068]圖14是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖示對(duì)通信接口 80進(jìn)行操作的不同模式的數(shù)據(jù)需求的曲線圖。能夠看到，當(dāng)僅對(duì)幾個(gè)電極進(jìn)行重新配置時(shí)，個(gè)別尋址模式和位圖尋址模式可以有效得多。
[0069]例如，考慮最大電極數(shù)為36的以下示例。以下表格示出了基于有多少電極配置正在變化的三種不同模式的數(shù)據(jù)需求。
【權(quán)利要求】
1.一種設(shè)備，包括: 第一集成電路(IC)； 第二 1C，被配置為基于接收的數(shù)據(jù)向所述第一 IC提供指令，其中所述第一 IC是高電壓IC,而所述第二 IC是低電壓IC ；以及 在所述第一 IC和所述第二 IC之間的通信接口，包括并行數(shù)據(jù)線路的數(shù)據(jù)總線，其中所述第二 IC被配置為基于所述接收的數(shù)據(jù)選擇多種不同的通信模式中的一種通信模式，以經(jīng)由所述通信接口向所述第一 IC提供所述指令，其中每種模式由被用來(lái)向所述第一 IC提供所述指令的地址數(shù)據(jù)的數(shù)量和配置數(shù)據(jù)的數(shù)量來(lái)定義。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第二IC進(jìn)一步被配置為選擇所述模式之一以降低所述通信接口的功耗。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括: 多個(gè)可尋址組件。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述多種模式包括其中通過(guò)所述通信接口提供所述多個(gè)可尋址組件的子集中的每個(gè)可尋址組件的地址和配置數(shù)據(jù)的模式。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述子集包括比所有所述多個(gè)可尋址組件少的組件。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述多種模式包括其中通過(guò)所述通信接口提供指定所述可尋址組件的子集的位圖以及所述位圖中指定的所述可尋址組件中的每個(gè)可尋址組件的配置數(shù)據(jù)的模式，其中所述子集包括所有所述電極或者比所有所述電極少的電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述多種模式包括其中沒(méi)有地址數(shù)據(jù)被用來(lái)向所述第一 IC提供所述指令的模式。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述第二IC進(jìn)一步被配置為從所述接收的數(shù)據(jù)生成刺激數(shù)據(jù)，并且基于響應(yīng)于所述刺激數(shù)據(jù)所重新配置的所述可尋址組件的數(shù)目而選擇所述多種通信模式中的一種通信模式。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述第二IC包括: 模式選擇模塊，其被配置為選擇所述多種通信模式中的所述一種通信模式。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述多個(gè)可尋址組件是多個(gè)電極，所述指令是刺激指令，所述第一 IC被配置為向多個(gè)電極提供電刺激，并且所述第二 IC被配置為從所述接收的數(shù)據(jù)生成所述刺激指令。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中由所述低電壓IC采用的最高電壓顯著地低于由所述高電壓IC采用的最高電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中由所述高電壓IC采用的所述最高電壓為至少5伏。
13.—種刺激醫(yī)療設(shè)備,包括: 刺激器集成電路(1C)，其被配置為響應(yīng)于刺激指令經(jīng)由多個(gè)電極輸出電刺激；處理器1C，其被配置為基于接收的數(shù)據(jù)向所述刺激器IC提供所述刺激指令；以及在所述刺激器IC和所述處理器IC之間的通信接口，包括并行數(shù)據(jù)線路的數(shù)據(jù)總線，其中所述處理器IC被配置為基于所述接收的數(shù)據(jù)選擇多種不同的通信模式中的一種通信模式，以經(jīng)由所述通信接口向所述刺激器IC提供所述指令，其中每種模式由被用來(lái)向所述刺激器IC提供所述指令的地址數(shù)據(jù)的數(shù)量和配置數(shù)據(jù)的數(shù)量來(lái)定義。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中所述處理器IC被配置為選擇所述模式之一以使得從所述處理器IC通過(guò)所述通信接口向所述刺激器IC提供的數(shù)據(jù)量最小化。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中所述多種模式包括其中通過(guò)所述通信接口提供所述多個(gè)電極的子集中的每個(gè)電極的地址和配置數(shù)據(jù)的模式。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中所述多種模式包括其中通過(guò)所述通信接口提供指定所述多個(gè)電極的子集的位圖以及所述位圖中指定的所述電極中的每個(gè)電極的配置數(shù)據(jù)的模式，其中所述子集包括所有所述電極或者比所有所述電極少的電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中所述子集包括比所有所述多個(gè)電極少的電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中所述多種模式包括至少一個(gè)模式，其中沒(méi)有地址數(shù)據(jù)被用來(lái)向所述刺激器IC提供所述指令。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其中在所述至少一種模式中，通過(guò)所述通信接口提供所述多個(gè)電極中的每個(gè)電極的配置數(shù)據(jù)。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中所述處理器IC包括: 模式選擇模塊，被配置為選擇所述多種通信模式中的所述一種通信模式。
21.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中由所述刺激器IC采用的最高電壓至少兩倍于由所述處理器IC采用的最高電壓。
22.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中所述多種模式包括其中通過(guò)所述通信接口提供實(shí)質(zhì)上等于足以對(duì)僅一個(gè)電極進(jìn)行重新配置的配置數(shù)據(jù)的數(shù)量的配置數(shù)據(jù)的模式，并且其中所述刺激器IC被配置為響應(yīng)于接收所述配置數(shù)據(jù)而將所述配置數(shù)據(jù)應(yīng)用于所述電極中的每個(gè)電極。
23.一種用于操作醫(yī)療設(shè)備的方法，所述醫(yī)療設(shè)備包括刺激器集成電路(1C)，其被配置為響應(yīng)于刺激指令經(jīng)由多個(gè)電極輸出電刺激；處理器1C，其被配置為經(jīng)由具有并行數(shù)據(jù)線路的數(shù)據(jù)總線的通信接口向所述刺激器IC提供所述刺激指令；以及多個(gè)可尋址組件，所述方法包括: 基于由所述處理器IC接收的數(shù)據(jù)選擇多種通信模式中的一種通信模式，其中每種模式由被用來(lái)向所述刺激器IC提供所述指令的地址數(shù)據(jù)的數(shù)量和配置數(shù)據(jù)的數(shù)量來(lái)定義；并且 使用所選擇的通信模式經(jīng)由所述通信接口基于所述接收的數(shù)據(jù)向所述刺激器IC提供所述指令。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中所述選擇所述多種通信模式中的一種通信模式包括使用所述處理器IC選擇所述多種通信模式中的一種通信模式，并且其中所述向所述刺激器IC提供所述指令包括使用所述處理器IC向所述刺激器IC提供所述指令。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，進(jìn)一步包括: 使用所述刺激器IC輸出高電壓刺激信號(hào)。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中所述選擇所述多種通信模式中的一種通信模式包括: 基于響應(yīng)于所述接收的數(shù)據(jù)所重新配置的所述多個(gè)可尋址組件的數(shù)目而選擇所述多種通信模式中的一種通信模式，其中所述多種模式包括其中不通過(guò)所述通信接口提供地址數(shù)據(jù)的模式。
27.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中所述向所述刺激器IC提供所述指令包括: 經(jīng)由所述通信接口提供所述多個(gè)可尋址組件的子集中的每個(gè)可尋址組件的地址和配置數(shù)據(jù)。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中所述子集包括比所有所述電極少的電極。
29.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中所述向所述刺激器IC提供所述指令包括: 經(jīng)由所述通信接口向所述刺激器IC提供指定所述可尋址組件的子集的位圖，以及所述位圖中指定的所述可尋址組件中的每個(gè)可尋址組件的配置數(shù)據(jù)，其中所述子集包括所有所述電極或者比所有所述電極少的`電極。
【文檔編號(hào)】G06F13/14GK103620569SQ201280030049
【公開(kāi)日】2014年3月5日 申請(qǐng)日期:2012年4月13日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月20日
【發(fā)明者】T·范阿斯徹, M·詹森斯, G·卡倫 申請(qǐng)人:耳蝸有限公司