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電容式感測陣列中的準(zhǔn)確度的改進(jìn)的制造方法與工藝

文檔序號:11432447閱讀:來源:國知局
電容式感測陣列中的準(zhǔn)確度的改進(jìn)的制造方法與工藝

技術(shù)特征:
1.一種電容式感測陣列,所述電容式感測陣列包括:第一組感測元件,其包括第一感測元件,所述第一感測元件包括布置在第一縱軸上的多個(gè)第一子部分;第二組感測元件,其包括第二感測元件和第三感測元件,所述第二感測元件包括布置在所述第一縱軸上的多個(gè)第二子部分,所述第三感測元件包括布置在所述第一縱軸上的多個(gè)第三子部分;以及第三組感測元件,其包括第四感測元件,所述第四感測元件被布置在與所述第一縱軸基本上垂直的第二縱軸上,所述第三組感測元件被形成在第一層材料中;其中:所述多個(gè)第一子部分中的每一個(gè)、所述多個(gè)第二子部分中的每一個(gè)和所述多個(gè)第三子部分中的每一個(gè)在所述第一縱軸上相對于彼此移動和交錯(cuò);所述多個(gè)第一子部分、所述多個(gè)第二子部分和所述多個(gè)第三子部分是錐形的,且被形成在第二單層的光學(xué)透射傳導(dǎo)性材料中;所述多個(gè)第一子部分、所述多個(gè)第二子部分和所述多個(gè)第三子部分中的每一個(gè)包括沿著所述第一縱軸延伸的細(xì)長部分,且所述多個(gè)第一子部分、所述多個(gè)第二子部分和所述多個(gè)第三子部分中的每一個(gè)被物理耦合到所述第二單層內(nèi)的相應(yīng)感測元件的其他子部分;以及所述多個(gè)第一子部分跨坐在所述多個(gè)第二子部分中的至少一個(gè)第二子部分并且還跨坐在所述多個(gè)第三子部分中的至少一個(gè)第三子部分上。2.如權(quán)利要求1所述的電容式感測陣列,其中,所述第一組感測元件和所述第二組感測元件被布置成在單個(gè)維度上檢測接近所述電容式感測陣列的傳導(dǎo)性物體。3.如權(quán)利要求1所述的電容式感測陣列,其中,所述第一組感測元件、所述第二組感測元件和所述第三組感測元件被布置成在兩個(gè)維度上檢測接近所述電容式感測陣列的傳導(dǎo)性物體。4.如權(quán)利要求1所述的電容式感測陣列,其中,所述第一感測元件包括三個(gè)第一子部分,所述第二感測元件包括三個(gè)第二子部分,以及所述第三感測元件包括三個(gè)第三子部分,其中所述第一子部分、第二子部分和第三子部分基本上為細(xì)長形。5.如權(quán)利要求1所述的電容式感測陣列,其中,所述電容式感測陣列被耦合到處理設(shè)備,所述處理設(shè)備被配置成:測量從所述第一組感測元件提取的第一多個(gè)信號的第一互容值;測量從所述第二組感測元件提取的第二多個(gè)信號的第二互容值;根據(jù)所述第一互容值,確定針對所述第一組感測元件的第一坐標(biāo)值;根據(jù)所述第二互容值,確定針對所述第二組感測元件的第二坐標(biāo)值;以及提供傳導(dǎo)性物體在所述電容式感測陣列上的位置,包括對所述第一坐標(biāo)值和所述第二坐標(biāo)值求平均。6.一種用于檢測觸摸事件的系統(tǒng),包括:電容式感測陣列,所述電容式感測陣列包括:第一組感測元件,所述第一組感測元件包括第一感測元件,所述第一感測元件包括布置在第一縱軸上的多個(gè)第一子部分;第二組感測元件,所述第二組感測元件包括第二感測元件和第三感測元件,所述第二感測元件包括布置在所述第一縱軸上的多個(gè)第二子部分,所述第三感測元件包括布置在所述第一縱軸上的多個(gè)第三子部分;以及第三組感測元件,其包括第四感測元件,所述第四感測元件被布置在與所述第一縱軸基本上垂直的第二縱軸上,所述第三組感測元件被形成在第一層材料中;其中:所述多個(gè)第一子部分中的每一個(gè)、所述多個(gè)第二子部分中的每一個(gè)和所述多個(gè)第三子部分中的每一個(gè)在所述第一縱軸上相對于彼此移動和交錯(cuò);所述多個(gè)第一子部分、所述多個(gè)第二子部分和所述多個(gè)第三子部分是錐形的,且被形成在第二單層的光學(xué)透射傳導(dǎo)性材料中;所述多個(gè)第一子部分、所述多個(gè)第二子部分和所述多個(gè)第三子部分中的每一個(gè)包括沿著所述第一縱軸延伸的細(xì)長部分,且所述多個(gè)第一子部分、所述多個(gè)第二子部分和所述多個(gè)第三子部分中的每一個(gè)被物理耦合到所述第二單層內(nèi)的相應(yīng)感測元件的其他子部分;以及所述多個(gè)第一子部分跨坐在所述多個(gè)第二子部分中的至少一個(gè)第二子部分并且還跨坐在所述多個(gè)第三子部分中的至少一個(gè)第三子部分上;以及處理設(shè)備,所述處理設(shè)備被耦合到所述電容...
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