專利名稱：觸摸基底和制造該觸摸基底的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種觸摸基底和一種制造該觸摸基底的方法。更具體地講，本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種包括靈敏度得到提高的感測(cè)元件的觸摸基底和一種制造該觸摸基底的方法。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示(IXD)面板包括第一基底，薄膜晶體管形成在第一基底上，以驅(qū)動(dòng)像素區(qū)域；第二基底，與第一基底相對(duì)設(shè)置；液晶層，設(shè)置在第一基底和第二基底之間。LCD面板可用作由外部觸摸操作的觸摸面板。在傳統(tǒng)的LCD觸摸面板中，LCD面板的第二基底可包括感測(cè)元件以及控制該感測(cè)元件的開關(guān)元件。當(dāng)觸摸LCD面板時(shí)，感測(cè)元件吸收波長(zhǎng)在預(yù)定波長(zhǎng)范圍內(nèi)的入射光，以產(chǎn)生光電流。連接到LCD面板的中央處理單元可利用該光電流以及在入射光被吸收之前所確定的感測(cè)元件的暗電流(dark current)來確定觸摸位置。感測(cè)元件通常具有不同于開關(guān)元件的電特性。開關(guān)元件通常利用柵極信號(hào)來控制導(dǎo)通和截止。相比之下，IXD面板的感測(cè)元件產(chǎn)生光電流，所以感測(cè)元件可對(duì)入射光具有高靈敏度。為了提高感測(cè)元件的靈敏度，可大幅增加接收入射光的有源圖案的尺寸，或者可大幅增加有源圖案的厚度。然而，當(dāng)有源圖案的尺寸增加時(shí)，設(shè)置在觸摸面板上的感測(cè)元件的數(shù)量可能會(huì)大幅減少。此外，當(dāng)有源圖案的厚度增加時(shí)，處理時(shí)間可能會(huì)大幅增加，并且基體基底可能會(huì)因高應(yīng)力而彎曲。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供一種觸摸靈敏度得到提高的觸摸基底。本發(fā)明的示例性實(shí)施例還提供一種制造所述觸摸基底的方法。在示例性實(shí)施例中，觸摸基底包括基體基底、第一感測(cè)元件和第一可變電壓部分。 所述第一感測(cè)元件感測(cè)第一光，并包括第一有源圖案，設(shè)置在所述基體基底上；第一感測(cè)源電極，設(shè)置在所述第一有源圖案上；第一感測(cè)漏電極，設(shè)置在所述第一有源圖案上并與所述第一感測(cè)源電極隔開；第一感測(cè)柵電極，設(shè)置在所述第一感測(cè)源電極和所述第一感測(cè)漏電極上。所述第一可變電壓部分在接收所述第一光的基礎(chǔ)上將第一感測(cè)柵極電壓和第二感測(cè)柵極電壓中的至少一種提供到所述第一感測(cè)柵電極，其中，所述第二感測(cè)柵極電壓的電平高于所述第一感測(cè)柵極電壓的電平。在示例性實(shí)施例中，當(dāng)沒有接收到所述第一光時(shí)，所述第一可變電壓部分可將所述第一感測(cè)柵極電壓提供到所述第一感測(cè)柵電極，當(dāng)接收到所述第一光時(shí)，所述第一可變電壓部分可將所述第二感測(cè)柵極電壓提供到所述第一感測(cè)柵電極。在示例性實(shí)施例中，所述觸摸基底還可包括第一開關(guān)元件，所述第一開關(guān)元件包括第一開關(guān)柵電極、第二有源圖案、第一開關(guān)源電極和第一開關(guān)漏電極，所述第二有源圖案設(shè)置在所述第一開關(guān)柵電極上，所述第一開關(guān)源電極設(shè)置在所述第二有源圖案上，所述第一開關(guān)漏電極設(shè)置在所述第二有源圖案上并與所述第一開關(guān)源電極隔開；第一感測(cè)柵極線，電連接到所述第一開關(guān)柵電極，以將第一感測(cè)柵極信號(hào)傳輸?shù)剿龅谝婚_關(guān)柵電極；第一偏置電壓線，電連接到所述第一感測(cè)源電極，以將第一偏置電壓傳輸?shù)剿龅谝桓袦y(cè)源電極；第二偏置電壓線，電連接到所述第一可變電壓部分，以將第二偏置電壓傳輸?shù)剿龅谝豢勺冸妷翰糠帧Ｔ谑纠詫?shí)施例中，所述第一可變電壓部分可包括第一光阻擋圖案，阻擋所述第一光；第一可變?cè)措姌O，設(shè)置在所述第一光阻擋圖案上并電連接到所述第一偏置電壓線； 第二可變?cè)措姌O，電連接到所述第二偏置電壓線；第一共漏電極，與所述第一可變?cè)措姌O和所述第二可變?cè)措姌O分開地設(shè)置在所述第一可變?cè)措姌O和所述第二可變?cè)措姌O之間，其中，所述第一共漏電極電連接到所述第一感測(cè)柵電極；第一公共有源圖案，設(shè)置在所述第一可變?cè)措姌O、所述第二可變?cè)措姌O以及所述第一共漏電極之下；第一共柵電極，設(shè)置在所述第一可變?cè)措姌O、所述第二可變?cè)措姌O以及所述第一共漏電極上，并與所述第一公共有源圖案疊置。在示例性實(shí)施例中，所述第一共柵電極可電連接到所述第二可變?cè)措姌O，以接收所述第二偏置電壓。在示例性實(shí)施例中，所述第一可變電壓部分可包括第一光阻擋圖案，阻擋所述第一光；第一輸入電極，設(shè)置在所述第一光阻擋圖案上并電連接到所述第一偏置電壓線；第二輸入電極，電連接到所述第二偏置電壓線；第一共輸出電極，與所述第一輸入電極和所述第二輸入電極分開地設(shè)置在所述第一輸入電極和所述第二輸入電極之間，其中，所述第一共輸出電極電連接到所述第一感測(cè)柵電極；第一公共有源圖案，設(shè)置在所述第一輸入電極、 所述第二輸入電極以及所述第一共輸出電極之下。在示例性實(shí)施例中，所述觸摸基底還可包括第二開關(guān)元件，所述第二開關(guān)元件包括第二開關(guān)柵電極、第三有源圖案、第二開關(guān)源電極和第二開關(guān)漏電極，所述第三有源圖案設(shè)置在所述第二開關(guān)柵電極上，所述第二開關(guān)源電極設(shè)置在所述第三有源圖案上，所述第二開關(guān)漏電極設(shè)置在所述第三有源圖案上并與所述第二開關(guān)源電極隔開；第二感測(cè)元件， 感測(cè)第二光，其中，所述第二感測(cè)元件包括第二感測(cè)漏電極、第二感測(cè)源電極、第四有源圖案和第二感測(cè)柵電極，所述第二感測(cè)漏電極電連接到所述第二開關(guān)源電極，所述第二感測(cè)源電極與所述第二感測(cè)漏電極分開設(shè)置，所述第四有源圖案設(shè)置在所述第二感測(cè)漏電極和所述第二感測(cè)源電極之下，所述第二感測(cè)柵電極設(shè)置在所述第二感測(cè)漏電極和所述第二感測(cè)源電極上；第二可變電壓部分，在接收所述第二光的基礎(chǔ)上將第三感測(cè)柵極電壓和第四感測(cè)柵極電壓中的至少一種提供到所述第二感測(cè)柵電極，其中，所述第四感測(cè)柵極電壓的電平高于所述第三感測(cè)柵極電壓的電平。在示例性實(shí)施例中，所述觸摸基底還可包括第二感測(cè)柵極線，電連接到所述第二開關(guān)柵電極；第一讀出線，電連接到所述第一開關(guān)漏電極，以從所述第一感測(cè)元件輸出第一感測(cè)信號(hào)；第二讀出線，電連接到所述第二開關(guān)漏電極，以從所述第二感測(cè)元件輸出第二感測(cè)信號(hào)。在示例性實(shí)施例中，所述觸摸基底還可包括第二光阻擋圖案，設(shè)置在所述第一感測(cè)元件之下，其中，所述第一光是紅外光，所述第二光是可見光，所述第二光阻擋圖案透射所述第一光并吸收所述第二光。
在示例性實(shí)施例中，所述觸摸基底還可包括第二光阻擋圖案，設(shè)置在所述第二感測(cè)元件之下，其中，所述第一光是可見光，所述第二光是紅外光，所述第二光阻擋圖案透射所述第二光并吸收所述第一光。在另一示例性實(shí)施例中，一種制造觸摸基底的方法包括在基體基底上設(shè)置第一光阻擋圖案；在設(shè)置有所述第一光阻擋圖案的所述基體基底上設(shè)置第一有源圖案和第一公共有源圖案，其中，將所述第一公共有源圖案設(shè)置成與所述第一光阻擋圖案疊置；在所述第一有源圖案上設(shè)置第一感測(cè)源電極和第一感測(cè)漏電極，其中，所述第一感測(cè)源電極與所述第一感測(cè)漏電極彼此隔開；在所述第一公共有源圖案上設(shè)置第一可變?cè)措姌O、第一共漏電極和第二可變?cè)措姌O，其中，所述第一可變?cè)措姌O、所述第一共漏電極與所述第二可變?cè)措姌O相互隔開；在所述第一感測(cè)源電極和所述第一感測(cè)漏電極上設(shè)置第一感測(cè)柵電極，并將所述第一感測(cè)柵電極電連接到所述第一共漏電極，在所述第一可變?cè)措姌O、所述第二可變?cè)措姌O和所述第一共漏電極上設(shè)置第一共柵電極。在示例性實(shí)施例中，所述第一有源圖案和所述第一公共有源圖案可包括非晶硅鍺。在示例性實(shí)施例中，所述方法還可包括在形成所述第一有源圖案和所述第一公共有源圖案之前，在所述基體基底上設(shè)置第二光阻擋圖案，其中，可將所述第二光阻擋圖案設(shè)置成與所述第一有源圖案疊置。在示例性實(shí)施例中，所述第一光阻擋圖案、所述第二光阻擋圖案、所述第一有源圖案和所述第一公共有源圖案可包括非晶硅。在示例性實(shí)施例中，所述方法還可包括在所述第一感測(cè)源電極與所述第一感測(cè)柵電極之間設(shè)置絕緣層，在所述第一感測(cè)漏電極與所述第一感測(cè)柵電極之間設(shè)置絕緣層， 在所述第一可變?cè)措姌O與所述第一共柵電極之間設(shè)置絕緣層，在所述第二可變?cè)措姌O與所述第一共柵電極之間設(shè)置絕緣層；在所述絕緣層上形成接觸孔，其中，所述接觸孔使所述第二可變?cè)措姌O暴露，其中，通過所述接觸孔將所述第一共柵電極連接到所述第二可變?cè)措姌O。在另一示例性實(shí)施例中，一種制造觸摸基底的方法包括在基體基底上設(shè)置第一光阻擋圖案；在設(shè)置有所述第一光阻擋圖案的所述基體基底上設(shè)置第一有源圖案和第一公共有源圖案，其中，將所述第一公共有源圖案設(shè)置成與所述第一光阻擋圖案疊置；在所述第一有源圖案上設(shè)置第一感測(cè)源電極和第一感測(cè)漏電極，其中，所述第一感測(cè)源電極與所述第一感測(cè)漏電極彼此隔開；在所述第一公共有源圖案上設(shè)置相互隔開的第一可變?cè)措姌O、 第一共漏電極和第二可變?cè)措姌O；在所述第一感測(cè)源電極和所述第一感測(cè)漏電極上設(shè)置第一感測(cè)柵電極，并將所述第一感測(cè)柵電極電連接到所述第一共漏電極。在示例性實(shí)施例中，所述第一有源圖案和所述第一公共有源圖案可包括非晶硅鍺。在示例性實(shí)施例中，所述方法還可包括在設(shè)置所述第一有源圖案和所述第一公共有源圖案之前，在所述基體基底上設(shè)置第二光阻擋圖案，其中，將所述第二光阻擋圖案設(shè)置成與所述第一有源圖案疊置。在示例性實(shí)施例中，所述第一光阻擋圖案、所述第二光阻擋圖案、所述第一有源圖案和所述第一公共有源圖案可包括非晶硅。
在示例性實(shí)施例中，控制施加到感測(cè)紅外光和/或可見光的感測(cè)元件的感測(cè)柵電極的感測(cè)柵極電壓，使得感測(cè)元件的光電流大幅增加。因此，大幅提高感測(cè)元件的靈敏度。


通過參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其他方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加清楚，在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的示例性實(shí)施例的剖視圖；圖2是圖1的觸摸基底的示例性實(shí)施例的俯視圖；圖3是示出圖2的觸摸基底的等效電路圖；圖4是沿著圖2的1-1’線截取的剖視圖；圖5是沿著圖2的11-11’線截取的剖視圖；圖6A至圖6F是示出制造圖4的觸摸基底的方法的示例性實(shí)施例的剖視圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明的觸摸基底的可選示例性實(shí)施例的俯視圖；圖8是示出圖7的觸摸基底的等效電路圖；圖9是沿著圖7的III-III’線截取的剖視圖；圖10是沿著圖7的IV-IV’線截取的剖視圖；圖11是示出第一可變電壓部分的示例性實(shí)施例的感測(cè)柵極電壓根據(jù)第二偏置電壓的變化的曲線圖；圖12A和圖12B是示出第一感測(cè)元件的示例性實(shí)施例的電流-電壓特性的曲線圖。
具體實(shí)施例方式以下，將參照附圖來更加充分地描述本發(fā)明，本發(fā)明的實(shí)施例在附圖中示出。然而，本發(fā)明可以以多種不同的形式實(shí)施，并不應(yīng)該被解釋為限于在此闡述的實(shí)施例。相反， 提供這些實(shí)施例使得本公開將是徹底和完整的，并將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。相同的標(biāo)號(hào)始終指示相同的元件。應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件被稱為“在”另一元件“上”時(shí)，它可以直接在另一元件上，或者可以存在中間元件。相比之下，當(dāng)元件被稱為“直接在”另一元件“上”時(shí)，不存在中間元件。如在此所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任何組合和所有組合。應(yīng)該理解的是，盡管在此可使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。在此所使用的術(shù)語僅僅是為了描述具體實(shí)施例的目的，而不意在成為本發(fā)明的限制。如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否則單數(shù)形式也意在包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)該理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時(shí)，表明存在所述特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但是不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其他特征、區(qū)域、 整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
此外，在此可使用相對(duì)關(guān)系術(shù)語，例如“下”或“底部”以及“上”或“頂部”，來描述如圖中所示的一個(gè)元件與其他元件的關(guān)系。應(yīng)該理解的是，所述相對(duì)關(guān)系術(shù)語意在包括除圖中示出的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果將一幅圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其他元件的“下”側(cè)的元件那時(shí)將被定位為在所述其他元件的“上”側(cè)。因此，根據(jù)圖的具體方位，示例性術(shù)語“下”可包括“下”和“上”兩個(gè)方位。類似地，如果將一幅圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”其他元件“之下”或“下方”的元件那時(shí)將被定位為“在”其他元件“之
上”。因此，示例性術(shù)語“在......之下”或“在......下方”可包括“在......之上”和
“在......之下”兩個(gè)方位。除非另外限定，否則在此所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)的意思與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的意思相同。還應(yīng)該理解的是，除非在此明確定義，否則術(shù)語(諸如那些在通用字典里定義的術(shù)語)應(yīng)該被解釋為具有與本公開和相關(guān)領(lǐng)域上下文中它們的意思一致的意思，并且將不以理想化或過于正式的含義來解釋它們。在此參照作為本發(fā)明的理想實(shí)施例的示意圖的剖視圖來描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。這樣，預(yù)計(jì)會(huì)出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的示出的形狀變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)該被解釋為限于在此示出的區(qū)域的具體形狀，而應(yīng)該被解釋為包括例如由制造導(dǎo)致的形狀上的偏差。例如，示出或描述為平坦的區(qū)域通常可具有粗糙和/或非線性的特征。此外，示出的尖角可以是圓的。因此，在附圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，它們的形狀并不意在示出區(qū)域的精確形狀，也不意在限制本發(fā)明的范圍。除非在此另有指示或者通過上下文另外清楚地否定，否則在此所描述的所有方法可以以合適的順序執(zhí)行。除非另有聲明，否則任何和全部示例的使用或者示例性語言(如 “例如”)僅意在更好地闡明本發(fā)明，并不限制本發(fā)明的范圍。說明書中的語言不應(yīng)該被解釋為指示在此所使用的任何未聲明的元件對(duì)實(shí)施本發(fā)明是必要的。以下，將參照附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。圖1是根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的示例性實(shí)施例的剖視圖。參照?qǐng)D1，顯示設(shè)備1000包括觸摸面板400以及向觸摸面板400提供光的背光組件 500。在示例性實(shí)施例中，觸摸面板400包括顯示基底100 ；觸摸基底200，與顯示基底 100相對(duì)設(shè)置；液晶層300，設(shè)置在顯示基底100和觸摸基底200之間。顯示基底100可包括像素開關(guān)元件110，設(shè)置在第一基體基底101上；像素電極 PE,電連接到像素開關(guān)元件110 ；絕緣層120。絕緣層120可包括柵極絕緣層(未示出)， 設(shè)置在像素開關(guān)元件110的柵電極(未示出)上；鈍化層(未示出)，設(shè)置在像素開關(guān)元件 110的源電極和漏電極(未示出)上。觸摸基底200可包括第一感光部分LSP1、第二感光部分LSP2、第一可變電壓部分 (未示出)以及第二可變電壓部分(未示出)。第一感光部分LSPl可包括第一感測(cè)元件 (未示出)，感測(cè)紅外光；第一開關(guān)元件(未示出)，驅(qū)動(dòng)第一感測(cè)元件。第二感光部分LSP2 可包括第二感測(cè)元件(未示出)，感測(cè)可見光；第二開關(guān)元件(未示出)，驅(qū)動(dòng)第二感測(cè)元件。第一可變電壓部分電連接到第一感測(cè)元件的感測(cè)柵電極并提供可變柵極電壓。第二可變電壓部分電連接到第二感測(cè)元件的感測(cè)柵電極并提供可變柵極電壓。觸摸基底200還可包括黑色矩陣BM、濾色器層CF、覆層OC以及共電極CE。共電極CE可被設(shè)置為面對(duì)像素電極PE，并在液晶層300中產(chǎn)生電場(chǎng)。背光組件500設(shè)置在顯示基底100之下。背光組件500可包括第一光源(未示出)，產(chǎn)生紅外光；第二光源(未示出)，產(chǎn)生可見光。在示例性實(shí)施例中，第一光源和第二光源可以是發(fā)光二極管。圖2是圖1的觸摸基底的示例性實(shí)施例的俯視圖。圖3是示出圖2的觸摸基底的等效電路圖。圖4是沿著圖2的1-1’線截取的剖視圖。圖5是沿著圖2的11-11’線截取的剖視圖。參照?qǐng)D2至圖5，觸摸基底200可包括第一感測(cè)柵極線SGL1、第一偏置電壓線 BVL1、第二偏置電壓線BVL2、第一讀出線R0L1、第一感光部分LSPl (圖1)、第一光阻擋圖案 BP1、第一可變電壓部分MO以及第一電容器252。第一感測(cè)柵極線SGLl基本上沿第一方向延伸并傳輸?shù)谝桓袦y(cè)柵極信號(hào)。第一偏置電壓線BVLl基本上沿與第一方向相交的第二方向延伸并傳輸?shù)谝黄秒妷?。第二偏置電壓線BVL2基本上沿第二方向延伸并傳輸?shù)诙秒妷?。第一讀出線ROLl基本上沿第二方向延伸。第一讀出線ROLl在一幀中將參考電壓施加到第一感光部分LSPl的第一開關(guān)元件SWTRl，并在隨后的一幀中從第一感光部分LSPl 的第一感測(cè)元件STRl讀出感測(cè)信號(hào)。第一感光部分LSPl包括第一感測(cè)元件STRl和第一開關(guān)元件SWTRl。第一開關(guān)元件SWTRl可包括第一開關(guān)柵電極SWG1、第一有源圖案API、第一開關(guān)源電極SWSl以及第一開關(guān)漏電極SWDl。第一開關(guān)柵電極SWGl電連接到第一感測(cè)柵極線 SGL1。第一有源圖案APl被設(shè)置為與第一開關(guān)柵電極SWGl疊置。柵極絕緣層210設(shè)置在第一有源圖案APl和第一開關(guān)柵電極SWGl之間。第一有源圖案APl可包括第一半導(dǎo)體層 222和第一歐姆接觸層224。第一半導(dǎo)體層222可包括非晶硅(a_Si)，第一歐姆接觸層224 可包括高濃度摻雜N型摻雜劑的N+氫化非晶硅(n+a-Si)。第一開關(guān)源電極SWSl和第一開關(guān)漏電極SWDl彼此分開地設(shè)置在第一有源圖案APl上。第一開關(guān)漏電極SWDl電連接到第一讀出線ROLl。在示例性實(shí)施例中，第一開關(guān)元件SWTRl還可包括第一頂柵電極TGl。第一頂柵電極TGl可通過第一接觸孔CNTl電連接到第一開關(guān)柵電極SWGl。第一頂柵電極TGl電連接到第一偏置電壓線BVL1，以接收第一偏置電壓。第一開關(guān)元件SWTRl可具有包括第一開關(guān)柵電極SWGl和第一頂柵電極TGl的雙柵極結(jié)構(gòu)。第一感測(cè)元件STRl感測(cè)第一光，例如，紅外光。第一感測(cè)元件STRl包括第二有源圖案AP2、第一感測(cè)源電極SS1、第一感測(cè)漏電極SDl以及第一感測(cè)柵電極SG1。第二有源圖案AP2可包括第二半導(dǎo)體層232和第二歐姆接觸層234。在示例性實(shí)施例中，第二半導(dǎo)體層232可包括a-SiGe (非晶硅鍺)，第二歐姆接觸層234可包括高濃度摻雜N型摻雜劑的 n+a-Si。第一感測(cè)源電極SSl和第一感測(cè)漏電極SDl彼此分開地設(shè)置在第二有源圖案AP2 上。第一感測(cè)源電極SSl通過第二接觸孔CNT2電連接到第一偏置電壓線BVLl。第一感測(cè)漏電極SDl電連接到第一開關(guān)源電極SWSl。在示例性實(shí)施例中，第一感測(cè)源電極SSl和第一感測(cè)漏電極SDl中的每個(gè)均可包括具有重復(fù)的U形圖案的鋸齒形圖案，以使第一感測(cè)元件STRl的溝道區(qū)域增加。第一感測(cè)柵電極SGl設(shè)置在第一感測(cè)源電極SSl和第一感測(cè)漏電極SDl上。
第一光阻擋圖案BPl設(shè)置在第一感測(cè)元件STRl之下。第一光阻擋圖案BPl可包括半導(dǎo)體。在示例性實(shí)施例中，第一光阻擋圖案BPl可包括a-SiGe。第一光阻擋圖案BPl 透射紅外光并通過吸收可見光來阻擋可見光。第一光阻擋圖案BPl可通過第三接觸孔CNT3 電連接到第一感測(cè)柵電極SGl。因此，第一感測(cè)元件STRl可具有包括第一感測(cè)柵電極SGl 和第一光阻擋圖案BPl的雙柵極結(jié)構(gòu)。第一可變電壓部分MO電連接到第一感測(cè)柵電極SGl。第一可變電壓部分240在接收第一光(例如，紅外光)的基礎(chǔ)上將第一感測(cè)柵極電壓和第二感測(cè)柵極電壓中的至少一種提供到第一感測(cè)柵電極SG1。第二感測(cè)柵極電壓的電平高于第一感測(cè)柵極電壓的電平。 在示例性實(shí)施例中，當(dāng)沒有接收到紅外光時(shí)，第一可變電壓部分240可將第一感測(cè)柵極電壓提供到第一感測(cè)柵電極SG1。當(dāng)接收到紅外光時(shí)，第一可變電壓部分240可將第二感測(cè)柵極電壓提供到第一感測(cè)柵電極SGl。在示例性實(shí)施例中，第一感測(cè)柵極電壓可具有負(fù)(_) 電平。在示例性實(shí)施例中，第二感測(cè)柵極電壓可具有約OV至約5V的電平。第一可變電壓部分240可包括第一公共有源圖案CAP1、第一可變?cè)措姌OVS1、第一共漏電極⑶1、第二可變?cè)措姌OVS2、第一共柵電極CGl以及第二光阻擋圖案BP2。第一公共有源圖案CAPl可包括第二半導(dǎo)體232和第二歐姆接觸層234。第一可變?cè)措姌OVSl設(shè)置在第一公共有源圖案CAPl上，并通過第四接觸孔CNT4電連接到第一偏置電壓線BVLl。第一共漏電極⑶1設(shè)置在第一可變?cè)措姌OVSl和第二可變?cè)措姌OVS2之間。第一共漏電極OTl 與第一可變?cè)措姌OVSl隔開，并通過第五接觸孔CNT5電連接到第一感測(cè)柵電極SG1。第二可變?cè)措姌OVS2與第一共漏電極CDl隔開，并通過第六接觸孔CNT6電連接到第二偏置電壓線BVL2。第一共柵電極CGl設(shè)置在第一可變?cè)措姌OVS1、第一共漏電極⑶1以及第二可變?cè)措姌OVS2上，并被設(shè)置為與第一公共有源圖案CAPl疊置。第一共柵電極CGl通過第六接觸孔CNT6電連接到第二可變?cè)措姌OVS2。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一共柵電極CGl可電連接到附加信號(hào)線，以接收柵極信號(hào)。第一光敏電阻開關(guān)元件LTRl (在圖3中)由第一公共有源圖案CAP1、第一可變?cè)措姌OVS1、第一共漏電極CDl以及第一共柵電極CGl共同限定。第二光敏電阻開關(guān)元件 LTR2(在圖3中)由第一公共有源圖案CAP1、第二可變?cè)措姌OVS2、第一共漏電極⑶1以及第一共柵電極CGl共同限定。因此，第一可變電壓部分240可具有包括并聯(lián)連接到第一感測(cè)柵電極SGl的第一光敏電阻開關(guān)元件LTRl和第二光敏電阻開關(guān)元件LTR2的結(jié)構(gòu)。可按照如下的式1來限定施加到第一感測(cè)柵電極SGl的感測(cè)柵極電壓?！词?>
權(quán)利要求
1.一種觸摸基底，所述觸摸基底包括 基體基底；第一感測(cè)元件，感測(cè)第一光，其中，所述第一感測(cè)元件包括 第一有源圖案，設(shè)置在所述基體基底上； 第一感測(cè)源電極，設(shè)置在所述第一有源圖案上；第一感測(cè)漏電極，設(shè)置在所述第一有源圖案上并與所述第一感測(cè)源電極隔開； 第一感測(cè)柵電極，設(shè)置在所述第一感測(cè)源電極和所述第一感測(cè)漏電極上； 第一可變電壓部分，在接收所述第一光的基礎(chǔ)上將第一感測(cè)柵極電壓和第二感測(cè)柵極電壓中的至少一種提供到所述第一感測(cè)元件的所述第一感測(cè)柵電極，其中，所述第二感測(cè)柵極電壓的電平高于所述第一感測(cè)柵極電壓的電平。
2.如權(quán)利要求1所述的觸摸基底，其中當(dāng)沒有接收到所述第一光時(shí)，所述第一可變電壓部分將所述第一感測(cè)柵極電壓提供到所述第一感測(cè)柵電極，當(dāng)接收到所述第一光時(shí)，所述第一可變電壓部分將所述第二感測(cè)柵極電壓提供到所述第一感測(cè)柵電極。
3.如權(quán)利要求1所述的觸摸基底，所述觸摸基底還包括 第一開關(guān)元件，所述第一開關(guān)元件包括第一開關(guān)柵電極；第二有源圖案，設(shè)置在所述第一開關(guān)柵電極上； 第一開關(guān)源電極，設(shè)置在所述第二有源圖案上；第一開關(guān)漏電極，設(shè)置在所述第二有源圖案上并與所述第一開關(guān)源電極隔開； 第一感測(cè)柵極線，電連接到所述第一開關(guān)柵電極，以將第一感測(cè)柵極信號(hào)傳輸?shù)剿龅谝婚_關(guān)柵電極；第一偏置電壓線，電連接到所述第一感測(cè)源電極，以將第一偏置電壓傳輸?shù)剿龅谝桓袦y(cè)源電極；第二偏置電壓線，電連接到所述第一可變電壓部分，以將第二偏置電壓傳輸?shù)剿龅谝豢勺冸妷翰糠帧?br> 4.如權(quán)利要求3所述的觸摸基底，其中，所述第一可變電壓部分包括 第一光阻擋圖案，阻擋所述第一光；第一可變?cè)措姌O，設(shè)置在所述第一光阻擋圖案上并電連接到所述第一偏置電壓線； 第二可變?cè)措姌O，電連接到所述第二偏置電壓線；第一共漏電極，與所述第一可變?cè)措姌O和所述第二可變?cè)措姌O分開地設(shè)置在所述第一可變?cè)措姌O和所述第二可變?cè)措姌O之間，其中，所述第一共漏電極電連接到所述第一感測(cè)柵電極；第一公共有源圖案，設(shè)置在所述第一可變?cè)措姌O、所述第二可變?cè)措姌O以及所述第一共漏電極之下；第一共柵電極，設(shè)置在所述第一可變?cè)措姌O、所述第二可變?cè)措姌O以及所述第一共漏電極上，并與所述第一公共有源圖案疊置。
5.如權(quán)利要求4所述的觸摸基底，其中，所述第一共柵電極電連接到所述第二可變?cè)措姌O，以接收所述第二偏置電壓。
6.如權(quán)利要求3所述的觸摸基底，其中，所述第一可變電壓部分包括 第一光阻擋圖案，阻擋所述第一光；第一輸入電極，設(shè)置在所述第一光阻擋圖案上并電連接到所述第一偏置電壓線； 第二輸入電極，電連接到所述第二偏置電壓線；第一共輸出電極，與所述第一輸入電極和所述第二輸入電極分開地設(shè)置在所述第一輸入電極和所述第二輸入電極之間，其中，所述第一共輸出電極電連接到所述第一感測(cè)柵電極；第一公共有源圖案，設(shè)置在所述第一輸入電極、所述第二輸入電極以及所述第一共輸出電極之下。
7.如權(quán)利要求3所述的觸摸基底，所述觸摸基底還包括 第二開關(guān)元件，所述第二開關(guān)元件包括第二開關(guān)柵電極；第三有源圖案，設(shè)置在所述第二開關(guān)柵電極上； 第二開關(guān)源電極，設(shè)置在所述第三有源圖案上；第二開關(guān)漏電極，設(shè)置在所述第三有源圖案上并與所述第二開關(guān)源電極隔開； 第二感測(cè)元件，感測(cè)第二光，其中，所述第二感測(cè)元件包括 第二感測(cè)漏電極，電連接到所述第二開關(guān)源電極； 第二感測(cè)源電極，與所述第二感測(cè)漏電極分開設(shè)置； 第四有源圖案，設(shè)置在所述第二感測(cè)漏電極和所述第二感測(cè)源電極之下； 第二感測(cè)柵電極，設(shè)置在所述第二感測(cè)漏電極和所述第二感測(cè)源電極上； 第二可變電壓部分，在接收所述第二光的基礎(chǔ)上將第三感測(cè)柵極電壓和第四感測(cè)柵極電壓中的至少一種提供到所述第二感測(cè)柵電極，其中，所述第四感測(cè)柵極電壓的電平高于所述第三感測(cè)柵極電壓的電平。
8.如權(quán)利要求7所述的觸摸基底，所述觸摸基底還包括 第二感測(cè)柵極線，電連接到所述第二開關(guān)柵電極；第一讀出線，電連接到所述第一開關(guān)漏電極，以從所述第一感測(cè)元件輸出第一感測(cè)信號(hào)；第二讀出線，電連接到所述第二開關(guān)漏電極，以從所述第二感測(cè)元件輸出第二感測(cè)信號(hào)。
9.如權(quán)利要求7所述的觸摸基底，所述觸摸基底還包括 第二光阻擋圖案，設(shè)置在所述第一感測(cè)元件之下，其中，所述第一光是紅外光，所述第二光是可見光， 其中，所述第二光阻擋圖案透射所述第一光并吸收所述第二光。
10.如權(quán)利要求7所述的觸摸基底，所述觸摸基底還包括 第二光阻擋圖案，設(shè)置在所述第二感測(cè)元件之下，其中，所述第一光是可見光，所述第二光是紅外光， 其中，所述第二光阻擋圖案透射所述第二光并吸收所述第一光。
11.一種制造觸摸基底的方法，所述方法包括在基體基底上設(shè)置第一光阻擋圖案；在設(shè)置有所述第一光阻擋圖案的所述基體基底上設(shè)置第一有源圖案和第一公共有源圖案，其中，將所述第一公共有源圖案設(shè)置成與所述第一光阻擋圖案疊置；在所述第一有源圖案上設(shè)置第一感測(cè)源電極和第一感測(cè)漏電極，其中，所述第一感測(cè)源電極與所述第一感測(cè)漏電極彼此隔開；在所述第一公共有源圖案上設(shè)置第一可變?cè)措姌O、第一共漏電極和第二可變?cè)措姌O， 其中，所述第一可變?cè)措姌O、所述第一共漏電極與所述第二可變?cè)措姌O相互隔開；在所述第一感測(cè)源電極和所述第一感測(cè)漏電極上設(shè)置第一感測(cè)柵電極，并將所述第一感測(cè)柵電極電連接到所述第一共漏電極，在所述第一可變?cè)措姌O、所述第二可變?cè)措姌O和所述第一共漏電極上設(shè)置第一共柵電極。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一有源圖案和所述第一公共有源圖案包括非晶硅鍺。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，所述方法還包括在設(shè)置所述第一有源圖案和所述第一公共有源圖案之前，在所述基體基底上設(shè)置第二光阻擋圖案，其中，將所述第二光阻擋圖案設(shè)置成與所述第一有源圖案疊置。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第一光阻擋圖案、所述第二光阻擋圖案、所述第一有源圖案和所述第一公共有源圖案包括非晶硅。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，所述方法還包括在所述第一感測(cè)源電極與所述第一感測(cè)柵電極之間設(shè)置絕緣層，在所述第一感測(cè)漏電極與所述第一感測(cè)柵電極之間設(shè)置絕緣層，在所述第一可變?cè)措姌O與所述第一共柵電極之間設(shè)置絕緣層，在所述第二可變?cè)措姌O與所述第一共柵電極之間設(shè)置絕緣層； 在所述絕緣層上形成接觸孔，其中，所述接觸孔使所述第二可變?cè)措姌O暴露， 其中，通過所述接觸孔將所述第一共柵電極連接到所述第二可變?cè)措姌O。
16.一種制造觸摸基底的方法，所述方法包括 在基體基底上設(shè)置第一光阻擋圖案；在設(shè)置有所述第一光阻擋圖案的所述基體基底上設(shè)置第一有源圖案和第一公共有源圖案，其中，將所述第一公共有源圖案設(shè)置成與所述第一光阻擋圖案疊置；在所述第一有源圖案上設(shè)置彼此隔開的第一感測(cè)源電極和第一感測(cè)漏電極； 在所述第一公共有源圖案上設(shè)置相互隔開的第一可變?cè)措姌O、第一共漏電極和第二可變?cè)措姌O；在所述第一感測(cè)源電極和所述第一感測(cè)漏電極上設(shè)置第一感測(cè)柵電極，并將所述第一感測(cè)柵電極電連接到所述第一共漏電極。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述第一有源圖案和所述第一公共有源圖案包括非晶硅鍺。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，所述方法還包括在設(shè)置所述第一有源圖案和所述第一公共有源圖案之前，在所述基體基底上設(shè)置第二光阻擋圖案，其中，將所述第二光阻擋圖案設(shè)置成與所述第一有源圖案疊置。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述第一光阻擋圖案、所述第二光阻擋圖案、所述第一有源圖案和所述第一公共有源圖案包括非晶硅。
全文摘要
本發(fā)明提供一種觸摸基底和制造該觸摸基底的方法。所述觸摸基底包括基體基底、第一感測(cè)元件和第一可變電壓部分。所述第一感測(cè)元件感測(cè)第一光并包括第一有源圖案，設(shè)置在所述基體基底上；第一感測(cè)源電極，設(shè)置在所述第一有源圖案上；第一感測(cè)漏電極，設(shè)置在所述第一有源圖案上并與所述第一感測(cè)源電極隔開；第一感測(cè)柵電極，設(shè)置在所述第一感測(cè)源電極和所述第一感測(cè)漏電極上。所述第一可變電壓部分在接收所述第一光的基礎(chǔ)上將第一感測(cè)柵極電壓和第二感測(cè)柵極電壓中的至少一種提供到所述第一感測(cè)柵電極，其中，所述第二感測(cè)柵極電壓的電平高于所述第一感測(cè)柵極電壓的電平。
文檔編號(hào)G06F3/041GK102375600SQ20111022996
公開日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2011年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月6日
發(fā)明者金希駿 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社