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一種ito電容式觸摸屏的制作方法

文檔序號(hào):6384683閱讀:251來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:一種ito電容式觸摸屏的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有電容觸摸屏的制作工藝,尤其涉及的是一種ITO電容式觸摸屏的制作方法。
背景技術(shù)
隨著iPhone, iPad的驚艷登場(chǎng),極大地推動(dòng)了市場(chǎng)熱情,眾多知名廠商如HP,DELL,長(zhǎng)城,聯(lián)想等也厲兵秣馬,準(zhǔn)備大舉進(jìn)入平板電腦領(lǐng)域,據(jù)市場(chǎng)調(diào)查和分析,2011年中小尺寸電容式觸摸屏供給只能滿足約55%需求,將仍然處于嚴(yán)重供不應(yīng)求狀態(tài),主要由于Samsung,Moto, LG, HTC等品牌智能手機(jī)爆發(fā)性增長(zhǎng)和電容式觸摸屏供應(yīng)商重點(diǎn)擴(kuò)產(chǎn)大尺寸電容式觸摸屏,導(dǎo)致中小尺寸電容式觸摸屏供給增長(zhǎng)不足,也愈來(lái)愈多大陸和臺(tái)灣廠商加入電容式觸摸屏供應(yīng)這一行業(yè)。因此,現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷,需要改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種工藝簡(jiǎn)單、阻抗匹配、節(jié)能高效,并且,貼合無(wú)氣泡的ITO電容式觸摸屏的制作方法。本發(fā)明的技術(shù)方案如下一種ITO電容式觸摸屏的制作方法,包括如下步驟:A :輸入電容觸摸屏的標(biāo)準(zhǔn)工藝條件參數(shù)數(shù)據(jù)和標(biāo)準(zhǔn)使用參數(shù)數(shù)據(jù),模擬電容觸摸屏感應(yīng)層的每條感應(yīng)線路的阻抗,使每條感應(yīng)線路的回路阻抗匹配,形成工藝控制數(shù)據(jù);B :發(fā)送所述工藝控制數(shù)據(jù),控制各生產(chǎn)設(shè)備,制作電容觸摸屏的感應(yīng)層;C :發(fā)送所述工藝控制數(shù)據(jù),控制各生產(chǎn)設(shè)備,采用離子表面處理方式將玻璃觸摸層貼合在所述感應(yīng)層的一面上;D :在貼合玻璃層后的所述感應(yīng)層的另一面上貼合控制層,形成電容觸摸屏成品。應(yīng)用于上述技術(shù)方案,所述的制造方法中,步驟A中,模擬電容觸摸屏感應(yīng)層的每條感應(yīng)線路的電阻值小于等于5K歐姆,并且,模擬各感應(yīng)線路之間的絕緣電阻大于IOM歐姆。應(yīng)用于各個(gè)上述技術(shù)方案,所述的制造方法中,步驟B中,采用雙層ITO作為基板,制作電容觸摸屏的所述感應(yīng)層。應(yīng)用于各個(gè)上述技術(shù)方案,所述的制造方法中,步驟C具體執(zhí)行,采用離子注入的離子表面處理方式將所述玻璃觸摸層貼合在所述感應(yīng)層的一面上。應(yīng)用于各個(gè)上述技術(shù)方案,所述的制造方法中,步驟D中,在所述控制層上設(shè)置至少一 COMS芯片。應(yīng)用于各個(gè)上述技術(shù)方案,所述的制造方法中,步驟D之后,還執(zhí)行步驟E :檢測(cè)所述電容觸摸屏成品,確認(rèn)其實(shí)際使用參數(shù)數(shù)據(jù)與所述標(biāo)準(zhǔn)使用參數(shù)數(shù)據(jù)一致。采用上述方案,本發(fā)明通過(guò)首先對(duì)電容觸摸屏進(jìn)行模擬生產(chǎn)和使用,再將模擬的得到的數(shù)據(jù)自動(dòng)控制各生產(chǎn)設(shè)備,保證了每條感應(yīng)線路的回路阻抗匹配,生產(chǎn)得到的產(chǎn)品節(jié)能高效;此ITO觸摸屏比普通單ITO搭橋技術(shù)更容易量產(chǎn),且生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單,對(duì)設(shè)備要求低,采用離子表面處理方式將玻璃觸摸層貼合在所述感應(yīng)層的一面上,貼合無(wú)氣泡。


圖1為本發(fā)明的制作工藝流程圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。如圖1所示,本實(shí)施例提供了一種雙層ITO電容式觸摸屏的制作方法,所述ITO電容式觸摸屏的制作方法通過(guò)首先對(duì)電容觸摸屏進(jìn)行模擬生產(chǎn)和使用,再將模擬的得到的數(shù)據(jù)自動(dòng)控制各生產(chǎn)設(shè)備,保證了每條回路阻抗匹配,產(chǎn)品節(jié)能高效;此ITO觸摸屏比普通單ITO搭橋技術(shù)更容易量產(chǎn),且生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單,對(duì)設(shè)備要求低。其中,首先進(jìn)行第一步A :在電腦中輸入電容觸摸屏的標(biāo)準(zhǔn)工藝條件參數(shù)數(shù)據(jù)和標(biāo)準(zhǔn)使用參數(shù)數(shù)據(jù),例如,所述標(biāo)準(zhǔn)工藝條件參數(shù)數(shù)據(jù)為各生產(chǎn)設(shè)備的基本參數(shù),如各生產(chǎn)設(shè)備使用的電壓、溫度、控制精度、使用方式等,又如,所述標(biāo)準(zhǔn)使用參數(shù)數(shù)據(jù)包括電容觸摸屏使用時(shí)感應(yīng)層每條線路的排布,以及每條感應(yīng)線路的阻抗,并且在模擬時(shí),使電容觸摸屏感應(yīng)層的使每條感應(yīng)線路的回路阻抗匹配,從而可以提聞電容觸摸屏的觸摸精度和靈敏度,例如,可以通過(guò)模擬使每條感應(yīng)線路的回路阻抗匹配,并模擬使其感應(yīng)厚度可達(dá)3_,感應(yīng)靈敏度可以達(dá)到每秒最聞3萬(wàn)次的掃描速度。并且,模擬完成后,即形成工藝控制數(shù)據(jù),其中,所述工藝控制數(shù)據(jù)包括生產(chǎn)過(guò)程中的曝光面積、曝光時(shí)間、顯影時(shí)間、刻蝕面積、刻蝕位置等的生產(chǎn)控制數(shù)據(jù)。然后,在模擬形成所述工藝控制數(shù)據(jù)后,執(zhí)行步驟B,通過(guò)將各生產(chǎn)設(shè)備與所述電腦連接,分別發(fā)送所述工藝控制數(shù)據(jù)到各生產(chǎn)設(shè)備,通過(guò)所述工藝控制數(shù)據(jù)控制各生產(chǎn)設(shè)備,制作電容觸摸屏的感應(yīng)層,例如,通過(guò)生產(chǎn)設(shè)備根據(jù)所述工藝控制數(shù)據(jù),控制在基板上曝光時(shí)的曝光面積、曝光時(shí)間,顯影時(shí)的顯影時(shí)間,刻蝕時(shí)的刻蝕面積、刻蝕位置等,制作所述電容觸摸屏的感應(yīng)層,其中,各生產(chǎn)設(shè)備為自動(dòng)控制生產(chǎn)設(shè)備,每一生產(chǎn)設(shè)備具有微控制系統(tǒng),其通過(guò)數(shù)據(jù)線與所述電腦連接,接收電腦發(fā)送的所述工藝控制數(shù)據(jù)后,根據(jù)所述工藝控制數(shù)據(jù)中與其所對(duì)應(yīng)的部分?jǐn)?shù)據(jù),控制各生產(chǎn)的進(jìn)行。在完成所述感應(yīng)層制作后,執(zhí)行第三部C,通過(guò)將所述工藝控制數(shù)據(jù)發(fā)送到各生產(chǎn)設(shè)備中,控制各生產(chǎn)設(shè)備,并采用離子表面處理方式將玻璃觸摸層貼合在所述感應(yīng)層的一面上,例如,采用離子注入的方式將玻璃觸摸層貼合在所述感應(yīng)層的一面上,如此,可以杜絕在貼合時(shí),貼合面氣泡的產(chǎn)生,從而避免因起泡的產(chǎn)生而影響觸摸屏的使用性能,提高其感應(yīng)靈敏度。并且,貼合玻璃觸摸層之后,執(zhí)行第四步D,在貼合玻璃層后的所述感應(yīng)層的另一面上貼合控制層,形成電容觸摸屏成品,所述電容觸摸屏在形成各種電子產(chǎn)品時(shí),還通過(guò)與各電子產(chǎn)品的主板、外殼等連接固定,形成各種電子產(chǎn)品?;蛘?,在執(zhí)行第一步A的時(shí)候,還可以模擬電容觸摸屏感應(yīng)層的每條感應(yīng)線路的電阻值小于等于5K歐姆,并且同時(shí),模擬各感應(yīng)線路之間的絕緣電阻大于IOM歐姆,如此,使電容觸摸屏感應(yīng)層的使每條感應(yīng)線路的回路阻抗匹配,感應(yīng)線路靈敏度高,并且,各感應(yīng)線路之間相互影響較小。
又或者,在執(zhí)行第二步驟B中,采用雙層ITO作為基板,制作電容觸摸屏的感應(yīng)層,雙層ITO作為基板,其驅(qū)動(dòng)力較低,在打點(diǎn)劃線測(cè)試方面壽命較高,因此,在制備時(shí),對(duì)生產(chǎn)設(shè)備要求較低。或者,在執(zhí)行第四步D的時(shí)候,在所述控制層上設(shè)置一個(gè)或多個(gè)的COMS芯片,COMS芯片即Complementary Metal Oxide Semiconductor互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體芯片,如此,通過(guò)米用 COMS 芯片,COMS 芯片支持 32 路 CDC (capacitance to digital converter),并且,支持I2C/SPI總線與主CPU通訊,支持MTP媒體傳輸協(xié)議更改通訊時(shí)序及輸出頻率,可以做到與主CPU無(wú)縫通訊,可以解決使用的時(shí)序匹配問(wèn)題。又或者,在執(zhí)行第四步之后,還執(zhí)行第五步E,對(duì)第四步形成的電容觸摸屏成品進(jìn)行檢測(cè),例如,可以通過(guò)檢測(cè)設(shè)備進(jìn)行使用測(cè)試檢測(cè),件檢測(cè)得到的實(shí)際使用參數(shù)數(shù)據(jù)與所述標(biāo)準(zhǔn)使用參數(shù)數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比,在誤差范圍內(nèi),將確認(rèn)其實(shí)際使用參數(shù)數(shù)據(jù)與所述標(biāo)準(zhǔn)使用參數(shù)數(shù)據(jù)一致的電容觸摸屏成品為良品,其他為次品,并通過(guò)設(shè)備將良品和次品分別輸出,從而可以對(duì)次品進(jìn)行回收,提高產(chǎn)品質(zhì)量。應(yīng)當(dāng)理解的是,對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),可以根據(jù)上述說(shuō)明加以改進(jìn)或變換,而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種ITO電容式觸摸屏的制作方法,其特征在于;包括如下步驟A :輸入電容觸摸屏的標(biāo)準(zhǔn)工藝條件參數(shù)數(shù)據(jù)和標(biāo)準(zhǔn)使用參數(shù)數(shù)據(jù),模擬電容觸摸屏感應(yīng)層的每條感應(yīng)線路的阻抗,使每條感應(yīng)線路的回路阻抗匹配,形成工藝控制數(shù)據(jù);B :發(fā)送所述工藝控制數(shù)據(jù),控制各生產(chǎn)設(shè)備,制作電容觸摸屏的感應(yīng)層;C :發(fā)送所述工藝控制數(shù)據(jù),控制各生產(chǎn)設(shè)備,采用離子表面處理方式將玻璃觸摸層貼合在所述感應(yīng)層的一面上;D :在貼合玻璃層后的所述感應(yīng)層的另一面上貼合控制層,形成電容觸摸屏成品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,步驟A中,模擬電容觸摸屏感應(yīng)層的每條感應(yīng)線路的電阻值小于等于5K歐姆,并且,模擬各感應(yīng)線路之間的絕緣電阻大于IOM 歐姆。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,步驟B中,采用雙層ITO作為基板,制作電容觸摸屏的所述感應(yīng)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,步驟C具體執(zhí)行,采用離子注入的離子表面處理方式將所述玻璃觸摸層貼合在所述感應(yīng)層的一面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,步驟D中,在所述控制層上設(shè)置至少一 COMS芯片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于,步驟D之后,還執(zhí)行步驟E:檢測(cè)所述電容觸摸屏成品,確認(rèn)其實(shí)際使用參數(shù)數(shù)據(jù)與所述標(biāo)準(zhǔn)使用參數(shù)數(shù)據(jù)一致。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種ITO電容式觸摸屏的制作方法,包括如下步驟A輸入電容觸摸屏的標(biāo)準(zhǔn)工藝條件參數(shù)數(shù)據(jù)和標(biāo)準(zhǔn)使用參數(shù)數(shù)據(jù),模擬電容觸摸屏感應(yīng)層的每條感應(yīng)線路的阻抗,使每條感應(yīng)線路的回路阻抗匹配,形成工藝控制數(shù)據(jù);B發(fā)送所述工藝控制數(shù)據(jù),控制各生產(chǎn)設(shè)備,制作電容觸摸屏的感應(yīng)層;C發(fā)送所述工藝控制數(shù)據(jù),控制各生產(chǎn)設(shè)備,采用離子表面處理方式將玻璃觸摸層貼合在所述感應(yīng)層的一面上;D在貼合玻璃層后的所述感應(yīng)層的另一面上貼合控制層,形成電容觸摸屏成品。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單、阻抗匹配、節(jié)能高效,并且,貼合無(wú)氣泡。
文檔編號(hào)G06F3/044GK103019491SQ20121055395
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月19日
發(fā)明者裴素英, 陳玥娟 申請(qǐng)人:深圳市子元技術(shù)有限公司
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