專利名稱：一種新型的mosfet nqs模型及電路仿真方法
技術領域：
本發(fā)明屬于EDA(電子設計自動化)領域。特別地，涉及一種半導體器件模型的建模方法，以及一種基于這種器件模型的電路仿真方法。
2.
背景技術：
好的電路仿真器能幫助電路設計者預測出所設計電路的準確性能。集成電路是由各種半導體器件通過節(jié)點連接起來的一個電路網絡，電路仿真器的工作原理就是求解基于這個電路網絡的電學方程，從而得到電路的各種分析結果。對于有η個節(jié)點的電路，在某個時刻t，節(jié)點k上的電路方程為
權利要求
1.一種新型的MOSFET NQS模型，其特征在于基于電荷的弛豫時間近似，包括了所有 M0SFET本征電荷Qd，Qg，Qs和Qb的NQS模型。
2.一種新型的基于MOSFETNQS模型的電路仿真方法，其特征在于通過器件電荷計算 的平衡值，上一時刻電荷的實際值，以及弛豫時間因子，直接對當前時刻的節(jié)點電荷進行求解。
3.如權利要求2所述的一種新型的基于MOSFETNQS模型的電路仿真方法，其特征在于漏極本征電荷Qd (t)的計算方法為:
4.如權利要求3所述的漏極電荷Qd(t)的計算方法，td的計算方法為
5.如權利要求2所述的一種新型的基于MOSFETNQS模型的電路仿真方法，其特征在于 源極本征電荷Qs(t)的計算方法為
6.如權利要求5所述的漏極電荷Qs(t)的計算方法，ts的計算方法為
7.如權利要求2所述的一種新型的基于MOSFETNQS模型的電路仿真方法，其特征在于襯底本征電荷的Qb(t)計算方法為
8.如權利要求7所述的襯底電荷Qb(t)的計算方法，Tb的計算方法為
9.如權利要求2所述的一種新型的基于MOSFETNQS模型的電路仿真方法，其特征在于 柵極電荷％(0 的計算方法為Qg(t) = _[Qd(t)+Qs(t)+Qb(t)]。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種新的基于電荷弛豫時間近似的MOSFET NQS模型及電路仿真方法。這種模型通過當前時刻器件電荷的計算平衡值，上一時刻電荷的實際值，以及弛豫時間因子，直接對當前時刻的節(jié)點電荷進行求解，其仿真結果和Bsim3 NQS模型完全一致。另外，這種NQS模型考慮了MOSFET所有端本征電荷的作用。和Bsim3 NQS模型相比，這種模型減少了電路仿真所消耗的內存，節(jié)約了仿真時間，它使得高頻電路的瞬態(tài)分析更加精確。這種模型不僅能對強反型的器件進行瞬態(tài)仿真，而且還可對處于亞閾區(qū)MOSFET的襯底電流和柵電流進行準確分析。
文檔編號G06F17/50GK102592006SQ20111045131
公開日2012年7月18日 申請日期2011年12月28日 優(yōu)先權日2011年12月28日
發(fā)明者吳大可, 尚也淳, 程明厚 申請人:北京華大九天軟件有限公司