專利名稱：Mos器件版圖批量化設(shè)計方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種MOS器件版圖批量化設(shè)計方法，特別是涉及一種使用SMARTCELL軟件對三種MOS器件版圖批量化設(shè)計方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件的版圖設(shè)計是芯片制備最為重要步驟之一。版圖是對應(yīng)于半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)幾何圖形的組合，因而確定了制備出的芯片的具體結(jié)構(gòu)；這些幾何圖形是由用不同的圖形圖案表示的不同圖形層組成，而不同圖形層對應(yīng)于不同的工藝步驟，因此版圖決定了具體的器件結(jié)構(gòu)的工藝制作過程，可以說版圖設(shè)計是將半導(dǎo)體器件本身的內(nèi)部聯(lián)系轉(zhuǎn)換成版圖形式來表示。 在版圖設(shè)計中，要遵守工藝廠商提供的版圖設(shè)計規(guī)則，版圖設(shè)計規(guī)則是根據(jù)工藝產(chǎn)品在正常工作條件下實際工藝水平和成品率要求，設(shè)置的一組同一工藝層本身和工藝層之間幾何尺寸的限制。MOS器件的版圖設(shè)計也要遵守一定的版圖設(shè)計規(guī)則。當(dāng)前的大規(guī)模集成電路通常是由金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)來實現(xiàn)的，MOSFET大致可包括以下幾種基本結(jié)構(gòu)浮體MOS器件(Floating Body MOS,FBMOS)，是最簡單的MOS器件，在柵兩邊對稱源極和漏極，利用柵極將源極和漏極隔開，將柵極、源極和漏極三端引出；體接觸MOS器件(Body Tied to Source M0S，BTSM0S)，將源端與體端連接，共同從源端引出；側(cè)面引出體接觸MOS器件(Side Body Tied to Source MOS,SBTSM0S)，在源端兩邊對稱體端結(jié)構(gòu)，與體端連接，共同從源端引出。可見雖然同是MOS結(jié)構(gòu)，但是源漏柵體四個電極連接方式不同且各個區(qū)域面積、深度均不同，由此導(dǎo)致的版圖也迥異?，F(xiàn)有的版圖設(shè)計方法雖然可以滿足目前的器件尺寸設(shè)計要求，但在器件尺寸比較多的情況下，效率會降低，同時由于人為手工操作對器件設(shè)計會產(chǎn)生不必要的錯誤。因此，在對器件尺寸要求較多、器件尺寸變量較多(如上述三種M0S)的情況下，傳統(tǒng)的器件版圖設(shè)計已經(jīng)不能更好的滿足器件設(shè)計的高效率、低誤差率的要求。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種MOS器件版圖批量化設(shè)計的方法，以解決器件尺寸要求較多、器件尺寸變量較多的情況下，高效完成大量版圖設(shè)計的問題，從而降低人工設(shè)計版圖過程中產(chǎn)生的錯誤率，并縮短版圖設(shè)計時間。為此，本發(fā)明提供了一種MOS器件版圖批量化設(shè)計的方法，包括確定柵極層的形狀和尺寸；以柵極層為自變量，確定有源區(qū)層的形狀和尺寸；以有源區(qū)層為自變量，確定注入層、阱層的形狀和尺寸；以柵極層和有源區(qū)層為自變量，確定通孔的形狀和尺寸；以及以通孔為自變量，確定金屬層的形狀和尺寸。其中，通孔的長度和寬度均小于柵極層和/或有源區(qū)層的長度和寬度。其中，金屬層的長度和寬度大于通孔的長度和寬度，且金屬層的長度和寬度小于柵極層和/或有源區(qū)層的長度和寬度。其中，有源區(qū)層對稱分布在柵極層的兩側(cè)，有源區(qū)層的寬度大于柵極層的寬度，且有源區(qū)層的長度小于柵極層的長度。其中，注入層的寬度和長度均大于有源區(qū)層的寬度和長度，阱層的寬度和長度均大于注入層的寬度和長度。其中，有源區(qū)層非對稱分布在柵極層的兩側(cè)，有源區(qū)層的寬度大于柵極層的寬度，且有源區(qū)層的長度小于柵極層的長度，有源區(qū)層包括位于柵極層一側(cè)的源極有源區(qū)層和體極有源區(qū)層，以及位于柵極層另一側(cè)的漏極有源區(qū)層。其中，漏極有源區(qū)層、源極有源區(qū)層和體極有源區(qū)層長度相等，源極有源區(qū)層的寬度等于漏極有源區(qū)層的寬度，體極有源區(qū)層的寬度小于源極有源區(qū)層和/或漏極有源區(qū)
層。其中，注入層包括第一類型注入層和第二類型注入層，第一類型注入層、第二類型注入層的長度均大于有源區(qū)層的長度，第一類型注入層與第二類型注入層寬度之和大于有源區(qū)層的寬度，體極有源區(qū)層位于第二類型注入層內(nèi)，源極有源區(qū)層和漏極有源區(qū)層位于第一類型注入層內(nèi)，阱層的寬度大于第一類型注入層與第二類型注入層的寬度之和，阱層的長度大于第一類型注入層或第二類型注入層的長度。其中，漏極有源區(qū)層、源極有源區(qū)層和體極有源區(qū)層寬度相等，漏極有源區(qū)層的長度等于源極有源區(qū)長度與體極有源區(qū)層長度之和。其中，注入層包括源極第一類型注入層、漏極第一類型注入層和第二類型注入層，漏極第一類型注入層寬度、源極第一類型注入層與第二類型注入層寬度相等且均大于漏極或源極有源區(qū)層寬度，漏極第一類型注入層長度等于源極第一類型注入層長度與第二類型注入層長度之和，阱層的長度大于漏極第一類型注入層長度，阱層的寬度大于漏極第一類型注入層寬度與源極第一類型注入層寬度之和。依照本發(fā)明的MOS管結(jié)構(gòu)批量化設(shè)計方法，以柵極為自變量確定有源區(qū)之后再以有源區(qū)為自變量確定注入層和阱層，對于不同的MOS結(jié)構(gòu)均可統(tǒng)一輸入版圖設(shè)計規(guī)則和初始的柵極參數(shù)即可自動完成多種MOS管版圖設(shè)計，解決器件尺寸要求較多、器件尺寸變量較多的情況下，高效完成大量版圖設(shè)計的問題，從而降低人工設(shè)計版圖過程中產(chǎn)生的錯誤率，并縮短版圖設(shè)計時間。本發(fā)明所述目的，以及在此未列出的其他目的，在本申請獨立權(quán)利要求的范圍內(nèi)得以滿足。本發(fā)明的實施例限定在獨立權(quán)利要求中，具體特征限定在其從屬權(quán)利要求中。


以下參照附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)方案，其中圖I顯示了 FBMOS的頂視圖；圖2顯示了 BTSMOS的頂視圖；圖3顯示了 SBTSM0S的頂視圖；以及圖4顯示了 MOS器件三端通孔引出的頂視圖。附圖標(biāo)記101柵極層102有源區(qū)102S源極有源區(qū)102D漏極有源區(qū)102B體極有源區(qū)103第一類型注入層103S源極第一類型注入層103D漏極第一類型注入層104阱層
105第二類型注入層106 第一通孔107 第二通孔108第一金屬層109第二金屬層
具體實施例方式以下參照附圖并結(jié)合示意性的實施例來詳細(xì)說明本發(fā)明技術(shù)方案的特征及其技術(shù)效果，公開了方法。需要指出的是，類似的附圖標(biāo)記表示類似的結(jié)構(gòu)，本申請中所用的術(shù)語“第一”、“第二”、“上”、“下”等等可用于修飾各種器件結(jié)構(gòu)或工藝步驟。這些修飾除非特 別說明并非暗示所修飾器件結(jié)構(gòu)或工藝步驟的空間、次序或?qū)蛹夑P(guān)系。如圖I、圖2、圖3分別所示為三種不同MOS的版圖頂視圖，圖I是浮體MOS器件結(jié)構(gòu)圖，圖2是體接觸MOS器件結(jié)構(gòu)圖，圖3是側(cè)面引出體接觸MOS器件結(jié)構(gòu)圖。三種MOS管均制作在位于襯底(未顯示)中的阱層104內(nèi)，包括源極(source) 102S、漏極(drain) 102D和柵極(gate) 101三個電極，版圖中柵極層101區(qū)域的大小可以代表MOS管尺寸的大小。柵極將源極和漏極隔離開，相應(yīng)地在圖中顯示為柵極層101將有源區(qū)層102劃分為兩個部分，其中一個相當(dāng)于源區(qū)102S，另一個則相當(dāng)于漏區(qū)102D。形成這些器件結(jié)構(gòu)時，根據(jù)版圖設(shè)計規(guī)則，對相同工藝層本身進(jìn)行最小尺寸限制，對不同工藝層之間進(jìn)行最小尺寸限制。根據(jù)不同種類MOS器件要求的不同變量，進(jìn)行參數(shù)定義，如將柵寬度、柵長度、BTS內(nèi)有源區(qū)寬度賦予初始值，使其成為后期版圖設(shè)計中的參數(shù)量。下面對三種MOS器件進(jìn)行基礎(chǔ)設(shè)計介紹。實施例I Fmos參照附圖1，為FBMOS的版圖。按照實際制作的先后順序，其通常的工藝制作流程包括阱層104內(nèi)形成第一類型注入層103，依照PMOS與NMOS有源區(qū)、溝道區(qū)類型不同而設(shè)置，例如PMOS的阱層104為η型，第一類型注入層103為ρ型，NMOS的阱層104為ρ型，第一類型注入層103為η型；在第一類型注入層103中形成有源區(qū)層102 ;在第一類型注入層103、有源區(qū)層102上形成柵極層101，柵極層101將有源區(qū)層102劃分為對稱的、面積相等的兩個區(qū)域，分別為源區(qū)102S和漏區(qū)102D。然而這些區(qū)域的版圖設(shè)計順序，也即各個區(qū)域的形狀、大小的確定過程卻不同于上述實際制造順序。具體地，對于這些不同區(qū)域的版圖設(shè)計方法包括以下各個步驟首先，確定柵極層的形狀和尺寸。按照MOS器件的電學(xué)特性需要，例如閾值電壓控制、柵極電阻、溝道區(qū)長度等等，確定柵極層101的幾何形狀和尺寸參數(shù)，也即選擇合適的柵極層101的寬度和長度，畫出矩形的柵極層101的版圖。通常，柵極層101的寬度決定了器件及其構(gòu)成的大規(guī)模集成電路的特性，因此也稱為特征尺寸。在本發(fā)明中，寬度指附圖中水平方向上的距離，長度指垂直方向上的距離，以下均類似，不再贅述。其次，按照版圖設(shè)計規(guī)則，確定以柵極層為自變量的有源區(qū)層的形狀和尺寸。也即依據(jù)有源區(qū)層102邊界與柵極層101結(jié)構(gòu)之間的幾何關(guān)系，確定隨著柵極層101的形狀和尺寸變化而變化的有源區(qū)層102的位置、形狀和尺寸。具體地，對于FBMOS而言，有源區(qū)層102的版圖也為矩形，對稱分布在柵極層101的兩側(cè)，有源區(qū)層102的寬度大于柵極層101的寬度，且有源區(qū)層102的長度小于柵極層101的長度?？梢允褂肧MARTCELL軟件來輔助設(shè)計，也即輸入版圖設(shè)計規(guī)則之后，依據(jù)柵極層的位置、形狀和尺寸自動調(diào)整設(shè)置有源區(qū)層102，例如在SmartCell軟件中Cell Design中，對器件變量，如柵寬度、柵長度、BTS內(nèi)有源區(qū)寬度按照需要填入，則系統(tǒng)自動生成不同變量條件組下的MOS器件結(jié)構(gòu)。以下的各步設(shè)計也均可采用該軟件輔助，不再贅述。然后，按照版圖設(shè)計規(guī)則，確定以有源區(qū)層為自變量的注入層、阱層的形狀和尺寸。也即依據(jù)第一類型注入層103邊界和阱層104邊界分別與有源區(qū)層102結(jié)構(gòu)之間的幾何關(guān)系，確定隨著有源區(qū)層102的形狀和尺寸變化而變化的第一類型注入層103和阱層104的位置、形狀和尺寸。具體地，對于FBMOS而言，第一類型注入層103和阱層104均為矩形，第一類型注入層103的寬度和長度均大于有源區(qū)層102的寬度和長度，阱層104的的寬度和長度均大于第一類型注入層103的寬度和長度，第一類型注入層103與有源區(qū)層102之 間的間隔以及阱層104與第一類型注入層103之間的間隔依據(jù)MOS器件電學(xué)性能需要而定。接著，如圖4所示，在柵極層101和源漏區(qū)102S/D上依據(jù)接觸電阻的需要而劃定用于接觸的通孔區(qū)域，也即以柵極層101和有源區(qū)層102為自變量確定第一通孔106的形狀和尺寸。其中，第一通孔106為多個矩形或正方形，第一通孔106的長度和寬度均小于柵極層101的長度和寬度，且小于有源區(qū)層102中源區(qū)102S或漏區(qū)102D的長度和寬度。最后，以通孔為自變量確定金屬層的形狀和尺寸。具體地，第一金屬層108為矩形，其長度和寬度大于第一通孔106的長度和寬度，且小于柵極層101的長度和寬度以及小于有源區(qū)層102中源區(qū)102S或漏區(qū)102D的長度和寬度。至此，單層互連的FBMOS的版圖設(shè)計完成。以上僅顯示了單層互連的版圖，對于需要多層互連的MOS器件而言，版圖設(shè)計上還可以在第一金屬層108上形成有第二通孔107，并在第二通孔107上形成第二金屬層109，其中，第二通孔107為矩形且其長度和寬度小于第一金屬層108的長度和寬度，第二金屬層109的長度和寬度大于第二通孔107的長度和寬度且小于第一金屬層108的長度和寬度。實施例2 BTSMOS參照附圖2，為BTSMOS的版圖。按照實際制作的先后順序，其通常的工藝制作流程包括阱層104內(nèi)形成第一類型注入層103，依照PMOS與NMOS有源區(qū)、溝道區(qū)類型不同而設(shè)置，例如PMOS的阱層104為η型、第一類型注入層103為ρ型，NMOS的阱層104為ρ型、第一類型注入層103為η型；在阱層104內(nèi)形成第二類型注入層105，注入類型與第一類型相反，用于襯底偏置設(shè)置；在第一類型注入層103和第二類型注入層105中形成有源區(qū)層102 ;在第一類型注入層103、有源區(qū)層102上形成柵極層101，柵極層101將有源區(qū)層102劃分為非對稱的、面積不相等的兩個區(qū)域，分別為源區(qū)102S和漏區(qū)102D。BTMOS的版圖制作方法的工序與實施例I的區(qū)別僅在有源區(qū)102和第一類型注入層103、第二類型注入層105之間的相互位置關(guān)系，具體如下首先，確定柵極層的形狀和尺寸，與實施例I類似，不再贅述。其次，按照版圖設(shè)計規(guī)則，確定以柵極層為自變量的有源區(qū)層的形狀和尺寸。也即依據(jù)有源區(qū)層102邊界與柵極層101結(jié)構(gòu)之間的幾何關(guān)系，確定隨著柵極層101的形狀和尺寸變化而變化的有源區(qū)層102的位置、形狀和尺寸。具體地，對于BTSMOS而言，有源區(qū)層102的版圖也為矩形，非對稱分布在柵極層101的兩側(cè)，有源區(qū)層102的寬度大于柵極層101的寬度，且有源區(qū)層102的長度小于柵極層101的長度。有源區(qū)層102位于柵極層101左側(cè)的部分為源區(qū)102S，右側(cè)為漏區(qū)102D，源區(qū)102S的寬度要大于漏區(qū)102D的寬度，其超出漏區(qū)102D寬度的部分為體極有源區(qū)102B，其寬度可定義為自定義變量“BTS內(nèi)有源區(qū)寬度”，該部分將位于稍后形成的體區(qū)的第二類型注入層105內(nèi)，而不是實施例I中所示源區(qū)102S全部位于第一類型注入層103內(nèi)。此時，漏極區(qū)、源極區(qū)、體區(qū)的有源區(qū)操作已完成。然后，按照版圖設(shè)計規(guī)則，確定以有源區(qū)層為自變量的注入層、阱層的形狀和尺寸。也即依據(jù)第一類型注入層103、第二類型注入層105的邊界和阱層104邊界分別與有源區(qū)層102結(jié)構(gòu)之間的幾何關(guān)系，確定隨著有源區(qū)層102的形狀和尺寸變化而變化的第一類型注入層103、第二類型注入層105和阱層104的位置、形狀和尺寸。具體地，對于BTSMOS而言，第一類型注入層103、第二類型注入層105和阱層104均為矩形，第一類型注入層103、第二類型注入層105的長度均大于有源區(qū)層102的長度，第一類型注入層103與第二類型注入層105寬度之和大于有源區(qū)層102的寬度，源區(qū)102S位于第二類型注入層105內(nèi)的寬度為上述的自定義變量“BTS內(nèi)有源區(qū)寬度”。阱層104的寬度大于等于第一類型注入層103·與第二類型注入層105的寬度之和，其長度大于等于第一類型注入層103或第二類型注入層105的長度。第一類型注入層103、第二類型注入層105與有源區(qū)層102之間的間隔以及阱層104與第一類型注入層103、第二類型注入層105之間的間隔依據(jù)MOS器件電學(xué)性能需要而定。此后與實施例I類似地，依次在柵極層101、源區(qū)102S、漏區(qū)102D上形成通孔106、107以及金屬層108、109的版圖，不再贅述。實施例3 SBTSM0S參照附圖3，為SBTSM0S的版圖。按照實際制作的先后順序，其通常的工藝制作流程包括阱層104內(nèi)形成第一類型注入層103，依照PMOS與NMOS有源區(qū)、溝道區(qū)類型不同而設(shè)置，例如PMOS的阱層104為η型、第一類型注入層103為ρ型，NMOS的阱層104為ρ型、第一類型注入層103為η型；在阱層104內(nèi)形成第二類型注入層105，注入類型與第一類型相反，用于襯底偏置設(shè)置；在第一類型注入層103和第二類型注入層105中形成有源區(qū)層102 ;在第一類型注入層103、有源區(qū)層102上形成柵極層101，柵極層101將有源區(qū)層102劃分為三個區(qū)域，分別為源區(qū)102S、體區(qū)102Β和漏區(qū)102D。SBTSM0S的版圖制作方法的工序與實施例I的區(qū)別僅在有源區(qū)102和第一類型注入層103、第二類型注入層105之間的相互位置關(guān)系，具體如下首先，確定柵極層的形狀和尺寸，與實施例I類似，不再贅述。其次，按照版圖設(shè)計規(guī)則，確定以柵極層為自變量的有源區(qū)層的形狀和尺寸。也即依據(jù)有源區(qū)層102邊界與柵極層101結(jié)構(gòu)之間的幾何關(guān)系，確定隨著柵極層101的形狀和尺寸變化而變化的有源區(qū)層102的位置、形狀和尺寸。具體地，對于SBTSM0S而言，有源區(qū)層102的版圖也為矩形，分為三部分非對稱地分布在柵極層101的兩側(cè)，有源區(qū)層102的寬度大于柵極層101的寬度，且有源區(qū)層102的長度小于柵極層101的長度。有源區(qū)層102位于柵極層101左側(cè)的部分為漏區(qū)102D，右側(cè)為源區(qū)102S和體區(qū)102Β，其中體區(qū)102Β與實施例I不同，將形成在第二類型注入層105中，用于襯底偏置。漏極有源區(qū)102D與柵寬度平行方向距離遵循版圖設(shè)計規(guī)則中要求，漏極有源區(qū)102D與柵長度平行方向與體區(qū)有源區(qū)102B最外邊緣保持相同，體區(qū)102B寬度與源區(qū)102S相等，體區(qū)102B與源區(qū)102S長度之和等于漏區(qū)102D的長度。值得注意的是，SBTSMOS版圖中往往需增加?xùn)艠O101寬度，增加的柵極寬度滿足版圖設(shè)計規(guī)則中柵高出(沿垂直紙面向上方向)有源區(qū)的最小距離(現(xiàn)實制造過程中，在層間介質(zhì)層開口中沉積柵極或是在柵絕緣層上沉積再刻蝕形成柵極時，柵極的高度與其寬度有一定關(guān)聯(lián)，若寬度太窄，沉積的臺階覆蓋性不好或者刻蝕精度降低，造成柵極的高度達(dá)不到設(shè)計要求，因此柵極寬度必須要超過相應(yīng)工藝下的特定限值)。然后，按照版圖設(shè)計規(guī)則，確定以有源區(qū)層為自變量的注入層、阱層的形狀和尺寸。也即依據(jù)第一類型注入層103、第二類型注入層105的邊界和阱層104邊界分別與有源區(qū)層102各個結(jié)構(gòu)之間的幾何關(guān)系，確定隨著有源區(qū)層102的形狀和尺寸變化而變化的第一類型注入層103、第二類型注入層105和阱層104的位置、形狀和尺寸。具體地，對于SBTSMOS而言，第一類型注入層103、第二類型注入層105和阱層104均為矩形，第一類型注入層103包括分布在柵極層101兩側(cè)的兩個部分一源極第一類型注入層103S和漏極第一類型注入層103D，漏極第一類型注入層103D長度和寬度均大于漏極有源區(qū)102D，源極第 一類型注入層103S寬度大于源極有源區(qū)102S且其長度小于源極有源區(qū)102S長度，第二類型注入層105寬度等于源極第一類型注入層103S且長度等于漏極第一類型注入層103D。阱層104的寬度大于等于第一類型注入層103與第二類型注入層105的寬度之和，其長度大于等于第一類型注入層103或第二類型注入層105的長度。第一類型注入層103、第二類型注入層105與有源區(qū)層102之間的間隔以及阱層104與第一類型注入層103、第二類型注入層105之間的間隔依據(jù)MOS器件電學(xué)性能需要而定。此后與實施例I類似地，依次在柵極層101、源區(qū)102S、漏區(qū)102D上形成通孔106、107以及金屬層108、109的版圖，不再贅述。以上為本發(fā)明所提供的一種對三種MOS管結(jié)構(gòu)批量化設(shè)計方法。依照本發(fā)明的MOS管結(jié)構(gòu)批量化設(shè)計方法，以柵極為自變量確定有源區(qū)之后再以有源區(qū)為自變量確定注入層和阱層，對于不同的MOS結(jié)構(gòu)均可統(tǒng)一輸入版圖設(shè)計規(guī)則和初始的柵極參數(shù)即可自動完成多種MOS管版圖設(shè)計，解決器件尺寸要求較多、器件尺寸變量較多的情況下，高效完成大量版圖設(shè)計的問題，從而降低人工設(shè)計版圖過程中產(chǎn)生的錯誤率，并縮短版圖設(shè)計時間。盡管已參照一個或多個示例性實施例說明本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉無需脫離本發(fā)明范圍而對工藝流程做出各種合適的改變和等價方式。此外，由所公開的教導(dǎo)可做出許多可能適于特定情形或材料的修改而不脫離本發(fā)明范圍。因此，本發(fā)明的目的不在于限定在作為用于實現(xiàn)本發(fā)明的最佳實施方式而公開的特定實施例，而所公開的器件結(jié)構(gòu)及其制造方法將包括落入本發(fā)明范圍內(nèi)的所有實施例。
權(quán)利要求
1.ー種MOS器件版圖批量化設(shè)計的方法，包括 確定柵極層的形狀和尺寸； 以柵極層為自變量，確定有源區(qū)層的形狀和尺寸； 以有源區(qū)層為自變量，確定注入層、阱層的形狀和尺寸； 以柵極層和有源區(qū)層為自變量，確定通孔的形狀和尺寸；以及 以通孔為自變量，確定金屬層的形狀和尺寸。
2.如權(quán)利要求I的方法，其中，通孔的長度和寬度均小于柵極層和/或有源區(qū)層的長度和寬度。
3.如權(quán)利要求I的方法，其中，金屬層的長度和寬度大于通孔的長度和寬度，且金屬層的長度和寬度小于柵極層和/或有源區(qū)層的長度和寬度。
4.如權(quán)利要求I的方法，其中，有源區(qū)層對稱分布在柵極層的兩側(cè)，有源區(qū)層的寬度大于柵極層的寬度，且有源區(qū)層的長度小于柵極層的長度。
5.如權(quán)利要求4的方法，其中，注入層的寬度和長度均大于有源區(qū)層的寬度和長度，阱層的寬度和長度均大于注入層的寬度和長度。
6.如權(quán)利要求I的方法，其中，有源區(qū)層非對稱分布在柵極層的兩側(cè)，有源區(qū)層的寬度大于柵極層的寬度，且有源區(qū)層的長度小于柵極層的長度，有源區(qū)層包括位于柵極層ー側(cè)的源極有源區(qū)層和體極有源區(qū)層，以及位于柵極層另ー側(cè)的漏極有源區(qū)層。
7.如權(quán)利要求6的方法，其中，漏極有源區(qū)層、源極有源區(qū)層和體極有源區(qū)層長度相等，源極有源區(qū)層的寬度等于漏極有源區(qū)層的寬度，體極有源區(qū)層的寬度小于源極有源區(qū)層和/或漏極有源區(qū)層。
8.如權(quán)利要求6的方法，其中，注入層包括第一類型注入層和第二類型注入層，第一類型注入層、第二類型注入層的長度均大于有源區(qū)層的長度，第一類型注入層與第二類型注入層寬度之和大于有源區(qū)層的寬度，體極有源區(qū)層位于第二類型注入層內(nèi)，源極有源區(qū)層和漏極有源區(qū)層位于第一類型注入層內(nèi)，阱層的寬度大于第一類型注入層與第二類型注入層的寬度之和，阱層的長度大于第一類型注入層或第二類型注入層的長度。
9.如權(quán)利要求6的方法，其中，漏極有源區(qū)層、源極有源區(qū)層和體極有源區(qū)層寬度相等，漏極有源區(qū)層的長度等于源極有源區(qū)長度與體極有源區(qū)層長度之和。
10.如權(quán)利要求9的方法，其中，注入層包括源極第一類型注入層、漏極第一類型注入層和第二類型注入層，漏極第一類型注入層寬度、源極第一類型注入層與第二類型注入層寬度相等且均大于漏極或源極有源區(qū)層寬度，漏極第一類型注入層長度等于源極第一類型注入層長度與第二類型注入層長度之和，阱層的長度大于漏極第一類型注入層長度，阱層的寬度大于漏極第一類型注入層寬度與源極第一類型注入層寬度之和。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種MOS器件版圖批量化設(shè)計的方法，包括確定柵極層的形狀和尺寸；以柵極層為自變量，確定有源區(qū)層的形狀和尺寸；以有源區(qū)層為自變量，確定注入層、阱層的形狀和尺寸；以柵極層和有源區(qū)層為自變量，確定通孔的形狀和尺寸；以及以通孔為自變量，確定金屬層的形狀和尺寸。依照本發(fā)明的MOS管結(jié)構(gòu)批量化設(shè)計方法，解決器件尺寸要求較多、器件尺寸變量較多的情況下，高效完成大量版圖設(shè)計的問題，從而降低人工設(shè)計版圖過程中產(chǎn)生的錯誤率，并縮短版圖設(shè)計時間。
文檔編號G06F17/50GK102831254SQ20111016007
公開日2012年12月19日 申請日期2011年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月15日
發(fā)明者李瑩, 畢津順 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所