專利名稱：用于在存儲(chǔ)設(shè)備和機(jī)器可讀的存儲(chǔ)介質(zhì)中生成物理標(biāo)識(shí)符的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及用于主題設(shè)備(subject device)的識(shí)別或認(rèn)證的方法和裝置，具體來說，涉及生成用于存儲(chǔ)設(shè)備的認(rèn)證的物理標(biāo)識(shí)符的裝置和方法。
背景技術(shù)：
隨著諸如數(shù)字權(quán)利管理(DRM)和拷貝保護(hù)的技術(shù)成為保護(hù)內(nèi)容所必需的技術(shù)，用于對(duì)存儲(chǔ)這些內(nèi)容的包括非易失性存儲(chǔ)(NVM)設(shè)備(例如，固態(tài)盤(SSD)、快閃存儲(chǔ)卡、等等)的存儲(chǔ)設(shè)備進(jìn)行認(rèn)證的技術(shù)也成為實(shí)現(xiàn)拷貝保護(hù)所必需的技木。更具體地說，用于驗(yàn)證(verify)所述存儲(chǔ)設(shè)備的硬件(Hardware, Η/ff)的各個(gè)方面的適合度(suitability)的技術(shù)以及內(nèi)容本身的驗(yàn)證加密技術(shù)已經(jīng)變得必不可少。
作為用于SD (安全數(shù)字)卡的DRM技術(shù)的CPRM (Content Protection forRecordable Media,可記錄介質(zhì)的內(nèi)容保護(hù))以及作為用于藍(lán)光(Blu-rayR )盤的DRM技術(shù)的AACS (AdvancedAccess Content System,高級(jí)訪問內(nèi)容系統(tǒng))為使用其它密碼技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備提供了公開密鑰基礎(chǔ)設(shè)施(Public Key Infrastructure,PKI)或認(rèn)證方法。然而,這樣的公開密鑰基礎(chǔ)設(shè)施(PKI)或認(rèn)證方法不能防止存儲(chǔ)設(shè)備本身的復(fù)制(duplication)。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題傳統(tǒng)的芯片設(shè)計(jì)具有能夠通過在H/W的芯片中插入水印或指紋來識(shí)別有問題的H/W的技木。然而，這個(gè)技術(shù)僅僅用于在剽竊(piracy)已經(jīng)發(fā)生之后檢測(cè)保密內(nèi)容剽竊(security piracy)。因此,該技術(shù)的缺點(diǎn)在于該技術(shù)不能預(yù)先防止復(fù)制、在大規(guī)模生產(chǎn)中效率低、以及難以用于驗(yàn)證設(shè)備在事務(wù)點(diǎn)(即，在指定事務(wù)的時(shí)間和地點(diǎn))的適合度。由于這些缺點(diǎn)，內(nèi)容提供商對(duì)于建立用于通過諸如快閃存儲(chǔ)卡等等的硬件來分發(fā)內(nèi)容的業(yè)務(wù)的可能性采取了消極的態(tài)度。技術(shù)方案因此，本發(fā)明解決上述問題和/或缺點(diǎn)中的至少ー個(gè)。本發(fā)明也提供能夠預(yù)先防止復(fù)制、在大規(guī)模生產(chǎn)中效率高、并且能夠驗(yàn)證設(shè)備在事務(wù)點(diǎn)的適合度的方法。根據(jù)本發(fā)明的ー個(gè)方面，提供一種用于在包括多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域的存儲(chǔ)設(shè)備中生成物理標(biāo)識(shí)符的方法。該方法包含確定用于唯一地識(shí)別存儲(chǔ)設(shè)備的參考存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目；將參考存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目與閾值相比較；生成用于唯一地識(shí)別存儲(chǔ)設(shè)備的輔助存儲(chǔ)區(qū)域，使得輔助存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目與比較的結(jié)果相對(duì)應(yīng)；生成參考存儲(chǔ)區(qū)域和輔助存儲(chǔ)區(qū)域的位置分布信息；以及將位置分布信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)設(shè)備中。根據(jù)本發(fā)明的另ー個(gè)方面，提供記錄用于執(zhí)行用于在存儲(chǔ)設(shè)備中生成物理標(biāo)識(shí)符的方法的程序的機(jī)器可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。該方法包含確定用于唯一地識(shí)別存儲(chǔ)設(shè)備的參考存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目；將參考存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目與閾值相比較；生成用于唯一地識(shí)別存儲(chǔ)設(shè)備的輔助存儲(chǔ)區(qū)域，使得輔助存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目與比較的結(jié)果相對(duì)應(yīng)；生成參考存儲(chǔ)區(qū)域和輔助存儲(chǔ)區(qū)域的位置分布信息；以及將位置分布信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)設(shè)備中。根據(jù)本發(fā)明的另ー個(gè)方面，提供一種用于生成物理標(biāo)識(shí)符的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包含存儲(chǔ)設(shè)備，其包括多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域；以及至少ー個(gè)控制器，用于確定用于唯一地識(shí)別存儲(chǔ)設(shè)備的參考存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目，將參考存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目與閾值相比較，生成用于唯一地識(shí)別存儲(chǔ)設(shè)備的輔助存儲(chǔ)區(qū)域，使得輔助存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目與比較的結(jié)果相對(duì)應(yīng)，生成參考存儲(chǔ)區(qū)域和輔助存儲(chǔ)區(qū)域的位置分布信息，以及將位置分布信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)設(shè)備中。有益效果本發(fā)明的實(shí)施例提供了各種優(yōu)點(diǎn)。例如，OTP區(qū)域的位置或單元圖案(cellpattern)被用作物理標(biāo)識(shí)符，從而用于生成物理標(biāo)識(shí)符的方法可以應(yīng)用于所有產(chǎn)品線，而與制造過程中的階段無關(guān)。此外，每個(gè)產(chǎn)品使用不同選擇的隨機(jī)區(qū)域，從而物理標(biāo)識(shí)符的沖突概率可以被顯著降低。此外，所生成的OTP區(qū)域用于存儲(chǔ)特定信息時(shí)，各個(gè)產(chǎn)品分別使用 不同的區(qū)域，以使代碼信息(code information)的攻擊復(fù)雜度增加,從而增強(qiáng)安全性。再次，特定單元圖案(例如，失效單元圖案)可以被形成在人工生成的參考區(qū)域中，以便特定單元圖案可以在硬件級(jí)別認(rèn)證中被用作存儲(chǔ)器件的指紋。


圖I和圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于生成物理標(biāo)識(shí)符的方法的流程圖；圖3是示意性地示出具有根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的構(gòu)造的存儲(chǔ)設(shè)備的示圖；圖4是示出根據(jù)擦除測(cè)試的存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的狀態(tài)數(shù)據(jù)的示例的示圖；圖5是示出根據(jù)編程測(cè)試的存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的狀態(tài)數(shù)據(jù)的示例的示圖；圖6是示出壞塊中的失效單元圖案(fail cell pattern)的示圖；以及圖7是示出用于設(shè)置閾值K的方法的示圖。
具體實(shí)施例方式在下文中，參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。在下面的描述中，對(duì)已知的有關(guān)功能和組成部分的詳細(xì)解釋可能被省略，以免不必要地使本發(fā)明的主題變得模糊。當(dāng)具有很高價(jià)值的內(nèi)容通過存儲(chǔ)設(shè)備(storage device)或存儲(chǔ)器件(memorydevice)出售或出租時(shí),可以提供防克隆(anti-cloning)技術(shù),通過該技術(shù)可以防止H/W被非法大量復(fù)制。為了使進(jìn)行H/W復(fù)制攻擊(duplication attack)更加困難,期望使用存儲(chǔ)設(shè)備中的每ー個(gè)中所包括的固有特性或特征(即，具有低沖突概率的物理特性或特征)來實(shí)現(xiàn)防克隆技木。例如，這樣的物理特性可以是物理缺陷，比如，壞塊(B卩，有錯(cuò)誤的塊，所述錯(cuò)誤比如編程、擦除或讀取錯(cuò)誤)或失效單元(fail cell)(或壞單元)。然而，隨著各種存儲(chǔ)設(shè)備的制造エ藝的發(fā)展，壞塊的出現(xiàn)頻率已經(jīng)逐漸減小，因此，ー些目前的產(chǎn)品不包含任何壞塊。本發(fā)明的實(shí)施例提供用于生成物理標(biāo)識(shí)符(例如，壞塊或失效單元的位置分布)以便使用存儲(chǔ)設(shè)備的固有物理特性的方法，以及用于通過使用一次性可編程的(One TimeProgrammable, OTP)區(qū)域或塊來生成物理標(biāo)識(shí)符的方法。在下面的描述中，本發(fā)明通過使用OTP區(qū)域生成偽物理標(biāo)識(shí)符。此外，如在下文中詳細(xì)描述的，一般來說，術(shù)語“物理標(biāo)識(shí)符”在這里是指用于唯一地識(shí)別每一個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備的指示。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述物理標(biāo)識(shí)符是通過人工物理缺陷、隨機(jī)OTP區(qū)域、或人工缺陷和隨機(jī)OTP區(qū)域的組合來生成的。偽物理標(biāo)識(shí)符是通過其唯一地識(shí)別存儲(chǔ)設(shè)備中的每ー個(gè)的指示，但不是物理缺陷。在下文中，這里所使用的術(shù)語“物理標(biāo)識(shí)符”被定義為使得偽物理標(biāo)識(shí)符也被視為物理標(biāo)識(shí)符。此外，偽物理標(biāo)識(shí)符可以與物理缺陷組合。例如，偽物理標(biāo)識(shí)符可以包含關(guān)于物理缺陷的信息(例如，失效單元圖案或位置分布)。圖I和圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于生成物理標(biāo)識(shí)符的方法的流程圖。參考圖1，在步驟S100，制造存儲(chǔ)設(shè)備。在步驟S110，將變量初始化。在步驟S120，變量I被増加。在步驟S130，執(zhí)行編程/擦除測(cè)試。在步驟S140，嘗試識(shí)別編程和擦除狀態(tài)數(shù)據(jù)。如果步S140未成功，則在步驟S170，變量N被增加I。然而，如果步驟S140成功，則在步驟S150,執(zhí)行讀取干擾測(cè)試(read disturbance test)。在步驟S160,將ECC允許閾值與失效單元的數(shù)目相比較。如果失效単元的數(shù)目大于ECC閾值，則該方法返回到步驟 S170。然而，如果失效単元的數(shù)目小于或等于ECC允許閾值，則在步驟S180，識(shí)別塊的數(shù)目。在步驟S190，計(jì)算壞塊的產(chǎn)生率。產(chǎn)生率‘P’是失敗的數(shù)目‘N’與塊的總數(shù)的比率。參考圖2，圖I的方法從步驟S 190前進(jìn)到步驟S200，在步驟S200中，計(jì)算閾值K。在步驟S210，將產(chǎn)生壞塊的概率‘F (P)’與值‘K’相比較。如果產(chǎn)生概率F (P)大于K，則在步驟S220，計(jì)算OTP區(qū)域的數(shù)目‘M’。在步驟S230，選擇塊。在步驟S240，將特定信息記錄或存儲(chǔ)在所選擇的塊中。在步驟S250，生成OTP區(qū)域或壞塊。如果產(chǎn)生概率F (P)小于或等于閾值K，則在步驟S260，生成壞塊和失效單元的位置信息。在步驟S270，生成所產(chǎn)生的壞塊和失效單元的位置信息。在跟隨在步驟S260或步驟S270之后的步驟S280，生成物理標(biāo)識(shí)符。在制造存儲(chǔ)設(shè)備的步驟S100，提供具有多個(gè)存儲(chǔ)芯片或存儲(chǔ)設(shè)備的晶片(wafer),并且步驟SlOO可以根據(jù)用于制造晶片的裝置在該晶片中所包括的每ー個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備中單獨(dú)地、順序地或同時(shí)地執(zhí)行。這樣的存儲(chǔ)設(shè)備的示例包括非易失性存儲(chǔ)器(NVM)，比如，固態(tài)盤(SSD)和快閃存儲(chǔ)卡。在下文中，本發(fā)明的實(shí)施例是基于NAND快閃存儲(chǔ)器來描述的，但是本發(fā)明的實(shí)施例不限于此。存儲(chǔ)設(shè)備的示例包括軟盤、柔性盤、硬盤、磁帶、致密盤只讀存儲(chǔ)器(CD-ROM)、光盤、藍(lán)光(Blu-ray )盤、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)、可擦除PROM (EPROM)和快閃EPROM。圖3是示意性地示出具有根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的構(gòu)造的存儲(chǔ)設(shè)備的示圖。參考圖3,NAND快閃存儲(chǔ)器被描述為存儲(chǔ)設(shè)備100的示例。例如，存儲(chǔ)設(shè)備100可以安裝在用作主機(jī)設(shè)備(未示出)的個(gè)人計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器插槽中。在這個(gè)示例中，存儲(chǔ)設(shè)備100與生成物理標(biāo)識(shí)符的主機(jī)設(shè)備執(zhí)行數(shù)據(jù)通信。存儲(chǔ)設(shè)備100與存儲(chǔ)器200和主機(jī)設(shè)備通信，存儲(chǔ)器200包括大小相同的單位存儲(chǔ)區(qū)(unit storage region)。存儲(chǔ)設(shè)備100向存儲(chǔ)器200提供對(duì)來自主機(jī)設(shè)備的請(qǐng)求的響應(yīng)。存儲(chǔ)設(shè)備100包括存儲(chǔ)控制器110，用于輸出控制命令，所述控制命令例如讀命令、寫命令或擦除命令，比如用于讀取程序的命令、向程序?qū)懭氲拿?，或從程序擦除的命令。存?chǔ)控制器110包括糾錯(cuò)碼(ECC)塊120、緩沖RAM 130和OTP固件140，糾錯(cuò)碼(ECC)塊120用于檢測(cè)和糾正從存儲(chǔ)器200掃描的數(shù)據(jù)中所包括的錯(cuò)誤，緩沖RAM 130 (例如，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM))用于臨時(shí)存儲(chǔ)從存儲(chǔ)器200掃描的數(shù)據(jù)或從主機(jī)提供的數(shù)據(jù)，OTP固件140用于控制存儲(chǔ)器200的OTP區(qū)。存儲(chǔ)器200具有層級(jí)結(jié)構(gòu)，其中単元(cell)(例如，比特、字節(jié)、字、等等)組成頁，頁組成塊，而塊組成整個(gè)存儲(chǔ)器。本說明書中使用的術(shù)語“存儲(chǔ)區(qū)(storage region)”是指大小相同的可分割的存儲(chǔ)區(qū)，例如，存儲(chǔ)設(shè)備100中所包括的頁或單元(比特、字節(jié)、字、等
坐、
ノ O存儲(chǔ)器200包括多個(gè)塊210和220，并且一次只能消除一個(gè)塊。每個(gè)塊具有范圍在64Κ字節(jié)到512Κ字節(jié)的大小。每個(gè)塊包括多個(gè)頁并且用作供讀和寫的基本単位。每個(gè)頁具有范圍在512字節(jié)到8Κ字節(jié)的大小。NOR快閃存儲(chǔ)器可以逐字節(jié)或逐字地讀或?qū)?。每個(gè)頁具有被稱為備用區(qū)的額外數(shù)據(jù)區(qū)、緩沖區(qū)、或具有范圍在I字節(jié)到數(shù)百字節(jié)的帶外數(shù) 據(jù)區(qū)(Out Of Band, 00B)ο備用區(qū)用于記錄壞塊標(biāo)記、ECC數(shù)據(jù)、文件系統(tǒng)信息、等等。存儲(chǔ)器200可以包括壞塊表格(BBT)，用于記錄存儲(chǔ)器200的全部塊的狀態(tài)，并且每ー個(gè)塊具有“好”狀態(tài)、“壞”狀態(tài)、或“保留”狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，“保留”狀態(tài)是指不能被(除了存儲(chǔ)設(shè)備的制造商以外的)用戶編程或擦除并且對(duì)于用戶來說是只讀的塊。存儲(chǔ)器200包括塊i到m (包括塊j210和塊k220)，并且塊i到m中的每ー個(gè)都包括具有多個(gè)頁的主區(qū)230以及跟隨在每一個(gè)頁的后面的備用區(qū)230。塊i到m當(dāng)中的塊k 220用于存儲(chǔ)器200的物理特性信息，并且是指被用于唯一地識(shí)別存儲(chǔ)設(shè)備100的參考存儲(chǔ)區(qū)。用于檢測(cè)并且糾正錯(cuò)誤的技術(shù)提供由于各種原因損壞的數(shù)據(jù)的有效回復(fù)。例如，數(shù)據(jù)可能在存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中時(shí)被損壞或者由于數(shù)據(jù)從源被傳送到目的地所通過的數(shù)據(jù)傳輸通道的擾動(dòng)(perturbation)而被損壞。已經(jīng)建議了用于檢測(cè)并且糾正損壞的數(shù)據(jù)的各種方法。公知的用于檢測(cè)錯(cuò)誤的技術(shù)包括Reed-Solomon (RS)碼、漢明碼、Bose-Chaudhuri-Hocquenghem (BCH)碼、循環(huán)冗余碼(CRC)、等等。通過這樣的碼，有可能檢測(cè)并且糾正損壞的數(shù)據(jù)。在使用非易失性存儲(chǔ)器件的大部分應(yīng)用領(lǐng)域中，來自主機(jī)設(shè)備的源數(shù)據(jù)和ECC數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)在一起。ECC數(shù)據(jù)用于糾正在執(zhí)行存儲(chǔ)器的讀操作時(shí)出現(xiàn)的錯(cuò)誤，并且能夠通過ECC數(shù)據(jù)糾正的錯(cuò)誤比特的數(shù)目是有限的。返回參考圖1，更詳細(xì)來說，在初始化變量的步驟SllO中，指示塊數(shù)目的變量I和指示壞塊數(shù)目的變量N被設(shè)置為0，以便跟蹤步驟S120到S 180的重復(fù)迭代的峰值(roof)。在步驟S120，塊數(shù)目增加I。在步驟S 130，存儲(chǔ)控制器110逐塊地執(zhí)行編程/擦除測(cè)試。在步驟S140，存儲(chǔ)控制器110通過存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的狀態(tài)數(shù)據(jù)確定測(cè)試結(jié)果是失敗還是成功(即，通過)。在步驟S170，當(dāng)測(cè)試結(jié)果是失敗時(shí)，相應(yīng)的塊被標(biāo)記為壞塊(例如，在備用區(qū)中指示保留字，比如，“ 000h”)，并且指示壞塊數(shù)目的變量N被増加I。總的來說,存儲(chǔ)器200包括被稱為訪問電路(access circuit)的頁緩沖區(qū)(pagebuffer)，并且頁緩沖區(qū)存儲(chǔ)依據(jù)存儲(chǔ)器操作的性能結(jié)果生成的狀態(tài)數(shù)據(jù)，所述存儲(chǔ)器操作可以是編程(寫)操作、讀操作或擦除操作。狀態(tài)數(shù)據(jù)可以包括多個(gè)比特、例如，對(duì)應(yīng)于頁單元的比特。存儲(chǔ)控制器110可以從存儲(chǔ)器200中存儲(chǔ)的狀態(tài)數(shù)據(jù)中檢測(cè)失效單元位置，并且將包括失效單元的塊標(biāo)記為壞塊。每ー個(gè)壞塊以及包括壞塊中的失效單元的位置信息的單獨(dú)的(separate)表格可以被存儲(chǔ)在一定塊(優(yōu)選為處于保留狀態(tài)的塊)中。下面參考圖4描述擦除測(cè)試。圖4是示出根據(jù)擦除測(cè)試的存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的狀態(tài)數(shù)據(jù)的示例的示圖。為了描述，假設(shè)在開始擦除操作之前狀態(tài)數(shù)據(jù)的每個(gè)比特值都被設(shè)置為“O”。狀態(tài)數(shù)據(jù)的每個(gè)比特值是指相應(yīng)的存儲(chǔ)單元(memory cell)的狀態(tài)(O或I)。在擦除操作中，形成ー個(gè)塊的多個(gè)頁中的每ー頁中所包括的存儲(chǔ)單元中的每ー個(gè)的狀態(tài)變成“I”狀態(tài)。在擦除操作中產(chǎn)生的失效單元是指未變成“ I ”狀態(tài)而保持為“O”狀態(tài)的單元。如圖4中所示，狀態(tài)數(shù)據(jù)中所包括的所有比特當(dāng)中只有第六個(gè)比特保持為“O”狀態(tài)，而剩余的比特都變成“ I”狀態(tài)。存儲(chǔ)控制器Iio可以從存儲(chǔ)器200中存儲(chǔ)的狀態(tài)數(shù)據(jù)的比特值中檢測(cè)失效單元位置。下面參考圖5描述編程測(cè)試。
圖5是示出根據(jù)編程測(cè)試的存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的狀態(tài)數(shù)據(jù)的示例的示圖。為了方便描述，假設(shè)在開始編程操作之前狀態(tài)數(shù)據(jù)的每個(gè)比特值都被設(shè)置為“O”。編程操作是根據(jù)源數(shù)據(jù)將ー個(gè)塊或頁在所包括的所有存儲(chǔ)單元中的至少一部分設(shè)置為“O”狀態(tài)的存儲(chǔ)器操作。此外，在編程測(cè)試中，所有存儲(chǔ)單元都可以被設(shè)置為“O”狀態(tài)。在這樣的編程操作中產(chǎn)生的失效單元是指未變成“O”狀態(tài)而保持在“ I”狀態(tài)的單元。如圖5中所示，狀態(tài)數(shù)據(jù)中所包括的所有比特當(dāng)中只有第六個(gè)比特保持為“I”狀態(tài)，而剩余的比特都變成“O”狀態(tài)。存儲(chǔ)控制器110可以從存儲(chǔ)器200中存儲(chǔ)的狀態(tài)數(shù)據(jù)的比特值中檢測(cè)失效單元的位置。返回參考圖1，在步驟S150，存儲(chǔ)控制器110逐頁或逐塊地執(zhí)行讀測(cè)試。存儲(chǔ)控制器110控制存儲(chǔ)器從而執(zhí)行讀操作。存儲(chǔ)控制器110根據(jù)預(yù)定定時(shí)向存儲(chǔ)器200發(fā)送讀命令和地址，并且存儲(chǔ)器200響應(yīng)于讀命令從對(duì)應(yīng)于該地址的存儲(chǔ)器塊的頁掃描數(shù)據(jù)。所掃描的數(shù)據(jù)被發(fā)送到緩沖RAM或ECC塊120。ECC塊120通過使用該頁的備用區(qū)中存儲(chǔ)的ECC數(shù)據(jù)來檢測(cè)所掃描的數(shù)據(jù)的讀錯(cuò)誤。ECC塊120將錯(cuò)誤比特(B卩，失效単元)的數(shù)目和指示所產(chǎn)生的錯(cuò)誤的位置的錯(cuò)誤位置信息(例如，地址信息)存儲(chǔ)在內(nèi)部寄存器中。在步驟S160，存儲(chǔ)控制器110根據(jù)ECC塊120中存儲(chǔ)的信息確定失效單元的數(shù)目是否超過預(yù)定的ECC允許閾值(S卩，允許的失效單元的數(shù)目)。當(dāng)沒有產(chǎn)生讀錯(cuò)誤時(shí)，存儲(chǔ)控制器110前進(jìn)到步驟S180，在步驟S180，識(shí)別塊編號(hào)。當(dāng)失效單元的數(shù)目超過預(yù)定的ECC允許閾值時(shí)，相應(yīng)的塊被標(biāo)記為壞塊，并且在步驟S 170,壞塊的數(shù)目N增加I。當(dāng)失效單元的數(shù)目N未超過預(yù)定的ECC允許閾值時(shí)，存儲(chǔ)控制器110前進(jìn)到步驟S 190，在步驟S 190，識(shí)別塊編號(hào)。當(dāng)在讀取干擾測(cè)試中發(fā)現(xiàn)失效單元吋，存儲(chǔ)控制器110可以從ECC塊120中存儲(chǔ)的信息中檢測(cè)失效單元的位置，并且將包含壞塊中的失效單元的位置信息的表格存儲(chǔ)在一定塊(優(yōu)選為處于保留狀態(tài)的塊)中。圖6是示出壞塊中的失效單元圖案(fail cell pattern)的示圖。圖6示出特定頁的失效單元圖案，其中所圖示的6*6的單元陣列410和420中，具有物理缺陷的失效單元420被指示為“F”。返回參考圖1，在步驟S180，存儲(chǔ)控制器110確定塊數(shù)目I的值是否與存儲(chǔ)器的塊的總數(shù)目相同。當(dāng)完成了對(duì)所有塊的測(cè)試時(shí)，存儲(chǔ)控制器Iio在步驟S190計(jì)算壞塊的產(chǎn)生率。當(dāng)尚未完成對(duì)所有塊的測(cè)試時(shí)，存儲(chǔ)控制器110前進(jìn)到步驟S120，在步驟S120，變量I增加I。在步驟S190，存儲(chǔ)控制器110計(jì)算P=N/I，P=N/I是壞塊的產(chǎn)生率。更具體地說，產(chǎn)生率被確定為通過將塊的總數(shù)除以壞塊的數(shù)目而得到的值。同時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，計(jì)算壞塊的產(chǎn)生率，以便考慮塊的總數(shù)目(即，整個(gè)存儲(chǔ)器容量)來設(shè)置OTP區(qū)域的適當(dāng)數(shù)目。然而，可以隨機(jī)地設(shè)置產(chǎn)生率或OTP區(qū)域的數(shù)目。此外，可以預(yù)先設(shè)置壞塊的總數(shù)目和OTP區(qū)域的總數(shù)目，并且可以將通過從全部壞塊和全部OTP區(qū)域的總數(shù)目中減去所產(chǎn)生的壞塊的數(shù)目而得到的值設(shè)置為用于物理標(biāo)識(shí)符的OTP區(qū)域的數(shù)目。更詳細(xì)來說，返回參考圖2，在步驟S200，存儲(chǔ)控制器110考慮與所制造的某兩個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備相對(duì)應(yīng)的ー對(duì)區(qū)域具有相同塊或相同圖案(即，位置分布)的概率來計(jì)算閾值K。與本示例不同，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，閾值K可以是隨機(jī)設(shè)置的值(例如，1%)。圖7是示出用于設(shè)置閾值K的方法的示圖。 參考圖7，按如下方式定義用于計(jì)算閾值K的數(shù)學(xué)計(jì)算I :數(shù)學(xué)計(jì)算ICR = P (X = y) = (p2+q2)N在數(shù)學(xué)計(jì)算I中，CR表示平均沖突率(S卩，與所制造的兩個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備相對(duì)應(yīng)的ー對(duì)區(qū)域X和y (區(qū)域X和y中的姆ー個(gè)都是N比特)具有相同圖案的概率)、P (x=y)表示x的第i比特與y的第i比特相同的概率，P表示比特錯(cuò)誤率(BER),并且q=l-p。在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的當(dāng)前示例中，ー個(gè)單元對(duì)應(yīng)于ー個(gè)比特。此外，關(guān)于數(shù)學(xué)計(jì)算1，可以建立下面的近似數(shù)學(xué)計(jì)算數(shù)學(xué)計(jì)算2X*C X*X*CR在數(shù)學(xué)計(jì)算2中，X表示產(chǎn)量(production), C表示平均沖突概率期望(averagecollision probability expectation)。當(dāng)在X產(chǎn)量中選擇某兩個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備時(shí)，CR可以被近似于C/X。例如，當(dāng)在數(shù)學(xué)計(jì)算I中C=1/10000，X 108并且p=10(_7 _9)時(shí)，可以得到N，N用于計(jì)算閾值K。在本實(shí)施例中，N表示可以避免沖突的失效單元的最小數(shù)目，并且N個(gè)單元可以用包括N個(gè)單元的z個(gè)頁或塊來替換(z是某個(gè)自然數(shù))。此外，在數(shù)學(xué)計(jì)算I和2中，比特單元可以用塊單元來替換。在這種情況中，N表示可以避免沖突的壞塊的最小數(shù)目。類似地，比特錯(cuò)誤率可以用塊錯(cuò)誤率來替換。本發(fā)明的實(shí)施例可以生成能夠唯一地識(shí)別存儲(chǔ)設(shè)備的物理標(biāo)識(shí)符。當(dāng)物理性質(zhì)互相沖突時(shí)(即，當(dāng)物理性質(zhì)相同吋)，可能出現(xiàn)物理識(shí)別中的錯(cuò)誤。因此，應(yīng)當(dāng)如上所述考慮沖突概率來設(shè)置閾值K。在步驟S210中，存儲(chǔ)控制器110確定針對(duì)壞塊的產(chǎn)生概率的函數(shù)值F (P)(其具有作為壞塊的產(chǎn)生率的變量P)是否小于或等于閾值K。函數(shù)F (P)和閾值K分別對(duì)應(yīng)于壞塊的產(chǎn)生率和壞塊的最小數(shù)目，或者基于壞塊的產(chǎn)生率和壞塊的最小數(shù)目。當(dāng)函數(shù)F (P)大于閾值K吋，存儲(chǔ)控制器110前進(jìn)到步驟S260以生成壞塊和失效単元的位置信息。存儲(chǔ)控制器110生成在編程/擦除測(cè)試和讀取干擾測(cè)試中識(shí)別出的壞塊的位置分布信息，并且將所生成的信息存儲(chǔ)在一定塊(優(yōu)選為處于保留狀態(tài)中的塊)中。存儲(chǔ)控制器110生成用于記錄存儲(chǔ)器200的全部塊的狀態(tài)的壞塊表格(BBT)，并且存儲(chǔ)所生成的表格。存儲(chǔ)控制器HO也生成通過使用ECC塊120中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)獲得的失效單元的位置分布信息，并且將所生成的信息存儲(chǔ)在一定塊(優(yōu)選為處于保留狀態(tài)中的塊)中。當(dāng)函數(shù)F (P)小于或等于閾值K時(shí)，存儲(chǔ)控制器110前進(jìn)到步驟S220以計(jì)算OTP區(qū)域的數(shù)目。在步驟S220中，存儲(chǔ)控制器110考慮F (P)和閾值K之間的差來計(jì)算M，M是必需的OTP區(qū)域的數(shù)目。在步驟S230中，存儲(chǔ)控制器110選擇所需的OTP區(qū)域(輔助存儲(chǔ)區(qū)域)的M個(gè)塊。在本示例中，逐塊地描述OTP區(qū)域，但是通過除了塊之外的単位存儲(chǔ)區(qū)域來指定OTP區(qū)域。例如，可以逐頁地指定OTP區(qū)域，并且可以通過壞塊圖案或失效單元圖案來定義物理特性。當(dāng)通過失效單元圖案或壞塊圖案和失效單元圖案的組合來定義物理特性時(shí)，可以逐頁地指 定OTP區(qū)域。存儲(chǔ)控制器110可以通過使用隨機(jī)數(shù)生成器來隨機(jī)地選擇塊。此時(shí)，隨機(jī)選擇包括隨機(jī)設(shè)置各個(gè)塊位置或隨機(jī)設(shè)置OTP區(qū)域的開始?jí)K位置或結(jié)束塊位置。存儲(chǔ)控制器110也可以對(duì)于各個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備指定不同的開始?jí)K位置或不同的結(jié)束塊位置。這樣的指定通過按照存儲(chǔ)設(shè)備的序號(hào)的順序逐步地增加或減少開始?jí)K位置或不同的結(jié)束塊位置來實(shí)現(xiàn)。如上所述，通過隨機(jī)地選擇塊位置，為產(chǎn)品中的每ー個(gè)隨機(jī)且不同地選擇的塊成為OTP區(qū)域，由此顯著減少物理特性的沖突概率。在步驟S240中，存儲(chǔ)控制器110可以執(zhí)行如下面描述的若干操作中的至少ー個(gè)操作。第一，存儲(chǔ)控制器110可以在所選擇的塊中生成包括至少ー個(gè)人工失效單元的失效單元圖案。這樣的失效單元或失效單元圖案的生成可以在正常的存儲(chǔ)器制造設(shè)備中執(zhí)行。例如，可以使用公知的激光熔絲(laser fuse)或電熔絲(E-fuse)。第二,存儲(chǔ)控制器110可以在所選擇的塊中生成隨機(jī)數(shù)(B卩，隨機(jī)地設(shè)置單元圖案或比特圖案)。第三，存儲(chǔ)控制器110可以在所選擇的塊中存儲(chǔ)特定信息作為密碼(code)或秘密密鑰(secret key)。在步驟S250中，存儲(chǔ)控制器110生成其中記錄了失效單元圖案的所選擇的塊作為壞塊(g卩，所選擇的塊被標(biāo)記為壞塊)，已經(jīng)生成其中記錄了數(shù)據(jù)的所選擇的塊作為OTP塊(例如，指定所選擇的塊為處于保留狀態(tài)的塊)。處于保留狀態(tài)的塊不能被編程或擦除，并且只能接受讀取操作。在步驟S270中，存儲(chǔ)控制器110生成在編程/擦除測(cè)試和讀取干擾測(cè)試中識(shí)別出的壞塊、人工生成的壞塊和OTP區(qū)域的位置分布信息，并且將所生成的信息存儲(chǔ)在一定塊(優(yōu)選為處于保留狀態(tài)中的塊)中。存儲(chǔ)控制器110生成用于記錄存儲(chǔ)器320的全部塊的狀態(tài)的壞塊表格(BBT)，并且存儲(chǔ)所生成的表格。存儲(chǔ)控制器100也生成通過使用ECC塊120中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)獲得的失效單元的位置分布信息，并且將所生成的信息存儲(chǔ)在具有保留狀態(tài)的一定塊(優(yōu)選為處于保留狀態(tài)中的塊)中。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一般壞塊表格、人工壞塊表格、關(guān)于OTP區(qū)域的表格以及關(guān)于失效単元的表格可以被整體或部分地合并，或者相互分離地保持。此外，OTP區(qū)域可以通過其它狀態(tài)以及“保留”狀態(tài)來指定。
關(guān)于壞塊、OTP區(qū)域和失效單元圖案中的至少ー個(gè)的信息(例如，表格)可以通過使用另ー個(gè)合法主機(jī)設(shè)備可以認(rèn)出(recognize)的加密密鑰(例如，從存儲(chǔ)設(shè)備的許可代理(license agency)提供的加密密鑰來加密并且以加密狀態(tài)來存儲(chǔ)。在步驟S280，存儲(chǔ)控制器110通過使用關(guān)于壞塊、OTP區(qū)域和失效單元圖案中的至少ー個(gè)的信息來生成關(guān)于存儲(chǔ)設(shè)備的物理標(biāo)識(shí)符。壞塊和OTP區(qū)域的位置信息以及失效單元圖案可以通過各種方法來表示，并且可以通過對(duì)于表示值和其它值使用密碼技術(shù)(比如，哈希(hash)函數(shù))來生成具有特定長度的固有物理標(biāo)識(shí)符。這樣的物理標(biāo)識(shí)符不一定需要具有固定的長度，并且壞塊和OTP區(qū)域的信息以及失效單元圖案本身可以起到物理標(biāo)識(shí)符的作用。例如，當(dāng)失效單元圖案與圖6中示出的圖案相同時(shí)，失效單元中的每ー個(gè)的位置可以通過x-y坐標(biāo)(比如，(3，I)、(1，2)和(3，3))來表示。通過使用壞塊和所選擇的塊的位置來獲得后面的值，即，失效單元圖案和哈希函數(shù)(例如，安全哈希算法I (SHA-I)和消息摘要算法5 (MD5)的表示的值，其中失效單元圖案的表示是記錄x-y坐標(biāo)的表格或陣列。 從應(yīng)用到塊的物理位置信息、失效單元圖案的表示和可能的其它信息的組合的哈希函數(shù)導(dǎo)出物理標(biāo)識(shí)符。當(dāng)存儲(chǔ)設(shè)備100位于主機(jī)設(shè)備內(nèi)部或外部并且存儲(chǔ)設(shè)備100 (有線或無線地)連接到主機(jī)設(shè)備時(shí)，物理標(biāo)識(shí)符可以被主機(jī)設(shè)備用于認(rèn)證該存儲(chǔ)設(shè)備。例如，主機(jī)設(shè)備可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)并且存儲(chǔ)設(shè)備100可以是安裝在個(gè)人計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器插槽中的NAND快閃存儲(chǔ)器。在這種情況下，主機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)設(shè)備100通過主機(jī)設(shè)備中的總線執(zhí)行數(shù)據(jù)通信。主機(jī)設(shè)備的示例不限于此，但是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的其它主機(jī)設(shè)備包括計(jì)算機(jī)、膝上型電腦、移動(dòng)裝置、便攜裝置、因特網(wǎng)協(xié)議電視、便攜媒體播放器、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)等等。下面的描述中，物理標(biāo)識(shí)符是指壞塊和所選擇的塊的圖案以及失效單元圖案。物理標(biāo)識(shí)符可以被用作認(rèn)證信息。例如，認(rèn)證信息可以通過認(rèn)證值=(物理標(biāo)識(shí)符、簽名=Sign (PK_LicenseAgency、物理標(biāo)識(shí)符))來表示。也就是說，作為認(rèn)證值(Authenticationjalue)的認(rèn)證信息可以包括物理標(biāo)識(shí)符和許可代理的電子簽名值“Signature”。更具體地說，電子簽名值是被許可代理的秘密密鑰“PK_LicenseAgency”簽名的具有物理特性的哈希值。認(rèn)證信息“認(rèn)證值”可以是存儲(chǔ)器320中已經(jīng)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)或存儲(chǔ)控制器330使用存儲(chǔ)器320中存儲(chǔ)的構(gòu)成元素(其包括許可代理的秘密密鑰(即，PK_LicenseAgency)和物理標(biāo)識(shí)符)生成的數(shù)據(jù)。主機(jī)設(shè)備可以通過下面描述的兩個(gè)認(rèn)證信息驗(yàn)證步驟來認(rèn)證存儲(chǔ)設(shè)備。第一認(rèn)證信息驗(yàn)證步驟對(duì)應(yīng)于公鑰基礎(chǔ)設(shè)施(PKI)的軟件認(rèn)證過程。在第一認(rèn)證信息驗(yàn)證步驟中，主機(jī)設(shè)備通過向電子簽名值應(yīng)用許可的公鑰(其已被認(rèn)出)而解碼出物理標(biāo)識(shí)符的原始哈希值，計(jì)算物理標(biāo)識(shí)符的哈希值，然后比較這兩個(gè)值，來執(zhí)行第一認(rèn)證。第ー認(rèn)證信息驗(yàn)證步驟S60是可選步驟，根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施例，其可以被省略。在本示例中，使用ΡΚΙ，但是根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施例可以使用某些其它密碼方案，比如，對(duì)稱密鑰加密方案等等。第二認(rèn)證信息驗(yàn)證步驟是硬件認(rèn)證過程，其中主機(jī)設(shè)備確定物理標(biāo)識(shí)符信息和存儲(chǔ)設(shè)備的測(cè)試結(jié)果彼此是否相同或相似。關(guān)于第二信息認(rèn)證步驟，首先，基于物理缺陷的驗(yàn)證方法被描述如下。主機(jī)設(shè)備可以控制存儲(chǔ)設(shè)備以執(zhí)行讀取干擾測(cè)試，并且將錯(cuò)誤位置信息(例如，表示錯(cuò)誤比特(即，失效単元)的編號(hào)的地址信息，以及產(chǎn)生錯(cuò)誤的位置)與物理標(biāo)識(shí)符相比較。換句話說，主機(jī)設(shè)備確定測(cè)試結(jié)果是否與物理標(biāo)識(shí)符信息相同或相似。主機(jī)設(shè)備也可以控制存儲(chǔ)設(shè)備以執(zhí)行讀取干擾測(cè)試，并且確定測(cè)試結(jié)果是否與物理標(biāo)識(shí)符信息相同或相似。隨后，在基于沒有物理缺陷的OTP區(qū)域的驗(yàn)證方法中，主機(jī)設(shè)備確定所測(cè)試的OTP區(qū)域圖案是否與物理標(biāo)識(shí)符信息相同或相似。OTP區(qū)域的識(shí)別可以基于對(duì)于OTP區(qū)域是否具有“保留”狀態(tài)或OTP區(qū)域中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)圖案是否與預(yù)定圖案相同的確定來實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的實(shí)施例可以通過硬件、軟件以及硬件和軟件的組合來實(shí)現(xiàn)。例如，軟件可以以可重寫或固定格式存儲(chǔ)在易失性或非易失性存儲(chǔ)設(shè)備中，易失性或非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，比如，ROM、諸如RAM、存儲(chǔ)芯片、器件或集成電路的存儲(chǔ)器、以及諸如CD、數(shù)字多用盤(DVD)、磁盤、磁帶等等的光或磁可記錄且機(jī)器可讀的存儲(chǔ)介質(zhì)?？梢园ㄔ谥鳈C(jī)設(shè)備中的 存儲(chǔ)單元是包括用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施例的指令的程序或者適合于存儲(chǔ)該程序的機(jī)器可讀的存儲(chǔ)介質(zhì)的示例。因此，本發(fā)明的實(shí)施例可以包括用于實(shí)現(xiàn)所描述的系統(tǒng)和方法的代碼的程序，并且還可以包括用于存儲(chǔ)這樣的程序的機(jī)器可讀的存儲(chǔ)介質(zhì)。此外，該程序可以通過諸如通過有線或無線連接傳送的通信信號(hào)的特定媒介來以電子方式傳輸，并且本發(fā)明的實(shí)施例還包括其各種等效物。
權(quán)利要求
1.一種用于在包括多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域的存儲(chǔ)設(shè)備中生成物理標(biāo)識(shí)符的方法，該方法包含 確定用于唯一地識(shí)別存儲(chǔ)設(shè)備的參考存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目； 將參考存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目與閾值相比較； 生成用于唯一地識(shí)別存儲(chǔ)設(shè)備的輔助存儲(chǔ)區(qū)域，使得輔助存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目與比較的結(jié)果相對(duì)應(yīng)； 生成參考存儲(chǔ)區(qū)域和輔助存儲(chǔ)區(qū)域的位置分布信息；以及 將位置分布信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)設(shè)備中。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述參考存儲(chǔ)區(qū)域和輔助存儲(chǔ)區(qū)域二者都是壞塊。
3.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述參考存儲(chǔ)區(qū)域是壞塊，而所述輔助存儲(chǔ)區(qū)域是只讀存儲(chǔ)塊。
4.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述參考存儲(chǔ)區(qū)域和輔助存儲(chǔ)區(qū)域二者都是只讀存儲(chǔ)塊。
5.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，確定參考存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目包含 確定多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域當(dāng)中具有編程或擦除錯(cuò)誤的壞塊；以及 確定多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域當(dāng)中具有讀取錯(cuò)誤的壞塊。
6.如權(quán)利要求I所述的方法，進(jìn)ー步包含加密所述位置分布信息，其中，加密的位置分布信息被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)設(shè)備中。
7.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述輔助存儲(chǔ)區(qū)域是從多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域當(dāng)中隨機(jī)選擇的區(qū)域。
8.—種記錄用于執(zhí)行用于在包括多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域的存儲(chǔ)設(shè)備中生成物理標(biāo)識(shí)符的方法的程序的機(jī)器可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包含 確定用于唯一地識(shí)別存儲(chǔ)設(shè)備的參考存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目； 將參考存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目與閾值相比較； 生成用于唯一地識(shí)別存儲(chǔ)設(shè)備的輔助存儲(chǔ)區(qū)域，使得輔助存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目與比較的結(jié)果相對(duì)應(yīng)； 生成參考存儲(chǔ)區(qū)域和輔助存儲(chǔ)區(qū)域的位置分布信息；以及 將位置分布信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)設(shè)備中。
9.如權(quán)利要求8所述的機(jī)器可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，所述參考存儲(chǔ)區(qū)域和輔助存儲(chǔ)區(qū)域二者都是壞塊。
10.如權(quán)利要求8所述的機(jī)器可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，所述參考存儲(chǔ)區(qū)域是壞塊，而所述輔助存儲(chǔ)區(qū)域是只讀存儲(chǔ)塊。
11.如權(quán)利要求8所述的機(jī)器可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，所述參考存儲(chǔ)區(qū)域和輔助存儲(chǔ)區(qū)域二者都是只讀存儲(chǔ)塊。
12.如權(quán)利要求8所述的機(jī)器可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，確定參考存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目包含 確定多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域當(dāng)中具有編程或擦除錯(cuò)誤的壞塊；以及 確定多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域當(dāng)中具有讀取錯(cuò)誤的壞塊。
13.如權(quán)利要求8所述的機(jī)器可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，進(jìn)一歩包含加密所述位置分布信息，其中，加密的位置分布信息被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)設(shè)備中。
14.如權(quán)利要求8所述的機(jī)器可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，所述輔助存儲(chǔ)區(qū)域是從多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域當(dāng)中隨機(jī)選擇的區(qū)域。
15.—種用于生成物理標(biāo)識(shí)符的系統(tǒng),包含 存儲(chǔ)設(shè)備，包括多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域；以及 至少ー個(gè)控制器，用于確定用于唯一地識(shí)別存儲(chǔ)設(shè)備的參考存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目，將參考存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目與閾值相比較，生成用于唯一地識(shí)別存 儲(chǔ)設(shè)備的輔助存儲(chǔ)區(qū)域，使得輔助存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目與比較的結(jié)果相對(duì)應(yīng)，生成參考存儲(chǔ)區(qū)域和輔助存儲(chǔ)區(qū)域的位置分布信息，并且將位置分布信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)設(shè)備中。
全文摘要
提供用于在包括多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域的存儲(chǔ)設(shè)備中生成物理標(biāo)識(shí)符的方法和系統(tǒng)。該方法包含確定用于唯一地識(shí)別存儲(chǔ)設(shè)備的參考存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目；將參考存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目與閾值相比較；生成用于唯一地識(shí)別存儲(chǔ)設(shè)備的輔助存儲(chǔ)區(qū)域，使得輔助存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)目與比較的結(jié)果相對(duì)應(yīng)；生成參考存儲(chǔ)區(qū)域和輔助存儲(chǔ)區(qū)域的位置分布信息；以及將位置分布信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)設(shè)備中。
文檔編號(hào)G06F12/14GK102844746SQ201180018640
公開日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2011年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月12日
發(fā)明者姜甫暻, 高禎完, 崔壽煥, 黃盛凞, 李炳來 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社